一種非易失存儲器的數據恢復方法和裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體存儲器技術領域，特別是涉及一種非易失存儲器的數據恢復方法和裝置。
【背景技術】
[0002]隨著各種電子裝置及嵌入式系統的迅速發展和廣泛應用，如計算機、個人數字助理、移動電話、數字相機等，大量需要一種能多次編程，容量大，讀寫、擦除快捷、方便、簡單，外圍器件少，價格低廉的非易失性(在無電源供應情況下的數據保持性)的存儲器件。非易失性存儲器件就是在這種背景需求下應運而生的。一個非易失存儲器由存儲單元(cell)組成，一個存儲單元可以包括源極(S，source)，漏極(D，drain)，柵極(G，gate)，p型襯底(pwell)，控制柵(CG，ControlGate)以及浮柵(FG，floating gate)，FG 可用于接電壓。
[0003]參見圖1，示出了現有技術一種NOR Flash存儲數據的結構示意圖，其中，通過四端的浮柵來存儲數據，浮柵中存儲的電荷量表示存儲的信息，較多電荷量時表示存“0”，較少電荷量時表示存“I”，在斷電的時候也不會丟失數據。但是，在NOR Flash執行擦除指令的過程中，可能會因為擦除應力導致不必要的存儲單元產生電壓閾值退化。
[0004]為了解決上述問題，現有方案在對NOR Flash執行擦除指令的過程中執行數據恢復(Recovery)操作，旨在防止因擦除應力導致不必要的存儲單元產生閾值退化。
[0005]然而，隨著時間的推移，由于存儲單元不具有理想的數據保持能力，浮柵中的電子會不斷地從溝道漏走，而電荷數目的減少會引起閾值電壓的降低。這樣，對于長久未進行擦除的塊，其中的存儲單元可能會產生明顯的電壓閾值退化，當對這些塊進行讀操作時，丟失了大量浮柵電荷的單元存儲的信息就會由“O”變成“1”，從而可能引起存儲信息的誤讀，影響NOR Flash數據的可靠性。
【發明內容】
[0006]本發明實施例所要解決的技術問題是提供一種非易失存儲器的數據恢復方法和裝置，能夠提高長期未進行擦除和數據恢復的區域中存儲單元的數據可靠性，延長Flash的使用壽命。
[0007]為了解決上述問題，本發明公開了一種非易失存儲器的數據恢復方法，包括:
[0008]在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作。
[0009]優選地，所述在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作的步驟，包括:
[0010]針對所述讀取操作對應存儲單元，從中尋找待恢復的存儲單元；
[0011 ] 對所述待恢復的存儲單元進行數據恢復。
[0012]優選地，所述針對所述讀取操作對應存儲單元，從中尋找待恢復的存儲單元的步驟，包括:
[0013]分別利用靈敏放大器比較所述讀取操作對應存儲單元的閾值電壓與第一參考電壓和第二參考電壓的大小；
[0014]當所述閾值電壓介于所述第一參考電壓和所述第二參考電壓之間時，確定所述讀取操作對應存儲單元為待恢復的存儲單元。
[0015]優選地，所述第一參考電壓稍小于編程單元O的閾值電壓，所述第二參考電壓大于編程單元O的閾值電壓。
[0016]優選地，所述方法還包括:
[0017]當所述存儲單元的讀取操作的數據輸出完成時，停止對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作。
[0018]依據本發明的另一方面，提供了一種非易失存儲器的數據恢復裝置，包括:
[0019]數據恢復模塊，用于在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作。
[0020]優選地，所述數據恢復模塊，包括:
[0021]確定單元，用于針對所述讀取操作對應存儲單元，從中尋找待恢復的存儲單元；
[0022]恢復單元，用于對所述待恢復的存儲單元進行數據恢復。
[0023]優選地，所述確定單元，包括:
[0024]比較子單元，用于分別利用靈敏放大器比較所述讀取操作對應存儲單元的閾值電壓與第一參考電壓和第二參考電壓的大小；
[0025]確定子單元，用于當所述閾值電壓介于所述第一參考電壓和所述第二參考電壓之間時，確定所述讀取操作對應存儲單元為待恢復的存儲單元。
[0026]優選地，所述第一參考電壓稍小于編程單元O的閾值電壓，所述第二參考電壓大于編程單元O的閾值電壓。
[0027]優選地，所述裝置還包括:
[0028]終止模塊，用于當所述存儲單元的讀取操作的數據輸出完成時，停止對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作。
[0029]與現有技術相比，本發明實施例包括以下優點:
[0030]本發明在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作；WFlash為例，由于Flash的讀操作頻率遠遠大于擦除操作頻率，因此，在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段進行數據恢復，可以提高長期未進行擦除和數據恢復的區域中存儲單元的數據可靠性，延長了 Flash的使用壽命。
【附圖說明】
[0031]圖1示出了現有技術一種NOR Flash存儲數據的結構示意圖；
[0032]圖2示出了本發明的一種對讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作的步驟流程圖；
[0033]圖3示出了本發明的一種對待恢復的存儲單元施加應力電壓的示意圖；
[0034]圖4示出了本發明的一種非易失存儲器的數據恢復方法實施例三的步驟流程圖；
[0035]圖5示出了本發明的一種非易失存儲器的數據恢復方法實施例四的步驟流程圖；以及
[0036]圖6示出了本發明一種非易失存儲器的數據恢復裝置的數據恢復模塊結構框圖。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細的說明。
[0038]實施例一
[0039]本發明提供的一種非易失存儲器的數據恢復方法，具體可以包括如下步驟:
[0040]在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作。
[0041]本發明實施例可以應用于計算機、個人數字助理、移動電話、數字相機等各種使用非易失存儲器的電子裝置中，用以提高相應電子裝置數據存儲的可靠性。
[0042]現有方案在對Flash執行擦除指令的過程中增加數據恢復操作，旨在防止因擦除應力導致不必要的存儲單元產生閾值退化，然而，對于長期未進行擦除和數據恢復的區域中存儲單元的數據可靠性并不能得到保證。
[0043]本發明在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作；WFlash為例，由于Flash的讀操作頻率遠遠大于擦除操作頻率，因此，在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段進行數據恢復，可以提高長期未進行擦除和數據恢復的區域中存儲單元的數據可靠性，延長了 Flash的使用壽命。
[0044]實施例二
[0045]本實施例的非易失存儲器的數據恢復方法在上述實施例一的基礎上，進一步還可以包括如下可選技術方案。
[0046]所述在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段，對所述讀取操作對應存儲單元進行數據恢復操作的步驟，具體可以包括:
[0047]步驟201、針對所述讀取操作對應存儲單元，從中尋找待恢復的存儲單元；
[0048]本發明是在對非易失存儲器中存儲單元的讀取操作的數據輸出階段進行數據恢復操作的，假設讀取操作對應存儲單元位于一塊讀取區域，那么，待恢復的存儲單元也位于該塊讀取區域，步驟201則是從該塊讀取區域中尋找待恢復的存儲單元。
[0049]首先說