制造有機發光設備的方法

專利名稱：：制造有機發光設備的方法
技術領域：
：本發明涉及一種制造能夠被用于圖像顯示設備、照明系統等的有才幾發光設備的方法。
背景技術：
：在1987年，Tang等人提出了一種有機發光器件(有機EL(電致發光)器件)，所述有機發光器件具有這樣的配置其中，層疊具有不同載流子輸送性的有機化合物，并且從陽極和陰極以良好的平衡分別注入空穴和電子。具體地，通過將有機化合物層(有機EL層)的厚度設定為200nm或更低所制造的器件已經實現了在10V電壓下1000cd/n^的效率和照度，這是至今未實現過的。此后，至今為止已經進行了嘗試以便在更低的電壓下獲得高照度發光。例如，日本專利申請特開第H07-142168號公開了，ITO陽極經受作為有機EL層形成之前的處理的UV處理或等離子處理，從而發光閾值降低以增強電流特性，并且發光特性隨時間的劣化被抑制。日本專利第3，704，883號公開，在降低的壓力下連貫地執行形成陽極基底的工序、形成有機EL層之前的處理、有機EL層的形成、以及陰極的形成。更具體地，通過干蝕刻執行對陽極的構圖，并且在降低的壓力下連貫地連續執行UV臭氧處理和氧氣等離子處理，從而陽極表面變得干凈，陽極被適當氧化以增強空穴注入特性，使發光均勻，驅動電壓降低，并且壽命延長。日本專利申請特開第Hll-045779號公開一種技術，該技術包括通過在降低的壓力下利用臭氧發生器產生的臭氧來清潔陽極基底，從而不使用UV光或等離子而執行形成有機EL層之前的處理。曰本專利第3，394，130號公開一種技術，該技術包括在0.0001到O.lPa的降低的壓力下用具有方向性的UV光照射基底，并且將基底輸送到具有更高環境壓力的有機EL層形成室，以形成有機EL層，從而防止基底在形成有機EL層之前的處理室中被污染。日本專利申請特開第2000-353593號描述了，在存在氧氣和氮氣的情況下，基底側的第一電極被形成并且被來自UV光燈的UV光照射，從而清潔具有第一電極的基底。描述了在清潔期間，優選將清潔室中的壓力調節為4.00Pa環境壓力。還作為示例描迷了，利用負光致抗蝕劑形成分隔壁，此后引入氧氣和氮氣，并且在環境壓力下清潔帶有電極的基底。在發光設備中所使用的有機EL器件中，為了限定基底側的電極的發光面積和形狀，以及為了使得能夠進行像素的獨立發光，一般形成主要包括樹脂材料和無機材料的器件分離膜。一般通過將基底側的電極(下電極)形成為陽極或者陰極，然后通過在電極的表面上均勻涂覆樹脂材料、無機材料、或者其前體，或者通過利用諸如CVD之類的膜形成方法，形成這種器件分離膜。此后，利用光致抗蝕劑方法等處理所述器件分離膜，使得要成為像素電極的基底側的電極被露出。在具有器件分離膜的有機EL器件中，在一些情況下，可能不能獲得充分的驅動耐久特性，并且在器件被置于高溫和高濕度下之后發光狀態會變得不均勻。認為這是由在上述器件分離膜的形成期間，在露出的像素電極上殘留有器件分離膜材料或者光致抗蝕劑工序中使用的抗蝕劑材料而引起的，以及由器件分離膜中儲存的水分引起的。此外，器件分離膜通過上述UV處理或等離子處理而分解，并且分解后的物質也被認為通過粘附到像素電極的表面上而引起上述問題。也就是說，還沒有這樣一種用于形成有機EL層之前的處理的技術，其中形成有電極和器件分離膜的基底被有效清潔，并且滿足充分的驅動耐久特性和放置耐久特性。在上述日本專利第3，704，883號中，通過千蝕刻執行陽極的構圖，并且在降低的壓力下連貫地執行UV臭氧處理和氧氣等離子處理，從而陽極表面變得清潔，并且陽極被適當氧化以增強空穴注入特性。此外，作為利用uv臭氧進行清潔的方法，氧氣氣體從高真空狀態被引入使得獲得0.01torr(大約1.33Pa)或更高的壓力，并且照射UV光。然而，根據這種方法，不能形成器件分離膜，或者要使用的材料等需要被嚴格限制，因此無法實現要成為高質量發光設備的有機EL器件。日本專利申請特開第HI1-045779號利用一種方法，所述方法包括用臭氧發生器產生的臭氧清潔像素電極的表面，而不使用UV光。然而，根據該方法，由于不獲得利用UV能量切斷分子間鍵的效果，因此污染物和殘留物的分解并不充分進行。因此，不能獲得優異的驅動耐久特性。上述的日本專利第3，394，130號利用一種方法，所述方法包括在0.0001到0.1Pa的降低的壓力下照射具有方向性的UV光。然而，在這個壓力范圍中無法產生所需量的臭氧和活性氧氣，并且無法滿足優異的驅動耐久特性。在上述的日本專利申請特開第2000-353593號中，優選清潔室中的壓力為4.00Pa環境壓力，并且在示例中在環境壓力下進行照射。然而，在環境壓力下，在電極的表面上剩余的污染物和殘留物進一步增多，這甚至會使狀態與清潔之前的狀態相比劣化。此外，根據發明人所進行的實驗，發現4.00的壓力對于產生所需的臭氧和活性氧氣的量來說過低，并且無法獲得優異的驅動耐久特性。
發明內容本發明提供一種制造有機發光設備的方法，所述有機發光設備滿足優異的驅動耐久特性和放置劣化耐久特性。為了實現上述目的，本發明提供一種制造有機發光設備的方法，所述有機發光設備包括基底、形成在所述基底上的有機發光器件、以及形成在所述有機發光器件的外周上的器件分離膜，所述有機發光器件從基底側依次包括下電極、有機化合物層、以及上電極，所述方法包括通過在10Pa或更高-10000Pa或更^f氐的范圍的壓力下，在將至少包含氧氣的氣體引入氣體環境中并且排出所述氣體的同時，用uv光照射至少形成有下電極和器件分離膜的基底，從而清潔所述基底；在清潔后的下電極上形成有機化合物層；以及在所述有機化合物層上形成上電極。根據本發明，在10Pa或更高10，000Pa或更低的范圍的壓力下，在將至少包含氧氣的氣體引入氣體環境中并且排出所述氣體的同時，用UV光照射至少形成有下電極和器件分離膜的基底。因而，獲得優異的驅動耐久特性和放置耐久特性。具體地，下電極上剩余的器件分離膜材料和抗蝕劑材料的殘留物以及其他污染物通過在10Pa或更高10，000Pa或更低的降低的壓力下照射uv光產生的uv光能量而分解。此外，通過由uv光和氧氣產生的臭氧和活性氧氣的作用以及降低的環境壓力的去除功能，有效地去除殘留物和污染物。得益于此，維持了空穴和電子從下電極注入到有機EL層的耐久性，這顯著增強了驅動耐久特性。此外，甚至在器件分離膜儲存水分的情況下，器件分離膜的表面也由UV光分解很少的量，并且由于降低的環境壓力，水分在氣體環境中有效擴散。因而，在設備被置于高溫和高濕度下之后易于發生的發光狀態的非均勻性被顯著消除。此外，由于環境壓力處于10Pa或更高~10，000Pa或更低的范圍中，所以不容易發生分解后的器件分離膜材料粘附到下電極的表面的問題。從以下參照附圖對示例性實施例的描述中，本發明的其他特征將變得清楚。圖1是示出根據本發明的有機發光設備的典型部分截面結構的示意性視圖。圖2是基底預處理設備的示意性視圖。圖3是示出根據本發明的一個示例的有機發光設備的制造流程和每道工序中的壓力改變的圖。具體實施例方式根據本發明的制造有機發光設備的方法被合適地執行為一種制造有機發光設備的方法，所述有機發光設備包括基底、形成在所述基底上的有機發光器件、以及形成在所述有機發光器件的外周上的器件分離膜。本發明中的有機發光器件以與普通有機發光器件相同的方式從基底側依次包括下電極、有機化合物層(有機EL層)、以及上電極。所述制造方法包括清潔工序(預處理工序)，在10Pa或更高~10000Pa或更低的范圍內的壓力下，在將至少包含氧氣的氣體引入氣體環境中并且從中排出所述氣體的同時，用UV光照射至少形成有上述下電極和上述器件分離膜的基底。此外，所述制造方法包括在清潔后的基底的下電極上形成有機化合物層的工序，以及在所述有機化合物層上形成上電極的工序。常規上，烘焙處理通常在真空下執行，以便在形成器件分離膜之后在形成有機EL層之前從器件分離膜中除去水分(脫水)。然后，在脫水之后，通常在保持真空狀態的同時形成有機EL層，使得水分不再次返回到器件分離膜。然而根據本發明，在真空烘焙執行之后，通過在高于真空的10Pa或更高~10，000Pa或更低的降低的壓力環境下，在包含氧氣的氣體被引入到氣體環境中并且從中排出所述氣體的同時照射UV光，從而清潔下電極的表面。然后，在清潔之后在真空下形成有機EL層，從而可以獲得滿意的發光特性。本發明中的真空指的是10—6Pa或更高l(T2Pa或更低的壓力范圍。此后，將參照圖l描述有機發光設備的配置和制造工序。圖l是'示意性示出構成本發明的有機發光設備的一個有機發光器件的截面的視圖。，薄膜晶體管(TFT)2被排列和形成在包括玻璃、硅、或者塑料膜的基底1上，以便對應于每個像素。如果有機發光器件是頂發射類型，則基底1不需要具有透光性。在基底1上設置了層間絕緣膜3以便覆蓋TFT2，并且層間絕緣膜3設置有連接孔4，所述連接孔4到達通向TFT2的布線(未圖示)。作為層間絕緣膜3，可以使用包括二氧化硅(Si02)或氮化硅(Si3N4)的無機材料膜；然而，希望通過將TFT和布線部分的不均勻性埋入來使膜表面平坦，因此通常以幾nm幾十nm的厚度設置丙烯酸樹脂膜。經由連接孔4連接到布線的下電極5被構圖，以便對應于層間絕緣膜3上的每個像素(有機發光器件)。例如使用下電極5作為有機發光器件的陽極。因此，如果有機發光器件是頂發射類型，則使用具有高反射率的材料，諸如Cr、Ag、Al或者其與其他金屬的合金。為了增強電荷的注入效率，還能夠層疊包括ITO或IZO的導電氧化物膜。在下表面發光類型的情況下，使用ITO或IZO等。作為本發明的特征的在形成有機EL層之前的處理可最優地用于其中基底側的電極(下電極5)是陽極的有機發光器件，以便增強功函數(workfunction)。然而，甚至在基底側的電極是陰極的情況下，也獲得這些效果。在層間絕緣膜3上，設置器件分離膜6以便覆蓋下電極5的外周。器件分離膜6包括被構圖為以便僅露出下電極5的表面的開口部分7。開口部分7實質上用作有機發光器件中的發光部分。作為器件分離膜6，適合地使用包括感光聚酰亞胺或丙烯酸樹脂等的樹脂材料膜，或者包括二氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)的無機材料膜。因而，希望制造至少形成有下電極5和器件分離膜6的基底(器件基底)，通過各種溶劑、表面活性劑、或純水等使其經受濕清潔，并且通過在真空下以大約100。C200。C加熱而^f吏其經受脫水。在通過加熱進行脫水之后，緊接在有機EL層(有機4t合物層)8形成之前，進行作為本發明的特征的預處理工序。具體地，在連接到用于形成有機EL層8的真空蒸汽淀積設備的基底預處理設備中，對上述器件基底進行處理。圖2是示出本發明中的基底預處理設備的簡單視圖。附圖標記31表示真空槽，附圖標記32表示UV燈，附圖標記33表示基底(器件基底)，附圖標記34表示質量流率(mass-flow)控制器，附圖標記35表示真空測量計，附圖標記36表示壓力控制器，附圖標記37表示可變閥(variablevalve)。基底預處理設備包括干泵(drypump)，所述干泵被設計用于通過連接到可變閥37而抗臭氧，所述可變閥37的開口部分可以被調節，所述基底預處理設備還包括可以進行高真空排氣的渦輪分子泵。壓力控制器36基于真空測量計35調節可變閥37的開口部分。通過在諸如干燥空氣和氧氣之類的氣體利用這些機構和質量流率控制器34而被引入的同時調整環境壓力，通過UV燈32使基底33經受UV臭氧處理。希望要被引入的諸如干燥空氣和氧氣之類的氣體盡可能少地包含水分，并且適合地使用露點為-70。C或更低的氣體。作為UV照射源(燈)32，可以使用低壓汞燈和激態原子燈。在至少包含氧氣的氣體以0.1slm~500slm的范圍被引入，并且環境壓力#皮控制在10Pa或更高~10,000Pa或更低的范圍中的同時，基底33被UV光照射0.5分鐘~60分鐘。希望基底33和UV燈32之間的距離在lmm~50mm的范圍內，并且為了使照射強度均勻，希望基底33或UV燈32被搖動。在UV光照射預定時間之后或者在正在用UV光照射的同時，停止氣體的引入，并且基底預處理設備被排氣以達到l(T3Pa或更低的高真空。此后，基底33被迅速輸送到真空蒸汽淀積設備，同時保持高真空氣體環境。在環境壓力低于IOPa的情況下，即使氧氣被引入到該氣體環境中并且被排氣，除去下電極5的表面上的污染物和殘留物的分解物質所需要的臭氧和活性氧氣的量也是不足的。因此，不能滿足優異的驅動耐久特性，從下電極5到有機EL層8的載流子注入被顯著禁止。此外，在環境壓力大于10，000Pa的情況下，下電極5的表面上所剩余的污染物和殘留物增加得更多，驅動耐久特性劣化，儲存在器件分離膜6中的水分不容易在氣體環境中擴散，并且尤其是在高溫和高水分下，放置劣化耐久特性會劣化。在形成有機EL層之前的處理之后，主要使用真空加熱蒸汽淀積，將有機EL層8形成在被輸送的器件基底上。作為形成有機EL層8的方法，除了真空加熱蒸汽淀積法之外，還可以使用EB蒸汽淀積、LB方法、旋涂、噴墨法、或熱傳遞法等。通過連續地層疊例如空穴輸送層、發光層、電子輸送層、和電子注入層等，獲得有機EL層8。在如真空加熱蒸汽淀積中那樣在真空下形成有機EL層的情況下，通常，在真空下連貫地執行從通過對基底進行加熱而進行脫水的工序到以下密封工序，因而，氣體環境對有機EL層的影響可以被最小化。然而，根據本發明，通過在基底預處理的工序期間將壓力提高為高于真空，并且在10Pa或更高10，000Pa或更低的降低的壓力下清潔基底，可以顯著地增強有機發光器件的驅動耐久特性和放置劣化耐久特性。接著，設置上電極(陰極)9以便覆蓋有機EL層8。上電極9被設置為基底1上方的一個層，其作為各個像素所共用的電極。在頂發射類型的情況下，上電極9具有光滲透性。通常使用包括ITO或IZO等的導電氧化物膜。在下表面發光類型的情況下，上電極9是反射電極，并且適合地使用A1、Ag或其與其他金屬的合金。此外，為了防止水分滲透到有機EL層8，有機發光器件被密封。可以設置包括無機材料膜(諸如二氧化硅或者氮化硅)或者聚合物膜的透明保護膜10來密封有機發光器件。在這種情況下，在形成有機EL層之后直到密封工序的工序適合地在真空下執行。此外/作為替換方案，可以用諸如玻璃板之類的蓋子材料來密封有機發光器件。在這種情況下，優選地，諸如氮氣之類的非活性氣體被密封在形成于蓋子材料和有機發光器件之間的縫隙中，并且在這種情況下，有機發光器件在密封工序之前從真空中被釋放。在上述實施例中，在基底上設置一個有機發光器件。然而，本發明可應用于這樣的顯示設備，其中多個有機發光器件布置在基底上，并且每一個有機發光器件形成一個像素。所述多個有機發光器件的驅動可以是有源矩陣類型，其中每個像素包括控制每個發光器件的發光的開關元件；或者可以是無源矩陣類型，其中發光器件形成在條紋形狀的電極的相交處。通過本發明的制造方法制造的有機發光設備可以用于各種電子設備的顯示部分、照明系統的發光部分等。電子設備的示例包括電視機、個人計算機、數字照相機、移動電話、移動音樂播放設備、個人數字助理(PDA)、以及車輛導航系統。此后，將通過示例及其結果來描述根據本發明的有機發光設備的制造方法。此外，表1概述了各示例和比較例的設定條件和結果。此外，圖3示出了這些示例中的有機發光設備的制造流程以及每個工序中的壓力改變。(示例1)利用正光致抗蝕劑聚酰亞胺樹脂，在基底的整個表面之上形成厚度為2nm的器件分離膜，其中在所述基底上，設置了形成在Ag合金膜(厚度100nm)上的ITO膜(厚度60mn)作為陽極(下電極)。然后，通過用UV燈曝光然后顯影來對器件分離膜進行構圖，從而形成了開口部分。用表面活性劑的水溶液清潔由此獲得的器件基底，并且利用離子交換水(ionexchangedwater)和超聲波進行漂洗。清潔后的器件基底被放置在真空干燥機中，從而在200。C下進行脫水24個小時。經受脫水的器件基底被引入基底預處理設備，與低壓汞燈(輸出110W)相對，并且以20mm/秒的速率在50mm間隔的范圍內被搖動。燈和基底之間的最短距離是5mm。對基底預處理設備進行排氣以獲得5xlO-5Pa的高真空狀態，此后，露點為-80。C的干燥空氣以10slm的流率(flowrate)被引入到基底預處理設備中。當基底預處理設備中的壓力達到l，OOOPa時，在干燥空氣被引入的同時，用壓力控制器取得排氣壓力的平衡，從而基底預處理設備中的壓力保持在1000Pa。在這種狀態下，器件基底被照射UV光，以接受UV臭氧處理IO分鐘。在10分鐘經過之后，停止uv光的照射，以暫停干燥空氣的引入，從而對基底預處理設備進行排氣。當基底預處理設備中的壓力達到lxlO^Pa時，器件基底被輸送到維持在lxl(T5Pa~5xl(T4Pa的真空蒸汽淀積設備的有機EL層蒸汽淀積室，并且通過后續工序連續層疊有機EL層、上電極、以及保護膜。N，N-a-二萘基對二氨基聯苯(a-NPD)經受真空淀積，以在從開口部分露出的陽極上具有40nm的厚度，從而形成空穴輸送層。然后，香豆素6(1.0vol%)和三[8-羥基奮啉鋁(Alq3)的共淀積膜被形成具有30nm的厚度，從而形成發光層。接著，作為電子輸送層，三[8-羥基喹啉鋁(Alq3)被形成具有10nm的厚度。并且，碳酸銫(0.7vol%)和三8-羥基喹啉I鋁(Alq3)的共淀積膜被形成具有40nm的厚度，從而形成電子注入層。每一層對應于一個有機EL層。然后，該基底被傳輸到真空蒸汽淀積設備的濺射室，并且氧化銦錫(ITO)在Ar氣被引入(100sccm)的同時在0.6Pa的壓力下通過濺射而被形成為厚度為220nm的膜，從而形成陰極9。此外，氧氣(0.2sccm)和氮氣(10sccm)被引入，并且硅(Si)靶在0.6Pa的壓力下經受反應濺射，從而透明氮氧化硅膜(Si-O-N膜)被形成具有500nm的厚度，從而形成表面保護膜IO。此后，完成了膜形成工序的基底被轉移到手套式操作箱，并且所述手套式操作箱在氮氣氣體環境中利用包含干燥劑的玻璃蓋子而被密封。通過上述制造過程獲得的有機發光設備的有機發光器件(發射綠光)在恒定電流下以電流值100mA/cm2被連續點亮100小時，并且用照度測量計(由Topcon公司生產的BM-7)測量初始照度和100小時之后的照度，從而評估了發光特性的改變。照度改變L(100h)/L(ini)為95.0%(初始照度L(ini)=1，300cd/m2)，并且獲得了優異的驅動和壽命特性。然后，有機發光設備被放置在溫度為80。C且濕度為80%的恒溫恒濕槽中，從而進行1000小時的放置評估。當觀察放置之后的發光狀態時，發現均勻發射綠光，如同在放置之前的情況中一樣。(示例2)以與示例1中相同的方式制造器件基底，不同之處在于使用具有厚度為100nm的Cr膜作為陽極，之后是清潔和脫水。此外，作為形成有機EL層之前的處理，以與示例1相同的方式進行UV臭氧處理，不同之處在于將環境壓力設定到100Pa。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為94.5%(初始照度L(ini)=1，050cd/m2)，并且該有機發光設備具有優異的驅動和壽命特性，與示例1相同。此外，放置在80°C的溫度和80%的濕度下1000小時之后的發光狀態與放置之前的情況中的相同。(示例3)以與示例1中相同的方式制造有機發光設備，使用示例1中所用的器件基底，不同之處在于形成有機EL層之前的處理期間的壓力是10000Pa。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為92.8%(初始照度L(ini)=1，290cd/m2)，并且該有機發光設備具有優異的驅動和壽命特性，雖然比示例1中的驅動和壽命特性略差。此外，放置在80。C的溫度和80%的濕度下1000小時之后的發光狀態與放置之前的情況中的相同。(示例4)以與示例l相同的方式制造有機發光設備，使用示例1中所用的器件基底，不同之處在于形成有機EL層之前的處理期間的壓力是10Pa，要引入的氣體是具有99.9。/。純度的氧氣，引入流率為0.5slm，并且UV光照射時間為20分鐘。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為91.6%(初始照度L(ini)=1，210cd/m2)，并且該有機發光設備具有在實際使用中不產生問題的驅動和壽命特性，雖然比其他示例中的驅動和壽命特性略差。此外，放置在80°C的溫度和80%的濕度下1000小時之后的發光狀態與放置之前的情況中的相同。(比較例1)以與示例l相同的方式制造有機發光設備，使用示例1中所用的器件基底，不同之處在于形成有機EL層之前的處理期間的壓力是101300Pa(大氣壓)。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為90.5%(初始照度L(ini)-1，300cd/m2),并且該有機發光設備的驅動和壽命特性差于上述示例中的有機發光設備的驅動和壽命特性。此外，在所述有機發光設備放置在80。C的溫度和80%的濕度下1000小時之后，觀察到像素的外周部分變暗，這在放置之前是沒有觀察到的。(比較例2)以與示例l相同的方式制造有機發光設備，使用示例1中所用的器件基底，不同之處在于形成有機EL層之前的處理期間的壓力是5Pa，要被引入的氣體是具有99.9%純度的氧氣，引入流率為0.05shn，并且UV光照射時間為20分鐘。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為10.5%(初始照度L(ini)=1，200cd/m2)，并且該有機發光設備的驅動和壽命特性很差。此外，在所述有機發光設備放置在80。C的溫度和80%的濕度下1000小時之后，觀察到全部發光部分變暗。(比較例3)以與示例1相同的方式制造有機發光設備，使用示例2中所用的器件基底，不同之處在于形成有機EL層之前的處理期間的壓力是101300Pa(大氣壓)。以與示例1相同的方式評估了所獲得的有機發光設備，發現L(100h)/L(ini)為89.0%(初始照度L(ini)=1,300cd/m2)，并且該有機發光設備的驅動和壽命特性差于上述示例中的有機發光設備的驅動和壽命特性。此外，在所述有機發光設備放置在80。C的溫度和80%的濕度下IOOO小時之后，觀察到像素的外周部分變暗，這在放置之前是沒有觀察到的。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>雖然已經參照示例性實施例描述了本發明，但是應該理解，本發明不限于所公開的示例性實施例。所附權利要求的范圍應被給予最寬的解釋，以便包含所有這些修改和等同結構及功能。權利要求1.一種制造有機發光設備的方法，所述有機發光設備包括基底、形成在所述基底上的有機發光器件、以及形成在所述有機發光器件的外周上的器件分離膜，所述有機發光器件從基底側依次包括下電極、有機化合物層、以及上電極，所述方法包括通過在10Pa或更高～10000Pa或更低的范圍的壓力下，在將至少包含氧氣的氣體引入氣體環境中并且排出所述氣體的同時，用UV光照射至少形成有下電極和器件分離膜的基底，從而清潔所述基底；在清潔后的下電極上形成有機化合物層；以及在所述有機化合物層上形成上電極。2.如權利要求l所述的方法，還包括通過在真空下加熱，使至少形成有所述下電極和所述器件分離膜的所述基底經受脫水，其中所述清潔包括清潔經受了通過加熱進行的脫水后的基底；以及所述形成有機化合物層包括在真空下在清潔后的基底上的下電極上形成有機化合物層。3.如權利要求l所述的方法，其中，所述下電極是陽極。全文摘要本發明公開一種制造有機發光設備的方法，所述有機發光設備包括基底、形成在所述基底上的有機發光器件、以及形成在所述有機發光器件的外周上的器件分離膜，所述有機發光器件從基底側依次包括下電極、有機化合物層、以及上電極，所述方法包括通過在10Pa或更高～10000Pa或更低的范圍內的壓力下，在將至少包含氧氣的氣體引入氣體環境中并且排出所述氣體的同時，用UV光照射至少具有下電極和所述下電極上形成的器件分離膜的基底，從而清潔所述基底；在清潔后的下電極上形成有機化合物層；以及在所述有機化合物層上形成上電極。文檔編號H05B33/10GK101296537SQ20081009354公開日2008年10月29日申請日期2008年4月25日優先權日2007年4月27日發明者大塚學,德永雄三,真下精二,西田直哉,遠藤太郎申請人:佳能株式會社