具有高深寬比的通孔結構及多晶片互聯的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種具有高深寬比的通孔結構及多晶片互聯的制造方法，通孔結構的制造方法包括：提供一晶片，所述晶片具有正面及背面；先在所述晶片正面制作正面導電盲孔；后在所述晶片正面鍵合一輔助基板，并進行翻轉以使所述輔助基板支撐所述晶片；以及在所述晶片背面對應于所述正面導電盲孔位置處制作背面導電盲孔，并使所述背面導電盲孔與所述正面導電盲孔電性連接以形成貫穿所述晶片正面及背面的通孔結構，以降低晶片減薄工藝、磁控濺射工藝和金屬填充工藝難度，且實現更大的深寬比和更高密度的三維互連。
【專利說明】具有高深寬比的通孔結構及多晶片互聯的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于半導體微傳感器制造工藝【技術領域】，尤其涉及一種具有高深寬比的通孔結構及多晶片互聯的制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著IC芯片工藝的不斷發展，持續等比例縮小的局限性日漸明顯，因此越來越多的器件封裝方式開始向多芯片封裝發展。
[0003]為此，需要利用三維集成技術獲得多層芯片的三維集成電路。所謂三維集成是指在平面電路基礎上，把一個大的平面電路分為若干邏輯上相關聯的功能模塊，并且將相關聯的功能模塊分布在多個相鄰的芯片層上，然后通過穿透襯底的三維垂直互聯實現多層芯片集成。這種三維集成技術與以往的IC封裝的引線鍵合技術和使用凸點的3D堆疊技術不同，能夠將不同功能、不同工藝節點的芯片進行垂直互連，形成立體結構，可以大幅度縮短全局互連導線的長度，縮小芯片之間的間距，從而提高芯片之間的響應速度和降低芯片的功耗。
[0004]實現三維集成電路首先需要實現穿透半導體襯底的三維互連線，這是三維集成技術的核心。目前實現三維互連的技術主要是在晶片上制作通孔技術來實現，在晶片上制作通孔具有繼續推動摩爾定律發展的潛力，能夠實現更小的封裝尺寸和更高的器件性能，已逐步受到業界的廣泛認可。這是因為在晶片上制作的通孔能夠實現芯片和芯片之間或者晶片與晶片之間的垂直導通，從而實現芯片之間互連。在晶片上制作通孔的技術是目前解決多芯片集成、高帶寬通信和互連產生的延遲和噪聲等平面集成電路發展所面臨的問題的最優的解決方案。
[0005]圖1所示的是現有技術中制作三維垂直互連及三維集成電路的主要工藝流程:
[0006](I)采用深反應離子刻蝕工藝(DRIE)在晶片正面刻蝕盲孔；
[0007](2)采用化學氣相沉積工藝(CVD)在所述盲孔表面淀積氧化物或氮化物以形成絕緣層和擴散阻擋層；
[0008](3)采用磁控濺射工藝，在所述盲孔內低部沉積金屬種子層；
[0009](4)采用電鍍銅工藝在所述金屬種子層上進行盲孔的填充，再用化學機械拋光工藝(CMP)去除所述盲孔表面多余的電鍍銅層；
[0010](5)對晶片背面進行減薄，暴露出所述金屬種子層，完成通孔；
[0011](6)將形成有通孔的晶片與其它的晶片堆疊，形成三維垂直互聯及三維集成電路。
[0012]雖然圖1所示的制造方法能夠實現三維垂直互連及三維集成電路，但是存在如下的問題:目前的深反應離子刻蝕工藝的最大深寬比越為20: I,如果采用厚度超過200 μ m的晶片，那么互連線的橫向尺寸就必須大于1ym,限制了互連線密度的提高；而對于目前很多三維垂直互連的橫向尺寸為5 μ m的工藝，就必須將晶片減薄到小于100 μ m的厚度，這就增加了晶片減薄工藝的難度。
[0013]如果按照圖1所示的工藝流程制作20: I的大深寬比盲孔，由于深寬比較大，對采用磁控濺射工藝在盲孔內低部沉積所述金屬種子層的工藝要求也非常高，難以控制。在此基礎上，采用電鍍銅工藝完全填充所述盲孔需要很長的工時，填充的均勻性和一致性也難以控制。
[0014]因此，為了解決以上在傳統通用的三維垂直互聯及三維集成電路中所出現的問題，急需提供一種通孔結構和多晶片互聯的制造方法。
【發明內容】
[0015]本發明的目的是提供一種具有高深寬比的通孔結構及多晶片互聯的制造方法，以降低晶片減薄工藝、磁控濺射工藝和金屬填充工藝難度，且實現更大的深寬比和更高密度的三維互連。
[0016]為了解決上述問題，本發明提供的一種具有高深寬比的通孔結構的制造方法，包括:提供一晶片，所述晶片具有正面及背面；先在所述晶片正面制作正面導電盲孔；后在所述晶片正面鍵合一輔助基板，并進行翻轉以使所述輔助基板支撐所述晶片；以及在所述晶片背面對應于所述正面導電盲孔位置處制作背面導電盲孔，并使所述背面導電盲孔與所述正面導電盲孔電性連接以形成貫穿所述晶片正面及背面的通孔結構。
[0017]進一步的，所述正面導電盲孔的制造方法包括:在制作好的所述晶片正面進行光刻工藝，定義正面盲孔制作區域；對所述正面盲孔制作區域進行深反應離子刻蝕，獲得正面盲孔；在所述晶片正面及正面盲孔的內表面上依次淀積正面絕緣層和正面擴散阻擋層；在所述擴散阻擋層上濺射金屬種子層；采用金屬填充工藝將金屬填充滿所述正面盲孔，形成正面導電盲孔。
[0018]進一步的，所述正面導電盲孔的制作方法還包括:在所述晶片正面進行平坦化工藝，去除多余的填充金屬，使所述正面通孔表面與所述晶片正面平齊。
[0019]進一步的，所述背面導電盲孔的制作方法包括:在所述晶片背面進行光刻工藝，定義背面盲孔制作區域，所述背面盲孔制作區域與所述正面盲孔制作區域一一對準；對所述背面盲孔制作區域進行深反應離子刻蝕，獲得背面盲孔，所述背面盲孔與所述正面通孔連接；在所述晶片背面及背面盲孔的側壁上依次淀積背面絕緣層、背面擴散阻擋層和背面金屬種子層；采用所述金屬填充工藝將金屬填充滿所述背面盲孔，形成背面導電盲孔，使所述晶片的正面導電盲孔和背面導電盲孔電性連接。
[0020]進一步的，所述背面導電盲孔的制造方法還包括:在所述晶片背面進行平坦化工藝，去除多余的填充金屬，使所述背面導電盲孔表面與所述晶片背面平齊。
[0021]進一步的，所述金屬填充工藝采用電鍍或化學鍍的一種或組合。
[0022]進一步的，所述金屬填充工藝填充的金屬材料為具有導電性的銅、鎢或鋁中的一種或多種材料。
[0023]進一步的，在所述晶面背面進行光刻工藝，定義背面盲孔制作區域之前還包括:對所述晶片背面進行減薄，使所述晶片的厚度減薄到與一預定義的通孔結構的深度相同。
[0024]進一步的，對所述晶片背面進行減薄的操作采用機械研磨、化學機械拋光、濕法腐蝕、干法蝕刻的獨立或組合方式。
[0025]進一步的，所述鍵合采用高分子材料或有機材料作為中間層。
[0026]進一步的，所述具有高深寬比的通孔結構的制造方法還包括:在所述晶片背面制作導電凸塊，且所述導電凸塊與所述通孔結構電性連接。
[0027]進一步的，所述具有高深寬比的通孔結構的制造方法還包括:采用解鍵合工藝從所述晶片正面移除所述輔助基板。
[0028]進一步的，所述解鍵合工藝采用力、化學、高溫、光的獨立或組合方式。
[0029]本發明為了達到另一目的，還提供一種多晶片互聯的制造方法，包括:提供多個晶片，每一所述晶片中具有所述通孔結構，所述通孔結構上形成導電凸塊；以及焊接所述多個晶片的導電凸塊，通過所述導電凸塊互聯每一所述晶片中的通孔結構以形成多晶片互聯結構。
[0030]進一步的，采用導電性粘結劑或各向異性導電膜制作的焊料焊接所述多個晶片的導電凸塊。
[0031]由上述技術方案可見，本發明公開的具有高深寬比的通孔結構的制造方法為:提供一晶片，所述晶片具有正面及背面；先在所述晶片正面制作正面導電盲孔；后在所述晶片正面鍵合一輔助基板，并進行翻轉以使所述輔助基板支撐所述晶片；以及在所述晶片背面對應于所述正面導電盲孔位置處制作背面導電盲孔，并使所述背面導電盲孔與所述正面導電盲孔電性連接以形成貫穿所述晶片正面及背面的通孔結構，可見高深寬比的通孔結構分兩部分完成，在晶片正面完成正面導電盲孔，在晶片背面完成背面導電盲孔，且正面導電盲孔和背面導電盲孔互聯而形成通孔結構。這種制造方法形成的通孔結構容易獲得，且與傳統工藝制造方法得到的通孔結構相比，可以獲得更大的深寬比。
[0032]此外，傳統工藝制造方法制備的具有大的深寬比的通孔結構為一次性獲得，由于制造深度越大的通孔，則晶片的厚度越大，在完成通孔結構之后，晶片減薄的厚度及工藝要求也越高。本發明具有高深寬比的通孔結構不是一次性獲得而是由晶片正面及背面分別完成的正面導電盲孔和背面導電盲孔互聯而成，在晶片每面完成的導電盲孔的深度比預定的通孔結構的深度小，所以晶片的厚度較薄，在晶片背面完成背面導電盲孔之前，晶片減薄的厚度及工藝要求低；同時也有效的降低了磁控濺射工藝在盲孔內低部沉積金屬種子層的工藝難度；在此基礎上，還有效的降低了金屬填充工藝完全填充盲孔的難度，縮減了填充工時，提高了填充的均勻性和一致性，最終獲得的具有高深寬比的通孔結構實現了高密度的互連。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0033]圖1為本發明一實施例中的具有高深寬比的通孔結構的制造方法的流程示意圖；
[0034]圖2為圖1所示的正面導電盲孔的制造方法的流程示意圖；
[0035]圖3為圖1所示的背面導電盲孔的制造方法的流程示意圖；
[0036]圖4至圖18為圖1所示的具有高深寬比的通孔結構的制造方法的剖面結構示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。
[0038]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣，因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
[0039]以圖1所示的流程圖為例，結合圖2-18，對本發明提供的一種具有高深寬比的通孔結構的制造方法進行詳細說明。所述的通孔結構的制造方法包括如下步驟:
[0040]在步驟51中，提供一晶片八，所述晶片具有正面及背面。
[0041]在步驟32中，先在所述晶片正面依次應用光刻、刻蝕、淀積、濺射和金屬填充工藝等步驟，制作正面導電盲孔。以圖2所示的正面導電盲孔的制造方法的流程圖為例，對本步驟進行詳細說明:
[0042]首先，如圖4所示，所述晶片4包括已制作有103電路的半導體襯底1、103電路2以及多層金屬互連層3，所述多層金屬互連層3可以包括但不限定于金屬互連線、用于金屬互連線的層間介質層、表面鈍化層。所述晶片所使用的材料可以包括集成電路制造中所會用到的各種半導體材料襯底。在本實施例中以硅材料形成的晶片為例，在所述晶片正面依次淀積保護層和光刻膠，本步驟中的所述保護層和光刻膠合起來以4表示，如圖5所示，然后在所述晶片正面進行光刻工藝，在去除部分光刻膠和保護層的區域中定義出正面盲孔制作區域后，去除所有所述光刻膠。
[0043]其中，所述保護層使用的材料可以選擇介質材料、金屬材料或者有機材料。所述保護層的淀積工藝可以采用各種氣相沉積、氧化或濺射等方法。
[0044]然后，以未去除的所述保護層為掩膜，采用深反應離子刻蝕對所述正面盲孔制作區域進行刻蝕，制作正面盲孔5，如圖6所示。
[0045]其次，在所述晶片正面、正面盲孔5的內表面依次淀積具有很好覆蓋效果的正面絕緣層和正面擴散阻擋層，6為所述正面絕緣層和正面擴散阻擋層形成的疊加層，如圖7所示。所述正面絕緣層和正面擴散阻擋層5使用的材料均是能夠防止發生金屬擴散的保護材料。
[0046]接著，在所述正面擴散阻擋層上濺射正面金屬種子層。
[0047]再次，采用金屬填充工藝進行金屬填充，將所述正面盲孔5內填充滿，形成正面導電盲孔7，如圖8所示。金屬填充使用的材料可以是銅、鋁或鎢等金屬中的一種或多種材料，但本實施例并不限于所述的三種金屬材料。所述金屬填充工藝可以采用化學鍍或電鍍(丁郵等方法中的一種或組合，以確保所述生面盲孔5能夠完全填充，沒有縫隙和孔洞。
[0048]進一步的，在所述晶片正面進行平坦化工藝，以去除多余的填充金屬，使所述正面通孔7的表面與所述晶片正面平齊，如圖9所示。其中，所述平坦化工藝可以采用化學機械拋光((^?)工藝，其作用主要包括去除所述晶片正面多余的填充金屬，以及提高所述晶片正面的平整度，從而提高在后續步驟中臨時鍵合工藝的質量。
[0049]在步驟33中，后在所述晶片正面鍵合一輔助基板，并進行翻轉以使所述輔助基板支撐所述晶片。本步驟的詳細說明如下:
[0050]首先，在所述晶片正面涂一中間層8，采用鍵合工藝使所述晶片正面通過所述中間層8與一輔助基板9進行臨時鍵合，如圖10所示。其中，所述中間層8使用的材料為具有足夠鍵合強度，并可以通過光、熱、化學或機械等方式進行剝離的高分子材料或有機材料。所述輔助基板9為具有高平整度、且與所述晶片的熱膨脹系數接近的透明材料或可被紅外光透射的非透明材料。
[0051]然后，將所述晶片翻轉，使所述輔助基板9支撐所述晶片，并對所述晶片背面進行減薄，使所述晶片的厚度減薄到與一預定義的通孔結構的深度相同，即需要減薄的厚度10為所述晶片原厚度減去所述預定義的通孔結構的深度之差，如圖11所示，所述減薄的厚度與刻蝕工藝深寬比相關。
[0052]進一步的，對所述晶片背面進行減薄的操作可以采用機械研磨、化學機械拋光、濕法腐蝕、干法蝕刻等獨立或組合的方式，并確保所述晶片背面減薄后具有高的平整度。
[0053]在步驟S4中，在所述晶片背面對應于所述正面導電盲孔位置處，依次應用光刻、刻蝕、淀積和金屬填充工藝等步驟，制作背面導電盲孔，并使所述晶片雙面分別制作的正面導電盲孔和背面導電盲孔電性連接，以形成貫穿所述晶片正面及背面的具有高深寬比的通孔結構。以圖3所示的正面導電盲孔的制造方法的流程圖為例，對本步驟進行詳細說明:
[0054]首先，由于實現光刻工藝所使用的光刻設備具有雙面對準功能，所以在所述晶片背面進行雙面對準光刻，即在所述晶片背面依次淀積保護層11和光刻膠(未表示)，然后在所述晶片背面進行光刻工藝，去除所述晶片背面上的部分保護層和光刻膠后，在所曝露出的區域定義出背面盲孔制作區域，再去除所有所述光刻膠后，使所述背面盲孔制作區域與所述正面盲孔制作區域一一對準，確保所述背面盲孔制作區域與正面盲孔制作區域的位置偏差小于孔徑的10%。
[0055]然后，以未去除的所述保護層11為掩膜，對所述背面盲孔制作區域進行深反應離子刻蝕，獲得背面盲孔12，所述背面盲孔與所述正面通孔連接，如圖12所示。
[0056]其次，在所述晶片背面和背面盲孔的側壁依次淀積背面絕緣層和背面阻擋層和背面金屬種子層，本步驟中的所述背面絕緣層、背面阻擋層和背面金屬種子層的疊加層以13表示，如圖13所示。
[0057]再次，采用金屬填充工藝進行金屬填充，將所述背面盲孔12內完全填充，形成背面導電盲孔14，使所述晶片雙面分別制作的正面導電盲孔和背面導電盲孔電性連接，如圖14所示。
[0058]進一步的，在所述晶片背面進行平坦化工藝，以去除多余的填充金屬，使所述背面導電盲孔14的表面與所述晶片背面平齊，形成具有高深度比的通孔結構，如圖15所示。
[0059]這種制造方法形成的通孔結構容易獲得，且與傳統工藝制造方法得到的通孔結構相比，可以獲得更大的深寬比。此外，由于晶片減薄的厚度與刻蝕工藝深寬比相關，傳統工藝制造方法制備的具有大的深寬比的通孔結構為一次性獲得，由于制造深度越大的通孔，則晶片的厚度越大，在完成通孔結構之后，晶片減薄的厚度及工藝要求也越高。本發明具有高深寬比的通孔結構不是一次性獲得而是由晶片正面及背面分別完成的正面導電盲孔和背面導電盲孔互聯而成，在晶片每面完成的導電盲孔的深度比預定的通孔結構的深度小，所以晶片的厚度較薄，在晶片背面完成背面導電盲孔之前，晶片減薄的厚度及工藝要求低；同時也有效的降低了磁控濺射工藝在盲孔內低部沉積金屬種子層的工藝難度；在此基礎上，還有效的降低了金屬填充工藝完全填充盲孔的難度，縮減了填充工時，提高了填充的均勻性和一致性，最終獲得的具有高深寬比的通孔結構實現了高密度的互連。
[0060]利用本發明的具有高深度比的通孔結構的制造方法所形成的通孔結構，本發明還提供一種多晶片互聯的制造方法，具體分析如下:
[0061]首先，提供多個晶片，這里以晶片A、B為例，所述晶片A、B中分別具有所述通孔結構，在所述晶片八的背面上制作導電凸塊15，所述導電凸塊15與所述晶片八的通孔結構電性連接，在所述晶片8的背面上也制作導電凸塊16，所述導電凸塊16與所述晶片8的通孔結構進行電性連接。
[0062]其次，當所述通孔結構的寬度較窄時，采用凸塊鍵合的方式將導電凸塊15、16鍵合，以實現三維垂直互連結構的物理和電的連接，從而實現了所述晶片八、8之間的堆疊互聯，如圖16所示。
[0063]進一步的，再采用解鍵合工藝將所述輔助基板9從所述晶片八上進行剝離，獲得三維集成電路，實現多晶片之間的垂直互聯結構，如圖17所示。其中，所述解鍵合工藝可以是但不限于采用力、化學、高溫、光等獨立或組合方式。
[0064]進一步的，當所述通孔結構的寬度較寬時，晶片堆疊工藝可以是但不限于采用如圖16中的方式，還可以采用通過用導電性粘結劑或各向異性導電膜制作的焊料17將導電凸塊15、16進行鍵合，而無需考慮圖16中的鍵合方式所面臨的高溫高壓帶來的技術難度問題，工藝變得更簡單，簡約成本，如圖18所示。
[0065]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的系統而言，由于與實施例公開的方法相對應，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法部分說明即可。
[0066]專業人員還可以進一步意識到，結合本文中所公開的實施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、計算機軟件或者二者的結合來實現，為了清楚地說明硬件和軟件的可互換性，在上述說明中已經按照功能一般性地描述了各示例的組成及步驟。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執行，取決于技術方案的特定應用和設計約束條件。專業技術人員可以對每個特定的應用來使用不同方法來實現所描述的功能，但是這種實現不應認為超出本發明的范圍。
[0067]顯然，本領域的技術人員可以對發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包括這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，包括: 提供一晶片，所述晶片具有正面及背面； 先在所述晶片正面制作正面導電盲孔； 后在所述晶片正面鍵合一輔助基板，并進行翻轉以使所述輔助基板支撐所述晶片；以及 在所述晶片背面對應于所述正面導電盲孔位置處制作背面導電盲孔，并使所述背面導電盲孔與所述正面導電盲孔電性連接以形成貫穿所述晶片正面及背面的通孔結構。
2.如權利要求1所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，所述正面導電盲孔的制造方法包括: 在制作好的所述晶片正面進行光刻工藝，定義正面盲孔制作區域； 對所述正面盲孔制作區域進行深反應離子刻蝕，獲得正面盲孔； 在所述晶片正面及正面盲孔的內表面上依次淀積正面絕緣層和正面擴散阻擋層； 在所述正面擴散阻擋層上濺射正面金屬種子層； 采用金屬填充工藝將金屬填充滿所述正面盲孔，形成正面導電盲孔。
3.如權利要求2所述的具有高深寬比的通孔結構制造方法，其特征在于，還包括: 在所述晶片正面進行平坦化工藝，去除多余的填充金屬，使所述正面通孔表面與所述晶片正面平齊。
4.如權利要求1所述的具有高深寬比的通孔結構制造方法，其特征在于，所述背面導電盲孔的制造方法包括: 在所述晶片背面進行光刻工藝，定義背面盲孔制作區域，所述背面盲孔制作區域與所述正面盲孔制作區域一一對準； 對所述背面盲孔制作區域進行深反應離子刻蝕，獲得背面盲孔，所述背面盲孔與所述正面通孔連接； 在所述晶片背面及背面盲孔的側壁上依次淀積背面絕緣層、背面擴散阻擋層和背面金屬種子層； 采用所述金屬填充工藝將金屬填充滿所述背面盲孔，形成背面導電盲孔，使所述晶片的正面導電盲孔和背面導電盲孔電性連接。
5.如權利要求4所述的具有高深寬比的通孔結構制造方法，其特征在于，還包括: 在所述晶片背面進行平坦化工藝，去除多余的填充金屬，使所述背面導電盲孔表面與所述晶片背面平齊。
6.如權利要求2或4所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，所述金屬填充工藝采用電鍍或化學鍍的一種或組合。
7.如權利要求2或4所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，所述金屬填充工藝填充的金屬材料為具有導電性的銅、鎢或鋁中的一種或多種材料。
8.如權利要求4所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，在所述晶面背面進行光刻工藝，定義背面盲孔制作區域之前還包括:對所述晶片背面進行減薄，使所述晶片的厚度減薄到與一預定義的通孔結構的深度相同。
9.如權利要求8所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，對所述晶片背面進行減薄的操作采用機械研磨、化學機械拋光、濕法腐蝕、干法蝕刻的獨立或組合方 式。
10.如權利要求1所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，所述鍵合采用高分子材料或有機材料作為中間層。
11.如權利要求1所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，還包括:在所述晶片背面制作導電凸塊，且所述導電凸塊與所述通孔結構電性連接。
12.如權利要求1所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，還包括:采用解鍵合工藝從所述晶片正面移除所述輔助基板。
13.如權利要求12所述的晶片具有高深寬比的通孔結構的制造方法，其特征在于，所述解鍵合工藝采用力、化學、高溫、光的獨立或組合方式。
14.一種利用權利要求1-13中任意一項所述的具有高深寬比的通孔結構的制造方法形成的通孔結構進行多晶片互聯的制造方法，其特征在于，包括: 提供多個晶片，每一所述晶片中具有所述通孔結構，所述通孔結構上形成導電凸塊；以及 焊接所述多個晶片的導電凸塊，通過所述導電凸塊互聯每一所述晶片中的通孔結構以形成多晶片互聯結構。
15.如權利要求14所述的多晶片互聯的制造方法，其特征在于，采用導電性粘結劑或各向異性導電膜制作的焊料焊接所述多個晶片的導電凸塊。
【文檔編號】H01L21/768GK104347492SQ201310347663
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月9日 優先權日:2013年8月9日
【發明者】聞人青青, 唐世弋, 李志丹 申請人:上海微電子裝備有限公司