一種室分系統鄰頻合路器的制作方法

本實用新型涉及一種新型合路器，尤指一種室分系統鄰頻合路器，屬于微波無源射頻通訊技術領域的范疇。

背景技術：

我國移動通信已經進入4G時代，現有的2G，3G室分系統也在逐步升級改造，通過更改鏈路合路器升級到4G，無論是新系統建設還是老系統升級，對室分合路器的需求還是很大的。使用新技術開發的合路器，其性能和結構都較以往常規合路器有很大的提高，且尺寸更小，結構更緊湊，性能更完善，越來越受到客戶的認可，市場需求份額也在逐步上升。

技術實現要素：

本實用新型要解決的技術問題是一種室分系統鄰頻合路器，其性能上，在聯通和電信的3G頻段為鄰頻，只間隔1.6MHz，端口隔離度達到27dB，損耗小于2.5dB，同時異頻端隔離度高達90dB以上。其結構上，腔體采用雙面背靠背結構設計，通路設計上，在減少腔數的前提下，多增加交叉耦合，采用多級交叉耦合級聯方式，同時首尾諧振腔采用小腔耦合大腔的結構，使尺寸更小，結構更緊湊，實現小型化。

為了實現上述發明目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種室分系統鄰頻合路器，包括上腔體與下腔體，所述上腔體內設置有第一通路、第二通路和第三通路；所述下腔體內設置有第四通路、第五通路和第六通路；所述第一通路與第五通路結構相同，所述第一通路與第五通路共用第一輸入端，所述第一通路采用七腔加三級交叉耦合結構，包括兩個感性交叉耦合和一個容性交叉耦合，其中一個感性交叉耦合外套容性交叉耦合；所述第二通路與第六通路結構相同，所述第二通路與第六通路共用第二輸入端，所述第二通路采用八腔加四級交叉耦合結構，包括三個容性交叉耦合和一個感性交叉耦合，其中一個容性交叉耦合外套感性交叉耦合后，再套一容性交叉耦合；所述第三通路采用十腔加兩級感性交叉耦合，交叉耦合位置與諧振桿平行； 第三通路諧振桿與與兩個感性交叉耦合平行，第三通路末端通過抽頭線與ANT輸出端相連。

作為優選方案，所述第一通路對應的頻率為1920 MHz ～1939MHz，所述第二通路對應的頻率為1940.6 MHz ～1980MHz，所述第三通路對應的頻率為1710 MHz～1880MHz；所述第四通路對應的頻率為800MHz～960MHz，所述第五通路對應的頻率為2110MHz～2129MHz，所述第六通路對應的頻率為2130.6MHz～2170MHz。

本實用新型的有益效果在于，聯通、電信3G系統為鄰頻，頻段間隔1.6MHz，在系統隔離27dB的情況下，損耗才2.5dB，同時對異頻段隔離達90dB以上，且滿足高低溫工作環境要求，比電橋損耗小1dB。在減少通路腔數的前提下多添加交叉耦合，采用多級交叉耦合級聯結構，另外，通路首尾諧振腔采用小腔耦合大腔結構，使腔體尺寸更小，結構更緊湊，滿足市場對產品小型化的要求。

附圖說明

圖1為本實用新型的上腔體主視圖。

圖2為本實用新型的下腔體主視圖。

其中，1是腔體；2是第一輸入端；3是第二輸入端；4是第三輸入端；5是第四輸入端；6是ANT輸出端；7是第三通路諧振桿；8和9是兩個交叉耦合器；10是第一通路諧振桿；11和12是兩級感性交叉耦合；13是容性交叉耦合；14是第二通路諧振桿；15、16和17是容性交叉耦合；18是感性交叉耦合；19是第一通路和第二通路公共腔。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新作進一步的詳細說明。

如圖1、圖2所示，一種室分系統鄰頻合路器，包括腔體，諧振桿，蓋板，連接器。其特征在于，所述腔體為雙面結構，分為上腔體和下腔體，所述上腔體包括三個信號通路，分別為，第一通路、第二通路和第三通路，所述第一通路對應的頻率為1920 MHz ～1939MHz，所述第二通路對應的頻率為1940.6 MHz ～1980MHz，所述第三通路對應的頻率為1710 MHz～1880MHz。

所述第三通路，對應聯通4G（FDD-LTE）或者電信的4G（FDD-LTE）頻段，第三輸入端4通過抽頭線連至上腔體內，第三通路內采用十腔加兩級感性交叉耦合，交叉耦合位置與諧振桿平行； 第三通路諧振桿7與與兩個感性交叉耦合8（9）平行，第三通路末端通過抽頭線與ANT輸出端6相連。

第一通路和第二通路為鄰頻，對應電信3G的上行（Rx）和聯通3G的上行（Rx），頻段間隔1.6MHz，鄰頻系統隔離度達25dB以上，與第三通路和第四通路系統隔離度在90dB以上，損耗才2.5dB，比同頻電橋損耗3.5dB還小1dB。第一輸入端2對應上腔體的第一通路，第一通路與下腔體面的第五通路共用一個輸入端，均通過抽頭線與內腔相連。第一通路采用七腔加三級交叉耦合結構，包括兩個感性交叉耦合11（12），容性交叉耦合13，其中感性交叉耦合11外套一容性交叉耦合13。第一通路的首腔為小腔，圖1中10為小腔對應的該通路諧振桿，采用小腔耦合大腔的結構，在基本不影響指標的情況下減小腔體體積。

第二輸入端3對應第二通路，所述第二通路與下腔體面的第六通路共用一個輸入端，均通過抽頭線與內腔相連。第二通路采用八腔加四級交叉耦合結構。包括三個容性交叉耦合15（16、17），感性交叉耦合18，其中，容性交叉耦合16外套一感性交叉耦合18，外面再套一容性交叉耦合17，結構上是多級交叉耦合級聯，在減少腔數的情況下多用交叉耦合，減小腔體體積。第二通路的首腔為小腔，小腔對應的第二通通路的諧振桿14，第二通路采用小腔耦合大腔的結構。

第一通路和第二通路的末端通過一個共公腔（小腔）耦合，采用小腔耦合大腔的結構合路，經抽頭線連至ANT輸出端6。由于上述結構的應用，腔體尺寸更小，結構更緊湊，達到小型化的目的。

如圖2所示的下腔體，包括三路信號通路，分別為第四通路、第五通路和第六通路，所述第四通路對應的頻率為800MHz～960MHz，所述第五通路對應的頻率為2110MHz～2129MHz，所述第六通路對應的頻率為2130.6MHz～2170MHz，其中第五通路的結構與第一通路的機構相同，第六通路的結構與第二通路的結構相同。

以上僅是本實用新型的具體應用范例，對本實用新型的保護范圍不構成任何限制。凡采用等同變換或者等效替換而形成的技術方案，均落在本實用新型權利保護范圍之內。