一種霍山石斛的組織培養方法
【專利摘要】本發明涉及到一種霍山石斛的組織培養方法，將帶側芽的霍山石斛莖段用清洗干凈后，經一定的消毒程序之后，轉移到無菌操作臺上去除葉片及膜質葉鞘，進一步消毒處理后放置在無菌的培養皿中；將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養基中，進行幼芽的誘導和增殖；將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養基上，培養溫度25℃，光照強度2000lx，光照時間12h/d條件下培養，獲得生長狀況良好的培苗，經過煉苗、栽種后，植株的成活率達到90％以上，這表明通過組織培養，建立無性快速繁殖體系，提高繁殖系數，能達到短裙內獲得大量霍山石斛培苗的目的。
【專利說明】一種霍山石斛的組織培養方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于植物組織培養【技術領域】，具體涉及一種霍山石斛類莖段的快速增殖的簡易培養方法。
【背景技術】
[0002]霍山石斛俗稱米斛，是蘭科石斛屬草本植物，主產于大別山區的安徽省霍山縣。霍山石斛是傳統的名貴中藥，有“千金草”、“軟黃金”之稱。現代藥理學研究表明，霍山石斛的多糖含量為普通石斛的3倍之多，能提高人體免疫力，尤其是對眼、咽、肺等器官疾病有特殊療效；霍山石斛能大幅度提高人體內SOD水平，非常適用于經常熬夜、用腦過度、體虛乏力的人群。然而霍山石斛在煉苗及原產地栽培過程中，成活率極低，嚴重影響了霍山石斛的發展。
[0003]因此，霍山石斛的莖段是霍山石斛的體細胞胚，具有和植株同樣的物質代謝和形態發育潛能，可用來代替原藥材生產相關的活性物質。因此，研究高效、廉價的霍山石斛莖段的快速增殖技術是至關重要，實現霍山石斛的規模化生產，緩解野生資源緊張的局面、滿足藥材市場的需求具有重要意義。本發明采用組織培養的方法保護霍山石斛，提供一種霍山石斛類莖段快速、無性增殖的簡易培養方法。
【發明內容】
[0004]為了探索霍山石斛組織培養的無性繁殖技術，提高其繁殖系數，大量獲得組培苗的研究工作，對于藥 用霍山石斛野生資源保護和擴大栽培及其綜合利用具有極其重要的意義。
[0005]本發明通過下列技術方案實現:一種霍山石斛的組織培養方法，其特征在于以帶側芽的霍山石斛莖段位母體，并經過下列步驟:
[0006]A.將莖段經過水洗、75%的酒精浸泡I~2min、無菌水洗后，轉移到無菌超凈臺上去除葉片及膜質葉鞘，再次經過0.1 % HgCl2加I滴吐溫80消毒5~IOmin后，無菌水洗后無菌保存；
[0007]B.將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養基中，進行幼芽的誘導和增殖；
[0008]C.將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養基上，培養溫度25~28°C，光照強度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養；
[0009]D.獲得生長狀況良好的培苗，將培苗取出，洗凈根部的培養基，在木屑的基質中栽培，保持適當的通風和足夠的濕度，獲得種苗。
[0010]所述A步驟的帶側芽的霍山石斛莖段經過水洗、消毒、無菌水洗、去除葉片和膜質葉鞘、消毒、無菌水洗、無菌保存的操作方法。
[0011]所述B步驟的幼芽增殖培養基為:
[0012]1/2MS為基礎培養基，蔗糖濃度20~30g/L，香蕉泥濃度100~200g/L，萘乙酸濃度0.2~0.3mg/L，6-芐基腺嘌呤濃度0.4~0.5mg/L，pH值為5.0~6.0。[0013]所述C步驟的生根培養基為:
[0014]MS為基本培養基，蔗糖濃度20~30g/L ;6_芐基腺嘌呤濃度1.0~20mg/L，萘乙酸濃度0.5~1.0mg/L ;香蕉泥100g/L，pH值5.8~6.0,培養溫度25~28°C，光照強度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養；
[0015]所述D步驟的是將培苗取出，洗凈根部的培養基，在木屑的基質中栽培，保持適當的通風和足夠的濕度，獲得種苗。 [0016]本發明具有下列優點和效果:針對霍山石斛的莖段是霍山石斛的體細胞胚，具有和植株同樣的物質代謝和形態發育潛能，可用來代替原藥材生產相關的活性物質的這一特點，利用霍山石斛的莖段作為母體進行無性繁殖；以MS為基礎培養基，在此基礎上添加蔗糖、天然植物如香蕉泥、激素如6-芐基腺嘌呤和萘乙酸，保證組織能夠順利的增殖和生根；將培苗接種到基質上栽種，植株的成活率超過90%，表明該法可用于霍山石斛莖段的研究、開發和生產中的各個領域，尤其適合霍山石斛類的工業化大規模培養。
【權利要求】
1.一種霍山石斛的組織培養方法，其特征在于以帶側芽的霍山石斛莖段位母體，并經過下列步驟: A.將莖段經過水洗、75%的酒精浸泡I~2min、無菌水洗后，轉移到無菌超凈臺上去除葉片及膜質葉鞘，再次經過0.1 % HgCl2加I滴吐溫80消毒5~IOmin后，無菌水洗后無菌保存； B.將保存的幼芽接種到幼芽增殖培養基中，進行幼芽的誘導和增殖； C.將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養基上，培養溫度25~28°C，光照強度20001x，光照時間12~14h/d條件下培養； D.獲得生長狀況良好的培苗，將培苗取出，洗凈根部的培養基，在木屑的基質中栽培，保持適當的通風和足夠的濕度，獲得種苗。
2.根據權利要求1所述的霍山石斛組織方法，其特征在于所述A步驟的帶側芽的霍山石斛莖段經過水洗、消毒、無菌水洗、去除葉片和膜質葉鞘、消毒、無菌水洗、無菌保存的操作方法。
3.根據權利要求1所述的霍山石斛組織培養方法，其特征在于所述B步驟的幼芽增殖培養基為: 1/2MS為基礎培養基，蔗糖濃度20~30g/L，香蕉泥濃度100~200g/L，萘乙酸濃度0.2~0.3mg/L，6-芐基腺 嘌呤濃度0.4~0.5mg/L，pH值為5.0~6.0。
4.根據權利要求1所述的霍山石斛組織培養方法，其特征在于所述C步驟的生根培養基為: MS為基本培養基，蔗糖濃度20~30g/L ；6-芐基腺嘌呤濃度1.0~20mg/L，萘乙酸濃度 0.5 ~1.0mg/L ;香蕉泥 100g/L, pH 值 5.8 ~6.0。
5.根據權利要求1所述的霍山石斛組織培養方法，其特征在于所述C步驟是將生長狀況良好的幼芽接種到生根培養基上，培養溫度25°C，光照強度20001x，光照時間12h/d條件下培養。
6.據權利要求1所述的霍山石斛組織培養方法，其特征在于所述D步驟是將培苗取出，洗凈根部的培養基，在木屑的基質中栽培，保持適當的通風和足夠的濕度，獲得種苗。
【文檔編號】A01H4/00GK104012400SQ201310061664
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2013年2月28日 優先權日:2013年2月28日
【發明者】毛健, 姬中偉, 張敏, 牟穰, 陽志銳, 郭燕飛, 黎衛, 馮東陽, 鞏丹, 劉蕓雅 申請人:江南大學