本發明涉及一種制作半導體元件，尤其是涉及一種制作單次可編程(one-timeprogrammable,otp)電容的方法。
背景技術：
：：1、半導體存儲裝置已經普遍用于各種電子裝置。舉例來說，非易失性存儲器廣泛用于移動電話、數字相機、個人數字助理移動運算裝置以及其他應用。一般來說，非易失性存儲器主要包含多次可編程(multi-time?programmable,mtp)存儲器以及單次可編程(one-time?programmable,otp)存儲器。相較于可復寫(rewritable)式存儲器，單次可編程存儲器具有較低的制造成本和存儲數據不易遺失的優點。然而，單次可編程存儲器僅能進行一次性的數據燒寫，一旦指定存儲區塊內的特定幾個存儲單元的位經由一次性數據寫入程序而被改寫，指定存儲區塊內的該些特定存儲單元便無法被再次執行數據燒綠。2、由于現行單次可編程存儲器元件仍有在讀取模式下較弱讀取電流以及在程式模式下具有較長應力時間(stress?time)等缺點，因此如何改良現有單次可編程存儲器元件架構以解決上述問題即為現今一重要課題。技術實現思路1、本發明一實施例揭露一種制作半導體元件的方法，其主要先提供一基底包含一晶體管區以及一otp電容區，然后形成一第一鰭狀結構于該晶體管區以及一第二鰭狀結構于該otp電容區，再進行一氧化制作工藝以形成一柵極氧化層于第一鰭狀結構以及第二鰭狀結構上，其中第一鰭狀結構以及第二鰭狀結構于剖面角度下包含不同形狀。2、本發明另一實施例揭露一種半導體元件，其主要包含一基底具有一晶體管區以及一otp電容區，一第一鰭狀結構設于該晶體管區以及一第二鰭狀結構設于該otp電容區，以及一第一柵極電極設于第一鰭狀結構上以及一第二柵極電極設于第二鰭狀結構上，其中第一鰭狀結構以及第二鰭狀結構包含不同形狀。技術特征：1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：2.如權利要求1所述的方法，還包含：3.如權利要求2所述的方法，其中該第一鰭狀結構的摻質濃度小于該第二鰭狀結構的摻質濃度。4.如權利要求1所述的方法，其中該第一鰭狀結構于剖面角度下包含長方形。5.如權利要求1所述的方法，其中該第二鰭狀結構于剖面角度下包含三角形。6.一種半導體元件，其特征在于，包含：7.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第一鰭狀結構的摻質濃度小于該第二鰭狀結構的摻質濃度。8.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第一鰭狀結構于剖面角度下包含長方形。9.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第二鰭狀結構于剖面角度下包含三角形。10.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第一柵極電極包含金屬柵極。11.如權利要求6所述的半導體元件，其中該第一柵極電極包含：技術總結本發明公開一種半導體元件及其制作方法，其中該制作半導體元件的方法為，先提供一基底包含一晶體管區以及一OTP電容區，然后形成一第一鰭狀結構于該晶體管區以及一第二鰭狀結構于該OTP電容區，再進行一氧化制作工藝以形成一柵極氧化層于第一鰭狀結構以及第二鰭狀結構上，其中第一鰭狀結構以及第二鰭狀結構于剖面角度下包含不同形狀。技術研發人員：李國興,薛勝元,邱永振,康智凱,林文凱受保護的技術使用者：聯華電子股份有限公司技術研發日：技術公布日：2025/2/27