本實用新型涉及晶閘管領域,尤其是涉及一種耐高壓大容量的塑封晶閘管結構。
背景技術:
由于晶閘管具有反應極快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等優點。因此,特別是在大功率UPS供電系統中,晶閘管在整流電路、靜態旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
塑封型晶閘管通常設置有陰極、陽極和門極,現有的塑封型晶閘管結構的設置順序為將陽極設置在陰極和門極之間,陰極和陽極的距離短,一般陽極引腳到陰極引腳的距離為1.5~3mm。由于距離短,且承受的電壓高,同時,電流容量大,因此陰極與陽極間容易被擊穿。
技術實現要素:
本實用新型的目的是提供一種耐高壓大容量的塑封晶閘管結構,解決現有塑封晶閘管結構在承受高電壓,大電流時易擊穿的問題。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種耐擊穿的晶閘管結構,包括散熱板,設置在散熱板上的陶瓷片,晶閘管芯片;所述陶瓷片上設置有陽極板,晶閘管芯片設置在陽極板上,所述陽極板的寬度大于晶閘管芯片的寬度;所述晶閘管芯片上接引有陰極引腳和門極引腳,所述陽極板遠離晶閘管芯片的一端設置有陽極引腳,所述門極引腳位于陰極引腳和陽極引腳之間。
進一步的,所述陽極板包括晶閘管芯片放置部,陽極引腳搭接部,晶閘管芯片放置部和陽極引腳搭接部間設置有折彎部。
為增大陰極引腳與晶閘管芯片間的距離,使陰極引腳與陽極引腳的距離進一步增大,所述陰極引腳與晶閘管芯片配合的一端設置有延伸片,所述延伸片包括與晶閘管芯片陰極面接觸的導通部及折彎讓位部,折彎讓位部用于增大陰極與陽極間的距離,從而提高陰極與陽極間的耐壓值。所述導通部與折彎讓位部間設置有折彎翻邊;為保證陰極引腳與其他引腳在同一水平面上,所述折彎讓位部與陰極引腳間設置有調整翻邊。
為提高塑封晶閘管的通用性,使塑封晶閘管內即可焊接一個晶閘管的芯片或焊接兩個單向反并聯的晶閘管芯片,所述晶閘管上還設置有門極備用引腳。
本實用新型的有益效果:本實用新型通過在晶閘管芯片下方設置陽極板,增加陽極的寬度,并將陽極引腳設置在遠離晶閘管芯片的一端,從而有效增加晶閘管芯片中陰極引腳與陽極引腳的距離,同時,還通過在陰極引腳上設置延伸片,進一步增加陰極引腳與陽極引腳間的距離,進而提高晶閘管芯片的耐擊穿能力,同時,陰極引腳與陽極引腳間的面積增大,可以放置更大電流容量的芯片,從而提高整個塑封晶閘管的電流容量。具有結構簡單,更改方便的優點。同時,通過在陽極板上設置折彎部,一是方便晶閘管芯片的擺放和定位,從而提高裝配的效率,同時,還能夠增加陽極與散熱板間的距離,從而提高陽極與散熱板間的絕緣耐壓值。
以下將結合附圖和實施例,對本實用新型進行較為詳細的說明。
附圖說明
圖1為本實用新型的外部結構示意圖。
圖2為本實用新型中內部結構的俯視圖。
圖3為本實用新型中內部結構的剖視圖。
圖4為本實用新型中陰極引腳的結構示意圖。
具體實施方式
實施例,如圖1至4所示,一種耐高壓大容量的塑封晶閘管結構,包括散熱板1,所述散熱板1上設置有兩個固定孔。設置在散熱板1上的陶瓷片2,所述陶瓷片2上設置有陽極板4,陽極板4上設置有晶閘管芯片3,所述晶閘管芯片3包括底部的陽極面,上方的陰極面及門極面。所述陽極板4的寬度大于晶閘管芯片3的寬度;所述晶閘管芯片3的陰極面上接引有陰極引腳5,門極面上接引有門極引腳6,所述陽極板4遠離晶閘管芯片3的一端設置有陽極引腳7,所述門極引腳6位于陰極引腳5和陽極引腳7之間,從而增大了陰極引腳與陽極引腳的距離。為提高塑封晶閘管的通用性,使塑封晶閘管內即可焊接一個晶閘管的芯片或焊接兩個單向反并聯的晶閘管芯片,所述晶閘管上還設置有門極備用引腳9。將上述元器件通過塑封固定在一起,從而得到一種耐高壓大容量的塑封晶閘管。該結構能夠有效增加陰極引腳與陽極引腳間的距離,在不改變晶閘管芯片的結構前提下,提高晶閘管的耐擊穿能力。同時,增大了陰極引腳與陽極引腳間的面積,可以放置更大電流容量的芯片,從而提高整個塑封晶閘管的電流容量。
具體的,所述陽極板4包括晶閘管芯片放置部41,陽極引腳搭接部42,晶閘管芯片放置部41和陽極引腳搭接部42間設置有折彎部43。所述陰極引腳5與晶閘管芯片3配合的一端設置有延伸片8,延伸片8從晶閘管芯片3的陰極面處向左側遠離陽極引腳的方向延伸,所述陰極引腳5設置在延伸片的最左端,從而進一步增加陰極引腳與陽極引腳間的距離。所述延伸片8包括與晶閘管芯片3陰極面接觸的導通部81及折彎讓位部82,所述導通部81與折彎讓位部82間設置有折彎翻邊83,所述折彎讓位部82與陰極引腳5間設置有調整翻邊84。所述折彎讓位部82向上拱起,從而避開陽極板4,所述調整翻邊84為了保證陰極引腳與陽極引腳處在同一平面上。裝配時,將晶閘管芯片3最右端靠壓在陽極板的折彎部43位置處,然后將延伸片8壓在晶閘管芯片3上,從而實現晶閘管芯片3的定位。具有結構簡單,定位快,裝配方便的優點。