本公開的實施例涉及一種半導體封裝，更具體地，涉及一種包括多個堆疊的半導體芯片的半導體封裝。
背景技術：
1、隨著電子工業的發展，對高性能電子器件的需求不斷增加。因此，需要一種設置多個半導體芯片的方法來實現電子器件的高性能。因此，已經提出了一種包括具有貫通電極并且沿豎直方向堆疊的多個半導體芯片的半導體封裝。
技術實現思路
1、根據本公開的實施例，提供了一種半導體封裝，包括：核心管芯和虛設板，虛設板通過混合接合方法粘附到核心管芯中的最上面的核心管芯上，這能夠增加虛設板與最上面的核心管芯之間的粘合強度，同時增加虛設板的厚度，以提高半導體封裝的可靠性。
2、根據本公開的實施例，提供了一種半導體封裝。半導體封裝包括：第一半導體芯片；虛設管芯，在第一半導體芯片上；第二半導體芯片，堆疊在虛設管芯上；以及虛設板，在第二半導體芯片上，其中第一半導體芯片、虛設管芯和第二半導體芯片中的每一個包括貫通電極，其中虛設管芯和第二半導體芯片中的最靠近虛設管芯的最下面的第二半導體芯片通過第一接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中第二半導體芯片中的相鄰的第二半導體芯片通過第二接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中第一半導體芯片、虛設管芯、第二半導體芯片和虛設板在水平方向上分別具有第一寬度、第二寬度、第三寬度和第四寬度，并且其中第四寬度大于第二寬度和第三寬度。
3、根據本公開的實施例，提供了一種半導體封裝。半導體封裝包括：第一半導體芯片；虛設管芯，在第一半導體芯片上；第二半導體芯片，堆疊在虛設管芯上；虛設板，在第二半導體芯片上；以及模制結構，位于第一半導體芯片和虛設板之間，其中第一半導體芯片、虛設管芯和第二半導體芯片中的每一個包括貫通電極，其中虛設管芯和第一半導體芯片通過第一接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中虛設管芯和第二半導體芯片中的最下面的第二半導體芯片通過第二接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中第二半導體芯片中的相鄰的第二半導體芯片通過第三接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中虛設板與第二半導體芯片中的最上面的第二半導體芯片通過絕緣材料的直接接觸而彼此連接，并且其中，模制結構在第一半導體芯片的頂表面、虛設管芯的側表面、第二半導體芯片的側表面以及虛設板的底表面上。
4、根據本公開的實施例，提供了一種半導體封裝。半導體封裝包括：封裝襯底；中介層，在封裝襯底上；邏輯芯片，在中介層上；以及彼此間隔開的芯片堆疊結構，邏輯芯片介于芯片堆疊結構之間，芯片堆疊結構中的每一個包括：緩沖管芯；虛設管芯，在緩沖管芯上；核心管芯，堆疊在虛設管芯上；虛設板，在核心管芯上；以及模制結構，位于緩沖管芯和虛設板之間，其中緩沖管芯、虛設管芯和核心管芯中的每一個包括貫通電極，其中虛設管芯和緩沖管芯通過第一接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中虛設管芯與核心管芯中的最下面的核心管芯通過第二接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中核心管芯中的相鄰的核心管芯通過第三接合焊盤的直接接觸而彼此連接，其中虛設板與核心管芯中的最上面的核心管芯通過絕緣材料的直接接觸而彼此連接，其中模制結構在緩沖管芯的頂表面、虛設管芯的側表面、核心管芯的側表面以及虛設板的底表面上，其中，緩沖管芯、虛設管芯、核心管芯和虛設板分別在水平方向上具有第一寬度、第二寬度、第三寬度和第四寬度，其中第一寬度實質上等于第四寬度，并且其中第二寬度實質上等于第三寬度。
1.一種半導體封裝，包括：
2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一寬度等于所述第四寬度。
3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第二寬度等于所述第三寬度。
4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯不包括集成電路和互連圖案。
5.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯包括半導體襯底，
6.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯包括半導體襯底，
7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一半導體芯片具有第一厚度，
8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度和所述第三厚度。
9.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述第二厚度小于所述第三厚度。
10.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯的所述貫通電極包括：
11.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯的所述貫通電極包括：
12.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述虛設管芯包括：
13.根據權利要求12所述的半導體封裝，其中，所述第一虛設貫通電極的第一高度等于所述第二虛設貫通電極的第二高度。
14.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述虛設管芯包括：
15.一種半導體封裝，包括：
16.根據權利要求15所述的半導體封裝，其中，所述虛設板包括硅，并且
17.根據權利要求15所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯包括半導體襯底，
18.根據權利要求15所述的半導體封裝，其中所述虛設板的厚度為250μm或更大。
19.根據權利要求15所述的半導體封裝，其中所述虛設管芯的所述貫通電極包括：
20.一種半導體封裝，包括：