一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線之間的線間距時，能夠避免引線間的短路不良。陣列基板包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環以及分別與第一短接環、第二短接環電連接的第一數據引線和第二數據引線；第一數據引線與柵線同層同材料設置，用于將第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引線與數據線同層同材料設置，用于將第二短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據線與第二列數據線間隔設置。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不 裝置）最為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等 特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
[0003] TFT-IXD，如圖la所示，包括陣列基板10和彩膜基板20,在陣列基板10和彩膜基 板20之間設置有液晶層。通過向陣列基板10輸入控制信號以控制液晶層的偏轉來調節穿 過液晶層的光線的透射率，最終獲得預期的顯示圖像。
[0004] 如圖lb所示，陣列基板10可以包括在顯示區域A內設置的多條縱向順序排列的 數據線101。為了對陣列基板10的制作過程中出現的不良，例如短路缺陷進行檢出，在顯示 區域A的周邊區域（非顯示區域）中設置有與數據線101相連接的引線112,通過引線112 向數據線101輸入檢測信號，以對數據線101出現的短路不良進行檢出。為了簡化制作工 藝，并降低引線112與數據線101之間的電阻，一般構成引線112材料可以采用構成數據線 101的源漏極金屬層構成。
[0005] 進一步地為了簡化制作工藝，在制備上述陣列基板10的過程中，一般采用含有半 透膜的掩膜板通過一次構圖工藝（包括一次曝光工藝、灰化工藝以及多次刻蝕工藝）形成 數據線101、半導體有源層102、源極103、漏極104以及引線112的圖案。由于含有半透 膜的掩膜板能夠形成不同厚度的光刻膠，在對厚度較薄的光刻膠進行灰化，對厚度較厚的 光刻膠進行減薄的同時，會將厚度較厚的光刻膠的邊緣也灰化掉，這樣數據線101的線寬 會減小。然而由于構成數據線101的源漏金屬層的下方還具有半導體有源層，在對對應灰 化掉光刻膠區域的源漏金屬層進行刻蝕時，會露出數據線101圖案邊緣的半導體有源層， 使得原本減小的數據線101的線寬被露出的半導體有源層放大。這樣一來，為了滿足顯示 裝置窄邊框的發展趨勢，在空間較小的非顯示區域對上述引線112進行布線時，如果采用 上述含有半透膜的掩膜板的制作工藝，形成的引線112會受到線寬的制約而不能在較小的 空間內完成布線，否則可能會由于相鄰兩條引線112的距離太近而增大短路不良發生的概 率，從而對顯示裝置的質量造成不利的影響。
【發明內容】
[0006] 本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，在有限的布線空間 內減小相鄰兩條引線之間的線間距時，能夠避免引線間的短路不良。
[0007] 為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：
[0008] 本發明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉 的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環，以及分別與所述第 一短接環、所述第二短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線；
[0009] 所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置，用于將所述第一短接環與第一列 所述數據線電連接；
[0010] 所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置，用于將所述第二短接環與第二 列所述數據線電連接；
[0011] 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置。
[0012] 本發明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基 板。
[0013] 本發明實施例的有一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：
[0014] 在非顯示區域形成第一短接環和第二短接環；
[0015] 在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線的圖 案；
[0016] 在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通過 一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案；
[0017] 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置；
[0018] 將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接，第一列所述數據線與所述第一數 據引線電連接；
[0019] 將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
[0020] 本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括位 于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二 短接環以及分別與第一短接環、第二短接環電連接的第一數據引線和第二數據引線；第一 數據引線與柵線同層同材料設置，用于將第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引 線與數據線同層同材料設置，用于將第二短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據 線與第二列數據線間隔設置。由于與數據線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條數據引 線（第一數據引線）采用柵極金屬制成，相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于不同的 薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二數據引 線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，能夠避免引線間的短路不良。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0022] 圖la為現有技術提供的一種顯示裝置的結構示意圖；
[0023] 圖lb為現有技術提供的一種陣列基板的結構不意圖；
[0024] 圖2a為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0025] 圖2b為本發明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖；
[0026] 圖2c為本發明實施例提供的又一種陣列基板的結構示意圖；
[0027] 圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板局部結構示意圖；
[0028] 圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板的檢測過程示意圖；
[0029] 圖5為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備流程圖；
[0030] 圖6為本發明實施例提供的另一種陣列基板的制備流程圖；
[0031] 圖7為本發明實施例提供的又一種陣列基板的制備流程圖。
【專利附圖】
【附圖說明】 [0032] ：
[0033] 01-襯底基板；10-陣列基板；101-數據線；1011-第一列數據線；1012-第二列數 據線；102-半導體有源層；103-源極；104-漏極；105-鈍化層；106-柵極；107-柵極絕緣 層；110-第一短接環；111-第二短接環；112-引線；120-第一數據引線；121-第二數據引 線；20-彩膜基板；200-連接部；2001-第一過孔；2002-第二過孔；2003-連接線；30-檢測 設備的發射端；31-檢測設備的接收端。
【具體實施方式】
[0034] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0035] 本發明實施例提供一種陣列基板，如圖2a所示，可以包括位于顯示區域A的多條 橫縱交叉的柵極106和數據線101，還包括位于非顯示區域（即上述顯示區域A的周邊區 域）的第一短接環110或第二短接環111。以及分別與第一短接環110、第二短接環111電 連接的第一數據引線120和第二數據引線121。
[0036] 其中，第一數據引線120與柵極106同層同材料設置，用于將第一短接環110與第 一列數據線1011電連接。
[0037] 第二數據引線121與數據線101同層同材料設置，用于將第二短接環111與第二 列數據線1012電連接。
[0038] 上述第一列數據線1011與第二列數據線1012間隔設置。
[0039] 需要說明的是，第一、本發明實施例中，是以如圖2a所示的第一列數據線1011與 第二列數據線1012分別代表奇數列數據線和偶數列數據線為例進行的說明。當然，第一列 數據線1011與第二列數據線1012還可以分別代表偶數列數據線和奇數列數據線。本發明 對此不做限制。
[0040] 第二、上述第一短接環110或第二短接環111用于將檢測信號分別傳輸至第一 數據引線120和第二數據引線121 ;以分別對與第一數據引線120相連接的第一列數據線 1011，和與第二數據引線121相連接的第二列數據線1012進行短路不良的檢測。
[0041] 第三、由于第一數據引線120與第一列數據線1011異層設置，因此為了將第一數 據引線120與第一列數據線1011進行電連接，如圖3所示，在設置有上述數據線101的基 板表面設置有鈍化層105的情況下，所述陣列基板10還可以包括：
[0042] 位于鈍化層105表面對應第一數據引線120位置的第一過孔2001 ;
[0043] 位于鈍化層105表面對應第一列數據線1011位置的第二過孔2002 ;
[0044] 以及位于第一過孔2001、第二過孔2002表面用于將第一數據引線120與第一列數 據線1011相連接的連接線2003。
[0045] 上述第一過孔2001、第二過孔2002以及連接線2003可以構成如圖2a所示的連接 部 200。
[0046] 其中，為了簡化制作工藝，優選的，上述連接線2003可以與位于陣列基板上的透 明電極層同層同材料設置。透明電極層可以包括公共電極和像素電極。
[0047] 具體的，對于TN(Twist Nematic，扭曲向列）型顯示裝置而言，由于公共電極制作 與彩膜基板20上，因此上述連接線2003可以與制作于陣列基板10上的像素電極同層同材 料設置。
[0048] 對于 AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱為 ADS，高級超維場 開關）型顯示裝置而言，公共電極與像素電極均設置于陣列基板上。所述公共電極和所述 像素電極可以異層設置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多 個條形電極或為平板形。因此，上述連接線2003可以與位于上層的電極同層同材料制成。
[0049] 對于IPS (In Plane Switch，橫向電場效應）型顯示裝置而言，在陣列基板上設置 相互平行的公共電極和像素電極。因此，上述連接線2003可以與公共電極或像素電極同層 同材料制成。
[0050] 其中，構成上述透明電極層的材料可以包括氧化銦錫或氧化銦鋅中的至少一種。
[0051] 本發明實施例提供一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數 據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環以及分別與第一短接環、第二短 接環電連接的第一數據引線、第二數據引線；第一數據引線與柵線同層同材料設置，用于將 第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引線與數據線同層同材料設置，用于將第二 短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據線與第二列數據線間隔設置。由于與數據 線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條數據引線（第一數據引線）采用柵極金屬制成， 相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于不同的薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內 減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二數據引線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨 勢時，能夠避免引線間的短路不良。
[0052] 由于第一短接環110和第二短接環111需要具備一定的導電能力，因此，可以采用 金屬材料制備。然而，在液晶顯示器制備領域，常用的金屬材料有構成柵極106的柵極金屬 層，以及構成數據線101的源漏極金屬層。因此為了簡化制作工藝，可以采用柵極金屬層或 源漏極金屬層構成上述第一短接環110和第二短接環111。以下，對構成上述第一短接環 110和第二短接環111的材料進行舉例說明。
[0053] 實施例一
[0054] 如圖2a所示，上述第一短接環110和第二短接環111可以與柵極106同層同材料 設置，即第一短接環110和第二短接環111均采用構成柵極106的柵極金屬層制成。由于 第二數據引線121采用源漏金屬層制成，與采用柵極金屬層制成的第二短接環111異層設 置，因此第二短接環111與第二數據引線121之間的電連接方式可以參考上述連接部200 進行設置。
[0055] 此外，第一數據引線120與第一短接環110同層同材料設置，因此，可以將第一數 據引線120與第一短接環110設置為一體結構，即使得第一數據引線120與第一短接環110 相連接。
[0056] 實施例二
[0057] 如圖2b所示，上述第一短接環110和第二短接環111可以與數據線101同層同材 料設置。即第一短接環110和第二短接環ill均采用構成數據線101的源漏極金屬層制成。 由于第一數據引線120采用柵極金屬層制成，與采用源漏金屬層制成的第一短接環110異 層設置，因此第一短接環110與第一數據引線120之間的電連接方式可以參考上述連接部 200進行設置。
[0058] 此外，第二數據引線121與第二短接環111同層同材料設置，因此，可以將第二數 據引線121與第二短接環111設置為一體結構，即使得第二數據引線121與第二短接環111 相連接。
[0059] 實施例三
[0060] 如圖2c所示，第一短接環110與柵線120同層同材料設置；第二短接環111與數 據線101同層同材料設置。由于第一短接環110與第一數據引線120同層同材料，因此可 以設置為一體結構；由于第二短接環111與第二數據引線121同層同材料，因此可以設置為 一體結構。
[0061] 具體的，檢測過程可以如圖4所示，有圖可以看出，由于是對完成數據線101制作 的陣列基板10進行的短路檢測。因此，第一數據引線120與第一列數據線1011的電連接 位置處B還未設置連接線2003。其中，檢測裝置的發射端30設置于顯示區域A中的第一列 數據線1011的一端，檢測裝置的接收端31設置于第一列數據線1011的另一端。當發射端 30發出檢測信號時，檢測信號會通過短路處C，傳遞給與其相鄰的第二列數據線1012。然后 通過與第二列數據線1012和第二短接環111為一體結構的第二數據引線121，將上述檢測 信號傳輸至第二短接環111。接下來，通過第二短接環111將檢測信號分流至所有的第二列 數據線1012 (即所有偶數列數據線1012)。這樣一來，由于從發射端30發出的信號被分流， 因此檢測信號大幅度的衰減，從而導致最終傳輸至接收端31處的電壓信號發生波動，以實 現短路不良的檢出。
[0062] 對比實施例一，在完成數據線101的制作后對陣列基板進行檢測時，由于第二數 據引線121與第二短接環111之間處于斷開狀態，顯示區域A的第二列數據線1012之間無 法電連接，因此上述發射端30發出的檢測信號無法通過第二短接環111被分流，導致檢測 失敗。因此實施例一提供的陣列基板需要在完成整個陣列基板的制作后再進行短路的不良 檢測。
[0063] 對比實施例二，雖然第二數據引線121、第二列數據線1012以及第二短接環111為 一體結構，可以再完成數據線101的制作后對陣列基板進行短路不良的檢出。但是由于第 一數據引線120與第一短接環110之間需要采用連接部200的電連接方式。因此增加了短 接環與數據引線之間的電阻，降低了檢測信號的傳輸效率。
[0064] 綜上所述，實施例三可以為優選實施例。當在有限的布線空間內減小相鄰兩條引 線之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，不僅能夠避免引線間的短路不良。而且，可以 簡化制作工藝，減小短接環與數據引線之間的電阻，提高檢測信號的傳輸效率。還可以在整 個陣列基板10制作完成后對該陣列基板10上的數據線101的短路不良進行檢測，或者在 制作完數據線101后，對其進行短路不良的檢測。從而能夠盡早的發現不良，有利于提高產 品良率，降低生產成本。
[0065] 本發明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與前 述實施例中的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板的具體結構和有益效果在前述實施 例中已經有所描述，在此不再贅述。
[0066] 需要說明的是，在本發明實施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該 顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的 產品或者部件。
[0067] 本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，可以包括：
[0068] S101、在非顯示區域內（顯示區域A以外的周邊區域）形成第一短接環110和第 二短接環111。
[0069] S102、如圖la所示，在的襯底基板01上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成 如圖2a所示的柵線106、第一數據引線120的圖案。
[0070] S103、在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層107、半導體有源層102、源 漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線1〇1(包括第一列數據線1011和第二列數據線 1012)、第二數據引線121的圖案。
[0071] 其中，第一列數據線1011與第二列數據線1012間隔設置。
[0072] S104、將第一短接環110與第一數據引線120電連接，第一列數據線1011與第一 數據引線120電連接。
[0073] S105、將第二短接環111與第二數據引線121電連接。
[0074] 需要說明的是，上述將第一列數據線1011與第一數據引線121電連接的方法，如 圖6所示，可以包括：
[0075] S201、在形成有數據線101、第二數據引線121的基板表面形成鈍化層105。
[0076] S202、在鈍化層105的表面對應第一數據引線120位置的形成第一過孔2001。
[0077] S203、在鈍化層105的表面對應第一列數據線1011位置的形成第二過孔2002。
[0078] S204、在第一過孔2011和第二過孔2002的表面形成用于將第一數據引線120與 第一列數據線1001相連接的連接線2003。
[0079] 上述第一過孔2001、第二過孔2002以及連接線2003可以構成如圖2a所示的連接 部 200。
[0080] 其中，為了簡化制作工藝，優選的，上述連接線2003可以與位于陣列基板上的透 明電極層同層同材料設置。具體的，在鈍化層105表面形成透明電極層，通過一次構圖工藝 形成所述連接線2003與所述透明電極層。其中，透明電極層可以包括公共電極和像素電 極。構成上述透明電極層的材料可以包括氧化銦錫或氧化銦鋅中的至少一種。
[0081] 本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：在非顯示區域形成第一短接 環和第二短接環；在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引 線的圖案；在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通 過一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案；其中，第一列數據線與第二列數據線間 隔設置；然后，將第一短接環與第一數據引線電連接；第一短接環與第一列所述數據線通 過第一數據引線電連接；最后，將第二短接環與第二數據引線電連接；第二短接環與第二 列數據線通過第二數據引線電連接。由于與數據線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條 數據引線（第一數據引線）采用柵極金屬制成，相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于 不同的薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二 數據引線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，能夠避免引線間的短路不良。
[0082] 需要說明的是，本發明中，可以在進行步驟S102或步驟S103中完成步驟S101的 制作。
[0083] 以下，對步驟S101進行詳細的舉例說明
[0084] 實施例四
[0085] 上述步驟S101，可以包括：
[0086] 在襯底基板01上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線106、第一數 據引線120,以及第一短接環110和第二短接環111的圖案。由于第二數據引線121采用源 漏金屬層制成，與采用柵極金屬層制成的第二短接環111異層設置，因此第二短接環111與 第二數據引線121之間的電連接方式可以參考上述連接部200進行設置。
[0087] 此外，第一數據引線120與第一短接環110同層同材料設置，因此，可以將第一數 據引線120與第一短接環110設置為一體結構，即使得第一數據引線120與第一短接環110 相連接。
[0088] 實施例五
[0089] 上述步驟S101，可以包括：
[0090] 在形成有柵線106、第一數據引線120的圖案的基板表面形成柵極絕緣層107、半 導體有源層102、源漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線101、第二數據引線121，以及 第一短接環110和第二短接環111的圖案。由于第一數據引線120采用柵極金屬層制成， 與采用源漏金屬層制成的第一短接環110異層設置，因此第一短接環110與第一數據引線 120之間的電連接方式可以參考上述連接部200進行設置。
[0091] 此外，第二數據引線121與第二短接環111同層同材料設置，因此，可以將第二數 據引線121與第二短接環111設置為一體結構，即使得第二數據引線121與第二短接環111 相連接。
[0092] 實施例六
[0093] 上述步驟S101，如圖7所示，可以包括：
[0094] S301、在襯底基板01上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線106、第一數 據引線120,以及第一短接環110的圖案。
[0095] S302、在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層107、半導體有源層102、源 漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線101、第二數據引線121，以及第二短接環111的圖 案。
[0096] 由于第一短接環110與第一數據引線120同層同材料，因此可以設置為一體結構； 由于第二短接環111與第二數據引線121同層同材料，因此可以設置為一體結構。
[0097] 具體的，檢測過程可以如圖4所示，有圖可以看出，由于是對完成數據線101制作 的陣列基板10進行的短路檢測。因此，第一數據引線120與第一列數據線1011的電連接 位置處B還未設置連接線2003。其中，檢測裝置的發射端30設置于顯示區域A中的第一列 數據線1011的一端，檢測裝置的接收端31設置于第一列數據線1011的另一端。當發射端 30發出檢測信號時，檢測信號會通過短路處C，傳遞給與其相鄰的第二列數據線1012。然后 通過與第二列數據線1012和第二短接環111為一體結構的第二數據引線121，將上述檢測 信號傳輸至第二短接環111。接下來，通過第二短接環111將檢測信號分流至所有的第二列 數據線1012 (即所有偶數列數據線1012)。這樣一來，由于從發射端30發出的信號被分流， 因此檢測信號大幅度的衰減，從而導致最終傳輸至接收端31處的電壓信號發生波動，以實 現短路不良的檢出。
[0098] 對比實施例四，在完成數據線101的制作后對陣列基板進行檢測時，由于第二數 據引線121與第二短接環111之間處于斷開狀態，顯示區域A的第二列數據線1012之間無 法電連接，因此上述發射端30發出的檢測信號無法通過第二短接環111被分流，導致檢測 失敗。因此實施例一提供的陣列基板需要在完成整個陣列基板的制作后再進行短路的不良 檢測。
[0099] 對比實施例五，雖然第二數據引線121、第二列數據線1012以及第二短接環111為 一體結構，可以再完成數據線101的制作后對陣列基板進行短路不良的檢出。但是由于第 一數據引線120與第一短接環110之間需要采用連接部200的電連接方式。因此增加了短 接環與數據引線之間的電阻，降低了檢測信號的傳輸效率。
[0100] 綜上所述，實施例六可以為優選實施例。當在有限的布線空間內減小相鄰兩條引 線之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，不僅能夠避免引線間的短路不良。而且，可以 簡化制作工藝，減小短接環與數據引線之間的電阻，提高檢測信號的傳輸效率。還可以在整 個陣列基板10制作完成后對該陣列基板10上的數據線101的短路不良進行檢測，或者在 制作完數據線101后，對其進行短路不良的檢測。從而能夠盡早的發現不良，有利于提高產 品良率，降低生產成本。
[0101] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，其特征在于，還 包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環，以及分別與所述第一短接環、所述第二 短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線； 所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置，用于將所述第一短接環與第一列數據 線電連接； 所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置，用于將所述第二短接環與第二列數 據線電連接； 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一短接環與所述柵線同層同材料設置； 所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
3. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短接環和所述第二短接環 與所述柵線同層同材料設置； 或， 所述第一短接環和所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
4. 根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，在設置有所述數據線的基 板表面設置有鈍化層的情況下，所述陣列基板還包括： 位于所述鈍化層表面對應所述第一數據引線位置的第一過孔； 位于所述鈍化層表面對應所述第一列數據線位置的第二過孔； 以及位于所述第一過孔、所述第二過孔表面用于將所述第一數據 引線與所述第一列數據線相連接的連接線。
5. 根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述鈍化層表面的透明 電極層，所述連接線與所述透明電極層同層同材料。
6. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7. -種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括： 在非顯示區域形成第一短接環和第二短接環； 在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線的圖案； 在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通過一次 構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案； 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置； 將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接，第一列數據線與所述第一數據引線電 連接； 將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
8. 根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在非顯示區域形成 第一短接環和第二短接環的方法包括： 在襯底基板上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成所述柵線、所述第一數據 引線，以及所述第一短接環的圖案； 在形成有上述結構的基板表面形成所述柵極絕緣層、所述半導體有源層、所述源漏金 屬層，通過一次構圖工藝形成所述數據線、所述第二數據引線，以及所述第二短接環的圖 案。
9. 根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在非顯示區域形成 第一短接環和第二短接環的方法包括： 在襯底基板上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成所述柵線、所述第一數據 引線，以及所述第一短接環和所述第二短接環的圖案； 或， 在形成有所述柵線、所述第一數據引線的圖案的基板表面形成所述柵極絕緣層、所述 半導體有源層、所述源漏金屬層，通過一次構圖工藝形成所述數據線、所述第二數據引線， 以及所述第一短接環和所述第二短接環的圖案。
10. 根據權利要求7至9任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一列 所述數據線與所述第一數據引線電連接的方法包括： 在形成有所述數據線、所述第二數據引線的基板表面形成鈍化層； 在所述鈍化層的表面對應所述第一數據引線位置的形成第一過孔； 在所述鈍化層的表面對應所述第一列數據線位置的形成第二過孔； 在所述第一過孔和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列 數據線相連接的連接線。
11. 根據權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述第一過孔 和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列數據線相連接的連接 線的方法包括： 在所述鈍化層表面形成透明電極層，通過一次構圖工藝形成所述連接線與所述透明電 極層。
【文檔編號】H01L23/50GK104218042SQ201410443430
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年9月2日 優先權日:2014年9月2日
【發明者】蔡振飛, 陳正偉, 宋星星 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
【專利摘要】本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線之間的線間距時，能夠避免引線間的短路不良。陣列基板包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環以及分別與第一短接環、第二短接環電連接的第一數據引線和第二數據引線；第一數據引線與柵線同層同材料設置，用于將第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引線與數據線同層同材料設置，用于將第二短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據線與第二列數據線間隔設置。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002] TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯不 裝置）最為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等 特點，而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
[0003] TFT-IXD，如圖la所示，包括陣列基板10和彩膜基板20,在陣列基板10和彩膜基 板20之間設置有液晶層。通過向陣列基板10輸入控制信號以控制液晶層的偏轉來調節穿 過液晶層的光線的透射率，最終獲得預期的顯示圖像。
[0004] 如圖lb所示，陣列基板10可以包括在顯示區域A內設置的多條縱向順序排列的 數據線101。為了對陣列基板10的制作過程中出現的不良，例如短路缺陷進行檢出，在顯示 區域A的周邊區域（非顯示區域）中設置有與數據線101相連接的引線112,通過引線112 向數據線101輸入檢測信號，以對數據線101出現的短路不良進行檢出。為了簡化制作工 藝，并降低引線112與數據線101之間的電阻，一般構成引線112材料可以采用構成數據線 101的源漏極金屬層構成。
[0005] 進一步地為了簡化制作工藝，在制備上述陣列基板10的過程中，一般采用含有半 透膜的掩膜板通過一次構圖工藝（包括一次曝光工藝、灰化工藝以及多次刻蝕工藝）形成 數據線101、半導體有源層102、源極103、漏極104以及引線112的圖案。由于含有半透 膜的掩膜板能夠形成不同厚度的光刻膠，在對厚度較薄的光刻膠進行灰化，對厚度較厚的 光刻膠進行減薄的同時，會將厚度較厚的光刻膠的邊緣也灰化掉，這樣數據線101的線寬 會減小。然而由于構成數據線101的源漏金屬層的下方還具有半導體有源層，在對對應灰 化掉光刻膠區域的源漏金屬層進行刻蝕時，會露出數據線101圖案邊緣的半導體有源層， 使得原本減小的數據線101的線寬被露出的半導體有源層放大。這樣一來，為了滿足顯示 裝置窄邊框的發展趨勢，在空間較小的非顯示區域對上述引線112進行布線時，如果采用 上述含有半透膜的掩膜板的制作工藝，形成的引線112會受到線寬的制約而不能在較小的 空間內完成布線，否則可能會由于相鄰兩條引線112的距離太近而增大短路不良發生的概 率，從而對顯示裝置的質量造成不利的影響。
【發明內容】
[0006] 本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，在有限的布線空間 內減小相鄰兩條引線之間的線間距時，能夠避免引線間的短路不良。
[0007] 為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：
[0008] 本發明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉 的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環，以及分別與所述第 一短接環、所述第二短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線；
[0009] 所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置，用于將所述第一短接環與第一列 所述數據線電連接；
[0010] 所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置，用于將所述第二短接環與第二 列所述數據線電連接；
[0011] 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置。
[0012] 本發明實施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基 板。
[0013] 本發明實施例的有一方面，提供一種陣列基板的制備方法，包括：
[0014] 在非顯示區域形成第一短接環和第二短接環；
[0015] 在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線的圖 案；
[0016] 在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通過 一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案；
[0017] 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置；
[0018] 將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接，第一列所述數據線與所述第一數 據引線電連接；
[0019] 將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
[0020] 本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。所述陣列基板包括位 于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二 短接環以及分別與第一短接環、第二短接環電連接的第一數據引線和第二數據引線；第一 數據引線與柵線同層同材料設置，用于將第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引 線與數據線同層同材料設置，用于將第二短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據 線與第二列數據線間隔設置。由于與數據線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條數據引 線（第一數據引線）采用柵極金屬制成，相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于不同的 薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二數據引 線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，能夠避免引線間的短路不良。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0022] 圖la為現有技術提供的一種顯示裝置的結構示意圖；
[0023] 圖lb為現有技術提供的一種陣列基板的結構不意圖；
[0024] 圖2a為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0025] 圖2b為本發明實施例提供的另一種陣列基板的結構示意圖；
[0026] 圖2c為本發明實施例提供的又一種陣列基板的結構示意圖；
[0027] 圖3為本發明實施例提供的一種陣列基板局部結構示意圖；
[0028] 圖4為本發明實施例提供的一種陣列基板的檢測過程示意圖；
[0029] 圖5為本發明實施例提供的一種陣列基板的制備流程圖；
[0030] 圖6為本發明實施例提供的另一種陣列基板的制備流程圖；
[0031] 圖7為本發明實施例提供的又一種陣列基板的制備流程圖。
【專利附圖】
【附圖說明】 [0032] ：
[0033] 01-襯底基板；10-陣列基板；101-數據線；1011-第一列數據線；1012-第二列數 據線；102-半導體有源層；103-源極；104-漏極；105-鈍化層；106-柵極；107-柵極絕緣 層；110-第一短接環；111-第二短接環；112-引線；120-第一數據引線；121-第二數據引 線；20-彩膜基板；200-連接部；2001-第一過孔；2002-第二過孔；2003-連接線；30-檢測 設備的發射端；31-檢測設備的接收端。
【具體實施方式】
[0034] 下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0035] 本發明實施例提供一種陣列基板，如圖2a所示，可以包括位于顯示區域A的多條 橫縱交叉的柵極106和數據線101，還包括位于非顯示區域（即上述顯示區域A的周邊區 域）的第一短接環110或第二短接環111。以及分別與第一短接環110、第二短接環111電 連接的第一數據引線120和第二數據引線121。
[0036] 其中，第一數據引線120與柵極106同層同材料設置，用于將第一短接環110與第 一列數據線1011電連接。
[0037] 第二數據引線121與數據線101同層同材料設置，用于將第二短接環111與第二 列數據線1012電連接。
[0038] 上述第一列數據線1011與第二列數據線1012間隔設置。
[0039] 需要說明的是，第一、本發明實施例中，是以如圖2a所示的第一列數據線1011與 第二列數據線1012分別代表奇數列數據線和偶數列數據線為例進行的說明。當然，第一列 數據線1011與第二列數據線1012還可以分別代表偶數列數據線和奇數列數據線。本發明 對此不做限制。
[0040] 第二、上述第一短接環110或第二短接環111用于將檢測信號分別傳輸至第一 數據引線120和第二數據引線121 ;以分別對與第一數據引線120相連接的第一列數據線 1011，和與第二數據引線121相連接的第二列數據線1012進行短路不良的檢測。
[0041] 第三、由于第一數據引線120與第一列數據線1011異層設置，因此為了將第一數 據引線120與第一列數據線1011進行電連接，如圖3所示，在設置有上述數據線101的基 板表面設置有鈍化層105的情況下，所述陣列基板10還可以包括：
[0042] 位于鈍化層105表面對應第一數據引線120位置的第一過孔2001 ;
[0043] 位于鈍化層105表面對應第一列數據線1011位置的第二過孔2002 ;
[0044] 以及位于第一過孔2001、第二過孔2002表面用于將第一數據引線120與第一列數 據線1011相連接的連接線2003。
[0045] 上述第一過孔2001、第二過孔2002以及連接線2003可以構成如圖2a所示的連接 部 200。
[0046] 其中，為了簡化制作工藝，優選的，上述連接線2003可以與位于陣列基板上的透 明電極層同層同材料設置。透明電極層可以包括公共電極和像素電極。
[0047] 具體的，對于TN(Twist Nematic，扭曲向列）型顯示裝置而言，由于公共電極制作 與彩膜基板20上，因此上述連接線2003可以與制作于陣列基板10上的像素電極同層同材 料設置。
[0048] 對于 AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching，簡稱為 ADS，高級超維場 開關）型顯示裝置而言，公共電極與像素電極均設置于陣列基板上。所述公共電極和所述 像素電極可以異層設置，其中位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極包含多 個條形電極或為平板形。因此，上述連接線2003可以與位于上層的電極同層同材料制成。
[0049] 對于IPS (In Plane Switch，橫向電場效應）型顯示裝置而言，在陣列基板上設置 相互平行的公共電極和像素電極。因此，上述連接線2003可以與公共電極或像素電極同層 同材料制成。
[0050] 其中，構成上述透明電極層的材料可以包括氧化銦錫或氧化銦鋅中的至少一種。
[0051] 本發明實施例提供一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數 據線，還包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環以及分別與第一短接環、第二短 接環電連接的第一數據引線、第二數據引線；第一數據引線與柵線同層同材料設置，用于將 第一短接環與第一列數據線電連接；第二數據引線與數據線同層同材料設置，用于將第二 短接環與第二列數據線電連接；其中，第一列數據線與第二列數據線間隔設置。由于與數據 線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條數據引線（第一數據引線）采用柵極金屬制成， 相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于不同的薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內 減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二數據引線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨 勢時，能夠避免引線間的短路不良。
[0052] 由于第一短接環110和第二短接環111需要具備一定的導電能力，因此，可以采用 金屬材料制備。然而，在液晶顯示器制備領域，常用的金屬材料有構成柵極106的柵極金屬 層，以及構成數據線101的源漏極金屬層。因此為了簡化制作工藝，可以采用柵極金屬層或 源漏極金屬層構成上述第一短接環110和第二短接環111。以下，對構成上述第一短接環 110和第二短接環111的材料進行舉例說明。
[0053] 實施例一
[0054] 如圖2a所示，上述第一短接環110和第二短接環111可以與柵極106同層同材料 設置，即第一短接環110和第二短接環111均采用構成柵極106的柵極金屬層制成。由于 第二數據引線121采用源漏金屬層制成，與采用柵極金屬層制成的第二短接環111異層設 置，因此第二短接環111與第二數據引線121之間的電連接方式可以參考上述連接部200 進行設置。
[0055] 此外，第一數據引線120與第一短接環110同層同材料設置，因此，可以將第一數 據引線120與第一短接環110設置為一體結構，即使得第一數據引線120與第一短接環110 相連接。
[0056] 實施例二
[0057] 如圖2b所示，上述第一短接環110和第二短接環111可以與數據線101同層同材 料設置。即第一短接環110和第二短接環ill均采用構成數據線101的源漏極金屬層制成。 由于第一數據引線120采用柵極金屬層制成，與采用源漏金屬層制成的第一短接環110異 層設置，因此第一短接環110與第一數據引線120之間的電連接方式可以參考上述連接部 200進行設置。
[0058] 此外，第二數據引線121與第二短接環111同層同材料設置，因此，可以將第二數 據引線121與第二短接環111設置為一體結構，即使得第二數據引線121與第二短接環111 相連接。
[0059] 實施例三
[0060] 如圖2c所示，第一短接環110與柵線120同層同材料設置；第二短接環111與數 據線101同層同材料設置。由于第一短接環110與第一數據引線120同層同材料，因此可 以設置為一體結構；由于第二短接環111與第二數據引線121同層同材料，因此可以設置為 一體結構。
[0061] 具體的，檢測過程可以如圖4所示，有圖可以看出，由于是對完成數據線101制作 的陣列基板10進行的短路檢測。因此，第一數據引線120與第一列數據線1011的電連接 位置處B還未設置連接線2003。其中，檢測裝置的發射端30設置于顯示區域A中的第一列 數據線1011的一端，檢測裝置的接收端31設置于第一列數據線1011的另一端。當發射端 30發出檢測信號時，檢測信號會通過短路處C，傳遞給與其相鄰的第二列數據線1012。然后 通過與第二列數據線1012和第二短接環111為一體結構的第二數據引線121，將上述檢測 信號傳輸至第二短接環111。接下來，通過第二短接環111將檢測信號分流至所有的第二列 數據線1012 (即所有偶數列數據線1012)。這樣一來，由于從發射端30發出的信號被分流， 因此檢測信號大幅度的衰減，從而導致最終傳輸至接收端31處的電壓信號發生波動，以實 現短路不良的檢出。
[0062] 對比實施例一，在完成數據線101的制作后對陣列基板進行檢測時，由于第二數 據引線121與第二短接環111之間處于斷開狀態，顯示區域A的第二列數據線1012之間無 法電連接，因此上述發射端30發出的檢測信號無法通過第二短接環111被分流，導致檢測 失敗。因此實施例一提供的陣列基板需要在完成整個陣列基板的制作后再進行短路的不良 檢測。
[0063] 對比實施例二，雖然第二數據引線121、第二列數據線1012以及第二短接環111為 一體結構，可以再完成數據線101的制作后對陣列基板進行短路不良的檢出。但是由于第 一數據引線120與第一短接環110之間需要采用連接部200的電連接方式。因此增加了短 接環與數據引線之間的電阻，降低了檢測信號的傳輸效率。
[0064] 綜上所述，實施例三可以為優選實施例。當在有限的布線空間內減小相鄰兩條引 線之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，不僅能夠避免引線間的短路不良。而且，可以 簡化制作工藝，減小短接環與數據引線之間的電阻，提高檢測信號的傳輸效率。還可以在整 個陣列基板10制作完成后對該陣列基板10上的數據線101的短路不良進行檢測，或者在 制作完數據線101后，對其進行短路不良的檢測。從而能夠盡早的發現不良，有利于提高產 品良率，降低生產成本。
[0065] 本發明實施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。具有與前 述實施例中的陣列基板相同的有益效果，由于陣列基板的具體結構和有益效果在前述實施 例中已經有所描述，在此不再贅述。
[0066] 需要說明的是，在本發明實施例中，顯示裝置具體可以包括液晶顯示裝置，例如該 顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數碼相框、手機或平板電腦等任何具有顯示功能的 產品或者部件。
[0067] 本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，可以包括：
[0068] S101、在非顯示區域內（顯示區域A以外的周邊區域）形成第一短接環110和第 二短接環111。
[0069] S102、如圖la所示，在的襯底基板01上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成 如圖2a所示的柵線106、第一數據引線120的圖案。
[0070] S103、在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層107、半導體有源層102、源 漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線1〇1(包括第一列數據線1011和第二列數據線 1012)、第二數據引線121的圖案。
[0071] 其中，第一列數據線1011與第二列數據線1012間隔設置。
[0072] S104、將第一短接環110與第一數據引線120電連接，第一列數據線1011與第一 數據引線120電連接。
[0073] S105、將第二短接環111與第二數據引線121電連接。
[0074] 需要說明的是，上述將第一列數據線1011與第一數據引線121電連接的方法，如 圖6所示，可以包括：
[0075] S201、在形成有數據線101、第二數據引線121的基板表面形成鈍化層105。
[0076] S202、在鈍化層105的表面對應第一數據引線120位置的形成第一過孔2001。
[0077] S203、在鈍化層105的表面對應第一列數據線1011位置的形成第二過孔2002。
[0078] S204、在第一過孔2011和第二過孔2002的表面形成用于將第一數據引線120與 第一列數據線1001相連接的連接線2003。
[0079] 上述第一過孔2001、第二過孔2002以及連接線2003可以構成如圖2a所示的連接 部 200。
[0080] 其中，為了簡化制作工藝，優選的，上述連接線2003可以與位于陣列基板上的透 明電極層同層同材料設置。具體的，在鈍化層105表面形成透明電極層，通過一次構圖工藝 形成所述連接線2003與所述透明電極層。其中，透明電極層可以包括公共電極和像素電 極。構成上述透明電極層的材料可以包括氧化銦錫或氧化銦鋅中的至少一種。
[0081] 本發明實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括：在非顯示區域形成第一短接 環和第二短接環；在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引 線的圖案；在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通 過一次構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案；其中，第一列數據線與第二列數據線間 隔設置；然后，將第一短接環與第一數據引線電連接；第一短接環與第一列所述數據線通 過第一數據引線電連接；最后，將第二短接環與第二數據引線電連接；第二短接環與第二 列數據線通過第二數據引線電連接。由于與數據線相連接的相鄰的兩條數據引線中的一條 數據引線（第一數據引線）采用柵極金屬制成，相鄰的第一數據引線和第二數據引線位于 不同的薄膜層，這樣一來，在有限的布線空間內減小相鄰兩條引線（第一數據引線和第二 數據引線）之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，能夠避免引線間的短路不良。
[0082] 需要說明的是，本發明中，可以在進行步驟S102或步驟S103中完成步驟S101的 制作。
[0083] 以下，對步驟S101進行詳細的舉例說明
[0084] 實施例四
[0085] 上述步驟S101，可以包括：
[0086] 在襯底基板01上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線106、第一數 據引線120,以及第一短接環110和第二短接環111的圖案。由于第二數據引線121采用源 漏金屬層制成，與采用柵極金屬層制成的第二短接環111異層設置，因此第二短接環111與 第二數據引線121之間的電連接方式可以參考上述連接部200進行設置。
[0087] 此外，第一數據引線120與第一短接環110同層同材料設置，因此，可以將第一數 據引線120與第一短接環110設置為一體結構，即使得第一數據引線120與第一短接環110 相連接。
[0088] 實施例五
[0089] 上述步驟S101，可以包括：
[0090] 在形成有柵線106、第一數據引線120的圖案的基板表面形成柵極絕緣層107、半 導體有源層102、源漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線101、第二數據引線121，以及 第一短接環110和第二短接環111的圖案。由于第一數據引線120采用柵極金屬層制成， 與采用源漏金屬層制成的第一短接環110異層設置，因此第一短接環110與第一數據引線 120之間的電連接方式可以參考上述連接部200進行設置。
[0091] 此外，第二數據引線121與第二短接環111同層同材料設置，因此，可以將第二數 據引線121與第二短接環111設置為一體結構，即使得第二數據引線121與第二短接環111 相連接。
[0092] 實施例六
[0093] 上述步驟S101，如圖7所示，可以包括：
[0094] S301、在襯底基板01上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線106、第一數 據引線120,以及第一短接環110的圖案。
[0095] S302、在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層107、半導體有源層102、源 漏金屬層，通過一次構圖工藝形成數據線101、第二數據引線121，以及第二短接環111的圖 案。
[0096] 由于第一短接環110與第一數據引線120同層同材料，因此可以設置為一體結構； 由于第二短接環111與第二數據引線121同層同材料，因此可以設置為一體結構。
[0097] 具體的，檢測過程可以如圖4所示，有圖可以看出，由于是對完成數據線101制作 的陣列基板10進行的短路檢測。因此，第一數據引線120與第一列數據線1011的電連接 位置處B還未設置連接線2003。其中，檢測裝置的發射端30設置于顯示區域A中的第一列 數據線1011的一端，檢測裝置的接收端31設置于第一列數據線1011的另一端。當發射端 30發出檢測信號時，檢測信號會通過短路處C，傳遞給與其相鄰的第二列數據線1012。然后 通過與第二列數據線1012和第二短接環111為一體結構的第二數據引線121，將上述檢測 信號傳輸至第二短接環111。接下來，通過第二短接環111將檢測信號分流至所有的第二列 數據線1012 (即所有偶數列數據線1012)。這樣一來，由于從發射端30發出的信號被分流， 因此檢測信號大幅度的衰減，從而導致最終傳輸至接收端31處的電壓信號發生波動，以實 現短路不良的檢出。
[0098] 對比實施例四，在完成數據線101的制作后對陣列基板進行檢測時，由于第二數 據引線121與第二短接環111之間處于斷開狀態，顯示區域A的第二列數據線1012之間無 法電連接，因此上述發射端30發出的檢測信號無法通過第二短接環111被分流，導致檢測 失敗。因此實施例一提供的陣列基板需要在完成整個陣列基板的制作后再進行短路的不良 檢測。
[0099] 對比實施例五，雖然第二數據引線121、第二列數據線1012以及第二短接環111為 一體結構，可以再完成數據線101的制作后對陣列基板進行短路不良的檢出。但是由于第 一數據引線120與第一短接環110之間需要采用連接部200的電連接方式。因此增加了短 接環與數據引線之間的電阻，降低了檢測信號的傳輸效率。
[0100] 綜上所述，實施例六可以為優選實施例。當在有限的布線空間內減小相鄰兩條引 線之間的線間距以滿足窄邊框的發展趨勢時，不僅能夠避免引線間的短路不良。而且，可以 簡化制作工藝，減小短接環與數據引線之間的電阻，提高檢測信號的傳輸效率。還可以在整 個陣列基板10制作完成后對該陣列基板10上的數據線101的短路不良進行檢測，或者在 制作完數據線101后，對其進行短路不良的檢測。從而能夠盡早的發現不良，有利于提高產 品良率，降低生產成本。
[0101] 以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵 蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1. 一種陣列基板，包括位于顯示區域的多條橫縱交叉的柵線和數據線，其特征在于，還 包括位于非顯示區域的第一短接環或第二短接環，以及分別與所述第一短接環、所述第二 短接環電連接的第一數據引線、第二數據引線； 所述第一數據引線與所述柵線同層同材料設置，用于將所述第一短接環與第一列數據 線電連接； 所述第二數據引線與所述數據線同層同材料設置，用于將所述第二短接環與第二列數 據線電連接； 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置。
2. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一短接環與所述柵線同層同材料設置； 所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
3. 根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一短接環和所述第二短接環 與所述柵線同層同材料設置； 或， 所述第一短接環和所述第二短接環與所述數據線同層同材料設置。
4. 根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，在設置有所述數據線的基 板表面設置有鈍化層的情況下，所述陣列基板還包括： 位于所述鈍化層表面對應所述第一數據引線位置的第一過孔； 位于所述鈍化層表面對應所述第一列數據線位置的第二過孔； 以及位于所述第一過孔、所述第二過孔表面用于將所述第一數據 引線與所述第一列數據線相連接的連接線。
5. 根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述鈍化層表面的透明 電極層，所述連接線與所述透明電極層同層同材料。
6. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7. -種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括： 在非顯示區域形成第一短接環和第二短接環； 在襯底基板上形成柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成柵線、第一數據引線的圖案； 在形成有上述結構的基板表面形成柵極絕緣層、半導體有源層、源漏金屬層，通過一次 構圖工藝形成數據線、第二數據引線的圖案； 其中，所述第一列數據線與所述第二列數據線間隔設置； 將所述第一短接環與所述第一數據引線電連接，第一列數據線與所述第一數據引線電 連接； 將所述第二短接環與所述第二數據引線電連接。
8. 根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在非顯示區域形成 第一短接環和第二短接環的方法包括： 在襯底基板上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成所述柵線、所述第一數據 引線，以及所述第一短接環的圖案； 在形成有上述結構的基板表面形成所述柵極絕緣層、所述半導體有源層、所述源漏金 屬層，通過一次構圖工藝形成所述數據線、所述第二數據引線，以及所述第二短接環的圖 案。
9. 根據權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在非顯示區域形成 第一短接環和第二短接環的方法包括： 在襯底基板上形成所述柵極金屬層，通過一次構圖工藝形成所述柵線、所述第一數據 引線，以及所述第一短接環和所述第二短接環的圖案； 或， 在形成有所述柵線、所述第一數據引線的圖案的基板表面形成所述柵極絕緣層、所述 半導體有源層、所述源漏金屬層，通過一次構圖工藝形成所述數據線、所述第二數據引線， 以及所述第一短接環和所述第二短接環的圖案。
10. 根據權利要求7至9任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一列 所述數據線與所述第一數據引線電連接的方法包括： 在形成有所述數據線、所述第二數據引線的基板表面形成鈍化層； 在所述鈍化層的表面對應所述第一數據引線位置的形成第一過孔； 在所述鈍化層的表面對應所述第一列數據線位置的形成第二過孔； 在所述第一過孔和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列 數據線相連接的連接線。
11. 根據權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述第一過孔 和所述第二過孔的表面形成用于將所述第一數據引線與所述第一列數據線相連接的連接 線的方法包括： 在所述鈍化層表面形成透明電極層，通過一次構圖工藝形成所述連接線與所述透明電 極層。
【文檔編號】H01L23/50GK104218042SQ201410443430
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年9月2日 優先權日:2014年9月2日
【發明者】蔡振飛, 陳正偉, 宋星星 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司
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