導線的制造方法和顯示面板與流程

本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種導線的制造方法和顯示面板。

背景技術：

在制造顯示面板的過程中，會在襯底結構(該襯底結構可以為襯底基板或柵絕緣層等結構)上形成各種金屬導線，但由于金屬導線和多數襯底結構之間的附著力較弱，因而通常會在金屬導線和襯底結構之間設置與金屬導線以及襯底結構的附著力均較強的過渡線，由該過渡線和金屬導線共同構成顯示面板中的導線。

目前，制造顯示面板的方法包括1)在襯底結構上形成過渡層(過渡層通常由與襯底結構以及金屬導線的附著力均較強的材料構成；2)在形成有過渡層的襯底結構上形成金屬層；3)通過構圖工藝在金屬層上形成金屬導線；4)以金屬導線作為掩膜，刻蝕金屬導線下方的過渡層，使該過渡層轉變為與金屬導線形狀一致的過渡線。

以金屬導線作為掩膜，刻蝕金屬導線下方的過渡層時，刻蝕液可能會對金屬導線造成損傷。

技術實現要素：

為了解決相關技術的問題，本發明實施例提供了一種導線的制造方法和顯示面板。所述技術方案如下：

第一方面，提供了一種導線的制造方法，所述方法包括：

在襯底結構上形成過渡層；

在形成有所述過渡層的襯底結構上形成金屬層；

在形成有所述金屬層的襯底結構上形成第一光刻膠圖案；

以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述金屬層進行刻蝕，形成金屬導線；

以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成過渡線，所述過渡線和所述金屬導線構成所述導線。

可選的，所述過渡層的材料包括透明導電材料，

所述以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成過渡線之前，所述方法還包括：

在形成有所述金屬導線和所述第一光刻膠圖案的襯底結構上形成用于作為像素電極圖案的掩膜的第二光刻膠圖案；

所述以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成過渡線，包括：

以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成所述過渡線和所述像素電極圖案。

可選的，所述第一光刻膠圖案由正性光刻膠構成，所述第二光刻膠圖案由負性光刻膠構成；

或者，所述第一光刻膠圖案由負性光刻膠構成，所述第二光刻膠圖案由負性光刻膠或正性光刻膠構成。

可選的，所述在形成有所述金屬導線和所述第一光刻膠圖案的襯底結構上形成用于作為像素電極圖案的掩膜的第二光刻膠圖案，包括：

在形成有所述金屬導線和所述第一光刻膠圖案的襯底結構上涂布第二光刻膠層；

通過曝光和顯影使所述第二光刻膠層轉變為所述第二光刻膠圖案。

可選的，所述以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成所述過渡線和所述像素電極圖案之后，所述方法還包括：

去除所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案。

可選的，所述透明導電材料包括多晶硅氧化銦錫。

可選的，所述以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成所述過渡線和所述像素電極圖案，包括：

以所述第一光刻膠圖案和所述第二光刻膠圖案為掩膜，通過多晶硅氧化銦錫刻蝕液對所述過渡層進行刻蝕，形成所述過渡線和所述像素電極圖案。

可選的，所述以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述金屬層進行刻蝕，形成金屬導線，包括：

以所述第一光刻膠圖案為掩膜，通過金屬刻蝕液對所述金屬層進行刻蝕，形成金屬導線。

可選的，所述以所述第一光刻膠圖案為掩膜對所述過渡層進行刻蝕，形成過渡線之后，所述方法還包括：去除所述第一光刻膠圖案。

第二方面，提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括：第一方面所述方法制造的導線。

本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

通過在襯底結構上形成過渡層，在該過渡層上形成金屬層，在該金屬層上形成第一光刻膠圖案，以該第一光刻膠圖案作為金屬層和過渡層的掩膜進行兩次刻蝕，形成導線。解決了相關技術中以金屬導線作為掩膜刻蝕過渡層時，刻蝕液可能損傷金屬導線的問題，達到了保護金屬導線的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1-1是本發明實施例提供的一種導線的制造方法流程圖；

圖1-2是本發明實施例中一種襯底結構的結構示意圖；

圖1-3是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖1-4是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖1-5是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-1是本發明實施例提供的另一種導線的制造方法流程圖；

圖2-2是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-3是本發明實施例提供的形成第一光刻膠圖案的方法流程圖；

圖2-4是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-5是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-6是本發明實施例提供的形成第二光刻膠圖案的方法流程圖；

圖2-7是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-8是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-9是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖；

圖2-10是本發明實施例中另一種襯底結構的結構示意圖。

具體實施方式

為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。

本發明各個實施例提供的導線的制造方法所制造的導線可以作為顯示面板中用于實現顯示功能的導線，也可以作為觸控面板中用于實現觸控功能的導線等。

如圖1-1所示，本發明實施例提供了一種導線的制造方法，該方法可以包括如下幾個步驟：

步驟101、在襯底結構上形成過渡層。

步驟102、在形成有過渡層的襯底結構上形成金屬層。

步驟103、在形成有金屬層的襯底結構上形成第一光刻膠圖案。

如圖1-2所示，該圖示出了步驟103結束時，襯底結構01的結構示意圖。在襯底結構01上形成有過渡層02，在形成有過渡層02的襯底結構01上形成有金屬層03，在形成有金屬層03的襯底結構上形成有第一光刻膠圖案041。

步驟104、以第一光刻膠圖案為掩膜對金屬層進行刻蝕，形成金屬導線。

如圖1-3所示，該圖示出了步驟104結束時，襯底結構01的示意圖。金屬導線031位于第一光刻膠圖案041的正下方，金屬導線031的形狀和第一光刻膠圖案041一致。

步驟105、以第一光刻膠圖案為掩膜對過渡層進行刻蝕，形成過渡線，過渡線和金屬導線構成導線。

如圖1-4所示，該圖示出了步驟105結束時，襯底結構01的示意圖。過渡線021位于金屬導線031的正下方，過渡線021的形狀和金屬導線031的形狀一致。位于金屬導線031和襯底結構01之間的過渡線021可以增強金屬導線021在襯底結構01上的附著力。041為第一光刻膠圖案。

步驟106、去除第一光刻膠圖案。

如圖1-5所示，其為步驟106結束時襯底結構01的示意圖，襯底結構01上形成的過渡線021和金屬導線031。過渡線021和金屬導線031構成導線。

綜上所述，本發明實施例提供的一種導線的制造方法，通過在襯底結構上形成過渡層，在該過渡層上形成金屬層，在該金屬層上形成第一光刻膠圖案，以該第一光刻膠圖案作為金屬層和過渡層的掩膜進行兩次刻蝕，形成導線。解決了相關技術中以金屬導線作為掩膜刻蝕過渡層時，刻蝕液可能損傷金屬導線的問題，達到了保護金屬導線的效果。

圖2-1是本發明實施例示出的另一種導線的制造方法，該方法可以包括下面幾個步驟：

步驟201、在襯底結構上形成過渡層。

具體的，襯底結構可以為襯底基板或柵絕緣層結構，比如玻璃或薄膜等。在襯底結構上形成過渡層，該過渡層的材料可以包括透明導電材料，該透明導電材料可以包括氧化銦錫(indiumtinoxide，ito)。

步驟202、在形成有過渡層的襯底結構上形成金屬層。

步驟202結束時，襯底結構上各結構可以如圖2-2所示，襯底結構01上依次形成有過渡層02和金屬層03。

步驟203、在形成有金屬層的襯底結構上形成第一光刻膠圖案。

具體的，如圖2-3所示，步驟203可以包括下面兩個子步驟：

子步驟2031、在形成有金屬層的襯底結構上涂布第一光刻膠層。

光刻膠是一種對光敏感的混合液體，光刻膠經過照射后，它的溶解性、親合性等性能會發生改變，經過顯影液處理后可以得到所需的圖案。

圖2-4示出了子步驟2031結束時，襯底結構01的示意圖，形成有金屬層03的襯底結構01上形成有第一光刻膠層04。圖2-4中其他標記的含義可以參考圖2-2，在此不再贅述。

可選的，該第一光刻膠層04可以為正性光刻膠層或者負性光刻膠層。

光刻膠可以包括正性光刻膠和負性光刻膠，其中，正性光刻膠被光照射后，被照射的區域發生光分解反應，形成可溶于顯影液的物質，用顯影液溶去被光照射的區域，能夠得到所需圖案。負性光刻膠被光照射后，被照射的區域發生光固化反應，形成不可溶于顯影液的物質，用顯影液溶去未被光照射部分，能夠得到所需圖案。

子步驟2032、通過曝光和顯影使第一光刻膠層轉變為第一光刻膠圖案。

可以通過預設的掩膜板和光源來對第一光刻膠層進行曝光，使第一光刻膠層中僅有預設區域(該預設區域可以為第一光刻膠圖案在第一光刻膠層上的對應區域之外的區域)的光刻膠為可溶性物質(可溶于顯影液)，再在顯影過程中通過顯影液來溶解第一光刻膠層中的可溶性物質，使第一光刻膠層轉變為第一光刻膠圖案。

可選的，當該第一光刻膠層由正性光刻膠構成時，第一光刻膠圖案上的曝光區域可以為上述預設區域，當該第一光刻膠層為負性光刻膠層時，第一光刻膠圖案上的曝光區域可以為第一光刻膠圖案在第一光刻膠層上對應的區域。

子步驟結束時，襯底結構01上各個結構可以參考圖1-2，其中，形成有金屬層03的襯底結構01上形成有第一光刻膠圖案041。

有關于對光刻膠進行曝光和顯影的技術可參考相關技術，在此不再進行贅述。

步驟204、以第一光刻膠圖案為掩膜對金屬層進行刻蝕，形成金屬導線。

如圖2-5所示，以第一光刻膠圖案041為掩膜，通過金屬刻蝕液對金屬層進行刻蝕后，金屬層未被第一光刻膠圖案041覆蓋的區域會被金屬刻蝕液刻蝕，而第一光刻膠圖案041覆蓋的區域會保留在過渡層02上，該區域為金屬導線031。01為襯底結構。

有關于對金屬進行刻蝕的技術可參考相關技術，在此不再進行贅述。

步驟205、在形成有金屬導線和第一光刻膠圖案的襯底結構上形成用于作為像素電極圖案的掩膜的第二光刻膠圖案。

在一種相關技術中，通過一次構圖工藝(或稱黃光工藝)在襯底結構上形成金屬導線，再通過第二次構圖工藝在襯底結構上形成過渡線。由于在第二次構圖工藝中要形成金屬導線的掩膜以保護金屬導線，但這在金屬導線較細時，會使得掩膜板和金屬導線的對位難度較大，因而相關技術中的金屬導線通常會被限制在一個較粗的尺寸。

在本發明實施例中，以第一光刻膠圖案作為金屬層和過渡層的掩膜進行兩次刻蝕，無需考慮掩膜板與金屬導線的對位問題，從而減小了金屬導線的尺寸限制。

具體的，如圖2-6所示，步驟205可以包括以下兩個子步驟：

子步驟2051、在形成有金屬導線和第一光刻膠圖案的襯底結構上涂布第二光刻膠層。

子步驟2051結束時，襯底結構01上各結構可以如圖2-7所示，第二光刻膠層05形成于形成有金屬導線031和第一光刻膠圖案041的襯底結構01上。02為過渡層。

子步驟2052、通過曝光和顯影使第二光刻膠層轉變為第二光刻膠圖案。

曝光和顯影的過程可以參考上述步驟203。

可選的，為了避免形成第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案時相互造成影響，本發明實施例中的第一光刻膠圖案由正性光刻膠構成(即第一光刻膠層也由正性光刻膠構成)，第二光刻膠圖案由負性光刻膠構成(即第二光刻膠層也由負性光刻膠構成)；或者，第一光刻膠圖案由負性光刻膠構成(即第一光刻膠層也由負性光刻膠構成)，第二光刻膠圖案由負性光刻膠或正性光刻膠構成。即第一光刻膠層和第二光刻膠層可以不均為正性光刻膠。這是由于當第一光刻膠層由正性光刻膠構成時，步驟2032結束時，形成的第一光刻膠圖案為第一光刻膠層上未被光照射過的部分。若第二光刻膠層由負性光刻膠構成，在對第二光刻膠層進行曝光時，光線照射的是第二光刻膠圖案在第二光刻膠層上對應的區域，第一光刻膠圖案所在區域不會受到光照，因而不會受到影響，但若第二光刻膠層由正性光刻膠構成，在對第二光刻膠層進行曝光時，光線照射的是第二光刻膠圖案在第二光刻膠層上對應的區域之外的區域，第一光刻膠圖案所在區域位于光線照射的區域，第一光刻膠圖案會受到光照并轉化為可溶性物質，難以在后續步驟中作為掩膜。

圖2-8為子步驟2052結束時，襯底結構01的示意圖，其中，第二光刻膠圖案051形成于形成有第一掩膜圖案041和金屬導線031的襯底結構01上。02為過渡層。

步驟206、以第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案為掩膜對過渡層進行刻蝕，形成過渡線和像素電極圖案。

具體的，用過渡層刻蝕液對過渡層進行刻蝕時，沒有被第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案覆蓋的過渡層區域會被過渡層刻蝕液刻蝕，然后過渡層轉化為過渡線和像素電極圖案。本步驟結束時，本發明實施例通過一次構圖工藝在襯底結構上形成了過渡線和像素電極圖案，相較于相關技術中分別通過兩次構圖工藝形成過渡線和像素電極圖案，節省了一次構圖工藝。

需要說明的是，當過渡層由透明導電材料中的多晶硅氧化銦錫構成時，過渡層刻蝕液通常為王水，王水是一種腐蝕性能極強的液體，可以腐蝕金屬。傳統方法中，如果過渡層由多晶硅氧化銦錫構成，當對多晶硅氧化銦錫進行刻蝕時，由于多晶硅氧化銦錫的刻蝕液(即王水)刻蝕性能極強，會腐蝕金屬導線。因此，傳統方法中難以以多晶硅氧化銦錫作為過渡層的材料。本發明實施例通過以第一光刻膠圖案為金屬導線的掩膜，保護了金屬導線，使金屬導線不會被多晶硅氧化銦錫的刻蝕液刻蝕。豐富了過渡層的材料。

步驟206結束時，襯底結構的結構可以如圖2-9所示，其中，襯底結構01上形成有過渡線021以及像素電極圖案022。圖2-9中其他標記的含義可以參考圖2-8，在此不再贅述。

步驟207、去除第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案。

可以通過剝離液浸泡形成有第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案的襯底結構，使第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案從襯底結構上剝離(strip)。

步驟207結束時，襯底結構的結構可以如圖2-10所示，去除第一光刻膠圖案和第二光刻膠圖案之后，襯底結構01上形成有導線(由過渡線021和金屬導線031構成)和像素電極圖案022。

綜上所述，本發明實施例提供的一種導線的制造方法，通過在襯底結構上形成過渡層，在該過渡層上形成金屬層，在該金屬層上形成第一光刻膠圖案，以該第一光刻膠圖案作為金屬層和過渡層的掩膜進行兩次刻蝕，形成導線。解決了相關技術中以金屬導線作為掩膜刻蝕過渡層時，刻蝕液可能損傷金屬導線的問題，達到了保護金屬導線的效果。

本發明實施例提供了一種顯示面板，該顯示面板包括由圖1-1所示的導線的制造方法制造而成的導線，或由圖2-1所示的導線的制造方法制造而成的導線。

需要說明的是：上述實施例提供的導線的制造方法在制造導線時，僅以上述各步驟功能的劃分進行舉例說明，實際應用中，可以根據需要而完成上述部分或全部功能。另外，上述實施例提供的導線的制造方法和顯示面板實施例屬于同一構思，其具體實現過程詳見方法實施例，這里不再贅述。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。