一種共極集成二極管的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種共極集成二極管。
【背景技術】
[0002]在許多電路應用中，經常有多個不同擊穿電壓(BV)的二極管，而它們的陰極或陽極被連接在一起。
[0003]在一個集成電路中，這些二極管必須小心置放，以減少不必要的電路相互感應作用，以防止不必要的擊穿、壓穿或閂鎖。通常相鄰二極管之間必須保留一個很大的空間，另外一般需再附加隔離層。這種解決方案的不利之處是占用了半導體晶片的大量空間。尤其對于擊穿電壓較高的二極管，情況會變得更為嚴重。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種共極集成二極管，解決現有技術中多二極管共極連接使用情況下，占用半導體晶片大的技術問題。
[0005]為解決上述技術問題，本發明提供了一種共極集成二極管，共用陽極或者陰極的多個二極管的集成結構;包括:半導體襯底;所述半導體襯底上摻雜一低摻雜漂移區；所述低摻雜漂移區上連接兩個或者兩個以上的電極；
[0006]其中，在所述低摻雜漂移區與所述半導體襯底之間或者在所述低摻雜漂移區內形成PN結的情況下，所述兩個或者兩個以上的電極到二極管結構的PN結的距離不同。
[0007]進一步地，所述低摻雜漂移區為N型低摻雜漂移區；
[0008]所述N型低摻雜漂移區內設置一重摻雜P型區；
[0009]所述重摻雜P型區的摻雜濃度比所述N型低摻雜漂移區的摻雜濃度高至少一個數量級；
[0010]其中，所述重摻雜P型區構成陽極與所述兩個或者兩個以上的電極構成兩個或這兩個以上的具備不同擊穿電壓的共陽極二極管。
[0011]進一步地，所述N型低摻雜漂移區內設置至少兩個重摻雜N型接觸區；
[0012]所述重摻雜N型接觸區的摻雜濃度比所述N型低摻雜漂移區的摻雜濃度高至少一個數量級；
[0013]其中，所述重摻雜N型接觸區構成陰極;所述兩個或兩個以上的電極與所述重摻雜N型接觸區相連，且與所述重摻雜P型區構成兩個或這兩個以上的具備不同擊穿電壓的二極管。
[0014]進一步地，任意相鄰的所述重摻雜P型區與所述重摻雜N型接觸區間，任意相鄰的所述重摻雜N型接觸區間設置絕緣隔離層；
[0015]其中，所述絕緣隔離層采用絕緣隔離材料，且其深度要大于所述重摻雜P型區與所述重摻雜N型接觸區的深度。
[0016]進一步地，所述低摻雜漂移區為P型低摻雜漂移區；
[0017]所述P型低摻雜漂移區內設置一重摻雜N型區；
[0018]所述重摻雜N型區的摻雜濃度比所述P型低摻雜漂移區的摻雜濃度高至少一個數量級；
[0019]其中，所述重摻雜N型區構成陰極與所述兩個或者兩個以上的電極構成兩個或這兩個以上的具備不同擊穿電壓的共陰極二極管。
[0020]進一步地，所述P型低摻雜漂移區內設置至少兩個重摻雜P型接觸區；
[0021]所述重摻雜P型接觸區的摻雜濃度比所述P型低摻雜漂移區的摻雜濃度高至少一個數量級；
[0022]其中，所述重摻雜P型接觸區構成陽極;所述兩個或兩個以上的電極與所述重摻雜P型接觸區相連，且與所述重摻雜N型區構成兩個或這兩個以上的不同擊穿電壓的二極管。
[0023]進一步地，任意相鄰的所述重摻雜N型區與所述重摻雜P型接觸區間，任意相鄰的所述重摻雜P型接觸區間設置絕緣隔離層；
[0024]其中，所述絕緣隔離層采用絕緣隔離材料，且其深度要大于所述重摻雜N型區與所述重摻雜P型接觸區的深度。
[0025]進一步地，所述半導體襯底為P型摻雜，所述低摻雜漂移區為N型摻雜，兩者間形成PN結;
[0026]所述低摻雜漂移區內設置兩個或者兩個以上重摻雜N型接觸區；
[0027]其中，所述兩個或者兩個以上重摻雜N型接觸區作為陰極，各自連接一個電極，與作為陽極的所述半導體襯底構成集成的多個共陽極二極管。
[0028]進一步地，所述半導體襯底為N型摻雜，所述低摻雜漂移區為P型摻雜，兩者間形成PN結;
[0029]所述低摻雜漂移區內設置兩個或者兩個以上重摻雜P型接觸區；
[0030]其中，所述兩個或者兩個以上重摻雜P型接觸區作為陽極，各自連接一個電極，與作為陰極的所述半導體襯底構成集成的多個共陰極二極管。
[0031]進一步地，任意相鄰的所述重摻雜P型接觸區或者任意相鄰的所述重摻雜N型接觸區間設置絕緣隔離層；
[0032]其中，所述絕緣隔離層采用絕緣隔離材料，且其深度要大于所述重摻雜P型接觸區或者所述重摻雜N型接觸區的深度。
[0033]本申請實施例中提供的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優點:
[0034]本申請實施例中提供的共極集成二極管，通過在同一半導體晶片內設置至少兩個PN結距離不同的陰極或者陽極而形成了一個多二極管共陽極或者共陰極的集成結構;實質上形成了在一個高擊穿電壓的二極管內產生多個相對低擊穿電壓的二極管，占用空間大大降低。
【附圖說明】
[0035]圖1為本發明實施例一提供的共陽極集成二極管的結構示意圖；
[0036]圖2為本發明實施例一提供的共陰極集成二極管的結構示意圖；
[0037]圖3為本發明實施例二提供的共陽極集成二極管的結構示意圖；
[0038]圖4為本發明實施例二提供的共陰極集成二極管的結構示意圖；
[0039]圖5為本發明實施例三提供的共陽極集成二極管的結構示意圖；
[0040]圖6為本發明實施例三提供的共陰極集成二極管的結構示意圖；
[0041]圖7為本發明實施例四提供的共陽極集成二極管的結構示意圖；
[0042]圖8為本發明實施例四提供的共陰極集成二極管的結構示意圖.
[0043]其中，虛線表示二極管的符號和連接關系。
【具體實施方式】
[0044]本申請實施例通過提供一種共極集成二極管，解決現有技術中多二極管共極連接使用情況下，占用半導體晶片大的技術問題;達到縮減占用空間，提升管間安全性的技術效果O
[0045]為解決上述技術問題，本申請實施例提供技術方案的總體思路如下:
[0046]一種共極集成二極管，共用陽極或者陰極的多個二極管的集成結構;包括:半導體襯底;所述半導體襯底上摻雜一低摻雜漂移區；所述低摻雜漂移區上連接兩個或者兩個以上的電極；
[0047]其中，在所述低摻雜漂移區與所述半導體襯底之間或者在所述低摻雜漂移區內形成PN結的情況下，所述兩個或者兩個以上的電極到二極管結構的PN結的距離不同。
[0048]通過上述內容可以看出，通過半導體襯底與低摻雜漂移區內形成PN結，并在低摻雜漂移區內設置多個到PN結距離不同的陰極，形成多個共陽極或者共陰極二極管集成結構;實質上是在一個高擊穿電壓二極管，即離PN結最遠的一個陰極與陽極構成的二極管的低摻雜漂移區內形成多個低擊穿電壓的二極管，形成實質上的共低摻雜漂移區的多二極管共陽極集成結構。即在一個二極管空間內設置多個二極管，大大縮減了占用空間；同時安全性還得以保證。
[0049]為了更好的理解上述技術方案，下面將結合說明書附圖以及具體的實施方式對上述技術方案進行詳細說明，應當理解本發明實施例以及實施例中的具體特征是對本申請技術方案的詳細的說明，而不是對本申請技術方案的限定，在不沖突的情況下，本申請實施例以及實施例中的技術特征可以相互組合。
[0050]實施例一
[0051 ]參見圖1，本實施例提供的共極集成二極管，為一種共陽極集成二極管，包括:P型摻雜的半導體襯底P_type substrate (Anode) 101;所述半導體襯底P-type substrate(Anode) 101上設置一N型低摻雜的低摻雜漂移區N-type drift reg1n 102;所述低摻雜漂移區N-type drift reg1n 102上連接兩個或者兩個以上的電極Electrodes 105(包括陰極Cathode 104)。
[0052]其中，P型摻雜的半導體襯底P-type substrate(Anode) 101與N型低摻雜的低摻雜漂移區N-type drift reg1n 102間形成PN結PN junct1n 103;所述兩個或者兩個以上的電極