一種提高VDMOS器件抗輻照能力的方法與流程

技術特征：

1.一種提高VDMOS器件抗輻照能力的方法，其特征在于：該方法是將VDMOS器件中的柵氧化層替換為三層結構柵，從而提高VDMOS器件的抗輻照能力；所述三層結構柵是由依次疊加復合的氮氧化物層、氫氧合成氧化層和氮氧化物層組成。

2.根據權利要求1所述的提高VDMOS器件抗輻照能力的方法，其特征在于：所述氮氧化物層是采用N₂O氮化氧化工藝制備的氮氧化物層，所述氫氧合成氧化層是采用低溫氫氧合成氧化法制成的SiO₂層。

3.根據權利要求1所述的提高VDMOS器件抗輻照能力的方法，其特征在于：所述氮氧化物層的厚度為3-5nm，所述氫氧合成氧化層的厚度為6-10nm。

4.根據權利要求1-3任一所述的提高VDMOS器件抗輻照能力的方法，其特征在于：所述三層結構柵的制備過程具體包括如下步驟：

(1)采用HF溶液清洗硅片表面，去除硅片表面的氧化層；

(2)硅片清洗后，用氮化柵氧化層工藝在800℃條件下制備N₂O氮化柵氧化層；

(3)用氫氧合成氧化法在800℃條件下在步驟(2)制備的N₂O氮化柵氧化層上制氫氧合成柵氧化層；

(4)用氮化柵氧化層工藝在800℃條件下在步驟(3)制備的氫氧合成柵氧化層上制備N₂O氮化柵氧化層；

(5)三層結構柵備完成后，在800℃和N₂氣氛下退火30min。