專利名稱：金屬全密封三相橋式整流模塊的制作方法
技術領域：
金屬全密封三相橋式整流模塊技術領域[0001]本實用新型涉及電力電子領域，具體地說，涉及一種半導體三相橋式整流模塊。
背景技術：
[0002]目前，國內使用的半導體三相橋式整流模塊大多采用塑封結構，體積比較大，且三 相交流輸入端和直流輸出端與塑料殼體之間通過玻璃絕緣子進行連接，在使用過程中引線 的彎曲容易導致玻璃碰裂，最終導致殼體密封失效，承載能力低，絕緣和導熱性能差，可靠 性低。實用新型內容[0003]本實用新型的目的在于針對現有三相橋式整流模塊存在的絕緣和導熱性能差、可 靠性差、等上述問題，提供了一種絕緣和導熱性能好、可靠性高、且過載能力強的金屬全密 封二相橋式整流模塊。[0004]本實用新型的技術方案是一種金屬全密封三相橋式整流模塊，該整流模塊包括 外殼和封裝在殼體內的三相橋式整流電路，三相橋式整流電路為由半導體整流二極管芯片 連接而成的三相橋式電路，外殼上設置有三相交流輸入端子、直流輸出正電極端子和直流 輸出負電極端子，外殼為金屬全密封式殼體，殼體內設置有底板，三相橋式整流電路通過底 板安裝在外殼的內壁上，底板的表面設置有絕緣層，三相交流輸入端子、直流輸出正電極端 子和直流輸出負電極端子分別通過陶瓷絕緣子與外殼進行封接。[0005]優選的是，三相交流輸入端子設置在外殼的前側壁上，直流輸出正電極端子和直 流輸出負電極端子分別設置在外殼的左、右側壁上，三相交流輸入端子的外接引線與直流 輸出正電極端子和直流輸出負電極端子的外接引線呈“T”型結構。[0006]優選的是，底板為以鎢銅和氧化鈹為材料制作而成的金屬板體。[0007]優選的是，絕緣層為以氧化鈹為材料制作而成的絕緣體層。[0008]本實用新型的有益效果是本實用新型體積小、安裝方便，采用金屬全密封外殼， 以鎢銅和氧化鈹為地板材料，提高了電流容量，滿足輸出電流50A，同時采用高導熱率的氧 化鈹為絕緣層的材料，實現了芯片與底板之間良好的絕緣和導熱性能；三相交流輸入端子、 直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子均通過陶瓷絕緣子與外殼進行封接，絕緣電壓 達2000V，可靠性高，且外接引線呈“T”型結構，加大了解除面積，提高了引線載流量，過載 能力高，使產品能耐高溫和經受較大的冷熱巨變。
[0009]附圖1為本實用新型具體實施方式
的結構示意圖。[0010]附圖2為本實用新型具體實施方式
的側視圖。[0011]附圖3為本實用新型具體實施方式
的電路原理圖具體實施方式
[0012]
以下結合附圖對本實用新型作進一步說明。[0013]如圖1至2所示，一種金屬全密封三相橋式整流模塊，該整流模塊包括外殼I和封裝在殼體內的三相橋式整流電路，三相橋式整流電路為由半導體整流二極管芯片2連接而成的三相橋式電路，外殼I上設置有三相交流輸入端子3、直流輸出正電極端子4和直流輸出負電極端子5，外殼I為金屬全密封式殼體,殼體內設置有底板6，底板6為以鎢銅和氧化鈹為材料制作而成的金屬板體。三相橋式整流電路通過底板安裝在外殼I的內壁上，底板 6的表面設置有絕緣層7，絕緣層7為以氧化鈹為材料制作而成的絕緣體層。[0014]三相交流輸入端子3、直流輸出正電極端子4和直流輸出負電極端子5分別通過陶瓷絕緣子8與外殼I進行封接。三相交流輸入端子3設置在外殼I的前側壁上，直流輸出正電極端子4和直流輸出負電極端子5分別設置在外殼的左、右側壁上，三相交流輸入端子3的外接引線與直流輸出正電極端子4和直流輸出負電極端子5的外接引線呈“T”型結構。[0015]本實用新型整流模塊產品的主要技術指標與國外同類產品技術指標對比見表一。[0016]
權利要求1.一種金屬全密封三相橋式整流模塊，該整流模塊包括外殼和封裝在殼體內的三相橋式整流電路，三相橋式整流電路為由半導體整流二極管芯片連接而成的三相橋式電路，外殼上設置有三相交流輸入端子、直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子，其特征在于 外殼為金屬全密封式殼體，殼體內設置有底板，三相橋式整流電路通過底板安裝在外殼的內壁上，底板的表面設置有絕緣層，三相交流輸入端子、直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子分別通過陶瓷絕緣子與外殼進行封接。
2.根據權利要求1所述的金屬全密封三相橋式整流模塊，其特征在于三相交流輸入端子設置在外殼的前側壁上，直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子分別設置在外殼的左、右側壁上，三相交流輸入端子的外接引線與直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子的外接引線呈“T”型結構。
3.根據權利要求1所述的金屬全密封三相橋式整流模塊，其特征在于底板為以鎢銅和氧化鈹為材料制作而成的金屬板體。
4.根據權利要求1所述的金屬全密封三相橋式整流模塊，其特征在于絕緣層為以氧化鈹為材料制作而成的絕緣體層。
專利摘要本實用新型涉及一種金屬全密封三相橋式整流模塊，該整流模塊包括外殼和封裝在殼體內的三相橋式整流電路，三相橋式整流電路為由半導體整流二極管芯片連接而成的三相橋式電路，外殼上設置有三相交流輸入端子、直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子，外殼為金屬全密封式殼體，殼體內設置有底板，三相橋式整流電路通過底板安裝在外殼的內壁上，底板的表面設置有絕緣層，三相交流輸入端子、直流輸出正電極端子和直流輸出負電極端子分別通。本實用新型采用金屬全密封外殼，以鎢銅和氧化鈹為地板材料，電流容量大，芯片與底板之間絕緣和導熱性能好；通過陶瓷絕緣子與外殼進行封接可靠性高，過載能力高，使產品能耐高溫和經受較大的冷熱巨變。
文檔編號H01L23/48GK202856635SQ20122042319
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月24日 優先權日2012年8月24日
發明者季琳 申請人:青島航天半導體研究所有限公司