靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的制作方法
【專利摘要】本發明提供的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其利用改進的密封件多層次的多個密封部的設置，使改進的密封件與靜電吸附承盤的側壁間具有多重密封點，并且完全填滿靜電吸附承盤的溝槽，使蝕刻制程長久作業之后，縱使該改進的密封件的其中一密封點被電漿氣體侵蝕而破損，仍能有夠效防止漏氣的發生，并且提供一緩沖時間，供產線人員實時更換改進的密封件，降低密封件因為突然的縱裂而導致漏氣的危險，使半導體蝕刻制程更加安全，產品合格率更加提升。
【專利說明】
靜電吸附承盤側壁的改進的密封件
技術領域
[0001]本發明為一種電漿蝕刻設備的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，尤指一種可填入靜電吸附承盤的溝槽中，并且能與溝槽間具有多個密封點的改進的密封件。
【背景技術】
[0002]現有技術的電漿蝕刻設備如圖9所示，其包括一靜電吸附承盤90，該靜電吸附承盤90包含有由陶瓷介電材料所構成的一上部元件91、一下部元件92、以及由軟質材料所構成的一連結層93，該連結層93連接上部元件91與下部元件92，另該靜電吸附承盤90的周緣進一步設有延伸承載晶圓的一延伸單元100，該靜電吸附承盤90與延伸單元100間存在有縫隙110與溝槽113，該縫隙110使得制程電漿氣體120由上往下進行蝕刻制程時，電漿氣體120會通過縫隙110進入靜電吸附承盤90與延伸單元100之間，并且進一步進入溝槽113內使連結層93受到電漿氣體120的侵蝕破壞而產生漏氣點，因此靜電吸附承盤90內部的工作流體會通過此漏氣點泄漏至靜電吸附承盤90的外部，造成環境的污染。
[0003]過去為解決此漏氣污染的問題，開發出將環氧樹脂130填入溝槽113中的技術，如圖10所示，通過環氧樹脂130的填入以密封該溝槽113，達到防止連結層93受到電漿氣體120蝕刻破壞的效果。然而，環氧樹脂130極容易被電漿氣體120蝕刻而損耗，因此長期使用之后同樣會產生漏氣點，導致環氧樹脂130失去密封與保護的功效。此外，環氧樹脂130的有效期間難以估計，所以工作人員無法定期在漏氣點產生前進行補強或更換，因此也會影響整體制程合格率。
[0004]另一現有技術為提供一種可更換式的O形環140取代傳統環氧樹脂130裝設于溝槽113中，如圖11所示，以密封該溝槽113，并且克服上述使用環氧樹脂130的缺點。然而，現有的O形環140的設計，其與溝槽113的相對關系僅包含一密封點150，但由于所述溝槽113實際上尺寸很小，故要將O形環140均勻地套設進入溝槽113中并不容易，若是安裝不確實導致O形環140內部張應力分散不均，將使O形環140被電漿氣體120侵蝕后，于張應力的區域發生縱裂或因變薄破損而產生漏氣，導致O形環140失效，此將使O形環140的有效使用期難以估計，以致工作人員無法及時在其破損前更換新的O形環140。故現有技術在電漿蝕刻的制程上仍存在有許多因為工作流體的泄漏及電漿氣體120對溝槽113的侵蝕所造成的設備損壞、環境污染以及產品合格率不一的問題。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是提供一種能夠不會因為O形環的局部破損即導致漏氣的情形發生，并且能提供緩沖時間，使O形環壽命能夠預期，讓工程人員在O形環破損、并且產生漏氣前及時更換新的O形環，有效防止流體泄漏，使蝕刻制程更加穩定、安全的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件。
[0006]為達到上述的發明目的，本發明所采用的技術手段為提供一種靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其中，該靜電吸附承盤包括有一上部元件、一連結層以及一下部元件，該連結層連接上部元件與下部元件，并且于連結層的側部外緣形成有一溝槽，所述溝槽形成于上部元件與下部元件之間，所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環，其包括:
[0007]—主密封部，該主密封部朝向溝槽的一側具有至少一邊角，所述邊角為倒角；以及
[0008]至少一副密封部，該副密封部由主密封部的周緣朝向遠離主密封部的方向凸出于該主密封部。
[0009]較佳的是，其中該O形環的截面為L型，且該O形環的主密封部朝向溝槽的一側具有一邊角，該邊角為一倒角；而該O形環具有一第一副密封部，該第一副密封部由主密封部的內緣朝向溝槽的方向凸出于該主密封部，并且該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，兩邊角為兩倒角。此技術手段是簡單利用一主密封部以及一第一副密封部組成截面為L型的O形環，以配合L型的溝槽使用，并且搭配每個邊角均為倒角的設置，使O形環更容易安裝于溝槽內，以密封該溝槽，并且不易因為凸出于溝槽而影響靜電吸附承盤的下放定位。
[0010]更佳的是，其中該O形環進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由主密封部的外緣朝向遠離溝槽的方向凸出于該主密封部，并且所述第二副密封部朝向遠離溝槽的一側具有倒角。此技術手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及所述第二副密封部組成的O形環，使該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件與溝槽間形成有三重密封點的保護，并且使第二副密封部封閉該靜電吸附承盤與延伸單元間的縫隙，更能夠有效避免電漿氣體通過縫隙進入溝槽中對連結層進行侵蝕。
[0011]較佳的是，其中該O形環的截面為T型，且該O形環的主密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，所述邊角為倒角；而該O形環具有一第一副密封部，該第一副密封部由主密封部的內緣朝向溝槽的方向凸出于該主密封部，并且該第一副密封部朝向溝槽的一側具有兩邊角，兩邊角為兩倒角。此技術手段是利用一主密封部以及一第一副密封部組成截面為T型的O形環，以配合T型的溝槽使用，并且搭配每個邊角均為倒角的設置，使O形環更容易安裝于溝槽內，以密封該溝槽，并且不易因為凸出于溝槽而影響靜電吸附承盤的下放定位。
[0012]更佳的是，其中該O形環進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由主密封部的外緣朝向遠離溝槽的方向凸出于該主密封部，并且所述第二副密封部朝向遠離溝槽的一側具有倒角。此技術手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及至少一第二副密封部組成的O形環，使該改進的密封件與溝槽間形成有三重密封點的保護，并且使所述第二副密封部封閉該靜電吸附承盤與延伸單元間的縫隙，更能夠有效避免電漿氣體通過縫隙進入溝槽中對連結層進行侵蝕。
[0013]更佳的是，其中該O形環進一步具有一第三副密封部以取代所述第二副密封部，該第三副密封部由主密封部的外緣朝向遠離溝槽的方向凸出于該主密封部，并且該第三副密封部的高度大于主密封部的高度，且該第三副密封部分別與上部元件以及下部元件的外緣相連接接觸。此技術手段是利用一主密封部、一第一副密封部以及一第三副密封部組成的O形環，使該第三副密封部取代所述第二副密封部，并且使該第三副密封部封閉且部分填滿該靜電吸附承盤與延伸單元間的縫隙，使本發明的靜電吸附承盤側壁改進的密封件更能夠承受電漿氣體的沖擊與侵蝕，更能有效避免電漿氣體通過縫隙進入溝槽中對連結層造成損害。
[0014]本發明的優點在于簡單利用主密封部與至少一副密封部的搭配設置，使該改進的密封件與溝槽間形成有多重密封點的保護，當單一密封點受到電漿氣體侵蝕而破損時，不會因此馬上漏氣，造成連結層被侵蝕損壞，并且提供一緩沖時間，讓工程人員在改進的密封件嚴重破損至漏氣前可以及時更換新的密封件，有效防止工作流體泄漏，使蝕刻制程更加安全、產品合格率更加穩定。
【附圖說明】
[0015]以下附圖僅旨在于對本發明做示意性說明和解釋，并不限定本發明的范圍。其中:
[0016]圖1是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第一實施例圖。
[0017]圖2是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第二實施例圖。
[0018]圖3是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第三實施例圖。
[0019]圖4是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第四實施例圖。
[0020]圖5是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第五實施例圖。
[0021]圖6是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第六實施例圖。
[0022]圖7是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第七實施例圖。
[0023]圖8是本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第八實施例圖。
[0024]圖9是現有技術的電漿蝕刻設備的靜電吸附承盤的示意圖。
[0025]圖10是現有技術的環氧樹脂填入溝槽中的示意圖。
[0026]圖11是現有技術的可更換式的O形環填入溝槽中的示意圖。
[0027]附圖標號說明:
[0028]10、10A、90靜電吸附承盤11、11A、91上部元件
[0029]111、IllA上部元件的底部112、112A上部元件的頂部
[0030]12、12A、93 連結層 13、13A、92 下部元件
[0031]13U131A下部元件的頂部132、132A下部元件的底部
[0032]14、14A、113 溝槽
[0033]20、20A、20B、20C、20C’、20D、20E、20E’、140 O 形環
[0034]21、21A、21B、21C、21C’、21D、21E、21E’ 主密封部
[0035]211、211A、211B、211C、211C’、211D、211E、211E’ 主密封部的邊角
[0036]22、22A、22B、22C、22C’、22D 第一副密封部
[0037]221、221A、221B、221C、221C’、221D 第一副密封部的邊角
[0038]23A、23C、23C’ 第二副密封部
[0039]231A、231C、231C’第二副密封部的倒角
[0040]24D、24E、24E’第三副密封部
[0041]30、30A、100 延伸單元 31、31A、110 縫隙
[0042]40、120電漿氣體
[0043]w、wl I上部元件的底部截面寬度
[0044]W、Wll上部元件的頂部截面寬度
[0045]W’、W”連結層的截面寬度
[0046]wl3下部元件的頂部截面寬度
[0047]W13下部元件的底部截面寬度
[0048]D 深度
[0049]H、H1、H2第三副密封部的高度
[0050]h、hl、h2主密封部的高度
[0051]130環氧樹脂150密封點
【具體實施方式】
[0052]以下請配合附圖及本發明的較佳實施例，進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段。
[0053]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件使用于靜電吸附承盤10的側壁，其中該靜電吸附承盤10包括有一上部元件11、一連結層12以及一下部元件13，該上部元件11的底部111截面寬度w小于頂部112的截面寬度W，而該連結層12連接上部元件11的底部111與下部元件13，并且于連結層12的側部外緣形成有一溝槽14，所述溝槽14形成于上部元件11與下部元件13之間。
[0054]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件使用前先將溝槽14內的軟質連結層12清除一深度D，使連結層12的截面寬度W’小于上部元件11的底部111的截面寬度W，借以使溝槽14的截面呈L型，如圖1及圖2所示。
[0055]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第一實施例如圖1所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20，該O形環20的截面為L型，即該O形環的軸向截面為對稱的L型，借此與L型的溝槽14相對應，該O形環20其包括:一主密封部21以及一第一副密封部22，該主密封部21朝向溝槽14的一側具有一邊角211，該邊角211為一倒角，并且該邊角211與上部元件11的底部111與頂部112間的轉折處相對應。該第一副密封部22由主密封部21的內緣朝向溝槽14的方向凸出于該主密封部21，該第一副密封部22朝向溝槽14的一側具有兩邊角221，兩邊角221均為倒角，并且兩邊角221分別與上部元件11的底部111與連結層12間的轉折處以及下部元件13與連結層12間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20更容易安裝于溝槽14內，以密封該溝槽14。
[0056]本發明所搭配使用的靜電吸附承盤10的側壁周緣進一步設有一延伸單元30，該延伸單元30與靜電吸附承盤10間存在有縫隙31，該縫隙31與溝槽14相連通，如圖2所示，并且蝕刻制程所使用的電漿氣體40會通過該縫隙31進入延伸單元30與靜電吸附承盤10之間，進而對溝槽14內的軟質連結層12進行侵蝕，產生漏氣現象。
[0057]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第二實施例如圖2所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20A，該O形環20A的截面大致為L型，借此與L型的溝槽14相對應，該O形環20A包括:一主密封部21A、一第一副密封部22A以及一第二副密封部23A，該主密封部21A朝向溝槽14的一側具有一邊角211A，該邊角21IA為一倒角，并且該邊角211A與上部元件11的底部111與頂部112間的轉折處相對應。該第一副密封部22A由主密封部21A的內緣朝向溝槽14的方向凸出于該主密封部21A，該第一副密封部22A朝向溝槽14的一側具有兩邊角221A，兩邊角221A均為倒角，并且兩邊角221A分別與上部元件11的底部111與連結層12間的轉折處以及下部元件13與連結層12間的轉折處相對應，所述倒角的設置使O形環20A更容易安裝于溝槽14內，以密封該溝槽14。而該第二副密封部23A由主密封部21A的外緣朝向遠離溝槽14的方向凸出于該主密封部21A，并且緊鄰于主密封部21A與上部元件11的頂部112的接觸處，該第二副密封部23A朝向遠離溝槽14的一側具有一倒角231A，并且所述第二副密封部23A可以將延伸單元30與靜電吸附承盤10間的縫隙31封閉，以阻止蝕刻制程所使用的電漿氣體40進入該縫隙31與溝槽14中。
[0058]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件使用于另一形態的靜電吸附承盤1A的側壁，其中該靜電吸附承盤1A包括有一上部元件11A、一連結層12A以及一下部元件13A，該上部元件IlA的底部11IA截面寬度wll小于頂部112A的截面寬度Wll，該下部元件13A的頂部131A截面寬度wl3小于底部132A的截面寬度W13，而該連結層12A連接上部元件IlA的底部IllA與下部元件13A的頂部131A，并且于連結層12A的側部外緣形成有一溝槽14A，所述溝槽14A形成于上部元件IlA與下部元件13A之間。
[0059]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件使用前先將溝槽14A內的軟質連結層12A同樣清除一深度D，使連結層12A的截面寬度W”小于上部元件IlA的底部IllA的截面寬度wll以及下部元件13A的頂部131A的截面寬度wl3，借以使溝槽14A的截面呈T型，如圖3至5所示。
[0060]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第三實施例如圖3所示，該改進的密封件形成為一 O形環20B，該O形環20B的截面為T型，即該O形環20B的軸向截面呈對稱的T型，借此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20B其包括:一主密封部21B以及一第一副密封部22B，該主密封部21B朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211B，兩邊角21IB均為倒角，并且兩邊角211B分別與上部元件IlA的底部IllA與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22B由主密封部21B的內緣朝向溝槽14A的方向凸出于該主密封部21B，該第一副密封部22B朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221B，兩邊角221B均為倒角，并且兩邊角221B分別與上部元件IlA的底部IllA與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20B更容易安裝于溝槽14A內，以密封該溝槽14A。
[0061]本發明所搭配使用的另一形態的靜電吸附承盤1A的側壁周緣進一步設有一延伸單元30A，該延伸單元30A與靜電吸附承盤1A間存在有縫隙31A，該縫隙31A與溝槽14A相連通，如圖4所示，并且蝕刻制程所使用的電漿氣體40會通過該縫隙31A進入延伸單元30A與靜電吸附承盤1A之間，進而對溝槽14A內的軟質連結層12A進行侵蝕，使連結層12A產生破損、漏氣現象。
[0062]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第四實施例如圖4所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20C，該O形環20C的截面大致為T型，借此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20C包括:一主密封部21C、一第一副密封部22C以及一第二副密封部23C，該主密封部21C朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211C，兩邊角21IC均為倒角，并且兩邊角211C分別與上部元件IlA的底部IllA與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22C由主密封部21C的內緣朝向溝槽14A的方向凸出于該主密封部21C，該第一副密封部22C朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221C，兩邊角221C均為倒角，并且兩邊角221C分別與上部元件IlA的底部IllA與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20C更容易安裝于溝槽14A內，以密封該溝槽14A。而該第二副密封部23C由主密封部21C的外緣朝向遠離溝槽14A的方向凸出于該主密封部21C，并且緊鄰于主密封部21C與上部元件IlA的頂部112A的接觸處，該第二副密封部23C朝向遠離溝槽14A的一側具有一倒角231C，并且所述第二副密封部23C可以將延伸單元30A與靜電吸附承盤1A間的縫隙31A封閉，以阻止蝕刻制程所使用的電漿氣體40進入該縫隙3IA與溝槽14A中。
[0063]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第五實施例如圖5所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20C’，該O形環20C’的截面大致也為T型，借此與T型的溝槽14A相對應，該O形環20C’包括:一主密封部21C’、一第一副密封部22C’以及三個第二副密封部23C’，該主密封部21C’朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211C’，兩邊角211C’均為倒角，并且兩邊角211C’分別與上部元件IlA的底部IllA與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22C’由主密封部21C’的內緣朝向溝槽14A的方向凸出于該主密封部21C’，該第一副密封部22C’朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221C’，兩邊角221C’均為倒角，并且兩邊角221C’分別與上部元件IlA的底部IllA與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20C’更容易安裝于溝槽14A內，以密封該溝槽14A。所述第二副密封部23C’分別由主密封部21C’的上、中、下部外緣朝向遠離溝槽14A的方向凸出于該主密封部21C’，并且所述第二副密封部23C’朝向遠離溝槽14A的一側分別具有倒角231C’，使所述第二副密封部23C’可以將延伸單元30A與靜電吸附承盤1A間的縫隙31A多段封閉，以阻止蝕刻制程所使用的電漿氣體40進入該縫隙31A與溝槽14A中。所述第二副密封部23C’不限于分別自主密封部21C’的上、中、下部向外凸出，本實施例僅以此作為示例，于此不再贅述。
[0064]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第六實施例如圖6所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20D，該O形環20D的截面大致為T型，該O形環20D包括:一主密封部21D、一第一副密封部22D以及一第三副密封部24D，該主密封部21D朝向溝槽14A的一側具有兩邊角211D，兩邊角211D均為倒角，并且兩邊角211D分別與上部元件IlA的底部IllA與頂部112A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與底部132A間的轉折處相對應。該第一副密封部22D由主密封部21D的內緣朝向溝槽14A的方向凸出于該主密封部21D，該第一副密封部22D朝向溝槽14A的一側具有兩邊角221D，兩邊角221D均為倒角，并且兩邊角221D分別與上部元件IlA的底部IllA與連結層12A間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與連結層12A間的轉折處相對應，而所述倒角的設置使O形環20D更容易安裝于溝槽14A內，以密封該溝槽14A。而該第三副密封部24D由主密封部21D的外緣朝向遠離溝槽14A的方向凸出于該主密封部21D，并且該第三副密封部24D的高度H大于主密封部21D的高度h，且該第三副密封部24D分別與上部元件IlA的頂部112A的外緣以及下部元件13A的底部132A的外緣相連接接觸，使所述縫隙31A部分被第三副密封部24D填入并且封閉，以阻止電漿氣體40進入縫隙31A與溝槽14A中對軟質連結層12A產生侵蝕以致漏氣。
[0065]本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第七實施例及第八實施例如圖7、圖8所示，該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環20E、O形環20E’，該O形環20E、O形環20E’的截面大致為帽狀，該O形環20E、O形環20E’分別包括:一主密封部2IE、主密封部21E’以及一第三副密封部24E、第三副密封部24E’，該主密封部2IE、主密封部21E’朝向溝槽14A、溝槽14的一側具有邊角211E、邊角211E’，邊角211E、邊角211E’均為倒角，并且邊角211E、邊角211E’分別與上部元件11A、上部元件11的底部111A、底部111與頂部112A、頂部112間的轉折處以及下部元件13A的頂部131A與底部132A或是下部元件13與連結層12間的轉折處相對應。而該第三副密封部24E、第三副密封部24E’由主密封部21E、主密封部21E’的外緣朝向遠離溝槽14A、溝槽14方向凸出于該主密封部21E、主密封部21E’，并且該第三副密封部24E、該第三副密封部24E’的高度H1、高度H2大于主密封部2IE、主密封部2IE’的高度h1、高度h2，且該第三副密封部24E、第三副密封部24E’分別與上部元件IlA的頂部112A的外緣、上部元件11的頂部112的外緣以及下部元件13A的外緣、下部元件13的外緣相連接接觸，使所述縫隙31A、縫隙31部分被第三副密封部24E、第三副密封部24E’填入并且封閉，以阻止電漿氣體40進入縫隙31A、縫隙31與溝槽14A、溝槽14中對軟質連結層12A、連結層12產生侵蝕以致漏氣。
[0066]上述O形環20E、O形環20E’的差異僅在于主密封部21E、主密封部21E’的高度hl、高度h2以及第三副密封部24E、第三副密封部24E’的高度H1、高度H2，此設置差異主要用于適應不同的下部元件13A、下部元件13設計，如圖7、圖8所示，使溝槽14A、溝槽14可以完全被密封，以達到保護軟質連結層12A、連結層12免于被侵蝕以致漏氣的目的。
[0067]前述各種O形環20、O形環20A、O形環20B、O形環20C、O形環20C’、O形環20D、O形環20E、O形環20E’均由具有彈性的橡膠所制成，其具有彈性的特性使得O形環20、O形環20A、O形環20B、O形環20C、O形環20C’、O形環20D、O形環20E、O形環20E’裝設進入溝槽14、溝槽14A后可以完全密封所述溝槽14、溝槽14A，以達到保護軟質連結層12、連結層12A免于被侵蝕以致漏氣的目的。
[0068]綜上所述，本案所提供的裝設于靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其利用多層次的多個密封部的設置，使本發明的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件與靜電吸附承盤10的側壁間具有雙重、甚至三重密封點，并且完全填滿所述溝槽14、溝槽14A，縱使該靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的第一密封點被電漿氣體40長久侵蝕而破損，仍能有效防止漏氣的情形發生，并且能實時更換改進的密封件，降低密封件未如預期地突然縱裂或變薄破損而導致漏氣所造成的產能損失，使半導體制程有更進一步的發展。
[0069]以上所述僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明，任何所屬技術領域中的普通技術人員，在不脫離本發明技術方案的范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發明技術方案的范圍內。
【主權項】
1.一種靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，所述靜電吸附承盤包括有一上部元件、一連結層以及一下部元件，所述連結層連接所述上部元件與所述下部元件，并且于所述連結層的側部外緣形成有一溝槽，所述溝槽形成于所述上部元件與所述下部元件之間，所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件形成為一 O形環，其包括: 一主密封部，所述主密封部朝向所述溝槽的一側具有至少一邊角，所述邊角為倒角；以及 至少一副密封部，所述副密封部由所述主密封部的周緣朝向遠離所述主密封部的方向凸出于所述主密封部。2.根據權利要求1所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的所述主密封部朝向所述溝槽的一側具有一個所述邊角；形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件具有一第一副密封部，所述第一副密封部由所述主密封部的內緣朝向所述溝槽的方向凸出于所述主密封部。3.根據權利要求2所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，所述第一副密封部朝向所述溝槽的一側具有兩邊角，兩所述邊角為兩倒角。4.根據權利要求2或3所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由所述主密封部的外緣朝向遠離所述溝槽的方向凸出于所述主密封部。5.根據權利要求4所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，所述第二副密封部朝向遠離所述溝槽的一側具有倒角。6.根據權利要求2或3所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為L型。7.根據權利要求4所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為L型。8.根據權利要求5所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為L型。9.根據權利要求1所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的所述主密封部朝向所述溝槽的一側具有兩所述邊角；形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件具有一第一副密封部，所述第一副密封部由所述主密封部的內緣朝向所述溝槽的方向凸出于所述主密封部。10.根據權利要求9所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，所述第一副密封部朝向所述溝槽的一側具有兩邊角，兩所述邊角為兩倒角。11.根據權利要求9或10所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件進一步具有至少一第二副密封部，所述第二副密封部由所述主密封部的外緣朝向遠離所述溝槽的方向凸出于所述主密封部。12.根據權利要求11所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，所述第二副密封部朝向遠離所述溝槽的一側具有倒角。13.根據權利要求9或10所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為T型。14.根據權利要求11所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為T型。15.根據權利要求12所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的截面為T型。16.根據權利要求9或10所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件進一步具有一第三副密封部，所述第三副密封部由所述主密封部的外緣朝向遠離所述溝槽的方向凸出于所述主密封部，并且所述第三副密封部的高度大于所述主密封部的高度，且所述第三副密封部分別與所述上部元件的外緣以及所述下部元件的外緣相連接接觸。17.根據權利要求1所述的靜電吸附承盤側壁的改進的密封件，其特征在于，形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件的所述主密封部朝向所述溝槽的一側具有兩所述邊角；形成為所述O形環的所述靜電吸附承盤側壁的改進的密封件進一步具有一第三副密封部，所述第三副密封部由所述主密封部的外緣朝向遠離所述溝槽的方向凸出于所述主密封部，并且所述第三副密封部的高度大于所述主密封部的高度，且所述第三副密封部分別與所述上部元件的外緣以及所述下部元件的外緣相連接接觸。
【文檔編號】H01J37/20GK105895570SQ201510724773
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2015年10月30日
【發明人】張佑語, 黃俊堯
【申請人】麥豐密封科技股份有限公司