專利名稱：一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法
技術領域：
本發明涉及一種正電子放射性藥物的制備方法，尤其是涉及一種正電子斷層顯像 (PET)診斷所用的放射性核素鎵-68的濃縮純化方法。
背景技術：
鎵(Ga)的原子序數為31，目前已發現Ga的同位素有20多種，醫學中常用的 是鎵-67 (67Ga)和鎵_68 (68Ga)。68Ga是一種發射正電子的核素，使用68GaCl3或68Ga-檸 檬酸鎵可用于炎癥、腫瘤顯像，也可使用68Ga標記多肽、蛋白質等用于特異性顯像，如 68Ga-Octreotide (奧曲肽)用于內分泌腫瘤的顯像。68Ga通常是由68Ge衰變后獲得的。加速器照射靶產生68Ge,提純后用各種吸附劑 吸附后填裝于色譜柱，需要68Ga時，使用淋洗液淋洗吸附有68Ge的色譜柱獲得衰變產生的 68Ga0這種由68Ge分離獲得68Ga的裝置稱為68Ge-68Ga發生器。1960 年 Gleason GI (Gleason GI. A positron cow. Int. J. App 1. Radiation Isotopes. 1960，8 (2-3) 90-94)首次報道68Ge-68Ga發生器，使用體積濃度為25%的乙酰 丙酮-環己烷從 68Ge 水相中萃取 68Ga。1961 年 Greene MW 等(Greene MW, Tucker WD. An improved gallium-68 cow. Int. J. Appl. Radiation Isotopes.1961,12(1-2) :62_63)使 用Al2O3吸附68Ge,然后以物質的量濃度為0. 005mol/L的乙二胺四乙酸(EDTA)溶液淋洗 獲得 68Ga。1974 年 Kopecky P 等(Kopecky P, Mudrova B. 68Ge—68Ga generator for the production of 68Ga in an ionic form. Int. J. Appl. Radiation Isotopes. 1974,26(6) 263-268)用鹽酸淋洗直接獲得離子型68Ga3+,避免了使用其它淋洗液分離68Ga3+的麻煩。隨 后，大量出現使用Ti02，SnO2, CeO2等吸附材料從68Ge-68Ga發生器中吸附68Ge,雖然吸附材料 不同，但都使用一定濃度的鹽酸淋洗。用鹽酸溶液從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+,溶液的體積為3_10mL，鹽酸的物質的 量濃度為0. 1-lmol/L,收集的淋洗液中含有68Zn2+ (由68Ga衰變產生)，和漏穿的68Ge4+、Ti4+、 Sn4+、Al3+、Ce3+以及Fe3+等金屬離子(雜質)，無法直接用于標記，需要濃縮純化。由于68Ga的半衰期為68min，所以濃縮純化時間應盡可能短，為后續標記藥物留出 時間。美國專利US20070031329A1描述了一種68Ga的濃縮純化方法，其使用基質填料為 聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹脂，配對離子為碳酸氫根的固相萃取(SPE) 柱。該方法的缺點是，將68Ga用200 μ L水從SPE中淋洗下來的效率低。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種放射性核 素鎵-68的濃縮純化方法，其濃縮純化快速簡便，且產品純度和淋洗效率高，同時易于操作。為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案是一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，其特征在于該方法包括以下步驟(1)采用物質的量濃度為lmol/L的鹽酸從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+,收集淋 洗液即得68Ga3+淋洗液；(2)在步驟(1)收集的68Ga3+淋洗液中加入質量濃度為37%的濃鹽酸，混合均勻， 使所述68Ga3+淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L ；(3)用蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹脂、 配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干；(4)用步驟⑵中所述鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液淋洗步驟(3) 中吹干后的固相萃取柱；(5)用蒸餾水通過步驟(4)中淋洗后的固相萃取柱，收集蒸餾水溶液即得高純度 68Ga溶液，所述高純度68Ga溶液是指該溶液中68Ga的放射化學純度不小于99. 9 %。上述的一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，其特征在于步驟(1)中所述鹽酸 的流速和步驟(4)中所述68Ga3+淋洗液的流速均為l-2mL/min。上述的一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，其特征在于步驟(5)中所述蒸餾 水的流速為lmL/min。本發明與現有技術相比具有以下優點1、由于在鹽酸的物質的量濃度為5mo 1/L的68Ga3+淋洗液中，Ga3+與Cl-形成 [GaCl4]-,當其通過基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹脂、配對離子 為醋酸根的固相萃取柱時，[GaCl4F與醋酸根發生交換，[GaCl4F被交換而吸附在固相萃取 柱上，因[GaCl4]-在該固相萃取柱(即強陰離子固相萃取柱)上的選擇性大于醋酸根的選 擇性，而溶液中的其它金屬陽離子則不被固相萃取柱交換，因此本發明具有產品純度高，淋 洗效率高的優點，且產品的放射化學純度不小于99. 9%。2、由于[GaCl4]-與醋酸根在固相萃取柱上發生交換瞬間完成，不需要復雜的設 備，因此本發明還具有快速，簡便，易于操作的優點。下面通過附圖
和實施例，對本發明的技術方案做進一步的詳細描述。
具體實施例方式實施例1(1)采用物質的量濃度為lmol/L的鹽酸6. 5mL從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+, 收集淋洗液即得68Ga3+淋洗液。鹽酸的流速為1.5mL/min。(2)在步驟(1)收集的68Ga3+淋洗液中加入質量濃度為37%的濃鹽酸，混合均勻， 使所述68Ga3+淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L。(3)用IOmL蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹 脂、配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干。(4)用步驟⑵中所述鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液淋洗步驟(3) 中吹干后的固相萃取柱。68Ga3+淋洗液的流速為1.5mL/min。(5)用0. 75mL蒸餾水通過步驟(4)中淋洗后的固相萃取柱，收集蒸餾水溶液即得 高純度68Ga溶液，所述高純度68Ga溶液是指該溶液中68Ga的放射化學純度不小于99. 9%。 蒸餾水的流速為lmL/min。
實施例2(1)采用物質的量濃度為lmol/L的鹽酸3mL從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+,收 集淋洗液即得68Ga3+淋洗液。鹽酸的流速為lmL/min。(2)在步驟(1)收集的68Ga3+淋洗液中加入質量濃度為37%的濃鹽酸，混合均勻， 使所述68Ga3+淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L。(3)用IOmL蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹 脂、配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干。(4)用步驟⑵中所述鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液淋洗步驟(3) 中吹干后的固相萃取柱。68Ga3+淋洗液的流速為lmL/min。(5)用0. 5mL蒸餾水通過步驟(4)中淋洗后的固相萃取柱，收集蒸餾水溶液即得高 純度68Ga溶液，所述高純度68Ga溶液是指該溶液中68Ga的放射化學純度不小于99. 9 %。蒸 餾水的流速為lmL/min。實施例3(1)采用物質的量濃度為lmol/L的鹽酸IOmL從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+,收 集淋洗液即得68Ga3+淋洗液。鹽酸的流速為2mL/min。(2)在步驟(1)收集的68Ga3+淋洗液中加入質量濃度為37%的濃鹽酸，混合均勻， 使所述68Ga3+淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L。(3)用IOmL蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹 脂、配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干。(4)用步驟⑵中所述鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液淋洗步驟(3) 中吹干后的固相萃取柱。68Ga3+淋洗液的流速為2mL/min。(5)用0. 5mL蒸餾水通過步驟(4)中淋洗后的固相萃取柱，收集蒸餾水溶液即得高 純度68Ga溶液，所述高純度68Ga溶液是指該溶液中68Ga的放射化學純度不小于99. 9 %。蒸 餾水的流速為lmL/min。上述實施例的步驟(2)中，在鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液中， Ga3+與Cl-形成[GaCl4]_，當其通過基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換 樹脂，配對離子為醋酸根的固相萃取柱時，[GaCl4F與醋酸根發生交換，[GaCl4F被交換而 吸附在固相萃取柱上。由于[GaCl4]-在該固相萃取柱(即強陰離子固相萃取柱)上的選擇 性大于醋酸根的選擇性，而溶液中的其它金屬陽離子則不被固相萃取柱交換，所以該方法 具有產品純度高，淋洗效率高的優點。同時[GaCl4F與醋酸根在固相萃取柱上發生交換瞬 間完成，不需要復雜的設備，因此該方法還具有快速，簡便，易于操作的優點。
權利要求
一種放射性核素鎵 68的濃縮純化方法，其特征在于該方法包括以下步驟(1)采用物質的量濃度為1mol/L的鹽酸從68Ge 68Ga發生器中淋洗68Ga3+，收集淋洗液即得68Ga3+淋洗液；(2)在步驟(1)收集的68Ga3+淋洗液中加入質量濃度為37％的濃鹽酸，混合均勻，使所述68Ga3+淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L；(3)用蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯 二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹脂、配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干；(4)用步驟(2)中所述鹽酸的物質的量濃度為5mol/L的68Ga3+淋洗液淋洗步驟(3)中吹干后的固相萃取柱；(5)用蒸餾水通過步驟(4)中淋洗后的固相萃取柱，收集蒸餾水溶液即得高純度68Ga溶液，所述高純度68Ga溶液是指該溶液中68Ga的放射化學純度不小于99.9％。
2.按照權利要求1所述的一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，其特征在于步驟 (1)中所述鹽酸的流速和步驟(4)中所述68Ga3+淋洗液的流速均為l-2mL/min。
3.按照權利要求1所述的一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，其特征在于步驟 (5)中所述蒸餾水的流速為lmL/min。
全文摘要
本發明公開了一種放射性核素鎵-68的濃縮純化方法，包括以下步驟一、采用物質的量濃度為1mol/L的鹽酸從68Ge-68Ga發生器中淋洗68Ga3+，即得68Ga3+淋洗液；二、在步驟一收集的淋洗液中加入質量濃度為37％的濃鹽酸，混合均勻，使淋洗液中鹽酸的物質的量濃度為5mol/L；三、用蒸餾水活化基質填料為聚苯乙烯-二乙烯苯交聯的季銨鹽離子交換樹脂、配對離子為醋酸根的固相萃取柱，并用空氣吹干；四、用步驟二中得到的淋洗液通過步驟三中吹干后的固相萃取柱；五、用蒸餾水通過步驟四中的固相萃取柱，獲得成品。本發明具有濃縮純化快速簡便，產品純度和淋洗效率高，且易于操作的特點。
文檔編號A61K103/00GK101890297SQ20101022981
公開日2010年11月24日 申請日期2010年7月16日 優先權日2010年7月16日
發明者伍晶, 楊衛東, 梁萬勝, 汪靜, 王俊, 王喆 申請人:中國人民解放軍第四軍醫大學