加熱器以及具備該加熱器的火花塞的制作方法
【專利摘要】提供一種即使大電流流向導體線路也能夠抑制向導體線路產生微裂紋等的加熱器以及具備該加熱器的火花塞。本發明的特征在于，具備由陶瓷構成的絕緣基體(1)和埋設于絕緣基體(1)的導體線路(2)的加熱器，導體線路(2)含有導體粒子和陶瓷粒子，導體線路(2)所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比絕緣基體(1)中的陶瓷粒子的平均粒徑小。
【專利說明】加熱器以及具備該加熱器的火花塞
【技術領域】
[0001]本發明涉及利用于例如燃燒式車載供暖裝置的點火用或火焰檢測用的加熱器、石油暖風機等各種燃燒設備的點火用的加熱器、汽車發動機的火花塞用的加熱器、氧傳感器等各種傳感器用的加熱器、測定設備的加熱用的加熱器等的加熱器以及具備該加熱器的火花塞。
【背景技術】
[0002]使用于汽車發動機的火花塞等的加熱器由絕緣基體和埋設于絕緣基體中的導體線路構成，作為導體線路，由具有發熱部的電阻體和用于向絕緣基體的表面導出的引線構成。并且，以引線的電阻值比電阻體的電阻值小的方式進行這些材料的選定和設計。(例如參照專利文獻I)。
[0003]專利文獻1:日本特開2002-334768號公報。
【發明內容】
[0004]【發明要解決的課題】
[0005]近年來，由于高電力急劇沖擊入加熱器，在加熱器溫度成為固定為止的過渡狀態中，在加熱器內部產生以下那樣的急劇的溫度變化。
[0006]首先，位于導體線路的前端部的電阻體開始發熱，接著熱量從電阻體朝向引線的終端傳播于導體線路的表層部而使導體線路從表層部進行加熱。接著，與導體線路相比熱傳導率低的絕緣基體由從導體線路傳導來的熱量進行加熱。此時，與導體線路相比熱傳導率低的絕緣基體的加熱晚，因此先加熱的導體線路由于熱膨脹而要向軸方向一直延伸時，晚加熱的絕緣基體晚熱膨脹，導體線路和絕緣基體的軸方向的熱膨脹產生偏離而使應力施加于界面。
[0007]在此，若在應力施加于界面的狀態下加熱器的加熱進展，則有在導體線路的表層部產生微裂紋等而產生使電阻值變化的問題。
[0008]本發明是鑒于上述的問題點而發明的，其目的在于提供一種即使大電流流向導體線路也能夠抑制向導體線路產生微裂紋等的加熱器以及具備該加熱器的火花塞。
[0009]【用于解決課題的手段】
[0010]本發明的加熱器的特征在于，具備由陶瓷構成的絕緣基體和埋設于絕緣基體的導體線路，所述導體線路含有導體粒子和陶瓷粒子，所述導體線路所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比所述絕緣基體中的陶瓷粒子的平均粒徑小。
[0011]另外，本發明的火花塞的特征在于，具備上述結構的加熱器和與所述導體線路電連接且保持所述加熱器的金屬制保持部件。
[0012]【發明效果】
[0013]根據本發明的加熱器，導體線路含有導體粒子和陶瓷粒子，因此能夠使導體線路的熱膨脹系數接近絕緣基體的熱膨脹系數，從而使施加于界面的應力減少。進而，導體線路所含有的陶瓷粒子的粒徑比絕緣基體中的陶瓷粒子的粒徑小，因此即使電力剛沖擊之后與絕緣基體相比導體線路先加熱而導體線路所含有的陶瓷粒子開始熱膨脹，也能夠抑制與絕緣基體所含有的陶瓷粒子相比變得更大，從而與施加于導體線路表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間的力相比，施加于導體線路周圍的絕緣基體中的陶瓷粒子的力更大。其結果是，在導體線路表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間不易產生微裂紋，從而電阻值不易變化。由此，提高加熱器的可靠性及耐久性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0014]圖1是表示本發明的加熱器的實施方式的一例的縱剖視圖。
[0015]圖2是表示本發明的加熱器的實施方式的其他例的縱剖視圖。
[0016]圖3是表示本發明的加熱器的實施方式的其他例的縱剖視圖。
[0017]圖4是表示本發明的火花塞的實施方式的一例的縱剖視圖。
【具體實施方式】
[0018]參照附圖對本發明的加熱器的實施方式的例子進行詳細說明。
[0019]圖1是表示本發明的加熱器的實施方式的一例的縱剖視圖。
[0020]本實施方式的加熱器為具備由陶瓷構成的絕緣基體I和埋設于絕緣基體I的導體線路2的加熱器，導體線路2含有導體粒子和陶瓷粒子，導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比絕緣基體I中的陶瓷粒子的平均粒徑小。
[0021]本實施方式的加熱器的絕緣基體I例如為形成棒狀的絕緣基體。該絕緣基體I被覆于導體線路2，換言之，導體線路2埋設于絕緣基體I。在此，優選絕緣基體I由陶瓷構成，由此，與金屬相比能夠耐高溫，因此能夠提供快速升溫時的可靠性提高的加熱器。具體而言，能夠舉出氧化物陶瓷、氮化物陶瓷、碳化物陶瓷等具有電絕緣性的陶瓷。尤其，優選絕緣基體I由氮化硅質陶瓷構成。這是因為就氮化硅質陶瓷而言，作為主成分的氮化硅在高強度、高韌性、高絕緣性及耐熱性方面優異。該氮化硅質陶瓷例如能夠通過如下方式得到，即，相對于主成分的氮化硅，混合3?12質量％的Y203、Yb203、Er203等稀土類元素氧化物作為燒結助劑、0.5?3質量％的Al2O3,而且以燒結體所含有的SiO2量為1.5?5質量％的方式混合SiO2，形成規定的形狀之后例如在1650?1780°C進行熱壓燒成。
[0022]另外，在使用由氮化硅質陶瓷構成的基體作為絕緣基體I的情況下，優選混合MoSi2, WSi2等且使其分散。在該情況下，能夠使作為母材料的氮化硅質陶瓷的熱膨脹率接近導體線路2的熱膨脹率，從而能夠提高加熱器的耐久性。
[0023]導體線路2例如由形成折回形狀的電阻體3和在前端側與電阻體3連接且在后端側導出于絕緣基體I的表面的一對引線4構成。
[0024]電阻體3尤其具有作為發熱的區域的發熱部31，通過設置使一部分截面積較小形成的區域或螺旋形狀的區域，能夠將該區域設為發熱部。在電阻體3形成為圖1所示那樣的折回形狀的情況下，折回的中間點附近成為最發熱的發熱部31。
[0025]作為該電阻體3，能夠使用將W、Mo、Ti等金屬或碳化物、氮化物、硅化物等作為主成分的材料。在絕緣基體I為上述的材料的情況下，在與絕緣基體I的熱膨脹率的差小的方面、具有高耐熱性的方面及電阻率小的方面，在上述的材料中尤其碳化鎢(WC)作為電阻體3的材料優異。進而，在絕緣基體I由氮化硅質陶瓷構成的情況下，優選電阻體3以無機導電體的WC作為主成分，且在此添加的氮化硅的含有率為20質量％以上。例如，在由氮化硅質陶瓷構成的絕緣基體I中，成為電阻體3的導體成分與氮化硅相比熱膨脹率大，因此通常處于施加了拉伸應力的狀態。對此，通過在電阻體3中添加氮化硅，使電阻體3的熱膨脹率接近絕緣基體I的熱膨脹率，則能夠緩和由于加熱器的升溫時及降溫時的熱膨脹率的差而引起的應力。
[0026]另外，在電阻體3所含有的氮化硅的含量為40質量％以下時，能夠較小地形成電阻體3的電阻值且使其穩定。因此，優選電阻體3所含有的氮化硅的含量為20質量％?40質量％。更加優選氮化硅的含量為25質量％?35質量％。另外，作為同樣向電阻體3添加的添加物，也能夠代替氮化硅而添加4質量％?12質量％的氮化硼。
[0027]另夕卜，電阻體3的厚度例如是0.5mm?1.5mm為佳，電阻體3的寬度例如是0.3_?1.3_為佳。通過設為該范圍內，電阻體3的電阻變小成為效率良好地發熱的電阻體，另外，能夠保持層疊結構的絕緣基體I的層疊界面的密合性。
[0028]就前端側與電阻體3的端部連接的引線4而言，能夠使用與將W、Mo、Ti等的金屬或碳化物、氮化物、硅化物等作為主成分的電阻體3相同的材料。尤其，在與絕緣基體I的熱膨脹率的差小的方面、具有高耐熱性的方面及電阻率小的方面優選WC作為引線4的材料。另外，在絕緣基體I由氮化硅質陶瓷構成的情況下，優選引線4以無機導電體的WC為主成分，且在其中以含量成為15質量％以上的方式添加氮化硅。隨著氮化硅的含量增加，能夠使引線4的熱膨脹率接近構成絕緣基體I的氮化硅的熱膨脹率。另外，在氮化硅的含量為40質量％以下時，引線4的電阻值變小且穩定。因此，優選氮化硅的含量為15質量％?40質量％。更加優選氮化娃的含量為20質量％?35質量％。需要說明的是,可以通過與電阻體3相比更少地設定絕緣基體I的形成材料的含量的方法使引線4與電阻體3相比每單位長度的電阻值變低，也可以與電阻體3相比更大地形成截面積而使引線4與電阻體3相比每單位長度的電阻值變低。
[0029]并且，導體線路2含有導體粒子和陶瓷粒子，導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比絕緣基體I中的陶瓷粒子的平均粒徑小。
[0030]在此，導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑是絕緣基體I中的陶瓷粒子的平均粒徑的10%以上且80%以下、優選是30%以上且60%以下為佳。由于是10%以上，即使在導體線路2所含有的陶瓷粒子和絕緣基體I中的陶瓷粒子直接接觸的部位，也能夠抑制應力施加時在粒徑較小的陶瓷粒子產生裂縫，而由于是80%以下，如后述能夠抑制高頻侵入導體線路2的內部。
[0031]該陶瓷粒子的平均粒徑如以下那樣測定即可。在埋設有導體線路2的任意的部位切斷加熱器，在用掃描電子顯微鏡(SEM)或金屬顯微鏡觀察截面部分而得到的觀察圖像上劃出任意的五根直線，從橫穿過該直線的粒子50個份兒的距離的平均值求出平均粒徑。另夕卜，代替于上述那樣的弦長法(chord length method),也能夠用Nireco公司制圖像分析裝置LUZEX-DS ( 二 > -社製畫像解析裝置LUZEX-FS)求出平均粒徑。
[0032]通過設為這樣的結構，導體線路2含有導體粒子和陶瓷粒子，因此能夠使導體線路2的熱膨脹系數接近絕緣基體I的熱膨脹系數，從而減少施加于界面的力。
[0033]另外，能夠消除以下的問題點。即，即使在應力施加于界面的狀態下加熱器的加熱也進展，導體線路2的內部的陶瓷粒子與周圍的導體粒子的加熱對應而開始熱膨脹，因此由于先加熱的導體線路2的表層部的陶瓷粒子因為熱膨脹而變得比其他區域的陶瓷粒子大，在導體線路2和絕緣基體I的界面產生的應力集中于導體線路2的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間，在陶瓷粒子和導體粒子之間產生微裂紋等，有產生電阻值變化的問題之虞。
[0034]對此，在本發明中，導體線路2所含有的陶瓷粒子的粒徑比絕緣基體I中的陶瓷粒子的粒徑小，因此即使電力剛沖擊之后與絕緣基體I相比導體線路2先加熱而導體線路2所含有的陶瓷粒子開始熱膨脹，也能夠抑制比絕緣基體2所含有的陶瓷粒子變大的狀況，從而與施加于導體線路表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間的力相比，施加于導體線路2周圍的絕緣基體I中的陶瓷粒子的力更大。其結果是，在導體線路2表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間不易產生微裂紋，從而電阻值不易變化。進而，用陶瓷粒子的燒結體構成的絕緣基體I與導體線路2相比強度更強，因此在導體線路2周圍的陶瓷粒子也不易產生微裂紋
坐寸ο
[0035]進而，也能夠解除以下的問題點。即，為了最佳化發動機的燃燒狀態，作為加熱器的驅動方法采用使自ECU的控制信號脈沖化的驅動方法。并且，作為脈沖驅動較多地使用矩形波，在脈沖的立起部分含有高頻成分，因此有該高頻成分在埋設于加熱器的導體線路的表面部傳輸的特征。然而，在導體線路中所含有的陶瓷粒子的粒徑與絕緣基體的粒徑相同或更大的情況下，傳輸的高頻波成分不僅傳輸于導體線路的表面，也將導體線路中的陶瓷粒子和導體粒子的邊界面當作導體線路的表面識別而要向導體線路的內部傳輸。因此，傳輸損失變多，作為高頻成分誤入的區域的導體線路的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間加熱，沿著陶瓷粒子和導體粒子的邊界面產生微裂紋，從而有產生電阻值變化的問題。
[0036]對此，通過本發明為上述的結構，即使在使用矩形波作為脈沖驅動的情況下，脈沖的立起部分所含有的高頻成分不將導體線路2中的陶瓷粒子和導體線路的邊界面當作為導體線路2表面識別而僅傳輸于導體線路2表面。尤其，若導體線路2所含有的陶瓷粒子的粒徑為絕緣基體I的陶瓷粒徑的80%以下，則高頻不誤入導體線路2內部。其結果是，抑制導體線路2的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間加熱或者沿陶瓷粒子和導體粒子的邊界面產生微裂紋等，從而電阻值不易變化。
[0037]因此，即使盡管脈沖驅動、DC驅動而電力沖擊的立起變得陡峭，在導體線路2表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間不產生微裂紋等，從而長期間電阻穩定。由此，提高加熱器的可靠性及耐久性。
[0038]在此，優選在導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑中，與接近于和所述絕緣基體I的界面的表層部相比，內側的陶瓷粒子的平均粒徑更小。通過設為這樣的結構，電力剛沖擊后，即使力施加于導體線路2和絕緣基體I的界面，就表面積和體積均較小的粒子而言，應力通過粒子的傳播時間短，因此能夠在更短時間通過晶格振動使應力向粒子的外側的所有方向分散，所以應力能夠朝向在導體線路2的橫截面觀察的中央分散，導體線路2的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間微裂紋等更不易產生，從而電阻值更不易變化。需要說明的是，在導體線路2的橫截面為圓形的情況下，導體線路2的直徑例如為10 μ m?2_，表層部例如為Iym?IOOym的厚度且成為從表面至直徑的0.5?10%的距離的厚度。
[0039]另外，導體線路2所含有的陶瓷的晶粒的平均粒徑在接近于絕緣基體I的界面的表層部為0.2?10 μ m，在比此靠內側，成為與表層部相比較小的70?80%的大小，這是有效的。
[0040]另外，優選導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比導體線路2所含有的導體粒子的平均粒徑小。通過設為這樣的結構，在電力剛沖擊之后，即使力施加于導體線路2和絕緣基體I之間的界面，導體線路2內部的導體粒子彼此傳播應力，因此應力不在導體線路2的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間傳播，不產生微裂紋等，從而電阻值不變化。這時因為在晶粒內的晶格振動中，與陶瓷粒子相比導體粒子的晶格振動更加激烈振動，因此導體粒子彼此能夠更加快速傳播應力。
[0041]尤其，在導體線路2中所含有的陶瓷粒子彼此隔離分散的情況下，若導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑為導體粒子的平均粒徑的70%以下，則能夠用導體粒子被覆幾乎所有的導體線路2的表面，因此，高頻不誤入內部。其結果是，能夠更加抑制導體線路2的表層部的陶瓷粒子和導體粒子之間加熱或者沿陶瓷粒子和導體粒子的邊界面產生微裂紋等，從而電阻值更加不易變化。
[0042]進而，優選導體線路2含有Cr，且Cr的含量以氧化物換算為1父10_6質量％?IXKT1質量％。這是因為若將導體線路2局部加熱至產生微裂紋的溫度，則Cr電離化而作為導體粒子的燒結助劑發揮作用。尤其，施加裂縫的能量，且在加熱容易集中的裂紋前端部，導體粒子的燒結容易進展，因此能夠抑制裂紋伸展。若Cr的含量以氧化物換算不足IX 10_6質量％，則裂紋前端部的導體粒子的燒結幾乎不進展，因此優選為IX 10_6質量％以上。另外，若Cr的含量以氧化物換算超過IX 10—1質量％，則在使加熱器燒結的工序中促進導體線路2中所含有的陶瓷粒子的粒生長，成為絕緣基體I的陶瓷粒子以上的大小，因此優選為IXKT1質量％以下。
[0043]尤其，若為I X 10_6質量％?I X 10_2質量％，則即使長期間使用加熱器，Cr離子也不開始向陰極側移動，因此成為非常穩定的加熱器。
[0044]需要說明的是，即使如圖2所示在電阻體3為用金屬絲構成的情況下或如圖3所示引線4的一部分為用金屬絲構成的情況下，也產生以上說明的效果，但若在加熱器加熱中從外部施加較強的沖擊，則在金屬絲和絕緣基體I的界面，施加有金屬絲的滑動變形的應力，剪切應力施加于金屬絲和絕緣基體I的界面，因此在如圖1所示構成導體線路2的電阻體3、引線4均含有導體粒子和陶瓷粒子的晶粒的情況為應力緩和效應最大，從而優選。
[0045]優選本實施方式的加熱器作為具備上述結構的任一個所述的加熱器和與導體線路2(引線4)電連接且保持加熱器的金屬制保持部件的火花塞使用。
[0046]具體而言，如圖4所示，優選加熱器作為具備與加熱器的一個引線4電連接的金屬制保持部件5(護套件)和與加熱器的另一個引線4電連接的電線的火花塞使用，其中，該加熱器的棒狀的絕緣基體I的內部埋設有形成折回形狀的電阻體3，并且一對引線4分別與電阻體3的兩端部電連接且被埋設。
[0047]需要說明的是，金屬制保持部件5(護套件)為保持加熱器的金屬制的筒狀體，用焊料等與在絕緣基體I的側面引出的一個引線4接合。另外，用焊料等將電線接合于另一個引線4。由此，即使在高溫的發動機中反復ON / OFF而長期使用，加熱器的電阻也不變化，因此，任何時候均能夠提供可點燃性優異的火花塞。
[0048]下面，對本實施方式的加熱器的制造方法進行說明。[0049]本實施方式的加熱器I例如能夠通過噴射成形法等形成，該噴射成形法使用構成導體線路2的電阻體3和引線4及絕緣基體I的形狀的模具。
[0050]首先，制作含有導電性陶瓷粉末、樹脂粘合劑等的、成為電阻體3及引線4的導電性膏劑，并且制作含有絕緣性陶瓷粉末、樹脂粘合劑等的成為絕緣基體I的陶瓷膏劑。
[0051]此時，將在成為構成導體線路2的電阻體3和引線4的導電性膏劑中添加的絕緣性陶瓷粉末的粒徑設定得比在構成絕緣基體I的膏劑中添加的絕緣性陶瓷粉末的粒徑小。
[0052]另外在使用在成為構成導體線路2的電阻體3和引線4的導電性膏劑中添加的絕緣性陶瓷粉末的粒徑與在構成絕緣基體I的膏劑中添加的絕緣性陶瓷粉末的粒徑相同的陶瓷膏劑的情況下，導體線路2的燒結工序時在抑制導體線路2所含有的陶瓷粒子的粒生長的同時，添加用于促進導體粒子的粒生長的燒結助劑。例如在將Cr作為燒結助劑使用的情況下，優選含量以氧化物換算為1父10_6質量％?IXKT1質量％。
[0053]需要說明的是，在導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑中，為了形成與接近于和導體線路2的絕緣基體I的界面的表層部相比使內側的陶瓷粒子的平均粒徑小的構成，使構成絕緣基體I的絕緣性陶瓷粉末的燒結開始溫度與構成導體線路2的絕緣性陶瓷粉末的燒結開始溫度相比為低溫，且與導體線路2相比先開始燒結構成絕緣基體I的絕緣性陶瓷粉末即可。
[0054]為此，形成使構成絕緣基體I的絕緣性陶瓷粉末的燒結助劑的添加量比導體線路2所含有的絕緣性陶瓷粉末的燒結助劑的添加量多。或導體線路2的燒結工序時在抑制導體線路2所含有的陶瓷粒子的粒生長的同時，促進導體粒子的粒生長，例如將Cr作為燒結助劑使用為佳。
[0055]由此，即使在構成絕緣基體I的絕緣性陶瓷粉末燒結時形成的液相成分向導體線路2擴散而導體線路2的內側存在的絕緣性陶瓷粉末不能燒結的溫度，接觸了液相成分的表層部的絕緣性陶瓷粉末開始燒結，其結果是，在導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑中，成為與接近于和絕緣基體I的表層部相比靠內側的陶瓷粒子的平均粒徑小的構成。
[0056]另外，要將導體線路2所含有的陶瓷粒子的平均粒徑形成比導體線路2所含有的導體粒子的平均粒徑小的結構，除了一開始就使用導體粒子的平均粒徑大的粉末以外，導體線路2的燒結工序時在抑制導體線路2所含有的陶瓷粒子的粒生長的同時促進導體粒子的粒生長，例如將Cr作為燒結助劑即可。這是因為由于與導體線路2所含有的陶瓷粒子彼此燒結相比先使導體粒子的燒結先行，在導體線路2所含有的陶瓷粒子彼此之間導體粒子較大地生長，從而使陶瓷粒子彼此結合的距離變大而阻礙粒生長。
[0057]接著，用噴射成形等使用導電性膏劑形成成為電阻體3的規定圖案的導電性膏劑的成形體(成形體a)。并且，在將成形體a保持于模具內的狀態下，將導電性膏劑填充于模具內而形成成為引線4的規定圖案的導電性膏劑的成形體(成形體b)。由此，成形體a和與該成形體a連接的成形體b成為保持于模具內的狀態。
[0058]接著，在將成形體a及成形體b保持于模具內的狀態下，將模具的一部分更換成絕緣基體I的成形用的模具，之后將成為絕緣基體I的陶瓷膏劑填充于模具內。由此，得到用陶瓷膏劑的成形體(成形體C)覆蓋成形體a及成形體b的加熱器的成形體(成形體d)。
[0059]接著，通過將得到的成形體d例如在1650°C?1780°C的溫度、30MPa?50MPa的壓力下燒成而能夠制作加熱器。需要說明的是，優選燒成在氫氣等非氧化性氣體氣氛中進行。[0060]【實施例】
[0061]以使本發明的實施例的加熱器成為圖1的形狀的方式如下制作。
[0062]首先，在樣品號I中準備碳化鎢(WC)粉末50質量％、在樣品號2、3中準備以將Cr用氧化物換算成為IX 10_3質量％的方式添加的碳化鎢(WC)粉末50質量％、進而準備三種粒徑的氮化硅(Si3N4)粉末，將含有其35質量％、樹脂粘合劑15質量％的導電性膏劑在模具內噴射成形而制作了成為電阻體的成形體a。[0063]接著，在將該成形體a保持于模具內的狀態下，將成為引線的上述導電性膏劑填充于模具內，由此形成與成形體a連接且成為引線的成形體b。
[0064]接著，在將成形體a及成形體b保持于模具內的狀態下，將含有氮化硅(Si3N4)粉末85%質量％、作為燒結助劑的鐿(Yb)的氧化物(Yb2O3) 10質量％、用于使熱膨脹率接近電阻體及引線的碳化鎢(WC)5質量％的陶瓷膏劑在模具內噴射成形。由此形成了在成為絕緣基體的成形體c中埋設有成形體a及成形體b的結構的成形體d。
[0065]接著，將得到的成形體d放入圓筒狀的碳制模具后，在由氮氣構成的非氧化氣體氣氛中且在1700°C、35MPa的壓力下進行熱壓燒結而制作成加熱器。在將露出于得到的燒結體的表面的引線端部(端子部)焊接筒狀的金屬制保持部件(護套件)而制作火花塞。
[0066]需要說明的是，絕緣基體的橫截面外周形狀為圓形，電阻體及引線的絕緣基體的橫截面外周形狀為橢圓形。并且，絕緣基體的直徑為3.5mm,電阻體及引線的長軸為1.3mm,短軸為0.6mm。
[0067]將脈沖波形發生器連接于該火花塞的電極，將施加電壓7V、脈沖寬度10μ S、脈沖間隔1μ s的矩形脈沖連續通電。經過1000小時后，測定了通電前后的電阻值的變化率((通電后的電阻值-通電前的電阻值)/通電前的電阻值)。將該結果表示于表1。
[0068]【表1】
【權利要求】
1.一種加熱器，其特征在于，具備: 絕緣基體,其由陶瓷構成； 導體線路，其埋設于該絕緣基體； 所述導體線路含有導體粒子和陶瓷粒子， 所述導體線路所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比所述絕緣基體中的陶瓷粒子的平均粒徑小。
2.根據權利要求1所述的加熱器，其特征在于， 在所述導體線路所含有的陶瓷粒子的平均粒徑中，與接近于和所述絕緣基體的界面的表層部相比，內側的陶瓷粒子的平均粒徑更小。
3.根據權利要求1或2所述的加熱器，其特征在于， 所述導體線路所含有的陶瓷粒子的平均粒徑比所述導體線路所含有的導體粒子的平均粒徑小。
4.根據權利要求1?3中任一項所述的加熱器，其特征在于， 所述導體線路含有Cr，且該Cr的含量以氧化物換算為1父10_6質量％?I X KT1質量％。
5.—種火花塞,其特征在于,具備: 權利要求1所述的加熱器； 與所述導體線路電連接且保持所述加熱器的金屬制保持部件。
【文檔編號】H05B3/12GK103843454SQ201280047870
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年9月29日 優先權日:2011年9月29日
【發明者】岡村健 申請人:京瓷株式會社