應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型是提供一種應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，尤指一種將可防止晶片于運作時產生高壓電流串出情形的應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構。
【背景技術】
[0002]現今科技一日千里，電子產品逐漸形成人們日常生活中，不可獲缺的必備產品，例如:平板電腦、智能生活裝置、智能手機、筆記型電腦及各式電子裝置…等，以提供使用者可借助電子產品，能即時與親友、客戶之間傳遞重要訊息，或者是借助電子產品的連線至互聯網，以開啟全世界知識大門。
[0003]而晶片(又稱微控制器)乃為電子裝置內部的主要零件，也由于晶片的發展日新月異且迅速，所以現今的晶片主要可將中央處理器、記憶體、計數器等各式輸入/輸出介面，都能整合在一塊集成電路，因此使得晶片被應用的范圍更為廣泛與普遍。
[0004]然而，隨著晶片的運算、處理資料速度不斷提升，必然使得晶片使用時，容易因過熱而影響其效能；因此，為了改善晶片過熱情況，乃于晶片外部增設有散熱器(如:散熱片或復式散熱鰭片)，利用散熱器借以有效降低晶片的溫度；但是，于晶片外部增設有散熱器，遂然導致晶片及散熱器的整體體積龐大，無法運用在以輕薄為訴求的電子裝置(如:智能手機、平板電腦…等)。
[0005]此外，現今晶片外部僅以樹脂材料或塑料作為本體封裝，遂而導致晶片在使用時，晶片內部的高壓電流容易穿透樹脂材料或塑料的本體，造成晶片內部高壓電流串出情況，致而嚴重地影響晶片周圍其它無源電子元件的運作。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型主要目的是公開了一種應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，尤指應用于一塑封型的晶片，該晶片于其本體一表面凹設有凹部。所述的散熱結構包括有:一散熱層及一絕緣層；該絕緣層可以是粘膠樹指，涂布設于晶片的凹部，用以鏈結晶片與散熱層，使散熱層結合并位于晶片的表面；散熱層包括有:一銅箔的底層及一鍍鎳層，鍍鎳層可以采濺鍍方式成形于底層的表面。
[0007]為實現上述目的，本實用新型提供了一種應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，應用于晶片，其中，該晶片具有一本體，并于該本體其一表面凹設有至少一凹部，該散熱結構成形設置于該晶片的凹部，該散熱結構包括有:一散熱層，該散熱層包括:一底層，其一表面設有第一表面及其另一表面設有第二表面，該底層可以是銅箔；一鍍鎳層，成形設于該底層的第二表面；一第一防銹層，設于該鍍鎳層的外表面；一化成處理層，設于該第一防銹層的外表面，該化成處理層是界面活性劑；一絕緣層，成形設于該散熱層的該化成處理層與該晶片的凹部之間以鏈結該散熱層與該晶片，使該散熱層結合并位于該晶片的表面。
[0008]其中:
[0009]該散熱層另包含有:一第二防銹層，該第二防銹層設于該底層的第一表面。
[0010]該第二防銹層的材質是鋅或鉻。
[0011]該第二防銹層是有機防銹劑。
[0012]該底層的第二表面形成有粗化粒子，且該底層的厚度界于100 μ m至110 μπι之間。
[0013]該鍍鎳層的厚度界于0.8 μπι至2.5 μπι之間。
[0014]該第一防銹層的材質是鋅或鉻。
[0015]該化成處理層是硅烷偶聯劑。借此，晶片的熱能可經由散熱層傳導，而能有效向外部散熱，使得晶片通過其表面的散熱層達到高效散熱目的；同時，再通過散熱層的隔絕，進一步可防止晶片在運作時產生高壓電流串出的情形。
【附圖說明】
[0016]圖1:是本實用新型超薄型的散熱結構一應用實施例示意圖。
[0017]圖2:是本實用新型圖1示的A圈示處放大圖。
[0018]圖3:是本實用新型超薄型的散熱結構的散熱層一實施例示意圖。
[0019]1、散熱層
[0020]11、底層
[0021]111、第一表面
[0022]112、第二表面
[0023]113、粗化粒子
[0024]12、鍍鎳層
[0025]13、第一防銹層
[0026]14、化成處理層
[0027]15、第二防銹層
[0028]2、絕緣層
[0029]3、晶片
[0030]31、本體
[0031]311、凹部
[0032]32、集成電路芯片
[0033]33、導線
[0034]34、端子腳。
【具體實施方式】
[0035]為能進一步了解本實用新型的其他特征內容與優點以及所達成的功效，茲將配合附圖詳細敘述本實用新型的特征與優點，以下的實施例，是為詳細說明本新型的觀點，但非以任何觀點限制本新型的范疇。
[0036]請先參閱第圖1-3所示，本實用新型是公開了一種應用于塑封型晶片的超薄型的散熱結構，尤指應用于一晶片3，該晶片3具有一本體31，并于本體31其一表面凹設有至少一凹部311，本實用新型的散熱結構成形設置于晶片3的凹部311，所述的散熱結構包括有:一散熱層I及一絕緣層2。
[0037]散熱層I包括有:一底層11、一鍍鎳層12、一第一防銹層13、一化成處理層14及一第二防銹層15。該所述的底層11可以是銅箔，其一表面設有第一表面111及其另一表面設有第二表面112，且底層11于其第二表面112可進行一粗化程序，使得底層11的第二表面112可形成有粗化粒子113 ;又，底層11的厚度可界于100 μπι至110 μπι之間。所述的鍍鎳層12可利用濺鍍方式，成形于底層11的第二表面112，使得鍍鎳層12成形設于底層11的第二表面112 ;而鍍鎳層12的厚度可界于0.8 μπι至2.5 μπι之間。
[0038]所述的第一防銹層13設于鍍鎳層12的外表面，而第一防銹層13的材質可以是鋅(Zn)或鉻(Cr)。所述的化成處理層14設于第一防銹層13的外表面，而化成處理層14可以是一界面活性劑(如:硅烷偶聯劑(SilaneCoupling))。所述的第二防銹層15設于底層11的第一表面111，而第二防銹層15的材質可以是鋅(Zn)、鉻(Cr)或有機防銹劑。
[0039]絕緣層2可以是一粘膠絕緣樹指。
[0040]本實用新型試舉一實施例，絕緣層2可利用涂布方式涂布于晶片3的凹部311，再將散熱層I的化成處理層14貼附絕緣層2，待絕緣層2固化后，則成形設于散熱層I的化成處理層14與晶片3的凹部311之間。由絕緣層2用以鏈結散熱層I與晶片3，令散熱層I結合并位于晶片3的表面。
[0041]所述晶片3的本體31可以是絕緣樹指材質，于本體31內部設有數個集成電路芯片32，每一集成電路芯片32之間設有導線33相互電性連接，并由導線33再與預設的端子腳34電性連接；但是，晶片3內部架構，并非本實用新型的技術特征所在，于此便不再贅述。
[0042]所述散熱層I利用絕緣層2結合并位于晶片3的表面，以令晶片3的熱能，可經由散熱層I傳導而有效向外部散熱，使得晶片3通過其表面的散熱層I達到散熱的目的；同時，再通過散熱層I的隔絕，可防止晶片3內部的高壓電流容易穿透本體31，進一步達到避免晶片3在運作時，產生高壓電流串出的情形。
[0043]因此，本實用新型在突破先前的技術結構下，確實已達到所欲增進的功效，且也非為其所屬技術領域中具有通常知識者依申請前的先前技術所能輕易完成。
【主權項】
1.一種應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，應用于晶片，其特征在于，該晶片具有一本體，并于該本體其一表面凹設有至少一凹部，該散熱結構成形設置于該晶片的凹部，該散熱結構包括有: 一散熱層，該散熱層包括:一底層，其一表面設有第一表面及其另一表面設有第二表面，該底層可以是銅箔；一鍍鎳層，成形設于該底層的第二表面；一第一防銹層，設于該鍍鎳層的外表面；一化成處理層，設于該第一防銹層的外表面，該化成處理層是界面活性劑； 一絕緣層，成形設于該散熱層的該化成處理層與該晶片的凹部之間以鏈結該散熱層與該晶片，使該散熱層結合并位于該晶片的表面。2.根據權利要求1所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該散熱層另包含有:一第二防銹層，該第二防銹層設于該底層的第一表面。3.根據權利要求2所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該第二防銹層的材質是鋅或鉻。4.根據權利要求2所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該第二防銹層是有機防銹劑。5.根據權利要求1所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該底層的第二表面形成有粗化粒子，且該底層的厚度界于ΙΟΟμπι至ΙΙΟμπι之間。6.根據權利要求1所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該鍍鎳層的厚度界于0.8μηι至2.5μηι之間。7.根據權利要求1所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該第一防銹層的材質是鋅或鉻。8.根據權利要求1所述應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，其特征在于，該化成處理層是硅烷偶聯劑。
【專利摘要】本實用新型有關一種應用于塑封型晶片的超薄型散熱結構，尤指應用于一塑封型的晶片，該晶片于其本體一表面凹設有凹部，而散熱結構包括有：一散熱層及一絕緣層，該絕緣層可以是粘膠樹指，設于晶片的凹部，用以鏈結晶片與散熱層，俾使散熱層結合并位于晶片的表面，且散熱層包括有：一銅箔的底層及一鍍鎳層，該鍍鎳層可以采濺鍍方式，成形于底層的表面。借此，晶片可借助散熱層達到散熱的目的，同時再通過散熱層的隔絕，進一步防止晶片于運作時產生高壓電流串出情形。
【IPC分類】H01L23/373
【公開號】CN205177813
【申請號】CN201520794318
【發明人】蔡輝正, 蘇文君
【申請人】成麗國際有限公司, 中航國際科技園(湖州)有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年10月14日