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光電轉換元件的檢查裝置、光電轉換元件的制造裝置、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件與流程

文檔序號:41262711發布日期:2025-03-14 12:35閱讀:10來源:國知局
光電轉換元件的檢查裝置、光電轉換元件的制造裝置、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件與流程

本發明的實施方式涉及光電轉換元件的檢查裝置、光電轉換元件的制造裝置、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件。本申請基于2022年7月28日在日本申請的日本特愿2022-120680號主張優先權,在此引用其內容。


背景技術:

1、作為多層結型的光電轉換元件,已知有串聯型太陽能電池。串聯型太陽能電池如以下那樣構成。即,串聯型太陽能電池在半導體基板的受光面側具備包含第二光活性層的第二光電轉換元件,并且在半導體基板的受光面側的相反側具備使該半導體基板作為第一光活性層發揮功能的第一光電轉換元件。作為第二光活性層,已知具有由鈣鈦礦型晶體結構的材料構成的光活性層(以下,稱為鈣鈦礦層)的光活性層。使用鈣鈦礦型材料的光電轉換元件具有形成層時能夠應用廉價的涂布法的優點。

2、在制造串聯型太陽能電池的情況下,例如在半導體基板的受光面側的相反側形成使該半導體基板作為第一光活性層發揮功能的第一光電轉換元件而作為中間體。接著,在中間體的受光面側形成包含第二光活性層的第二光電轉換元件而完成。

3、作為第一光活性層而列舉的晶體硅是從硅晶片切出等而形成的。由于在硅晶片的表面存在切削痕,因此希望鈣鈦礦層厚膜化。

4、但是,鈣鈦礦層若厚膜化,則容易產生針孔。伴隨鈣鈦礦層的厚膜化的針孔除了起因于異物的針孔以外,還有在鈣鈦礦的晶體過程中生成的針孔。在通過兩步涂布法(在基板上涂布pbi2之后進行mai的涂布的涂布法)進行鈣鈦礦層的形成的情況下,有由第二液形成的針孔。伴隨鈣鈦礦層的厚膜化的針孔容易成為相對于鈣鈦礦層的法線方向傾斜的斜針孔。該斜針孔在從一定位置的檢測中難以發現,有可能失去修補的機會。

5、現有技術文獻

6、專利文獻

7、專利文獻1:日本專利第3935781號公報


技術實現思路

1、發明所要解決的技術問題

2、本發明要解決的技術問題在于,提供能夠容易檢測鈣鈦礦層中產生的針孔的光電轉換元件的檢查裝置、光電轉換元件的制造裝置、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件。

3、用于解決技術問題的手段

4、實施方式的光電轉換元件的檢查裝置、光電轉換元件的制造裝置、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件具有一個或多個光源、驅動裝置、相機以及計算機。光源向鈣鈦礦層照射能夠進行透射鈣鈦礦層或在鈣鈦礦層反射中的至少一方的檢查光。驅動裝置使具有鈣鈦礦層的基板與光源之間的距離或角度中的至少一方變化。相機檢測透射鈣鈦礦層或者在鈣鈦礦層反射的檢查光中的至少一方的色相。計算機計算相機檢測到的鈣鈦礦層上的色相不同的點的位置。



技術特征:

1.一種光電轉換元件的檢查裝置,具備:

2.一種光電轉換元件的制造裝置,具備:

3.根據權利要求2所述的光電轉換元件的制造裝置,

4.根據權利要求3所述的光電轉換元件的制造裝置,

5.根據權利要求3所述的光電轉換元件的制造裝置,

6.根據權利要求2所述的光電轉換元件的制造裝置,

7.一種光電轉換元件的制造裝置,具備:

8.一種光電轉換元件的制造方法,

9.一種光電轉換元件,通過權利要求8所述的制造方法制造,具備:


技術總結
該光電轉換元件的檢查裝置(20)、光電轉換元件的制造裝置(30)、光電轉換元件的制造方法、光電轉換元件具有一個或多個光源(21、24)、驅動裝置(27)、相機(22、25)和計算機(28)。光源(21、24)向鈣鈦礦層照射能夠進行透射鈣鈦礦層或在鈣鈦礦層中反射的至少一方的檢查光(L1、L2)。驅動裝置(27)使具有鈣鈦礦層的基板與光源(21、24)之間的距離或角度中的至少一方變化。相機(22、25)檢測透射鈣鈦礦層或由鈣鈦礦層反射的檢查光(L1’、L2’)中的至少一方的色相。計算機(28)計算相機(22、25)檢測出的鈣鈦礦層上的色相不同的點的位置。

技術研發人員:五反田武志,大西春樹,山下勝也,齊田穣,戶張智博
受保護的技術使用者:株式會社東芝
技術研發日:
技術公布日:2025/3/13
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