磁珠排的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種磁珠排，包括層疊的第一基板、第二基板及第三基板；于所述第二基板上設置有磁珠組，所述磁珠組包括并排設置的多個磁珠，于第二基板兩邊對應每個磁珠設置有與其電連接的端子。本實用新型的有益效果在于：將多個磁珠封裝成一個磁珠排，且通過層疊形成扁平結構，產品小巧適于大數據線路的高密度小體積應用需求。
【專利說明】磁珠排
【技術領域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種電子元器件，尤其是指一種磁珠排。
【背景技術】
[0002]隨著時下電路的集成度越來越高，電路中時常碰到需要對大數據線路(通常由多路構成)進行雜波抑制的應用需求。而磁珠在雜波抑制是常見器件，但現有的磁珠均為單顆粒封裝，限于單體規格因此單顆磁珠無法應用于此類高密度電路中。
實用新型內容
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種適用于大數據線路的高密度、小體積的磁珠排。
[0004]為了解決上述技術問題，本實用新型采用的技術方案為:一種磁珠排，包括層疊的第一基板、第二基板及第三基板；于所述第二基板上設置有磁珠組，所述磁珠組包括并排設置的多個磁珠，于第二基板兩邊對應每個磁珠設置有與其電連接的端子；
[0005]上述結構中，所述第二基板由鐵氧體材料制成，其表面通過銀漿布線形成所述磁珠組；
[0006]上述結構中，所述第一基板、第二基板、及第三基板均呈長方形，其長2.00±0.15mm,寬1.00±0.15mm ;層疊的第一基板、第二基板及第三基板總高度0.50±0.1Omm ;
[0007]上述結構中，所述磁珠組中磁珠間隔0.50±0.1Omm ；
[0008]上述結構中，所述端子于高度方向覆蓋層疊的第一基板、第二基板及第三基板，其寬 0.15-0.4mm。
[0009]本實用新型的有益效果在于:將多個磁珠封裝成一個磁珠排，且通過層疊形成扁平結構，產品小巧適于大數據線路的高密度小體積應用需求。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]下面結合附圖詳述本實用新型的具體結構
[0011]圖1為本實用新型的結構爆炸圖；
[0012]圖2為本實用新型的結構側視圖。
[0013]1-第一基板；2_第二基板；3_磁珠組；4_第二基板；31_端子；32_磁珠。
【具體實施方式】
[0014]為詳細說明本實用新型的技術內容、構造特征、所實現目的及效果，以下結合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0015]請參閱圖1以及圖2，一種磁珠排，包括層疊的第一基板1、第二基板2及第三基板4 ;于所述第二基板2上設置有磁珠組3，所述磁珠組3包括并排設置的多個磁珠32，于第二基板2兩邊對應每個磁珠32設置有與其電連接的端子31。
[0016]從上述描述可知，本實用新型的有益效果在于:將多個磁珠封裝成一個磁珠排，且通過層疊形成扁平結構，產品小巧適于大數據線路的高密度小體積應用需求。
[0017]實施例1:
[0018]上述結構中，所述第二基板2由鐵氧體材料制成，其表面通過銀漿布線形成所述磁珠組3。
[0019]此處，第一基板I和第三基板3也均有鐵氧體材料制成。而磁珠組3整體是由銀漿直接在基板上走線(也叫布線)形成的，該結構的最大好處是可以在厚度上最大限度輕薄化。
[0020]實施例2:
[0021]上述結構中，所述第一基板1、第二基板2、及第三基板3均呈長方形，其長B =2.00±0.15mm,寬A = 1.00±0.15mm ;層疊的第一基板1、第二基板2及第三基板3總高度C = 0.50±0.10mnin
[0022]本實施例所提供的是經過試驗后能達到應用效果的最小優選尺寸，可見，本專利結構可使得整個磁珠排封裝在很小體積中，而長方體的外形便于其在電路中規整設置。
[0023]實施例3:
[0024]為了確保磁珠組3中每個磁珠32的正常工作，其需要有一定隔離，通過反復實驗測得到所述磁珠組3中磁珠32間隔E = 0.50±0.1Omm為最佳。
[0025]實施例4:
[0026]上述結構中，所述端子31于高度方向覆蓋層疊的第一基板1、第二基板2及第三基板 3，其寬 D = 0.15-0.4_。
[0027]將端子31設計成如此形狀可最大限度利用整體產品的體積，方便小型化時產品于電路中的焊接配置。
[0028]以上所述僅為本實用新型的實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍，凡是利用本實用新型說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的【技術領域】，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內。
【權利要求】
1.一種磁珠排，其特征在于:包括層疊的第一基板、第二基板及第三基板；于所述第二基板上設置有磁珠組，所述磁珠組包括并排設置的多個磁珠，于第二基板兩邊對應每個磁珠設置有與其電連接的端子。
2.如權利要求1所述的磁珠排，其特征在于:所述第二基板由鐵氧體材料制成，其表面通過銀漿布線形成所述磁珠組。
3.如權利要求1所述的磁珠排，其特征在于:所述第一基板、第二基板、及第三基板均呈長方形，其長2.00±0.15mm,寬1.00±0.15mm ;層疊的第一基板、第二基板及第三基板總高度 0.50±0.10mnin
4.如權利要求3所述的磁珠排，其特征在于:所述磁珠組中磁珠間隔0.50±0.10mm。
5.如權利要求3所述的磁珠排,其特征在于:所述端子于高度方向覆蓋層疊的第一基板、第二基板及第三基板，其寬0.15-0.4mm。
【文檔編號】H01F27/29GK204178903SQ201420596314
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年10月15日 優先權日:2014年10月15日
【發明者】張海道, 鐘裕祥 申請人:深圳市瑞勁電子有限公司