陰陽銅箔電路板的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟：提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；在經過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進行蝕刻操作；將陰陽銅箔板件第一面上的保護膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進行蝕刻操作；將陰陽銅箔板件第二面上的保護膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進行退膜，獲得蝕刻后的陰陽銅箔電路板。通過該方法能夠有利于避免蝕刻陰陽銅箔時出現蝕刻過度或蝕刻不足等情況，也能避免傳統蝕刻方法中出現的無法蝕刻或板面出現殘銅、線小等情況，從而能夠提高產品的合格率。
【專利說明】陰陽銅箔電路板的制作方法【技術領域】
[0001]本發明涉及一種陰陽銅箔電路板的制作方法。
【背景技術】
[0002]精細線路的制作中蝕刻是最關鍵也是最困難的部分。隨著PCB (Printed CircuitBoard，印刷電路板)行業的發展，其對精細線路的要求越來越高，而對于陰陽銅(一塊芯板的兩面銅厚不一致)板而言，其兩面銅厚不一致，且在同一個板內往往存在不同尺寸線寬與間距，線路間“溝槽”的縱橫比(=(銅厚+抗蝕層厚度)/線間距)不同，造成擴散層厚度的不同，若在同樣蝕刻條件下，會造成厚銅面及小間距尺寸部分蝕刻合適，而薄銅面及大間距尺寸處過度蝕刻(或側蝕嚴重)；或者，薄銅面及大間距尺寸處蝕刻合適，而厚銅面及小間距尺寸處出現蝕刻不足或蝕刻不凈的情況，兩面銅厚蝕刻難以達到要求。
[0003]對于陰陽銅蝕刻問題，通常有兩種方案:一種方案是根據兩面底銅的不同時行分別補償，然后兩面同時進行蝕刻，其主要通過工程對設計線寬進行補償來實現，而對于小間距精細線路制作而言，存在補償后銅薄的一面線寬間距不足，從而無法蝕刻的現象；另一種方案則是兩面各按照底銅實際厚度進行補償，蝕刻過程中通過調節藥水噴頭壓力、蝕刻速度以及噴頭數量等方式，從而一次完成雙面蝕刻。此法雖可以一次將雙面板進行蝕刻完成，但蝕刻過程中要對蝕刻速度、噴頭壓力以及噴頭數量等參數進行調節，較為耗時，而且板面通常還會出現殘銅、線小等缺陷。
【發明內容】
[0004]基于此，本發明在于克服現有技術的缺陷，提供一種陰陽銅箔電路板的制作方法，通過該方法能夠有效提高產品的合格率。
[0005]其技術方案如下:
[0006]一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟:
[0007]提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；
[0008]在經過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進行蝕刻操作；
[0009]將陰陽銅箔板件第一面上的保護膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進行蝕刻操作；
[0010]將陰陽銅箔板件第二面上的保護膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進行退膜，獲得陰陽銅箔電路板。
[0011]本發明通過采用一種保護膜，在蝕刻過程中對陰陽銅箔板件的線路進行保護，以實現對陰陽銅箔板件進行單面蝕刻，在單面蝕刻過程中可根據需要設置蝕刻條件達到最佳蝕刻狀態，能夠有利于避免蝕刻陰陽銅箔時出現蝕刻過度或蝕刻不足等情況，也能避免傳統蝕刻方法中出現的無法蝕刻或板面出現殘銅、線小等情況，從而能大幅度提高陰陽銅箔電路板的可制造性，提聞廣品的合格率。
[0012]優選地，在貼保護膜后，進行空壓操作。
[0013]優選地，在進行空壓操作的步驟中，空壓的壓力設為1.5-2.5kg，空壓的溫度設為IOO0C -120。。。
[0014]優選地，在蝕刻的步驟中，蝕刻速度控制為0.8-5m / min，并將蝕刻面朝下。將蝕刻面朝下，其目的在于減小水池效應。
[0015]優選地，對IOZ以上的底銅進行至少兩次蝕刻。
[0016]優選地，所述的保護膜為聚酯保護膜。此類聚酯保護膜可以耐顯影藥水、酸性蝕刻藥水以及退膜藥水的化學腐蝕；而且此類保護膜還具有一定的粘性，實際應用時牢牢地粘附在板面上，以阻擋藥水對板面的沖擊，而且使用完成后容易從板面上撕掉，撕掉后不會對板面產生污染。
[0017]優選地，在貼感光膜的步驟中，貼膜壓力設為60+ / -5PSI，貼膜溫度設為110+ / -10°c，貼膜速度設為 1.2-1.6mm / min。
[0018]優選地，在貼感光膜的步驟中，感光膜采用LDI專用干膜；在曝光的步驟中，采用LDI曝光，且曝光能級設為7-8級。
[0019]優選地，在顯影的步驟中，顯影前作顯影點測試，顯影點設為40% -60%，并將顯影速度設為2_3m / min。
[0020]優選地，在對感光膜進行退膜的步驟中，退膜速度控制為1.0-4.5m / min。
[0021]本發明的有益效果在于:
[0022](I)本發明有利于避免出現陰陽銅板件因雙面補償線后間距不足而無法蝕刻的問題，從而增加陰陽銅箔電路板的可制造性。
[0023](2)本發明有利于避免傳統方法的陰陽銅蝕刻過程中因調節設備參數蝕刻所帶來的殘銅、線小等缺陷，能提聞生廣合格率。
[0024](3)本發明可以解決各種陰陽銅板件的蝕刻問題，且不影響較小線寬線距的制作。【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1是本發明實施例所述陰陽銅箔電路板的制作流程圖。
【具體實施方式】
[0026]下面對本發明的實施例進行詳細說明:
[0027]如圖1所示，一種陰陽銅箔電路板的制作方法，包括以下步驟:
[0028]提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進行貼感光膜、曝光和顯影等蝕刻前操作；
[0029]在經過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進行蝕刻操作；
[0030]將陰陽銅箔板件第一面上的保護膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進行蝕刻操作；
[0031]將陰陽銅箔板件第二面上的保護膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進行退膜，獲得蝕刻后的陰陽銅箔電路板。[0032]實施例一
[0033]上述陰陽銅箔電路板可為內層陰陽銅芯板，針對此種內層芯板，其具體制作流程如下:
[0034]S1、對內層陰陽銅芯板按照常規的補償方法進行補償；
[0035]對于0.50Z的銅箔，單邊補償0.2mil ；10Z的銅箔則補償0.5mil。如補償后間距不足，可使用動態補償進行制作。
[0036]S2、對補償后的板件進行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0037]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進行貼感光膜操作。
[0038]在該步驟中貼膜壓力設為55PSI，貼膜溫度設為100°C ;貼膜速度設為1.2mm /min0
[0039]S4、對貼感光膜后的內層芯板采用LDI曝光，曝光能級為7級。
[0040]S5、對曝光后的板件進行顯影操作，顯影速度設為2m / min。其中，顯影前做顯影點測試，顯影點為40%。
[0041]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護膜；板面貼完保護膜后，則進行空壓，且空壓壓力設為1.5kg ;空壓溫度設為100°c;然后對板件的第二面進行常規蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用0.8m / min，蝕刻次數為兩次，1z銅箔則使用0.8m / min的蝕刻速度作四次蝕刻，另外蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0042]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護膜，并對板件的第二面貼上保護膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用0.8m / min，蝕刻次數為兩次，1z銅箔則使用0.8m / min的蝕刻速度作四次蝕刻，且在蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0043]S8、蝕刻結束后，撕掉板件第二面上的保護膜，并將板件第一面和第二面上同時進行感光膜退膜，且退膜速度控制為1.0m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0044]實施例二
[0045]上述陰陽銅箔電路板依然為內層陰陽銅芯板，針對該內層芯板，根據需要采用不同的參數進行制作，其具體制作流程如下:
[0046]S1、對內層陰陽銅芯板按照常規的補償方法進行補償；
[0047]對于0.50Z的銅箔，單邊補償0.2mil ；10Z的銅箔則補償0.5mil。如補償后間距不足，可使用動態補償進行制作。
[0048]S2、對補償后的板件進行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0049]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進行貼感光膜操作。
[0050]在該步驟中貼膜壓力設為65PSI，貼膜溫度設為120°C ;貼膜速度設為1.6mm /min。
[0051]S4、對貼感光膜后的內層芯板采用LDI曝光，曝光能級為8級。
[0052]S5、對曝光后的板件進行顯影操作，顯影速度設為3m / min。其中，顯影前做顯影點測試，顯影點為60%。
[0053]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護膜；板面貼完保護膜后，則進行空壓，且空壓壓力設為2.5kg ;空壓溫度設為120°C;然后對板件的第二面進行常規蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用5m / min，loz銅箔則使用5m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，另外蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0054]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護膜，并對板件的第二面貼上保護膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用5m / min，loz銅箔則使用5m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，且在蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0055]S8、蝕刻結束后，撕掉板件第二面上的保護膜，并將板件第一面和第二面上同時進行感光膜退膜，且退膜速度控制為4.5m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0056]實施例三
[0057]上述陰陽銅箔電路板可為外層層壓板，針對外層層壓板的蝕刻制作，其具體制作流程如下:
[0058]S1、對外層層壓板按照常規的補償方法進行補償；
[0059]對于0.50Z的銅箔，單邊補償0.2mil ；10Z的銅箔則補償0.5mil。如補償后間距不足，可使用動態補償進行制作。
[0060]S2、對補償后的板件進行前處理，以除去板面臟污以及粗化銅面，增大銅面的比表面積，從而增加干膜與板面的附著力。
[0061]S3、使用LDI專用干膜對前處理后的板件進行貼感光膜操作。
[0062]在該步驟中貼膜壓力設為60PSI，貼膜溫度設為110°C ;貼膜速度設為1.4mm /min。
[0063]S4、對貼感光膜后的外層層壓板采用LDI曝光，曝光能級為7_8級。
[0064]S5、對曝光后的板件進行顯影操作，顯影速度設為2.6m / min。其中，顯影前做顯影點測試，顯影點為50%。
[0065]S6、對顯影后的板件的第一面貼保護膜；板面貼完保護膜后，則進行空壓，且空壓壓力設為2kg ;空壓溫度設為120°C;然后對板件的第二面進行常規蝕刻，且0.5oz的銅箔蝕刻速度采用3.1m / min, 1z銅箔則使用3.1m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，另外蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0066]S7、板件的第二面蝕刻后先不要進行感光膜退膜；然后撕掉板件第一面上的保護膜，并對板件的第二面貼上保護膜，再蝕刻出板件第一面的線路圖形。其中，0.5oz的銅箔蝕刻速度采用3.1m / min, 1z銅箔則使用3.1m / min的蝕刻速度作兩次蝕刻，且在蝕刻時，將蝕刻面朝下，以減小水池效應。
[0067]S8、蝕刻結束后，撕掉板件第二面上的保護膜，并將板件第一面和第二面上同時進行感光膜退膜，且退膜速度控制為1.8m / min，則退膜后得到蝕刻后的線路圖形。
[0068]上述實施例一至實施例三的保護膜均為聚酯保護膜。此類聚酯保護膜可以耐顯影藥水、酸性蝕刻藥水以及退膜藥水的化學腐蝕；而且此類保護膜還具有一定的粘性，實際應用時牢牢地粘附在板面上，以阻擋藥水對板面的沖擊，而且使用完成后容易從板面上撕掉，撕掉后不會對板面產生污染。
[0069]以上所有實施例均具有以下優點或原理:
[0070]1、上述實施例均有利于避免出現陰陽銅板因雙面補償線后間距不足而無法蝕刻的情況，從而增加陰陽銅箔板件的可制造性。
[0071]2、上述實施例均有利于避免傳統方法的陰陽銅蝕刻過程中因調節設備參數蝕刻所帶來的殘銅、線小等缺陷，從而有利于提高生產合格率。
[0072]3、上述實施例可以解決相應陰陽銅板件的蝕刻問題，且不影響較小線寬線距的制作。
[0073]以上所述實施例僅表達了本發明的【具體實施方式】，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供一種陰陽銅箔板件，對該陰陽銅箔板件依次進行貼感光膜、曝光和顯影的蝕刻前操作； 在經過蝕刻前操作的陰陽銅箔板件的第一面上貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第二面進行蝕刻操作； 將陰陽銅箔板件第一面上的保護膜去掉，并在陰陽銅箔板件的第二面貼上保護膜，再對陰陽銅箔板件的第一面進行蝕刻操作； 將陰陽銅箔板件第二面上的保護膜去掉，并將陰陽銅箔板件上留有的感光膜進行退膜，獲得陰陽銅箔電路板。
2.根據權利要求1所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼保護膜后，進行空壓操作。
3.根據權利要求2所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在進行空壓操作的步驟中，空壓的壓力設為1.5-2.5kg，空壓的溫度設為100°C -120°C。
4.根據權利要求1所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在蝕刻的步驟中，蝕刻速度控制為0.8-5m / min，并將蝕刻面朝下。
5.根據權利要求4所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，對IOZ以上的底銅進行至少兩次蝕刻。
6.根據權利要求1至5任一項所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，所述的保護膜為聚酯保護膜。
7.根據權利要求1至5任一項所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼感光膜的步驟中，貼膜壓力設為60+ / -5PSI，貼膜溫度設為110+ / _10°C，貼膜速度設為1.2-1.6mm / min。
8.根據權利要求1至5任一項所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在貼感光膜的步驟中，感光膜采用LDI專用干膜；在曝光的步驟中，采用LDI曝光，且曝光能級設為7-8 級。
9.根據權利要求1至5任一項所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在顯影的步驟中，顯影前作顯影點測試，顯影點設為40%-60%，并將顯影速度設為2-3m / min。
10.根據權利要求1至5任一項所述的陰陽銅箔電路板的制作方法，其特征在于，在對感光膜進行退膜的步驟中，退膜速度控制為1.0-4.5m / min。
【文檔編號】H05K3/06GK103796437SQ201410040505
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年1月27日 優先權日:2014年1月27日
【發明者】袁處, 李艷國, 陳蓓 申請人:廣州興森快捷電路科技有限公司, 深圳市興森快捷電路科技股份有限公司, 宜興硅谷電子科技有限公司