本發明涉及一種組織培養技術，具體是矮珍珠的組織培養方法。
背景技術：
矮珍珠雖屬有莖水草，但莖部卻不是直立的，而是爬行在底部生長。由于爬行生長的匍匐枝會呈擴散狀蔓延開來，最后鋪滿整個底部，而匍匐枝上的葉片又是濃密地生長，感覺起來宛如草坪一般。一般在種植矮珍珠時了避免柔軟的細根無法頤利攀附在底砂之中，因此在底砂的選擇上應盡量使用較細的砂子。矮珍珠，幾乎不到1cm高，綠色匍匐嫩枝附有短根組織，對稱生長的匙型葉片長0.8cm寬0.3cm，葉尖較鈍，稍呈鋸齒狀，葉柄幾乎與葉片等長。氣生葉腺可長出短莖的白色單瓣花，直徑0.3cm，有5片花瓣、4株雄蕊。雖然生長蔓延頗為緩慢，但是，可以長得很濃密，其一旦長好后的密植度，猶如碧綠的草原，是一種裝飾性非常強的前景草。然而，矮珍珠傳統的育苗繁殖方法產量降低，病毒積累嚴重，品種退化，品質和產量大幅度下降，種植效益下降。組培快繁技術已在很多植物上作為經濟、高效的繁殖方法應用，周期短、繁殖系數高、成本低，并不受時間和空間的制約。
技術實現要素：
本發明針對現有技術的不足，滿足人工快速繁育、大面積豐產栽培的需要，提供一種矮珍珠的組織培養方法。
為了實現上述目的，本發明采用了以下技術方案：
矮珍珠的組織培養方法，包括如下步驟：
(1)獲取外植體并消毒
選取健壯植株新生的幼嫩枝芽，自來水洗滌枝芽表面污垢塵土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后無菌水沖洗干凈后得到消毒外植體，
(2)初代培養
將消毒外植體分割成帶芽莖段，然后接入初代培養基中培養32～36天獲得不定芽，
初代培養條件為：溫度為24±2℃，濕度為63～68％，光照時間為8～10小時/天，光照強度為2200～25001x，初代培養第1～7天，每天施加超聲場1～2小時，超聲場功率為8～12W/cm2，超聲場頻率為20～22KHz，初代培養第8～15天，每天施加超聲場4～5小時，超聲場功率為15～18W/cm2，超聲場頻率為25～26KHz；
初代培養基為：在ER培養基基礎上，再添加碘酸鉀0.1～0.5mg/L，添加2,4-D 0.6～0.8mg/L，添加多效唑1.2～1.3mg/L；
(3)繼代培養
將不定芽轉移至繼代培養基中培養40～45天獲得繼代培養苗，
繼代培養條件為：溫度為24±2℃，濕度為70～75％，光照時間為10～12小時/天，光照強度為2800～32001x，
繼代培養基為：在MS培養基基礎上，先將硝酸銨的濃度調整為1200～1300mg/L，另外再添加尿素100～120mg/L，添加ABA3～3.5mg/L，添加吲哚乙酸0.5～0.8mg/L，添加谷氨酰胺5.0～5.5mg/L，添加活性炭200～300mg/L；
(4)生根培養
將繼代培養苗轉移至生根培養基中培養20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培養條件為：溫度為30±2℃，濕度為40～50％，光照時間為12～15小時/天，光照強度為3500～42001x，
生根培養基為：在N6培養基基礎上，另外再添加鉬酸銨0.01～0.02mg/L，添加TDZ 1.5～2.0mg/L，添加支鏈淀粉130～150mg/L，用氫氧化鈉調節pH為7.0～7.2；
(5)煉苗和移栽
生根培養結束后，打開培養瓶蓋，在自然光下進行開瓶練苗5～7天，然后將矮珍珠幼苗用清水多次沖洗去除殘留培養基，移栽至自然水體中。
與現有技術相比較，本發明具備的有益效果：
有效地提高矮珍珠的繁殖系數，為矮珍珠商業化生產提供充足的種苗源。與播種繁殖相比，組織培養法能有效縮短育苗周期，能夠在室內大量連續地生產，實現工廠化、專業化和規模化，不受季節、溫度、地域影響，獲得大量的無菌苗，提高種苗的載培成活率，提高產量和品質。
具體實施方式
下面通過實施例對本發明的技術方案作進一步闡述。
實施例1
矮珍珠的組織培養方法，包括如下步驟：
(1)獲取外植體并消毒
選取健壯植株新生的幼嫩枝芽，自來水洗滌枝芽表面污垢塵土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后無菌水沖洗干凈后得到消毒外植體，
(2)初代培養
將消毒外植體分割成帶芽莖段，然后接入初代培養基中培養32天獲得不定芽，
初代培養條件為：溫度為22℃，濕度為63％，光照時間為8小時/天，光照強度為22001x，初代培養第1～7天，每天施加超聲場1小時，超聲場功率為8W/cm2，超聲場頻率為20KHz，初代培養第8～15天，每天施加超聲場4小時，超聲場功率為15W/cm2，超聲場頻率為25KHz；
初代培養基為：在ER培養基基礎上，再添加碘酸鉀0.1mg/L，添加2,4-D 0.6mg/L，添加多效唑1.2mg/L；
(3)繼代培養
將不定芽轉移至繼代培養基中培養40～45天獲得繼代培養苗，
繼代培養條件為：溫度為26℃，濕度為70％，光照時間為10小時/天，光照強度為28001x，
繼代培養基為：在MS培養基基礎上，先將硝酸銨的濃度調整為1200mg/L，另外再添加尿素100mg/L，添加ABA3mg/L，添加吲哚乙酸0.5mg/L，添加谷氨酰胺5.0mg/L，添加活性炭200mg/L；
(4)生根培養
將繼代培養苗轉移至生根培養基中培養20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培養條件為：溫度為28℃，濕度為40％，光照時間為12小時/天，光照強度為35001x，
生根培養基為：在N6培養基基礎上，另外再添加鉬酸銨0.01mg/L，添加TDZ 1.5mg/L，添加支鏈淀粉130mg/L，用氫氧化鈉調節pH為7.0；
(5)煉苗和移栽
生根培養結束后，打開培養瓶蓋，在自然光下進行開瓶練苗5～7天，然后將矮珍珠幼苗用清水多次沖洗去除殘留培養基，移栽至自然水體中。
實施例2
矮珍珠的組織培養方法，包括如下步驟：
(1)獲取外植體并消毒
選取健壯植株新生的幼嫩枝芽，自來水洗滌枝芽表面污垢塵土，先酒精浸泡，再升汞消毒，最后無菌水沖洗干凈后得到消毒外植體，
(2)初代培養
將消毒外植體分割成帶芽莖段，然后接入初代培養基中培養36天獲得不定芽，
初代培養條件為：溫度為26℃，濕度為68％，光照時間為10小時/天，光照強度為25001x，初代培養第1～7天，每天施加超聲場2小時，超聲場功率為12W/cm2，超聲場頻率為22KHz，初代培養第8～15天，每天施加超聲場5小時，超聲場功率為18W/cm2，超聲場頻率為26KHz；
初代培養基為：在ER培養基基礎上，再添加碘酸鉀0.5mg/L，添加2,4-D 0.8mg/L，添加多效唑1.3mg/L；
(3)繼代培養
將不定芽轉移至繼代培養基中培養45天獲得繼代培養苗，
繼代培養條件為：溫度為26℃，濕度為75％，光照時間為12小時/天，光照強度為32001x，
繼代培養基為：在MS培養基基礎上，先將硝酸銨的濃度調整為1300mg/L，另外再添加尿素120mg/L，添加ABA3.5mg/L，添加吲哚乙酸0.8mg/L，添加谷氨酰胺5.5mg/L，添加活性炭300mg/L；
(4)生根培養
將繼代培養苗轉移至生根培養基中培養20～25天得到矮珍珠幼苗，
生根培養條件為：溫度為32℃，濕度為50％，光照時間為15小時/天，光照強度為42001x，
生根培養基為：在N6培養基基礎上，另外再添加鉬酸銨0.02mg/L，添加TDZ 2.0mg/L，添加支鏈淀粉150mg/L，用氫氧化鈉調節pH為7.2；
(5)煉苗和移栽
生根培養結束后，打開培養瓶蓋，在自然光下進行開瓶練苗5～7天，然后將矮珍珠幼苗用清水多次沖洗去除殘留培養基，移栽至自然水體中。