減少具有電路的結構中的翹曲的制作方法
【專利摘要】為了減少晶片的至少一個區域的翹曲，形成應力/翹曲管理層(810)以使現有翹曲過平衡并改變方向。例如，如果該區域的中間相對于該區域的邊界向上膨脹，則該區域的中間可能變得向下膨脹，或反之亦然。然后對應力/翹曲管理層進行處理以減小過平衡。例如，可以在選定位置處將應力/管理層從晶片剝離，或者可以在該層中形成凹部，或者可以在該層中引起相變。在其他實施例中，該層是鉭鋁層，其可以使或可以不使翹曲過平衡；據信該層由于依賴晶相的應力而減少了翹曲，該應力動態地調節以適應溫度變化，從而減少翹曲(可能通過熱循環來保持晶片平整)。還提供了其他特征。
【專利說明】
減少具有電路的結構中的翹曲
【背景技術】
[0001 ]本發明涉及電路，更具體地講，涉及減少具有電路的結構中的翹曲。示例性結構包括半導體集成電路。
[0002]圖1是具有一個或多個半導體集成電路(IC)IlO的結構的側視圖，其中所述一個或多個半導體集成電路110利用焊料130被接合到基板120。基板120可以是另一個集成電路，或封裝基板如中介層，或接線板;基板120可以包括將集成電路110彼此連接或連接到其他電路的導線。可以存在其他特征，例如散熱器160。集成電路110和基板120應當優選是平面的(如圖1)，但二者可翹曲(圖2和圖3)。翹曲的原因各不相同。例如，在圖4中，集成電路110包括半導體基板410和覆蓋層420(例如金屬)，該覆蓋層420在高溫下被沉積然后被冷卻。冷卻時，層420的收縮大于基板410的收縮(因為層420具有更高的熱膨脹系數(CTE))，所以頂部的結構收縮大于底部的結構收縮(由于頂部的壓應力)。如果基板410的收縮大于層420的收縮(頂部的張應力)，則翹曲也可以如圖5中那樣。翹曲也可能源自由于聚合物層在沉積后被固化而引起的收縮。此外，翹曲可能涉及不均勻的加熱和冷卻速率;材料的選擇;制造參數，如壓力、組成、環境等；電路設計；以及結構特征，例如結構元件的具體位置及其附接和互連。
[0003]翹曲可能會損壞結構元件，如圖2和圖3所示。例如，在圖2中，與邊緣處的焊料連接相比，在集成電路110的中間的焊料連接與基板120相距更遠。因此，中間的焊料連接可能會破裂或斷裂，從而阻礙電功能。這對于圖3中的邊緣連接同樣適用。值得注意的是，焊料連接應優選較小以減小該結構的橫向尺寸，但如果焊料連接必須適應翹曲，則不能太小。因此，非常期望減少翹曲。
[0004]可以通過在集成電路中形成額外層以平衡由其他層所引起的翹曲應力，從而減少翹曲。例如，2007年I月30日授予Connell等人的美國專利N0.7，169,685描述了在晶片的背面上形成的“應力平衡層”，該層用以平衡由形成于正面上的層所引起的應力。另一個例子是Seo的美國專利申請如.12/839，573的美國核準前公開％.2010/0285654六1，其描述了在形成于基板上方的層中形成應力釋放圖案。
【發明內容】
[0005]本部分概述了本發明的一些特征。其他特征可在后續部分中描述。本發明由以引用方式并入本部分中的所附權利要求限定。
[0006]本發明的一些制造方法通過先將翹曲過平衡(即反轉翹曲方向)來實現翹曲減少。例如，如果翹曲如圖2中那樣，則將翹曲方向改變為如圖3中那樣。具體地講，形成一層來使翹曲過平衡，然后處理該層以減少翹曲。在一些實施例中，過平衡擴大了由該層提供的翹曲修改的范圍。下文將該層稱為“應力/翹曲管理層”，即使該層可(或可不)用于翹曲減少之外的其他目的。
[0007]在一些實施例中，通過在應力/翹曲管理層中形成凹部來減小由該層引起的應力，從而減少過平衡翹曲。作為另外一種選擇或除此之外，可以在選定位置處將該層從該結構的其余部分剝離。(剝離涉及弱化或破壞分子鍵)。在其他實施例中，可加熱該層以在該層中引起相變。
[0008]在一些實施例中，由于該層的晶體結構，特別是可動態調整以適應溫度的晶體相變，所以即使沒有過平衡或進一步加工，該層仍然減少晶片翹曲。例如，該層可以是具有10重量％至60重量％的鋁的鉭鋁合金。相的組成(S卩，晶相在該層中的分布)自動調整以適應溫度變化，進而促使該層成為平面幾何形狀，從而在后續熱循環中(例如，在回流焊中和/或在電路操作中)減少或消除晶片翹曲。在一些實施例中，通過在TaAl層的沉積中不進行過平衡來減少翹曲。
[0009]一些實施例提供了具有應力/管理層或上述其他特征的制成品。
[0010]除由所附權利要求所限定的之外，本發明不限于如上描述的特定材料或其他特征或優點。
【附圖說明】
[0011]圖1、圖2、圖3、圖4、圖5是根據現有技術的具有電路的結構的側視圖。
[0012]圖6是根據本發明的一些實施例的制造工藝的流程圖。
[0013]圖7、圖8、圖9、圖1O是根據本發明的一些實施例的具有電路的結構在制造的不同階段的橫截面側視圖。
[0014]圖11是具有電路的結構的橫截面側視圖，用以示出在本發明的一些實施例中使用的翹曲測量。
[0015]圖12和圖13是具有電路的結構的頂視圖，用以示出在本發明的一些實施例中使用的翹曲測量。
[0016]圖14是具有電路的結構的橫截面側視圖，用以示出在本發明的一些實施例中使用的翹曲測量。
[0017]圖15、圖16是根據本發明的一些實施例的具有電路的結構在制造的不同階段的橫截面側視圖。
[0018]圖17是根據本發明的一些實施例的制造工藝的流程圖。
[0019]圖18、圖19、圖20、圖21是根據本發明的一些實施例的具有電路的結構在制造的不同階段的橫截面側視圖。
【具體實施方式】
[0020]本部分所描述的實施例舉例說明但不限制本發明。本發明由所附權利要求限定。
[0021]圖6是根據本發明的一些實施例的示例性制造工藝的流程圖。在步驟610中，獲得晶片，例如由一個或多個層720制成的晶片710(圖7)。該晶片可以是半導體晶片(即包括半導體基板如單晶硅或一些其他材料的晶片)，或者是具有絕緣基板或導電基板的晶片。晶片結合有電路(未示出)，所述電路包括例如晶體管、電阻器、電容器、互連線和/或其他電路元件。晶片可以處于制造的任何階段，可能是(盡管不一定)在后期階段例如在形成電路之后。隨后可以將晶片710分割成管芯110(如圖1中那樣)，或者可以在非分割狀態下用于最終產品。在圖7中，晶片具有“負”翹曲，即晶片的中間相對于邊緣向上突起。然而，“負”是本文所使用的便于參考的相對術語:如果將晶片上下顛倒，則翹曲將如圖3那樣為“正”。翹曲還可以在晶片的一些部分為負，在其他部分為正，并且/或者在一些垂直橫截面中為負，而在其他垂直橫截面中為正(如在鞍形晶片中)。然而，在一些制造工藝中，翹曲在整個晶片上均為負或均為正。在一些制造工藝中，翹曲至少相對于晶片邊界上的點均為負或均為正，即，邊界點均高于晶片中心附近的點或均低于晶片中心附近的點。本發明不限于任何特定的翹曲幾何形狀。
[0022]在圖6的步驟620處，在晶片的頂部形成應力/翹曲管理層810(圖8)以使至少在一個區域中的晶片翹曲過平衡或相對于至少一些邊界點使晶片翹曲過平衡。在圖8的例子中，晶片翹曲從負改變到正。
[0023]在步驟630處，將層810改性以減少或消除晶片翹曲。可以進行層改性以弱化由層810引起的應力。
[0024]在圖8的例子中，層810包括粘合劑子層810.1和應力/翹曲管理子層820.2。在步驟630處，將在選定位置處剝離粘合劑810.1。例如，粘合劑810.1可以是現有技術中用于臨時附接到操作晶片或切割帶或用于其他目的的類型。示例性粘合劑可從3M?公司獲得并且在R.Webb的“Temporary bonding enables new processes requiring ultra-thinwafers” ,Solid State Technology( “臨時接合實現了需要超薄晶片的新工藝”，《固態技術》，2010年2月)中描述的LC-3200、LC-4200、LC-5200型的UV可固化粘合劑，該文獻以引用方式并入本文。另請參見 “Product1n Proven: Temporary wafer bonding for advancedIC packaging” ( “可靠生產:臨時晶片接合用于先進集成電路封裝”，3M?公司，2009年)，該文獻以引用方式并入本文。可以使用紫外(UV)光來剝離這些粘合劑。層810.1的示例性厚度為20μπι或更小。粘合劑層810.1可以包括覆蓋薄碳層的丙烯酸層；可以通過激光來剝離碳層。本發明不限于特定的粘合劑、尺寸或剝離方法。
[0025]用于層810.2的材料和制造工藝的選擇取決于加工技術、所需的翹曲減少以及其他因素。例如，如果晶片將經受高溫處理，那么層810.2應能夠耐受這樣的處理。如果溫度預算已經用完，那么應在低溫下沉積層810.2。如果粘合劑810.1的剝離將采用從頂部射入的光，那么層810.2應對這樣的光是透明或半透明的。對于以上指定的3Μ?粘合劑以及對于由從頂部射入的光進行的剝離，層810.2可以是通過任何合適的方法沉積的例如二氧化硅、或氮化硅、碳化硅、氮氧化硅或它們的組合，所述合適的方法例如是通過VVD (真空蒸鍍)；CVD(化學氣相沉積)，可能為PECVD(等離子體增強CVD);在任何合適的溫度(在一些實施例中低于250°C )下；以任何合適的厚度(例如，2500nm或更小，可能為20nm至70nm)。可以控制工藝參數來提供壓縮力(圖4)或拉伸力(圖5)以使翹曲過平衡。參見例如2013年6月13日公開的Yoon等人的美國核準前專利公開2013/0147022A1，其描述了具有抵消應力特性的鈍化層的沉積，該文獻以引用方式并入本文。在一些實施例中，層810.1和810.2由相同的材料(粘合劑)制成并且在單個工藝中形成(換言之，可以省略這些層中的任意一層)。
[0026]在一些實施例中，在形成層810.2之前測量晶片翹曲，并且基于該測量以及基于從測試晶片或從模擬獲得的實驗結果來(例如從查找表中)選擇層810.2的厚度。可在形成粘合劑810.1之前或之后進行翹曲測量。
[0027]在一些實施例中，粘合劑810.1對晶片翹曲沒有可測量的影響。在其他實施例中，粘合劑810.I引起與層810.2相同類型的應力(壓應力或張應力)以增強過平衡效果。粘合劑810.1還可以抵消過平衡效果，并且在此情況下，沉積層810.2以蓋住粘合劑810.1。
[0028]圖9中示出了步驟630(圖6):發射光束910(可能為激光束)以弱化由粘合劑810.1在選定位置920處產生的接合，從而減少晶片翹曲。在一些實施例中，剝離歸因于由激光引起的熱。如果需要的話，使光束聚焦以防止層810在其他位置處剝離。在所示的實施例中，光從頂部穿過層810.2到達粘合劑，而在其他實施例中，光從底部穿過底層720到達粘合劑。光可以弱化粘合劑810.1和層810.2之間的接合、或粘合劑810.1與層720的頂部之間的接合、或這兩種接合。位置920的大小和位置是預先通過實驗來確定的。例如，在一些實施例中，在形成層810.2之后并在剝離粘合劑之前測量晶片翹曲；基于預先獲得的翹曲測量和實驗數據來(例如從查找表)確定位置920。在其他實施例中，可以基于在剝離工藝期間進行的測量來至少部分地確定位置920。例如，在一些實施例中，基于對測試晶片進行的測量來預先確定候選位置920 ο將所有候選位置920組成的集合細分成子集。步驟630以多次迭代方式執行，每次迭代將光910提供給位置920的僅一個子集。在每個子集之后，測量翹曲，并且如果需要的話，將光910提供給由翹曲測量所確定的另外一個或多個子集。在其他實施例中，基于對待處理的晶片710進行的測量(而不必借助于測試晶片)來完全確定位置920。在一些實施例中，每個位置920的大小(最大橫向尺寸)為2μπι至30μπι，但這不是限制性的。如果在單個位置920處的剝離使翹曲改變僅較小的值，那么可以嚴格控制翹曲。
[0029]在一些實施例中，位置920為線;位置920是(或包括)例如在前述Seo的美國專利申請N0.12/839573的美國核準前公開US 2010/0285654Α1中所描述的對晶片710進行劃分(并且可能劃分晶片中的每個芯片)的線。
[0030]在步驟640(圖6)處，將晶片分割成管芯(例如獨立集成電路110)。參見圖10。步驟640可以省略。根據需要，將獨立管芯110或整個晶片710接合到其他基板或電路。在圖10的例子中，層720包括晶片底表面處的觸點焊盤930。將焊料130附接到底部觸點焊盤，因此不會干擾層810。層720還包括半導體基板410，該基板具有用于形成電路元件(例如晶體管、電容器和/或其他元件)的有源區940。有源區位于基板的底表面。這些細節不是限制性的，有源區940可以位于基板410的頂表面，并且制作在頂表面的電路元件可以用導線(例如金屬化的硅通孔)連接到觸點焊盤930。可以不存在有源區930，例如晶片710可以是提供其他集成電路之間的互連而且沒有二極管或晶體管的無源中介層。
[0031]還可以將觸點焊盤930置于晶片頂部。在這種情況下，使層810圖案化以暴露觸點焊盤。可在暴露于光910期間或之后，以及在分割之前或之后進行圖案化操作。
[0032]可在將晶片或集成電路接合到其他結構元件之后，將層810保留在最終結構中的適當位置處或者部分地或完全地去除。
[0033]在一些實施例中，在沉積層810之前、或者在沉積層810之后但在部分剝離(例如借助于光910)之前，將晶片分割。這是有利的，因為分割會影響翹曲，并且由于對每個管芯110單獨進行剝離，所以可以根據每個管芯的翹曲來調整剝離。
[0034]如果翹曲最初為正(如圖3中那樣)，或者如果翹曲方向在晶片上變化，那么可以使用相同的制造技術。層810使至少一個晶片區域中的翹曲過平衡。可以僅在翹曲被過平衡的區域中進行剝離，以減小過平衡效果。在其他區域中，可以通過層810來增強翹曲，并且可以在這些其他區域中(例如通過掩模蝕刻)去除層810。另外，或者在替代方案中，可以在層810上方或在晶片的相對側上形成第二應力/翹曲管理層(未示出)，以使這些其他區域中的翹曲過平衡。然后，可以對該第二層進行處理以減少這種過平衡。可以通過與層810相同的技術或通過下述的其他技術來形成和處理該第二層。可以根據需要通過此類技術添加和處理其他應力/翹曲管理層。
[0035]在一些實施例中，翹曲改善了至少10%，即晶片710或管芯110的最終翹曲是在不存在層810的情況下獲得的翹曲的至多90%(單獨地或與其他應力/翹曲管理層結合)。可以通過圖11至圖14所示的任一技術來定義翹曲值。
[0036]參照圖11，可以將翹曲定義為沿著晶片表面之一(例如圖11中的底表面)的高度h的最大變化。更具體地講，將晶片置于水平表面上，使得晶片底表面上的至少三個點接觸水平表面，并且高度h是沿著垂直方向測量的。
[0037]在其他實施例中，通過僅相對于晶片表面上的兩個點(如圖12(頂視圖)中的點A和B)測量高度h來定義翹曲。在本實施例中，點A和B是晶片上相對的點，即這兩個點位于晶片直徑上。在其他實施例中，晶片是不對稱的，并且如果晶片是平的，則點A和B使得它們之間的距離將是最大距離(即，至少與晶片表面上的任何其他兩點之間的距離一樣大)。沿著線1210來測量高度h，如果晶片是平的，那么線1210將是連接A和B的直線。將翹曲定義為最大高度值。在其他實施例中，使用了多對點A和B，并且將翹曲定義為所有這些對中的最大值。
[0038]對于管芯(即單個集成電路110)，可以使用相同的翹曲定義。如果管芯110是平面矩形(圖12)，那么點A點B可以位于兩條對角線中的任一條上的相對角落。在一些實施例中，翹曲是任意所選對角線上的最大高度，或者是這兩條對角線上的最大值。
[0039]翹曲可以在晶片或管芯上改變其正負(參見圖14)，并且高度h總是被測量為絕對值，即決不為負。在其他實施例中，分別針對正翹曲和負翹曲確定h值，并且一個或多個應力/翹曲管理層用于改善僅正翹曲或僅負翹曲。
[0040]在一些實施例中，晶片或至少一個管芯的翹曲改善為至少20 %、或至少30 %、或至少40%、或至少50%、或至少60%、或至少70%、或至少80%、或至少90%。在一些實施例中，對于各邊為40mm或更小的矩形管芯，沿對角線測量的管芯翹曲從300μπι以上改變到低于100
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[0041]在一些實施例中，步驟630包括除了剝離之外或代替剝離的一個或多個工藝。例如，可以通過例如借助于物理和/或化學蝕刻和/或激光燒蝕制成的凹部來弱化層810。例如，在一些實施例中，步驟610可以如以上結合圖7所述的那樣。然后，在步驟620處，沉積層810以使如圖15所示的翹曲過平衡，并且在步驟630處通過激光燒蝕弱化層810(圖16)，該激光燒蝕在層810中形成凹部1610以減少翹曲過平衡。凹部1610可以或可以不穿過層810。適用于層810的材料和制造工藝包括以上關于層810.2所述的那些，但層810并不一定是透明的。一些實施例使用一個或多個以下類別的一種或多種材料:復合材料、聚合物材料、玻璃、陶瓷、導電材料。在一些實施例中，通過模制、或旋涂、或PVD(物理氣相沉積)、或其他合適的方法將此類材料沉積到0.Ιμπι到20μπι或更大的厚度(在一些實施例中，優選的厚度為小于50微米)。在一些這樣的實施例中，通過光刻(可能為干式光刻)將材料圖案化，以去除選定位置處的厚度的約10%至85% ;每個凹部1610的大小(最大橫向尺寸)可以為Ιμ??至30μηι。可以采用與位置920(圖9)同樣的方式，例如使用翹曲測量，來確定凹部1610的尺寸和位置。
[0042]在一些實施例中，通過相變來弱化層810。例如，層810可以是通過適當方法(例如，PVD)沉積然后通過熱弱化(使用紅外光或其他加熱源)的金屬，可能是合金(例如鉭或鉭合金)。
[0043]在一些實施例中，層810可以或可以不使翹曲過平衡，但仍然會減少翹曲。例如，層810可以是通過任何合適方法(例如PVD)沉積到適當厚度(例如2μπι或以下)的鋁含量為1重量％至60重量％的鉭鋁合金。該層促使晶片成為平面狀態，從而減少或可能消除翹曲。在除了當溫度變得非常高(例如高到使合金熔融)時之外的整個溫度變化過程中，該促使力(整平力)保持不變。特別地，如果溫度不超過典型回流焊溫度，即400°C或以下(對于許多焊料而言為260°C)，則整平力保持不變。據信，整平力的這種持久性歸因于相的組成，相的組成動態地調整以適應溫度，從而動態地調整晶片中的應力。然而，本發明不依賴于任何特定的理論。
[0044]對于特殊要求，可以酌情用其他技術來增強以上討論的制造技術。圖17是一個示例性制造工藝的流程圖。在步驟1710處，在晶片710中制造電路。在步驟1714處，例如通過研磨和/或蝕刻晶片背面將晶片減薄到其最終厚度。在此階段，晶片可能會發生翹曲(例如，如以上結合圖7所述)。
[0045]在將層810形成于背面上之前，可以用另外的層來保護背面。例如，如果晶片背面包括非絕緣半導體材料(例如硅)或導電材料(例如導線)，那么在步驟1720處，可以在背面上形成電介質層1810(圖18)。在一些實施例中，電介質1810是通過CVD(化學氣相沉積，可能是PECVD)形成的厚度小于200nm的硅化合物(例如氧化物或氮化物或氧氮化物)。
[0046]可選地，隨后在步驟1724處形成穩定層1820(圖18)以減少晶片翹曲，可能不用使翹曲過平衡(即，翹曲不改變其正負)。例如，穩定層可以是通過適合該加工階段的任何工藝(例如，考慮到溫度預算)形成的氧化硅、或氮化硅、或金屬、或其他一個或多個層。例如，可以沉積TaAl層并對其加熱，以引起如上關于層810所述的晶片整平相變。
[0047]在步驟1730處，測量晶片翹曲，在步驟1734處，如在例如圖8或圖15中那樣形成層810以使翹曲過平衡。參見圖19。在步驟1740處，如上文結合圖9和圖16所述的那樣弱化層810。進一步的加工可以包括例如在層810上方附接(可能由一個或多個聚合物層形成的)切割帶，并且將晶片分割。可以在附接切割帶之前形成其他的保護層。
[0048]圖20至圖21示出了另一個實施例，其中使用阻擋層作為應力/翹曲管理層810。這些附圖示出了在制造過程中晶片710(例如中介層)的垂直橫截面。一個或多個通孔2010在基板2020(例如單晶硅或一些其他半導體、或絕緣體、或導體材料)中形成。如果需要的話(例如，如果基板不絕緣)，那么在晶片表面上形成絕緣層2030。在絕緣體2030上形成阻擋層810。在通孔2010中沉積導體2040(例如金屬)，可能用以填充通孔。可以使用導體2040來形成鑲嵌互連件，和/或背面觸點(當從底部對基板2020和絕緣體2030進行蝕刻時得到背面觸點)，和/或其他特征。適合用于該階段的工藝例如在2006年5月23日授予Savast1uk等人的美國專利N0.7，049，170;和Kosenko等人于2012年I月31日提交的美國專利申請N0.13/362，898的美國核準前公開N0.2013/0177281中有所描述，這兩個申請均以引用方式并入本文。
[0049]例如，在一些實施例中，導體2040是在晶種層(也可能是銅，未單獨示出)上電鍍的銅。電鍍工藝可以過量填充通孔2010，所以在電鍍之后，可以從晶片頂部上方去除銅。這可以例如通過化學機械拋光(CMP)來進行。銅(包括晶種層)保留在通孔2010的區域中。然而，不同于現有技術的工藝，CMP不會去除阻擋層810，該阻擋層810繼續覆蓋晶片。阻擋層可以例如是厚度為20nm至10nm(本發明不限于任何特定的厚度)的鉭。然后，將阻擋層圖案化(圖21)以減少晶片翹曲。晶片頂部上的阻擋層810的各部分可以不具有電功能以及除了減少翹曲之外的其他功能。
[0050]可在以后根據需要對晶片進行處理。例如，如果晶片為中介層，那么可以在晶片的頂部上形成重新分布層(互連層)以便連接到導體2040;如果需要，可以從底部減薄晶片以暴露導體2040，從而從導體2040形成背面觸點；等等。參見前述美國專利N0.7,049,170和美國核準前公開N0.2013/0177281。
[0051 ]本發明的一些實施例提供了一種制造方法，該制造方法包括:
[0052]獲得包括電路的第一結構(例如層720，可能具有1810和/或1820)，該第一結構包括第一表面(例如，圖7中的頂表面)和與第一表面相對的第二表面，所述第一表面和第二表面中的至少一個包括翹曲的第一區域；
[0053]在第一表面上形成第一層(例如810)以使第一區域的翹曲過平衡；以及
[0054]處理所述第一層以減少所述第一區域的翹曲。
[0055]—些實施例提供了一種制造方法，該制造方法包括:
[0056]獲得包括電路的第一結構(例如層720，可能具有1810和/或1820)，該第一結構包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，所述第一表面和第二表面中的至少一個包括翹曲的第一區域；
[0057]在第一表面上形成鉭鋁合金的第一層(例如810)，其中鋁含量為10重量％至60重量％，所述翹曲由于第一層的形成而減少。
[0058]在一些實施例中，通過物理氣相沉積形成第一層。
[0059]在一些實施例中，第一層具有2μπι或更小的厚度。
[0060]一些實施例提供了一種制成品，該制成品包括:
[0061]包括電路的第一部分(例如層720，可能具有1810和/或1820)，該第一部分包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，所述第一表面和第二表面中的至少一個包括第一區域；以及
[0062]在第一表面上的第一層(例如810)，所述第一層包括粘合劑，該粘合劑在除了一個或多個選定位置之外的整個第一區域上方將第一層接合到第一表面，其中粘合劑在所述一個或多個選定位置處從所述第一區域剝離。
[0063]—些實施例提供了一種制成品，該制成品包括:
[0064]第一部分(例如720，可能具有1810和/或1820)，該第一部分包括第一表面、與第一表面相對的第二表面、以及在第一表面和第二表面之間的電路，其中第一表面和第二表面中的一個包括第一區域；
[0065]在第一表面上的第一層(例如810)，該第一層滿足下列條件(A)和(B)中的一個或多個:
[0066](A)第一層沒有被均勻地接合到第一表面；
[0067](B)第一層包括一個或多個凹部；
[0068]其中如果不存在第一層，則第一區域將具有第一翹曲；
[0069]其中如果第一層不滿足條件(A)和(B)中的所述一個或多個，則第一區域將具有正負與第一翹曲相反的第二翹曲。
[0070]—些實施例提供了一種制成品，該制成品包括:
[0071]包括電路的第一部分(例如層720，可能具有1810和/或1820)，該第一部分包括第一表面和與第一表面相對的第二表面，所述第一表面和第二表面中的至少一個包括第一區域；以及
[0072]在第一表面上的第一層，該第一層是鉭鋁合金層，其中鋁含量為10重量％至60重M%。
[0073]除由所附權利要求所限定的之外，本發明不限于以上所述的特定材料、沉積技術、翹曲測量技術、或其他特征。其他實施例和變型均在由所附權利要求所限定的本發明的范圍之內。
【主權項】
1.一種制造方法，包括: 獲得包括電路的第一結構，所述第一結構包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面和第二表面中的至少一者包括翹曲的第一區域； 在所述第一表面上形成第一層以使所述第一區域的翹曲過平衡；以及 處理所述第一層以減少所述第一區域的翹曲。2.根據權利要求1所述的方法，其中: 將所述第一層粘接到所述第一表面上；以及 處理所述第一層包括在一個或多個選定位置處剝離所述第一層。3.根據權利要求2所述的方法，其中所述第一層包括第一子層以及將所述第一子層接合到所述第一表面的粘合劑，所述第一子層具有與所述粘合劑不同的組成。4.根據權利要求2所述的方法，其中所述剝離是使用光和/或熱進行的。5.根據權利要求1所述的方法，其中處理所述第一層包括加熱所述第一層的至少一部分以在所述第一層中引起相變。6.根據權利要求1所述的方法，其中處理所述第一層包括在一個或多個選定位置處去除所述第一層的一個或多個部分。7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一結構包括用于與所述電路連接的一個或多個觸點焊盤;以及 在處理所述第一層之后，所述方法包括將所述觸點焊盤中的一個或多個附接到一個或多個第二結構中的一條或多條導線。8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一區域是所述結構的在所述結構的第一側面上的整個區域。9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一結構包括一個或多個半導體集成電路，并且所述第一區域是晶片或管芯的包括或直接附接到所述半導體集成電路中的一個或多個的區域。10.—種制造方法，包括: 獲得包括電路的第一結構，所述第一結構包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個包括翹曲的第一區域； 在所述第一表面上形成鉭鋁合金的第一層，其中鋁含量為10重量％至60重量％，所述翹曲由于所述第一層的形成而減少。11.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一層是通過物理氣相沉積形成的。12.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一層具有2μπι或更小的厚度。13.—種制成品，包括: 包括電路的第一部分，所述第一部分包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個包括第一區域;以及 所述第一表面上的第一層，所述第一層包括粘合劑，所述粘合劑在除了 一個或多個選定位置之外的整個所述第一區域上方將所述第一層接合到所述第一表面，其中所述粘合劑在所述一個或多個選定位置處從所述第一區域剝離。14.根據權利要求13所述的制成品，其中每個所述位置由接合到所述第一區域的所述粘合劑包圍。15.根據權利要求13所述的制成品，其中所述第一層包括第一子層以及將所述第一子層接合到所述第一表面的粘合劑，所述第一子層具有與所述粘合劑不同的組成。16.根據權利要求13所述的制成品，其中在每個所述位置處，所剝離的粘合劑的區域的最大橫向尺寸為3μηι至5μηι。17.根據權利要求13所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個觸點焊盤，所述一個或多個觸點焊盤附接到一個或多個第二結構中的一條或多條導線。18.根據權利要求13所述的制成品，其中所述第一區域是所述結構的在所述第一部分的第一側面上的整個區域。19.根據權利要求13所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個半導體集成電路，并且所述第一區域是晶片或管芯的包括或直接附接到所述半導體集成電路中的一個或多個的區域。20.一種制成品，包括: 第一部分，所述第一部分包括第一表面、與所述第一表面相對的第二表面、以及在所述第一表面和所述第二表面之間的電路，其中所述第一表面和所述第二表面中的一個包括第一區域； 在所述第一表面上的第一層，所述第一層滿足下列條件(A)和(B)中的一個或多個: (A)所述第一層非均勻地接合到所述第一表面； (B)所述第一層包括一個或多個凹部； 其中如果不存在所述第一層，則所述第一區域將具有第一翹曲； 其中如果所述第一層不滿足所述條件(A)和(B)中的所述一個或多個，則所述第一區域將具有正負與所述第一翹曲相反的第二翹曲。21.根據權利要求20所述的制成品，其中所述條件(A)和(B)中的所述一個或多個包括所述條件(A)。22.根據權利要求20所述的制成品，其中所述條件(A)和(B)中的所述一個或多個包括所述條件(B)。23.根據權利要求20所述的制成品，其中所述條件(A)和(B)中的所述一個或多個包括所述條件(A)和(B)。24.根據權利要求20所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個觸點焊盤，所述一個或多個觸點焊盤附接到一個或多個第二結構中的一條或多條導線。25.根據權利要求20所述的制成品，其中所述第一區域是所述制成品的第一側面的全部。26.根據權利要求20所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個半導體集成電路，并且所述第一區域是晶片或管芯的包括或直接附接到所述半導體集成電路中的一個或多個的區域。27.一種制成品，包括: 包括電路的第一部分，所述第一部分包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的至少一個包括第一區域;以及 在所述第一表面上的第一層，所述第一層是鉭鋁合金層，其中鋁含量為10重量％至60重量％。28.根據權利要求27所述的制成品，其中所述第一層具有2μπι或更小的厚度。29.根據權利要求27所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個觸點焊盤，所述一個或多個觸點焊盤附接到一個或多個第二結構中的一條或多條導線。30.根據權利要求27所述的制成品，其中所述第一區域是所述結構的在所述第一部分的第一側面上的整個區域。31.根據權利要求27所述的制成品，其中所述第一部分包括一個或多個半導體集成電路，并且所述第一區域是晶片或管芯的包括或直接附接到所述半導體集成電路中的一個或多個的區域。
【文檔編號】H01L23/00GK105849891SQ201480067772
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2014年12月2日
【發明人】C·E·尤佐
【申請人】伊文薩思公司