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一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材的制作方法

文檔序號:41198392發布日期:2025-03-11 13:25閱讀:30來源:國知局
一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材的制作方法

本技術屬于納米防護涂層相關,具體涉及一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材。


背景技術:

1、納米涂層指納米無毒涂層的先進工藝,科技含量高的納米涂層技術。這種高科技納米涂層不僅無毒無害,還可以緩慢釋放出一種物質,降解室內甲醛、二甲苯等有害物質,凡是傳統表面涂層技術,都可以用來或者稍加改造,實現納米材料復合涂層,用于金屬基材表面的易清潔抗污耐磨納米防護涂層涂抹于金屬基材表面,但是金屬在外受到陽光暴曬時很容易降低使用壽命且因為金屬導熱很容易導致金屬內側溫度較大,本實用新型改進后,在納米外涂層的內側位置處設置有石墨烯層,石墨烯層的內側位置處設置有光譜反射鋁箔層,光譜反射鋁箔層的內側位置處設置有固化膠層,光譜反射鋁箔層通過固化膠層與金屬基材粘接連接,通過納米外涂層的光線會被光譜反射鋁箔層進行反射大部分,傳輸的熱量也會因為石墨烯層超高的導熱率而能夠快速將熱量傳導到周圍環境中,通過本實用新型改進可以有效的減小對太陽光線暴曬和加速熱量的散失,從而有效的提高金屬基層的使用壽命。


技術實現思路

1、本實用新型的目的在于提供一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,以解決上述背景技術中提出的用于金屬基材表面的易清潔抗污耐磨納米防護涂層涂抹于金屬基材表面,但是金屬在外受到陽光暴曬時很容易降低使用壽命且因為金屬導熱很容易導致金屬內側溫度較大得問題。

2、為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,包括金屬基材及其所述金屬基材上側位置處設置的上涂層;

3、所述金屬基材下側位置處設置有下涂層;

4、所述上涂層的最外側位置處設置有納米外涂層;

5、所述納米外涂層的內側位置處設置有石墨烯層,所述石墨烯層的內側位置處設置有光譜反射鋁箔層,所述光譜反射鋁箔層的內側位置處設置有固化膠層,所述光譜反射鋁箔層通過固化膠層與金屬基材粘接連接。

6、優選的,所述納米外涂層的納米顆粒為氧化鋁材料,其中納米外涂層的聚合物為丙烯酸酯,其溶劑為甲醇,且其中含有成膜劑。

7、優選的,所述金屬基材的底側位置處設置有鈍化層,所述鈍化層是使金屬表面轉化為不易被氧化的狀態。

8、優選的,所述鈍化層的底側位置處設置有底漆層,所述底漆層為聚氨酯漆。

9、優選的,所述底漆層的底部位置處設置有面漆層,所述面漆層由固體顆粒、溶劑、樹脂組合而成。

10、與現有技術相比,本實用新型提供了一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,具備以下有益效果:

11、1、在用于金屬基材表面的易清潔抗污耐磨納米防護涂層中,納米外涂層的內側位置處設置有石墨烯層,石墨烯層的內側位置處設置有光譜反射鋁箔層,光譜反射鋁箔層的內側位置處設置有固化膠層,光譜反射鋁箔層通過固化膠層與金屬基材粘接連接,通過納米外涂層的光線會被光譜反射鋁箔層進行反射大部分,傳輸的熱量也會因為石墨烯層超高的導熱率而能夠快速將熱量傳導到周圍環境中,通過本實用新型改進可以有效的減小對太陽光線暴曬和加速熱量的散失,從而有效的提高金屬基層的使用壽命。



技術特征:

1.一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,包括金屬基材(1)及其所述金屬基材(1)上側位置處設置的上涂層(2);

2.根據權利要求1所述的一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,其特征在于:所述金屬基材(1)的底側位置處設置有鈍化層(8),所述鈍化層(8)是使金屬表面轉化為不易被氧化的狀態。

3.根據權利要求2所述的一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,其特征在于:所述鈍化層(8)的底側位置處設置有底漆層(9),所述底漆層(9)為聚氨酯漆。

4.根據權利要求3所述的一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,其特征在于:所述底漆層(9)的底部位置處設置有面漆層(10)。


技術總結
本技術公開了一種表面帶有易清潔抗污耐磨納米防護涂層的金屬基材,包括金屬基材及其金屬基材上側位置處設置的上涂層;金屬基材下側位置處設置有下涂層;上涂層的最外側位置處設置有納米外涂層;納米外涂層的內側位置處設置有石墨烯層,石墨烯層的內側位置處設置有光譜反射鋁箔層,光譜反射鋁箔層的內側位置處設置有固話膠層,光譜反射鋁箔層通過固話膠層與金屬基材粘接連接,通過納米外涂層的光線會被光譜反射鋁箔層進行反射大部分,傳輸的熱量也會因為石墨烯層超高的導熱率而能夠快速將熱量傳導到周圍環境中,通過本技術改進可以有效的減小對太陽光線暴曬和加速熱量的散失,從而有效的提高金屬基層的使用壽命。

技術研發人員:金宇,王洋,朱慧
受保護的技術使用者:蘇州普耀光電材料有限公司
技術研發日:20231225
技術公布日:2025/3/10
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