專利名稱：微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種用于雷達、通信、制導的電子部件，特別是一種微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器。
背景技術：
微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器是一種主要用于數字微波通信、移動通信、雷達、電子對抗、制導和儀器等電子系統設備中的電子部件。在超寬帶微波毫米波頻段的控制電路中，微波毫米波數字衰減器是主要控制電路之一，描述這種產品性能的主要技術指標有1)工作頻率帶寬；2)衰減位數；3)總衰減量；4)衰減步進；5)衰減精度；6)各衰減態插入損耗；7)各衰減態相移；8)各衰減態輸入和輸出端電壓駐波比；9)電路尺寸等。 微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的同類產品，由于設計采用的電路拓撲和工藝實現途徑的缺陷，通常電性能指標難以滿足要求。主要缺點有1)電路拓撲結構復雜；2)設計難度大；3)工藝難度大；4)各衰減態插入損耗大；5)各衰減態相移大；6)衰減精度低；7) 各衰減態輸入和輸出端電壓駐波比大；8)工作頻帶窄；9)電路尺寸較大；10)控制復雜，使用不方便。尤其各衰減態相移較大是諸多同類產品中的共同缺點，這限制了該類產品在相控陣雷達系統和許多先進的通信系統及武器系統中的廣泛應用。
發明內容
本發明的目的在于提供一種本電路拓撲結構簡單，設計簡便，工藝難度小，各衰減態插入損耗小，相移小，衰減精度高，輸入和輸出端電壓駐波比小，工作頻帶寬，電路尺寸小，控制簡單，使用方便，便于采用微波單片集成電路工藝技術大批量生產的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器。實現本發明目的的技術解決方案是一種微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，它由0. 5dB、ldB、2dB、4dB、8dB、16dB衰減單元級聯組成，0. 5dB/ldB/2dB衰減單元采用 T型拓撲結構，4dB/8dB/16dB衰減單元采用Π型拓撲結構，衰減單元級聯順序依次為2dB、 0. 5dB、16dB、ldB、8dB、4dB，該衰減器的工作頻率范圍為32_38GHz，以0. 5dB為步進值在 0. 5-31. 5dB的衰減范圍內可以實現64種衰減狀態。本電路拓撲結構簡單，設計簡便，工藝難度小，各衰減態插入損耗小，相移小，衰減精度高，輸入和輸出端電壓駐波比小，工作頻帶寬，電路尺寸小，控制簡單，使用方便，便于采用微波單片集成電路工藝技術大批量生產。本發明與現有技術相比，其顯著優點是1、電路拓撲簡單，不同衰減值的多位衰減單元級聯便構成電控微波毫米波多位步進式數字衰減器；2、設計簡單，由于電路拓撲簡單， 因而不僅設計比同類產品簡單的多，而且產品的綜合電性能指標比同類產品更優；3、由于電路拓撲簡單使得電路結構簡單、緊湊，制造中工藝難度遠比同類產品要求低；4、電性能改善大，該衰減器各衰減態插入損耗小，相移小，衰減精度高，輸入和輸出端電壓駐波比小，工作頻帶寬；5、電路尺寸小，芯片尺寸僅為2. 89mmX 1. 22mmX0. Imm ；6、控制簡單，使用方便； 7、可采用集成電路工藝大批量生產。
圖1是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的結構框圖。圖2是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的0. 5dB衰減單元的電路拓撲結構圖。圖3是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的IdB衰減單元的電路拓撲結構圖。圖4是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的2dB衰減單元的電路拓撲結構圖。圖5是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的4dB衰減單元的電路拓撲結構圖。圖6是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的SdB衰減單元的電路拓撲結構圖。圖7是本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器的16dB衰減單元的電路拓撲結構圖。
具體實施例方式本發明一種微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，它由0. 5dB、ldB、2dB、4dB、 8dB、16dB衰減單元級聯組成，0. 5dB/ldB/2dB衰減單元采用T型拓撲結構，4dB/8dB/16dB衰減單元采用Π型拓撲結構，衰減單元級聯順序依次為2dB、0. 5dB、16dB、ldB、8dB、4dB，該衰減器的工作頻率范圍為32-38GHZ，以0. 5dB為步進值在0. 5-31. 5dB的衰減范圍內可以實現 64種衰減狀態。本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，0. 5dB衰減單元由第一微波毫米波輸入端口 I^al，第一微波毫米波輸出端口 1^2，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管!^1，第一微帶線Mal，第二微帶線Ma2第三微帶線Ma3和兩只第一電阻Ral、第二電阻Ra2構成，微波毫米波輸入端口 Pal連接第一微帶線Mal的一端，第一微帶線Mal的另一端接第二微帶線Ma2的一端，第二微帶線Ma2的另一端接第一微波毫米波輸出端口 1^2，第一微帶線Mal 接第二微帶線Ma2的一端再連接第三微帶線Ma3的一端，第三微帶線Ma3的另一端接第一氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的源極，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管Fal的柵極接第一電阻Ral的一端，第一電阻Ral的另一端接地，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管Fal的漏極接第二電阻Ra2的一端，第二電阻Ra2的另一端接地。本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，IdB衰減單元由第二微波毫米波輸入端口 i^bi，第二微波毫米波輸出端口 1^2，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管冊1，第四微帶線Mbl，第五微帶線Mb2，第六微帶線Mb3和第三電阻Rbl、第四電阻此2構成，第二微波毫米波輸入端口 Pbl連接第三微帶線Mbl的一端，第三微帶線Mbl的另一端接第五微帶線 Mb2的一端，第五微帶線Mb2的另一端接第二微波毫米波輸出端口此2，第四微帶線Mbl接第五微帶線Mb2的一端再連接第六微帶線Mb3的一端，第六微帶線Mb3的另一端接第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極接第三電阻Rbl的一端，第三電阻Rbl的另一端接地，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的漏極接第四電阻Rb2的一端，第四電阻Rb2的另一端接地。
本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，2dB衰減單元由第三微波毫米波輸入端口 Pel，第三微波毫米波輸出端口 Pc2，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl，第七微帶線Mcl第八微帶線Mc2、第九微帶線Mc3和第五電阻Rcl、第六電阻Rc2構成，第三微波毫米波輸入端口 Pcl連接第七微帶線Mcl的一端，第七微帶線Mcl的另一端接第八微帶線Mc2的一端，第八微帶線(Mc2)的另一端接第三微波毫米波輸出端口(Pc2)，第七微帶線 (Mcl)接第八微帶線(Mc2)的一端再連接第九微帶線(Mc3)的一端，第九微帶線(Mc3)的另一端第三接氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fcl)的源極，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管 Fcl的柵極接電阻Rcl的一端，第五電阻(Rcl)的另一端接地，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl的漏極接第六電阻Rc2的一端，第六電阻Rc2的另一端接地。本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，4dB衰減單元由第四微波毫米波輸入端口 Pdl，第四微波毫米波輸出端口 Pd2，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl、第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2、第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3，第十微帶線Mdl、 第i^一微帶線Md2、第十二微帶線Md3、第十三微帶線Md4、第十四微帶線Md5、第十五微帶線Md6、第十六微帶線Md7、第十七微帶線Md8、第十八微帶線Md9和第七電阻Rdl、第八電阻Rd2、第九電阻Rd3、第十電阻Rd4、第i^一電阻Rd5、第十二電阻Rd6構成，第四微波毫米波輸入端口 Pdl連接第十微帶線Mdl的一端，第十微帶線Mdl的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl的源極，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl的漏極接第十一微帶線 Md2的一端，第十一微帶線Md2的另一端接第十二微帶線Md3的一段，第十二微帶線Md3的另一端接第十三微帶線Md4 —端，第十三微帶線Md4的另一端接第十六微帶線Md7的一端， 第十八微帶線Md9的一端接第八電阻Rd2的一端，第八電阻Rd2的另一端接第十七微帶線 MdS的一端，第十七微帶線MdS的另一端接第十四微帶線Md5，第十四微帶線Md5的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl的源極，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的漏極接第十四微帶線Md5和第十七微帶線MdS之間，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的柵極接第九電阻Rd3的一端，第九電阻Rd3的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管 Fd2的源極接、第十一電阻Rd5的一段，、第十一電阻Rd5的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的柵極接第九電阻Rd3，第九電阻Rd3的另一端接地，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3的漏極接第十六微帶線Md7和第十八微帶線Md9之間，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3的柵極接第十電阻Rd4的一端，第十電阻Rd4的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的源極接第十二電阻Rd6的一段，第十二電阻Rd6的另一端接地，第四微波毫米波輸出端口 Pd2的一端接第十五微帶線Md6，第十五微帶線Md6的另一端接第十三微帶線Md4和第十六微帶線Md7之間。本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，SdB衰減單元由由第三十四微波毫米波輸入端口 Pel，第三十四微波毫米波輸出端口 Pe2，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管狗1、第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2、第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管狗3，第三十微帶線Mel、第三十一微帶線Me2、第三十二微帶線Me3、第三十三微帶線Me4、 第三十四微帶線Me5、第三十五微帶線Me6、第三十六微帶線Me7、第三十七微帶線Me8、第三十八微帶線Me9和第三十七電阻Rel、第三十八電阻Re2、第三十九電阻Re3、第三十電阻 Re4、第三十一電阻Re5、第三十二電阻Re6構成，第三十四微波毫米波輸入端口 Pel連接第三十微帶線Mel的一端，第三十微帶線Mel的另一端接第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的源極，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的漏極接第三十一微帶線Me2的一端，第三十一微帶線Me2的另一端接第三十二微帶線Me3的一段，第三十二微帶線Me3的另一端接第三十三微帶線Me4 —端，第三十三微帶線Me4的另一端接第三十六微帶線Me7 的一端，第三十八微帶線Me9的一端接第三十八電阻Re2的一端，第三十八電阻Re2的另一端接第三十七微帶線MeS的一端，第三十七微帶線MeS的另一端接第三十四微帶線Me5， 第三十四微帶線Me5的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的漏極接第三十四微帶線(Md)和第三十七微帶線(MdS) 之間，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的柵極接第三十九電阻(Re3)的一端， 第三十九電阻(Re3)的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2的源極接第三十一電阻Re5的一端，第三十一電阻Re5的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的柵極接第三十九電阻Re3，第三十九電阻Re3的另一端接地，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管狗3的漏極接第三十六微帶線Me7和第三十八微帶線Me9之間，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管狗3的柵極接第三十電阻Re4的一端，第三十電阻Re4 的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管1^2的源極接第三十二電阻Re6的一段，第三十二電阻(Re6)的另一端接地，第三十四微波毫米波輸出端口 Pe2的一端接第三十五微帶線Me6，第三十五微帶線Me6的另一端接第三十三微帶線Me4和第三十六微帶線Me7之間。 本發明微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，16dB衰減單元由第五微波毫米波輸入端口 Pfl，第五微波毫米波輸出端口 Pf2，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl、第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2、第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3、第十氮化鎵高電子遷移率晶體Ff4，第十九微帶線Mf 1、第二十微帶Mf2、第二十一微帶線Mf3、第二十二微帶線 Mf4、第二十三微帶線Mf5、第二十四微帶線Mf6、第二十五微帶線Mf7、第二十六微帶線Mf8、 第二十七微帶線Mf9、第二十八微帶線ΜΠ0、第二十九微帶線ΜΠ1、第三十微帶線ΜΠ2、第 Si微帶線Mf 13、第三十二微帶線Mf 14、和第十三電阻Rf 1、第十四電阻Rf2、第十五電阻 Rf3、第十六電阻Rf4、第十七電阻Rf5、第十八電阻Rf6、第十九電阻Rf7、第二十電阻RfS構成，第五微波毫米波輸入端口 Pfl連接第二十六微帶線MfS的一端，第二十六微帶線MfS的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2的源極，微帶線Mf 12接第三十二微帶線Mf 14 的一段，第三十二微帶線Mf 14的另一端第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl的源極，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl的漏極接第三十微帶線Mf 12的一端，第三十微帶線Mf 12 的另一端接第十九微帶線Mfl的一端，第十九微帶線Mfl的另一端接第二十一微帶線Mf3 的一端，第二十一微帶線Mf3的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2漏極接第十七電阻Rf5的一端，第十七電阻Rf5的另一端接地，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2的另一端接第二十三微帶線Mf5的一端，第二十三微帶線Mf5的另一端接第二十五微帶線Mf7的一端，第三十一微帶線Mf 13的一端接微帶線Mf5 和第二十五微帶線Mf7的中間，第三十一微帶線Mfl3的另一端接第五微波毫米波輸出端口 Pf2第二十五微帶線Mf7的另一端接第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3的漏極，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3的柵極接第十八電阻Rf6的一端，第十八電阻Rf6的另一端接地，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3的源極接第二十七微帶線Mf9 —端，第二十七微帶線Mf9的另一端接第十九微帶線Mfl的一端，第十九微帶線Mfl的另一端接第十四電阻Rf2的一端，第十四電阻Rf2的另一端接第二十八微帶線Mf 10，第二十八微帶線MflO的另一端接第二十六微帶線MfS的一端，第二十六微帶線MfS的另一端接第十氮化鎵高電子遷移率晶體Ff4源極，第二十電阻RfS —端接第二十六微帶線MfS和第二十八微帶線MflO之間，第二十電阻Rf8的另一端接地，第十六電阻Rf4 —端接微帶線Mfll和第二十七微帶線 Mf9之間，第十六電阻Rf4的另一端接地。
下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細描述。實施例1。結合圖1、圖2，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器， 0. 5dB衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用T型拓撲結構。圖2方案由0. 5dB衰減單元由第一微波毫米波輸入端口 I^l，第一微波毫米波輸出端口 1^2，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管!^1，第一微帶線Mal，第二微帶線Ma2第三微帶線Ma3和兩只第一電阻Ral、第二電阻Ra2構成，微波毫米波輸入端口 Pal連接第一微帶線 Mal的一端，第一微帶線Mal的另一端接第二微帶線Ma2的一端，第二微帶線Ma2的另一端接第一微波毫米波輸出端口 1^2，第一微帶線Mal接第二微帶線Ma2的一端再連接第三微帶線Ma3的一端，第三微帶線Ma3的另一端接第一氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極， 第一氮化鎵高電子遷移率晶體管Fal的柵極接第一電阻Ral的一端，第一電阻Ral的另一端接地，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的漏極接第二電阻Ra2的一端，第二電阻Ra2 的另一端接地。第一氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第一氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fal處于導通狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；當第一氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fal處于關斷狀態，微波信號直接從串聯通路的微帶線中通過，衰減網絡處于參考態。在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差0. 5dB的固定值，輸出信號相位幾乎不變。實施例2。結合圖1、圖3，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，IdB 衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用T型拓撲結構。圖3方案由IdB衰減單元由第二微波毫米波輸入端口此1，第二微波毫米波輸出端口此2，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管，第四微帶線Mbl，第五微帶線Mb2，第六微帶線 Mb3和第三電阻Rbl、第四電阻Rb2構成，第二微波毫米波輸入端口 Pbl連接第三微帶線Mbl 的一端，第三微帶線Mbl的另一端接第五微帶線Mb2的一端，第五微帶線Mb2的另一端接第二微波毫米波輸出端口此2，第四微帶線Mbl接第五微帶線Mb2的一端再連接第六微帶線 Mb3的一端，第六微帶線Mb3的另一端接第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的源極，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的柵極接第三電阻Rbl的一端，第三電阻Rbl的另一端接地，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管的漏極接第四電阻Rb2的一端，第四電阻Rb2的另一端接地。第二氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第二氮化鎵高電子遷移率晶體管開關處于導通狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減； 當第二氮化鎵高電子遷移率晶體管開關處于關斷狀態，微波信號直接從串聯通路的微帶線中通過，衰減網絡處于參考態。在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差IdB 的固定值，輸出信號相位幾乎不變。實施例3。結合圖1、圖4，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，2dB
9衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用T型拓撲結構。圖4方案由第三微波毫米波輸入端口 Pel，第三微波毫米波輸出端口 Pc2，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl，第七微帶線Mcl第八微帶線Mc2、第九微帶線Mc3和第五電阻Rcl、第六電阻Rc2構成，第三微波毫米波輸入端口 Pcl連接第七微帶線Mcl的一端，第七微帶線Mcl的另一端接第八微帶線Mc2的一端，第八微帶線Mc2的另一端接第三微波毫米波輸出端口 Pc2，第七微帶線Mcl接第八微帶線Mc2的一端再連接第九微帶線Mc3的一端， 第九微帶線Mc3的另一端第三接氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl的源極，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl的柵極接電阻Rcl的一端，第五電阻Rcl的另一端接地，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管Fcl的漏極接第六電阻Rc2的一端，第六電阻Rc2的另一端接地。氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第三氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fcl處于導通狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；第三氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第三氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fcl處于導通狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；當第三氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fcl處于關斷狀態，微波信號直接從串聯通路的微帶線中通過，衰減網絡處于參考態。 在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差IdB的固定值，輸出信號相位幾乎不變。實施例4。結合圖1、圖5，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，4dB 衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用T型拓撲結構。圖5方案由第四微波毫米波輸入端口 Pdl，第四微波毫米波輸出端口 Pd2，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl、第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2、第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3，第十微帶線Mdl、第十一微帶線Md2、第十二微帶線Md3、第十三微帶線Md4、 第十四微帶線Md5、第十五微帶線Md6、第十六微帶線Md7、第十七微帶線Md8、第十八微帶線 Md9和第七電阻Rdl、第八電阻Rd2、第九電阻Rd3、第十電阻Rd4、第i^一電阻Rd5、第十二電阻Rd6構成，第四微波毫米波輸入端口 Pdl連接第十微帶線Mdl的一端，第十微帶線Mdl 的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl的源極，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管 Fdl的漏極接第十一微帶線Md2的一端，第十一微帶線Md2的另一端接第十二微帶線Md3的一段，第十二微帶線Md3的另一端接第十三微帶線Md4 —端，第十三微帶線Md4的另一端接第十六微帶線Md7的一端，第十八微帶線Md9的一端接第八電阻Rd2的一端，第八電阻Rd2 的另一端接第十七微帶線Md8的一端，第十七微帶線Md8的另一端接第十四微帶線Md5，第十四微帶線Md5的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl的源極，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的漏極接第十四微帶線Md5和第十七微帶線MdS之間，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的柵極接第九電阻Rd3的一端，第九電阻Rd3的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的源極接、第十一電阻Rd5的一段，、第十一電阻Rd5的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的柵極接第九電阻Rd3，第九電阻Rd3的另一端接地，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3的漏極接第十六微帶線Md7和第十八微帶線Md9之間，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3的柵極接第十電阻Rd4的一端，第十電阻 Rd4的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2的源極接第十二電阻Rd6的一段， 第十二電阻Rd6的另一端接地，第四微波毫米波輸出端口 Pd2的一端接第十五微帶線Md6， 第十五微帶線Md6的另一端接第十三微帶線Md4和第十六微帶線Md7之間。各氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl處于導通狀態且第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2、第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3 處于關斷狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；當第四氮化鎵高電子遷移率晶體管Fdl處于關斷狀態且第五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd2、第六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fd3處于導通狀態，衰減網絡處于參考態。在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差固定值，輸出信號相位幾乎不變。實施例5。結合圖1、圖6，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，SdB 衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用Π型拓撲結構。圖6方案由第三十四微波毫米波輸入端口 Pel，第三十四微波毫米波輸出端口 Pe2，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管狗1、第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2、第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管狗3，第三十微帶線Mel、第三十一微帶線Me2、 第三十二微帶線Me3、第三十三微帶線Me4、第三十四微帶線Me5、第三十五微帶線Me6、 第三十六微帶線Me7、第三十七微帶線Me8、第三十八微帶線Me9和第三十七電阻Rel、第三十八電阻Re2、第三十九電阻Re3、第三十電阻Re4、第三i^一電阻Re5、第三十二電阻Re6 構成，第三十四微波毫米波輸入端口 Pel連接第三十微帶線Mel的一端，第三十微帶線Mel 的另一端接第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管I^el的源極，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的漏極接第三十一微帶線Me2的一端，第三十一微帶線Me2的另一端接第三十二微帶線Me3的一段，第三十二微帶線Me3的另一端接第三十三微帶線Me4 —端，第三十三微帶線Me4的另一端接第三十六微帶線Me7的一端，第三十八微帶線Me9的一端接第三十八電阻Re2的一端，第三十八電阻Re2的另一端接第三十七微帶線MeS的一端，第三十七微帶線MeS的另一端接第三十四微帶線Me5，第三十四微帶線Me5的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管 ^Ι的源極，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2的漏極接第三十四微帶線Me5和第三十七微帶線MdS之間，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管 Fe2的柵極接第三十九電阻Re3的一端，第三十九電阻Re3的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2的源極接第三十一電阻Re5的一端，第三十一電阻Re5的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2的柵極接第三十九電阻Re3，第三十九電阻Re3的另一端接地，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管狗3的漏極接第三十六微帶線 Me7和第三十八微帶線Me9之間，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管Fe3的柵極接第三十電阻Re4的一端，第三十電阻Re4的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管Fe2 的源極接第三十二電阻Re6的一段，第三十二電阻Re6的另一端接地，第三十四微波毫米波輸出端口 Pe2的一端接第三十五微帶線Me6，第三十五微帶線Me6的另一端接第三十三微帶線Me4和第三十六微帶線Me7之間。各氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fel處于導通狀態且第五氮化鎵高電子遷移率晶體管開關狗2、第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fe3處于關斷狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；當第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管開關 ^Ι處于關斷狀態且第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管開關狗2、第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管開關Fe3處于導通狀態，衰減網絡處于參考態。在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差固定值，輸出信號相位幾乎不變。實施例6。結合圖1、圖7，本發明的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器， 16dB衰減單元采用氮化鎵高電子遷移率晶體管作為超寬帶開關控制器件，采用Π式拓撲結構。圖7方案由第五微波毫米波輸入端口 Pfl，第五微波毫米波輸出端口 Pf2，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl、第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2、第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3、第十氮化鎵高電子遷移率晶體Ff4，第十九微帶線Mf 1、第二十微帶Mf2、 第二i^一微帶線Mf3、第二十二微帶線Mf4、第二十三微帶線Mf5、第二十四微帶線Mf6、第二十五微帶線Mf7、第二十六微帶線Mf8、第二十七微帶線Mf9、第二十八微帶線ΜΠ0、第二十九微帶線Mfl 1、第三十微帶線ΜΠ2、第三十一微帶線ΜΠ3、第三十二微帶線ΜΠ4、和第十三電阻Rfl、第十四電阻Rf2、第十五電阻Rf3、第十六電阻Rf4、第十七電阻Rf5、第十八電阻Rf6、第十九電阻Rf7、第二十電阻RfS構成，第五微波毫米波輸入端口 Pfl連接第二十六微帶線MfS的一端，第二十六微帶線MfS的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2 的源極，微帶線Mf 12接第三十二微帶線Mf 14的一段，第三十二微帶線Mf 14的另一端第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl的源極，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl的漏極接第三十微帶線Mf 12的一端，第三十微帶線Mf 12的另一端接第十九微帶線Mfl的一端，第十九微帶線Mfl的另一端接第二十一微帶線Mf3的一端，第二十一微帶線Mf3的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2漏極接第十七電阻 Rf5的一端，第十七電阻Rf5的另一端接地，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2的另一端接第二十三微帶線Mf5的一端，第二十三微帶線Mf5的另一端接第二十五微帶線Mf7的一端，第三十一微帶線Mfl3的一端接微帶線Mf5和第二十五微帶線Mf7的中間，第三十一微帶線ΜΠ3的另一端接第五微波毫米波輸出端口 Pf2第二十五微帶線MfT的另一端接第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3的漏極，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3的柵極接第十八電阻Rf6的一端，第十八電阻Rf6的另一端接地，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3 的源極接第二十七微帶線Mf9 —端，第二十七微帶線Mf9的另一端接第十九微帶線Mfl的一端，第十九微帶線Mfl的另一端接第十四電阻Rf2的一端，第十四電阻Rf2的另一端接第二十八微帶線ΜΠ0，第二十八微帶線ΜΠ0的另一端接第二十六微帶線MfS的一端，第二十六微帶線MfS的另一端接第十氮化鎵高電子遷移率晶體Ff4源極，第二十電阻RfS — 端接第二十六微帶線MfS和第二十八微帶線MflO之間，第二十電阻RfS的另一端接地，第十六電阻Rf4 —端接微帶線Mfll和第二十七微帶線Mf9之間，第十六電阻Rf4的另一端接地。各氮化鎵高電子遷移率晶體管開關采用的是柵極加電的模式，當第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl、第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2處于導通狀態且第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3、第十氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff4處于關斷狀態，衰減網絡導通，對所加的微波型號進行衰減；當第七氮化鎵高電子遷移率晶體管Ffl、第八氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff2處于關斷狀態且第九氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff3、第十氮化鎵高電子遷移率晶體管Ff4處于導通狀態，微波信號直接從串聯通路的微帶線中通過，衰減網絡處于參考態。在這兩種狀態下，微波毫米波的輸出信號幅度相差固定值，輸出信號相位幾乎不變。衰減單元級聯順序依次為2dB、0. 5dB、16dB、ldB、8dB、4dB。測試結果表明，在32-38GHz頻率范圍內，各個衰減態的衰減精度與插損均較為理想，附加相移最大僅為+6. 28° /-1.53°，為該數字衰減器的使用帶來了方便。
權利要求
1.一種微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于它由0.5dB、ldB、 2dB、4dB、8dB、16dB衰減單元級聯組成，0. 5dB/ldB/2dB衰減單元采用T型拓撲結構， 4dB/8dB/16dB衰減單元采用Π型拓撲結構，衰減單元級聯順序依次為2dB、0. 5dB、16dB、 ldB、8dB、4dB，該衰減器的工作頻率范圍為32-38GHz，以0. 5dB為步進值在0. 5-31. 5dB的衰減范圍內可以實現64種衰減狀態。
2.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于 0. 5dB衰減單元由第一微波毫米波輸入端口(Pal)，第一微波毫米波輸出端口(Pa2)，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fal )，第一微帶線(Mal )，第二微帶線(Ma2)第三微帶線(Ma3) 和兩只第一電阻(Ral)、第二電阻(Ra2)構成，微波毫米波輸入端口(Pal)連接第一微帶線 (Mal)的一端，第一微帶線(Mal)的另一端接第二微帶線(Ma2)的一端，第二微帶線(Ma2) 的另一端接第一微波毫米波輸出端口(Pa2)，第一微帶線(Mai)接第二微帶線(Ma2)的一端再連接第三微帶線(Ma3)的一端，第三微帶線(Ma3)的另一端接第一氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fal)的源極，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fal)的柵極接第一電阻(Ral)的一端，第一電阻(Ral)的另一端接地，第一氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fal)的漏極接第二電阻(Ra2)的一端，第二電阻(Ra2)的另一端接地。
3.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于ldB 衰減單元由第二微波毫米波輸入端口(Pbl )，第二微波毫米波輸出端口(PId2)，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管(冊1 )，第四微帶線(Mbl )，第五微帶線(Mb2)，第六微帶線(Mb3)和第三電阻(Rbl)、第四電阻(Rb2)構成，第二微波毫米波輸入端口(Pbl)連接第三微帶線(Mbl) 的一端，第三微帶線(Mbl)的另一端接第五微帶線(Mb2)的一端，第五微帶線(Mb2)的另一端接第二微波毫米波輸出端口(Pb2)，第四微帶線(Mbl)接第五微帶線(Mb2)的一端再連接第六微帶線(Mb3)的一端，第六微帶線Mb3的另一端接第二氮化鎵高電子遷移率晶體管(冊1)的源極，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管(冊1)的柵極接第三電阻(Rbl)的一端， 第三電阻(Rbl)的另一端接地，第二氮化鎵高電子遷移率晶體管(冊1)的漏極接第四電阻 (Rb2)的一端，第四電阻(詘2)的另一端接地。
4.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于2dB 衰減單元由第三微波毫米波輸入端口(Pel )，第三微波毫米波輸出端口(Pc2)，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fcl)，第七微帶線(Mcl)第八微帶線(Mc2)、第九微帶線(Mc3)和第五電阻(Rcl)、第六電阻(Rc2)構成，第三微波毫米波輸入端口(Pel)連接第七微帶線(Mcl)的一端，第七微帶線(Mcl)的另一端接第八微帶線(Mc2)的一端，第八微帶線(Mc2)的另一端接第三微波毫米波輸出端口(Pc2)，第七微帶線(Mcl)接第八微帶線(Mc2)的一端再連接第九微帶線(Md)的一端，第九微帶線(Md)的另一端第三接氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fcl)的源極，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fcl)的柵極接電阻(Rcl)的一端，第五電阻(Rcl)的另一端接地，第三氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fcl)的漏極接第六電阻(Rc2)的一端，第六電阻(Rc2)的另一端接地。
5.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于4dB 衰減單元由第四微波毫米波輸入端口(Pdl)，第四微波毫米波輸出端口(Pd2)，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fdl)、第五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd2)、第六氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd3)，第十微帶線(Mdl)、第i^一微帶線(Md2)、第十二微帶線(Md3)、第十三微帶線(Md4)、第十四微帶線(Md5)、第十五微帶線(Md6)、第十六微帶線(Md7)、第十七微帶線(Md8)、第十八微帶線(Md9)和第七電阻(Rdl)、第八電阻(Rd2)、第九電阻(Rd3)、第十電阻(Rd4)、第i^一電阻(Rd5 )、第十二電阻(Rd6 )構成，第四微波毫米波輸入端口(Pdl)連接第十微帶線(Mdl)的一端，第十微帶線(Mdl)的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fdl)的源極，第四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fdl)的漏極接第十一微帶線(Md2)的一端，第十一微帶線(Md2)的另一端接第十二微帶線(Md3)的一段，第十二微帶線(Md3)的另一端接第十三微帶線(Md4) —端，第十三微帶線(Md4)的另一端接第十六微帶線(Md7)的一端，第十八微帶線(Md9)的一端接第八電阻(Rd2)的一端，第八電阻(Rd2)的另一端接第十七微帶線(MdS)的一端，第十七微帶線(MdS)的另一端接第十四微帶線(Md5)，第十四微帶線(Md5)的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fdl)的源極，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd2)的漏極接第十四微帶線(Md5)和第十七微帶線(MdS)之間，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd2)的柵極接第九電阻(Rd3)的一端，第九電阻(Rd3)的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd2)的源極接、第十一電阻(Rd5)的一段，、第十一電阻(Rd5)的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd2)的柵極接第九電阻(Rd3)， 第九電阻(Rd3)的另一端接地，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd3)的漏極接第十六微帶線(Md7)和第十八微帶線(Md9)之間，第六氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fd3)的柵極接第十電阻(Rd4)的一端，第十電阻(Rd4)的另一端接地，第五氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fd2)的源極接第十二電阻(Rd6)的一段，第十二電阻(Rd6)的另一端接地，第四微波毫米波輸出端口(Pd2)的一端接第十五微帶線(Md6)，第十五微帶線(Md6)的另一端接第十三微帶線(Md4)和第十六微帶線(Md7)之間。
6.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于 8dB衰減單元由由第三十四微波毫米波輸入端口(Pel)，第三十四微波毫米波輸出端口 (Pe2)，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fel)、第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fe2)、第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe3)，第三十微帶線(Mel)、第三十一微帶線 (Me2)、第三十二微帶線(Me3)、第三十三微帶線(Me4)、第三十四微帶線(Me5)、第三十五微帶線(Me6)、第三十六微帶線(Me7)、第三十七微帶線(Me8)、第三十八微帶線(Me9)和第三十七電阻(Rel)、第三十八電阻(Re2)、第三十九電阻(Re3)、第三十電阻(Re4)、第三i^一電阻(Re5)、第三十二電阻(Re6)構成，第三十四微波毫米波輸入端口(Pel)連接第三十微帶線(Mel)的一端，第三十微帶線(Mel)的另一端接第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fel)的源極，第三十四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fel)的漏極接第三十一微帶線(Me2) 的一端，第三十一微帶線(Me2)的另一端接第三十二微帶線(Me3)的一段，第三十二微帶線(Me3)的另一端接第三十三微帶線(Me4) —端，第三十三微帶線(Me4)的另一端接第三十六微帶線(Me7)的一端，第三十八微帶線(Me9)的一端接第三十八電阻(Re2)的一端， 第三十八電阻(Re2)的另一端接第三十七微帶線(MeS)的一端，第三十七微帶線(MeS)的另一端接第三十四微帶線(Me5)，第三十四微帶線(Me5)的另一端接第四氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fel)的源極，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的漏極接第三十四微帶線(Md)和第三十七微帶線(MdS)之間，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的柵極接第三十九電阻(Re； )的一端，第三十九電阻(Rd)的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的源極接第三十一電阻(Re5)的一端，第三十一電阻(Re5)的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe2)的柵極接第三十九電阻(Re3)，第三十九電阻(Re3)的另一端接地，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管(Fe3)的漏極接第三十六微帶線(Me7)和第三十八微帶線(Me9)之間，第三十六氮化鎵高電子遷移率晶體管 (Fe3)的柵極接第三十電阻(Re4)的一端，第三十電阻(Re4)的另一端接地，第三十五氮化鎵高電子遷移率晶體管狗2的源極接第三十二電阻(Re6)的一段，第三十二電阻(Re6)的另一端接地，第三十四微波毫米波輸出端口(Pe2)的一端接第三十五微帶線(Me6)，第三十五微帶線(Me6)的另一端接第三十三微帶線(Me4)和第三十六微帶線(Me7)之間。
7.根據權利要求1所述的微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器，其特征在于 16dB衰減單元由第五微波毫米波輸入端口(Pfl)，第五微波毫米波輸出端口(Pf2)，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ffl)、第八氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff2)、第九氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff3)、第十氮化鎵高電子遷移率晶體(Ff4)，第十九微帶線(Mfl)、第二十微帶(Mf2)、第二i^一微帶線(Mf3)、第二十二微帶線(Mf4)、第二十三微帶線(Mf5)、 第二十四微帶線(Mf6)、第二十五微帶線(Mf7)、第二十六微帶線(Mf8)、第二十七微帶線 (Mf9)、第二十八微帶線(ΜΠ0)、第二十九微帶線(ΜΠ1)、第三十微帶線(ΜΠ2)、第三i^一微帶線(Mfl3)、第三十二微帶線(Mfl4)、和第十三電阻(Rfl)、第十四電阻(Rf2)、第十五電阻(Rf3)、第十六電阻(Rf4)、第十七電阻(Rf5)、第十八電阻(Rf6)、第十九電阻(Rf7)、第二十電阻(RfS)構成，第五微波毫米波輸入端口(Pfl)連接第二十六微帶線(MfS)的一端， 第二十六微帶線(MfS)的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff2)的源極，微帶線 (Mf 12)接第三十二微帶線(Mf 14)的一段，第三十二微帶線(Mf 14)的另一端第七氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ffl)的源極，第七氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ffl)的漏極接第三十微帶線(Mfl2)的一端，第三十微帶線(Mfl2)的另一端接第十九微帶線(Mfl)的一端，第十九微帶線(ΜΠ )的另一端接第二十一微帶線(Mf3)的一端，第二十一微帶線(Mf3)的另一端接第八氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff2)，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff2)漏極接第十七電阻(Rf5)的一端，第十七電阻(Rf5)的另一端接地，第八氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff2)的另一端接第二十三微帶線(Mf5)的一端，第二十三微帶線(Mf5)的另一端接第二十五微帶線(Mf7)的一端，第三十一微帶線(Mf 13)的一端接微帶線Mf5和第二十五微帶線(Mf7)的中間，第三十一微帶線(Mfl3)的另一端接第五微波毫米波輸出端口(Pf2)第二十五微帶線(Mf7)的另一端接第九氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff3)的漏極，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff3)的柵極接第十八電阻(Rf6)的一端，第十八電阻(Rf6)的另一端接地，第九氮化鎵高電子遷移率晶體管(Ff3)的源極接第二十七微帶線(Mf9) —端，第二十七微帶線(Mf9)的另一端接第十九微帶線(Mfl)的一端，第十九微帶線(Mfl)的另一端接第十四電阻(Rf2)的一端，第十四電阻(Rf2)的另一端接第二十八微帶線(MflO)，第二十八微帶線(MflO)的另一端接第二十六微帶線(MfS)的一端，第二十六微帶線(MfS)的另一端接第十氮化鎵高電子遷移率晶體(Ff4)源極，第二十電阻(Rf8) —端接第二十六微帶線 (MfS)和第二十八微帶線(MflO)之間，第二十電阻(RfS)的另一端接地，第十六電阻(Rf4) — 端接微帶線(Mfll)和第二十七微帶線(Mf9)之間，第十六電阻(Rf4)的另一端接地。
全文摘要
本發明公開了一種微波毫米波超寬帶低相移六位數字衰減器。它由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB六部分衰減單元級聯組成，0.5dB/1dB/2dB衰減單元采用T型拓撲結構，4dB/8dB/16dB衰減單元采用∏型拓撲結構，衰減單元級聯順序依次為2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，該衰減器的工作頻率范圍為32-38GHz，以0.5dB為步進值在0.5-31.5dB的衰減范圍內可以實現64種衰減狀態。本電路拓撲結構簡單，衰減態相移小，插入損耗小，衰減精度高，輸入和輸出端電壓駐波比小，工作頻帶寬，電路尺寸小，便于采用MMIC工藝批量生產。
文檔編號H03H7/03GK102403973SQ20111033173
公開日2012年4月4日 申請日期2011年10月27日 優先權日2011年10月27日
發明者馮媛, 孫宏途, 尹洪浩, 左同生, 戚湧, 戴永勝, 李平, 漢敏, 謝秋月, 韓群飛 申請人:無錫南理工科技發展有限公司