由去污裝置和至少一個預型件構成的組件、制造無菌容器的設備和方法

由去污裝置和至少一個預型件構成的組件、制造無菌容器的設備和方法
【專利摘要】本發明涉及一種組件(1)，所述組件由至少一個預型件(12)和去污裝置(10)構成，所述去污裝置通過由半導體類型器件(22)所發射的至少一種紫外線輻射對預型件(12)內部進行輻照去污；本發明還涉及包括至少一個去污裝置(10)的無菌容器(120)制造設備(100)和利用被去污的預型件(12)制造無菌容器(120)的一種制造方法。
【專利說明】由去污裝置和至少一個預型件構成的組件、制造無菌容器的設備和方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及由至少一個預型件和去污裝置構成的組件、用于制造無菌容器的制造設備和制造方法。
[0002]本發明更為特別地涉及一種組件，所述組件包括用以制造容器的至少一個熱塑性材料預型件和對預型件內部去污的去污裝置，其中，預型件包括頸部，頸部通過主體軸向地延伸，主體通過底部封閉，頸部界定進出所述預型件內部的開口。
【背景技術】
[0003]在農產食品加工業的領域中，已知去污裝置，所述去污裝置用于實施對熱塑性材料預型件的至少內部進行去污處理(又被稱為消毒或滅菌)，熱塑性材料如PET(聚對苯二甲酸乙二醇脂)。
[0004]這類裝置被使用于特別是對用于被轉變為容器的預型件的內部進行去污，所獲得的無菌容器能夠接納食品。
[0005]所施加的去污處理旨在滅殺、或者至少減少微生物組織或微生物，如特別是病菌、細菌、孢子、霉菌等的存在。
[0006]為此，在去污裝置中區分有這樣的去污裝置:其應用源于至少一種消毒劑如特別是過氧化氫(H2O2)的滅菌、殺病毒、滅真菌等作用的所謂“化學過程”去污。
[0007]文獻W0-A1-2006/136499描述了通過消毒劑膜的凝積對熱塑性材料預型件的內部進行去污的這類去污示例。

【發明內容】

[0008]本發明的目的特別是在于提出借助于一種組件對化學過程去污的一種替選方案，所述組件特別是包括允許通過輻照對預型件內部進行去污的去污裝置。
[0009]為此，本發明提出一種組件，所述組件包括前述類型的至少一個預型件和預型件內部的去污裝置，其特征在于，所述去污裝置包括至少一個支承機構，所述至少一個支承機構承載輻照去污部件，輻照去污部件由半導體類型器件構成，所述半導體類型器件用于通過開口被引入到所述預型件內部，以在待去污的預型件的內部選擇性地發射至少一種紫外線輻射。
[0010]有利地，輻照去污在預型件轉變成容器之前實施。
[0011]有利地，預型件的待去污的內表面小于最終容器(細頸瓶、燒瓶、罐等)的內表面，以使得特別是借助于更少的耗能，預型件去污更為經濟。 [0012]此外，通過與由于技術和/或美觀原因經常被精加工的容器(如瓶子)的內表面相比較，預型件的壁的內表面不包括凸出的元件，以使得對這種預型件不存在任何遮擋輻射的陰影和表面的問題。
[0013]然而，在預型件內部引入輻照去污部件會遇到不同的可達性技術問題，這些問題并不會僅在通常通過頸部開口引入由噴嘴噴出的消毒劑的化學過程去污中遇到。
[0014]至少由于通達其內部容積的唯一進口是通過預型件頸部界定的開口進行，因而預型件所具有的可通達性降低。
[0015]作為尺寸量級說明，對于用于轉變成瓶子的預型件，預型件的頸部的內徑的值通常在20_到35_之間，然而這些值不是限定性的，僅僅作為示例給出。
[0016]即便頸部是預型件的這樣的部分:該部分通過其內徑確定通達預型件內部容積的可達性限制，然而頸部并不總是唯一的要考慮的部分。
[0017]實際上，還適合考慮預型件主體，所述主體可包括至少一個軸向段部，所述軸向段部的內徑小于或基本等于確定開口的頸部的內徑。
[0018]提請注意的是，預型件通過注射熱塑性材料到模具中來進行制造，注射點位于預型件的底部處。
[0019]因此，主體的至少一個段部、例如直接鄰近預型件的頸部或底部的主體段部的徑向尺寸小于頸部的徑向尺寸的事實，能夠在制造后方便預型件的脫模。
[0020]作為非限定性示例，作為尺寸量級說明，總高度為80mm和頸部內徑整體上等于22_的值的預型件，在鄰近底部的主體段部上所具有的內徑的值例如在16_到17_之間。
[0021]借助于特別是其縮小的尺寸，形成去污部件的半導體器件能夠連同其支承機構，經過頸部的開口并到封閉的內部容積，被引入預型件內部，所述封閉的內部容積通過頸部的壁的內表面、預型件的主體和底部周向地界定。
[0022]有利地，根據本發明的去污部件實際上不僅能夠通過預型件的頸部的小直徑開口被引入，而且還引到主體中及底部附近，而不與內表面相接觸。
[0023]借助于此，根據本發明的去污部件緊鄰內表面進行布置，通過由半導體器件所發射的所述至少一種紫外線輻射來輻照預型件的內部，更為確切的說輻照預型件的壁的整個內表面。
[0024]借助于這樣的事實:由半導體類型器件所形成的輻射發射源被直接地引入預型件內部，即被接納在內部容積中，由每個器件所發射的功率以最優的方式被使用，而沒有絲毫損耗，所述至少一種紫外線輻射在輻照整體上相面對的壁的表面之前，經過較短的距離。
[0025]通過比較，特別是可以理解的是，定位在預型件外的發射源不允許在一方面消耗的能量、和另一方面由需輻照去污的表面有效接收的輻射量之間獲得對等的效率。
[0026]在至少一段確定時間中，由去污部件發射的該輻射或這些輻射的輻照，引起在預型件內部存在的全部或大部分前述微生物(病菌、細菌、孢子、霉菌等)的滅殺，并在被去污的所述預型件轉變后能獲得無菌容器。
[0027]提請注意的是，微生物數量能夠在特別是清洗、過濾和培養操作后通過計量進行計數，因此確定例如謂為等同于1000個單位(103)的3Log數量級或甚至3D數量級的微生物數目的對數式減少。
[0028]借助于根據本發明所實施的輻照去污裝置，預型件的內部被殺菌，去污水平可達到至少3Log和直到6Log數量級的值。
[0029]去污部件能夠選 擇性地發射至少一種紫外線輻射，所述至少一種紫外線輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在IOOnm到400nm之間。
[0030]優選地，去污部件能夠發射輻射組合，所述輻射組合此外包括至少一個“UVC”類型的紫外線輻射和/或“UVA”類型的紫外線輻射，其有利地被組合。
[0031]至少一種紫外線輻射與至少另一種紅外線輻射即“IR”加以組合，優選地組合兩種紫外線輻射UVC和UVA。
[0032]至少兩種輻射的這類輻照組合允許獲得增效作用，借助于此，被輻照的微生物被滅殺，微生物數目減少率更高。
[0033]有利地，用這類輻射輻照組合施加的直接處理允許獲得對大量微生物的滅殺效率，每個微生物整體上對于特別地所發射的輻射之一具有更大的易損性。
[0034] 申請人:能夠證實的是，這類輻照組合的增效作用源自這樣的事實:例如，霉菌對紅外線輻射更敏感，而細菌則對紫外線輻射更敏感。
[0035]紅外線輻射的去污作用源自于產生能夠改變脫氧核糖核酸(或ADN)、而且尤其會引起微生物細胞膜的變化、甚至是不能使之消散、排離的微生物的內爆的大量熱量。
[0036]紫外線輻射的去污作用源自于不同的現象，特別是源自于它們穿過微生物的細胞膜以改變其細胞核的脫氧核糖核酸(或ADN)的能力，原因在于:UVC和UVA紫外線輻射特別是能夠通過改變ADN來制止有絲分裂。
[0037]輻照去污裝置有利地允許達到這樣的去污水平，所述去污水平至少等同于用化學過程去污或滅菌所獲得的去污水平，由此，輻照去污裝置構成能夠接受工業應用的一種對化學過程去污或滅菌的替選方案。 [0038]通過穿過預型件的頸部的開口的支承機構，由所述機構承載的發射源被帶至界定封閉的內部容積的壁附近，與表面相面對，以獲得對微生物的大量輻照，這用以保證對微生物的大量和快速的滅殺。
[0039]有利地，對預型件內部的去污以較短的輻照時間獲得，自此從而不會影響容器的制造速率。
[0040]根據本發明的裝置的其它特征:
[0041]-形成所述輻照去污部件的所述器件中的至少一個器件發射“C”類型的紫外線輻射，所述“C”類型的紫外線輻射具有波長在IOOnm到280nm之間的至少一個主發射譜線；
[0042]-形成所述輻照去污部件的所述器件中的至少一個器件發射“A”類型的紫外線輻射，所述“A”類型的紫外線輻射具有波長在315nm到400nm之間的至少一個主發射譜線；
[0043]-所述輻照去污部件由形成至少第一器件組和第二器件組的器件構成；并且，至少所述第一器件組由至少一個器件構成，所述第一器件組的所述至少一個器件發射的紫外線福射具有波長在IOOnm到400nm之間的至少一個主發射譜線；
[0044]-所述第二器件組由至少一個器件構成，所述第二器件組的所述至少一個器件發射紅外線福射，所述紅外線福射具有波長在780nm到Imm之間的至少一個主發射譜線；
[0045]-所述去污裝置包括致動部件，所述致動部件被選擇性地控制，以引起所述支承機構和所述預型件之間相對移動，以便暫時性地將所述輻照去污部件引入所述預型件內部；
[0046]-所述輻照去污部件由這樣的器件構成:器件被布置在所述支承機構的用于被接納在所述預型件內部的段部的整個高度或一部分高度上；
[0047]-所述輻照去污部件由這樣的器件構成:器件被布置在所述支承機構的整個周廓上，以便朝所有方向、以基本360°發射輻射，以對所述預型件內部進行去污；
[0048]-器件的支承機構被選擇性地帶動轉動，以用至少一種紫外線輻射掃掠預型件的內部；
[0049]-去污裝置包括控制單元，所述控制單元對器件選擇性地進行控制，以控制所述至少一種紫外線輻射的發射或不發射；
[0050]-器件的支承機構由用于制造容器的預型件模制單元的拉伸桿構成；
[0051]-去污裝置包括器件的冷卻部件，所述冷卻部件至少由支承機構構成，至少通過傳導排出由所述器件在運行時所產生的熱量；
[0052]-支承機構包括冷卻回路，用以在支承機構的內部選擇性地建立載熱流體的循環；
[0053]-形成去污部件的器件的至少一部分器件是發光二極管；
[0054]-形成去污部件的器件的至少一部分器件是激光二極管。
[0055]有利地，根據本發明的組件的去污裝置被使用在無菌容器的制造設備中，無菌容器利用在被轉變前預先進行輻照去污過的預型件獲得。
[0056]本發明提出利用熱塑性材料的預型件制造無菌容器的容器制造設備，所述預型件包括頸部，頸部通過由底部封閉的主體軸向地延伸并界定出入所述預型件內部的開口，所述設備包括至少:
[0057]-用于對預型件進行熱處理的熱處理爐；
[0058]-吹制機，用以至少通過注射加壓流體將所述預型件轉變為容器；
[0059]其特征在于，所述設備包括至少一個預型件去污裝置，所述至少一個去污裝置包括至少一個支承機構，所述至少一個支承機構承載輻照去污部件，輻照去污部件由半導體類型器件構成，所述半導體類型器件用于通過開口被引入所述預型件內部，以在待去污的預型件的內部選擇性地發射至少一種紫外線輻射。
[0060]去污裝置能夠沿預型件流在設備中的移動方向，在熱處理爐的上游、在熱處理爐中或者在熱處理爐的下游進行布置。
[0061]有利地，所述去污裝置被布置在熱處理爐的上游。
[0062]作為變型，所述去污裝置集成于熱處理爐，特別是集成于在熱處理爐的進口和出口之間的預型件傳送裝置。
[0063]有利地，所述去污裝置被布置在熱處理爐的下游，特別是集成于來自熱處理爐的預型件的傳送部件或集成于吹制機。
[0064]本發明還提出利用熱塑性材料的預型件制造無菌容器的一種容器制造方法，該方法包括至少:
[0065]-初始步驟，其在于制造熱塑性材料的預型件，
[0066]-最終步驟，其在于將所述預型件轉變成容器，
[0067]其特征在于，在所述初始步驟和最終步驟之間，所述方法包括對預型件的至少內部進行去污的至少一個中間去污步驟，中間去污步驟至少在于:
[0068]-引入輻照去污部件到預型件的內部，所述輻照去污部件通過半導體類型器件形成，半導體類型器件能夠選擇性地發射至少一種紫外線輻射；
[0069]-控制半導體類型器件，以引起至少一種紫外線輻射的發射，以對預型件內部進行福昭.[0070]-將所述去污部件取出到被去污的預型件外。[0071]有利地，所述方法在預型件轉變成容器的最終步驟前包括預型件熱處理步驟。
[0072]有利地，最終步驟至少在于注射加壓流體到預先進行過熱處理且布置在容器模制單元中的預型件的內部。
[0073]被去污的預型件因此在模制單元中、特別是通過吹制或通過拉伸-吹制被轉變成無菌容器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0074]通過閱讀接下來的詳細說明，本發明的其他特征和優點將得到體現，為理解所述詳細說明，將參照附圖，附圖中:
[0075]-圖1是透視圖，其表示根據本發明的組件的去污裝置的一實施方式，示出支承機構，在支承機構上安裝有形成所述去污裝置的輻照去污部件的半導體類型器件；
[0076]-圖2是示出根據圖1的去污 裝置的支承機構的自由端部的透視圖；
[0077]-圖3是根據圖1的去污裝置的支承機構的剖視圖，其表示出用于冷卻去污部件的冷卻部件；
[0078]-圖4是在被轉變成容器之前需要通過去污裝置進行去污的預型件的一示例的剖視圖；
[0079]-圖5是示出通過圖1到圖3的輻照去污裝置對預型件內部進行去污的相繼去污步驟的示意圖；
[0080]-圖6是示出用于利用通過去污裝置去污的預型件制造無菌容器的設備的示意圖；
[0081]-圖7是透視圖，其表示出包括形成去污部件的支承機構的拉伸桿的模制單元，示出位于打開位置和位于閉合位置的所述模制單元。
【具體實施方式】
[0082]在本說明書和權利要求中，非限制性地將參照在說明書中給出的定義和在附圖上示出的坐標系(L，V，T)使用術語如“上部”和“下部”、“內部”和“外部”等。
[0083]此外，相同的、相似的或類似的器件用相同的數字標記表示。
[0084]在圖1到圖3上示出根據作為非限定性示例給出的一實施方式的去污裝置10。
[0085]根據本發明，裝置10被用于進行如圖4上所示的至少一個預型件12的內部的去污。
[0086]在圖5上示出的根據本發明的組件I包括至少一個預型件12，所述至少一個預型件要通過相關聯的去污裝置10進行去污。
[0087]預型件12的特征特別是在于壁14，所述壁界定封閉的內部容積16，所述封閉的內部容積僅僅能通過由頸部圓周向地界定的開口 18通達。
[0088]在下文將參照圖4更為詳細地描述預型件12的一實施例。
[0089]首先將描述根據圖1到圖3所示的一實施方式的去污裝置10。
[0090]去污裝置10包括至少一個支承機構20，所述至少一個支承機構能夠通過開口 18選擇性地被引入預型件12的內部。
[0091]更為確切的說，支承機構20的形成其自由端部的至少一個部分用于被接納在預型件12的內部容積16中。
[0092]去污裝置10包括輻照去污部件22，所述輻照去污部件由半導體類型器件構成。
[0093]半導體類型器件能夠選擇地發射至少一種紫外線輻射，所述至少一種紫外線輻射能夠滅殺微生物或通過避免有絲分裂至少制止微生物的發育，以對預型件12的內部、特別是對內壁14的表面進行滅菌。
[0094]去污裝置10包括至少一個支承機構20，所述至少一個支承機構承載輻照去污部件22，所述輻照去污部件由半導體類型器件構成，所述半導體類型器件用于通過開口 18被引入預型件12的內部，以在預型件12內部選擇性地發射至少一種紫外線輻射，以對預型件12的內部進行滅菌。
[0095]去污裝置10的支承機構20整體上具有桿體的形式，所述桿體沿在圖1上所示的坐標系(L，V，T)的豎直方向直線形地延伸。
[0096]在本說明書中，按照慣例使用豎直方向，而不參照地心引力。
[0097]優選地，支承機構20在經過水平面(L，T)的剖面上具有多邊形的截面，所述多邊形的截面能夠方便器件的安裝，特別是由于表面的平面度。
[0098]在圖1到圖3的實施方式中，支承機構20的截面是方形的截面。作為變型，支承機構20的截面呈五邊形、六邊形等的形狀，或甚至三角形的形狀。
[0099]有利地，器件被布置在支承機構20的整個周廓上，優選地在機構20的豎直表面上規則地分布。
[0100]器件從支承機構20的自由端部、至少在例如對應用于進入預型件12內部的機構20段部的給定高度“h”上豎直地布置。
[0101]優選地，如更為特別地圖2所示，支承機構20在其下表面24上包括器件，下表面24這里是水平的，位于其自由端部。
[0102]作為變型，支承機構20在其自由端部不包括器件，特別地根據該端部的幾何形狀如尖端的形狀，這種形狀導致不存在水平的下表面。
[0103]有利地，形成所述去污部件22的器件布置在支承機構20上，以便朝所有方向、基本360°地發射輻射，以對預型件12的整個內部進行滅菌。
[0104]有利地，在預型件內部產生的對所發射的所述輻射的反射也參與加強對所述預型件12內部的滅菌。
[0105]器件的支承機構20具有主軸線X，所述主軸線X沿圖1的坐標系(L，V，T)的豎直方向延伸。
[0106]優選地，支承機構20至少安裝成能沿豎直方向平移活動，在至少第一位置和第二位置之間能滑動。
[0107]作為變型，支承機構20沿軸線X豎直地是固定的，預型件12于是有利地能夠選擇性地被移動，以通過開口 18引入所述支承機構20的至少承載器件的部分到預型件12中。 [0108]有利地，支承機構20和預型件12能夠相對于彼此相對地進行移動，支承機構和預型件中的至少一個相對于彼此能活動。
[0109]作為變型，支承機構20能夠圍繞軸線X被選擇性地帶動轉動，以允許通過由去污部件22所構成的輻照源發射的所述至少一種紫外線輻射掃掠預型件12的內部。
[0110]有利地，形成輻照去污部件22的所述器件構成紫外線輻射源，所述紫外線輻射源具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在IOOnm到400nm之間。
[0111]按照慣例，通過字母區分在對應所述紫外線輻射的波長在IOOnm到400nm之間的光譜帶中的不同輻射類型。
[0112]因此，謂為UVC的“C”類型的紫外線輻射對應在IOOnm到280nm之間的波長，謂為UVB的“B”類型的紫外線輻射對應在280nm到315nm之間的波長，謂為UVA的“A”類型的紫外線輻射對應在315nm到400nm之間的波長。
[0113]有利地，形成去污部件22的至少一個器件能夠發射“C”類型的紫外線輻射，即這樣的輻射:所述輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在IOOnm到280nm之間。
[0114]優選地，“C”類型的紫外線輻射的所述主發射譜線的波長在250nm到275nm之間。
[0115]有利地，在250nm到275nm之間的波長范圍對應這樣的值:對于所述值，由微生物的脫氧核糖核酸(或ADN)吸收的輻射最大，因此對微生物的滅殺是最大的。
[0116]實際上，脫氧核糖核酸包括四個含氮基，即腺嘌呤(A)、胸腺嘧啶(T)、胞嘧啶(C)和鳥嘌呤(G)，它們分別具有不同的吸收紫外線輻射的特征。
[0117]優選地，“C”類型的紫外線輻射的所述主發射譜線的波長等于265nm。
[0118]265nm的值對應由如例如“Bacillus Subtilis即枯草芽胞桿菌”桿菌的微生物的脫氧核糖核酸吸收紫外線輻射的峰值。
[0119]有利地，形成去污部件22的器件能夠發射不同的輻射，包括在對應紫外線的光譜帶內。
[0120]優選地，形成去污部件22的至少一個器件能夠發射“A”類型的紫外線輻射即UVA，該紫外線輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在315nm到400nm之間。
[0121]去污部件22因此可由至少通過所發射的輻射的特征相互區別開的器件構成。
[0122]優選地，去污部件22于是包括至少第一器件組和第二器件組。
[0123]有利地，至少所述第一器件組由能夠發射如下紫外線輻射的至少一個器件構成:所述紫外線輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在IOOnm到400nm之間。
[0124]因此，去污部件22可僅僅包括發射(UVC)紫外線輻射的器件或發射(UVA)紫外線輻射的器件，以形成所述第一器件組。
[0125]有利地，去污部件22包括每類型的器件，即能夠發射“C”類型的紫外線輻射的第一器件組和能夠發射“A”類型的紫外線輻射的第二器件組。
[0126]第二器件組因此則由這樣的至少一個器件構成:所述至少一個器件能夠發射“A”類型的紫外線輻射，所述“A”類型的紫外線輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在315nm到400nm之間，即也在IOOnm到400nm之間。
[0127]作為變型，第二器件組由這樣的至少一個器件構成:所述至少一個器件能夠發射輻射，所述輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長位于對應在IOOnm到400nm之間的紫外線的光譜帶之外。
[0128]優選地，第二器件組由這樣的至少一個器件構成:所述至少一個器件能夠發射紅外線輻射，所述紅外線輻射具有至少一個主發射譜線，所述至少一個主發射譜線的波長在780nm到1_之間。
[0129]作為變型，裝置10的去污部件22因此包括至少三組不同的器件，它們分別地對于第一組和第二組而言能夠發射“C”和“A”類型的紫外線輻射，而對于第三組而言能夠發射紅外線輻射。
[0130]因此，去污部件22有利地能夠組合一確定類型的至少兩種輻射一其中的至少一個屬于紫外線輻射，以通過輻照對預型件的內部進行滅菌。
[0131]借助于由于在支承機構22上存在至少兩組不同的器件所產生的輻照組合，令人驚奇地獲得在同時發射以對預型件12的內部進行處理的所述至少兩類輻射之間的增效作用，所述增效作用增強對微生物的滅殺。
[0132]形成第一組的給定類型的器件的數目例如與第二組器件的數目是不同的，以使得根據每個類型的各自的器件數目，可按比例使所發射的輻射類型變化。
[0133]由給定器件組發射的輻射功率還可與另一器件組的輻射功率是不同的。
[0134]優選地，形成所述去污部件22的器件的至少一部分是發光二極管。
[0135]有利地，發光二極管具有圍繞所選擇的主發射譜線的窄帶發射的光譜帶。
[0136]這類發光二極管例如根據其英文首字母縮合詞是LED(Light Emitting Diode)或VCSEL(vertical Cavity Surface Emitting light,即垂直腔面發射體激光器)或甚至EED (Edge Emitting Diode,即邊 沿發光二極管)。
[0137]在根據在圖1到圖3上所示的實施方式的去污裝置10中，去污部件22是發光二極管，優選地所述二極管是LED類型的。
[0138]在圖1上以放大圖詳細地示出發光二極管的一示例，所述發光二極管主要包括上部分26，所述上部分用于被從下部分發射的輻射穿過，所述下部分容置在殼體28中，陽極25和陰極27從殼體延伸，用以對二極管進行供電。
[0139]顯然，在圖1上示出的發光二極管僅僅構成發光二極管的非限定性示例。
[0140]二極管的上部分26有利地是這樣的部分:該部分具有用以對由形成容置在殼體28中的下部分的相鄰半導體部件所發射的輻射進行散射和/或反射的光學特性。
[0141]已知地，所述半導體部件對應能夠發射輻射的不同的半導體材料層，所述半導體材料層通常由更為一般性地英語術語稱為“submount”的“次黏著基臺”支撐。
[0142]作為未顯示的變型，形成半導體器件的發光二極管或激光二極管可特別是不包括殼體28。
[0143]根據這類變型，二極管直接地通過次黏著基臺(“submount”)安裝到支承機構20上。有利地，支承機構20則是參與對運行中器件產生的熱量進行散熱的元件。
[0144]與次黏著基臺(“submount”)相關聯的用以保證能散熱的熱交換功能的元件,通常英語術語稱為“heat sink (散熱器)”。
[0145]根據這類變型不存在殼體28，這有利地允許以相等的表面積設置數目更多的器件。
[0146]有利地，特別地通過這類變型，通過集成器件于支承機構20而獲得去污裝置的總體積尺寸減小，以使得所述器件特別是不會凸伸出，相對周圍環境(濕度、粉塵等)而受到保護。
[0147]優選地，器件完全集成在支承機構20的厚度中，以不會相對于所述支承機構的表面凸出，借助于此，去污裝置的緊湊性得到增強。
[0148]發光二極管可以是單獨的器件，不過優選地是例如呈條或板形式的子組件，每個子組件包括多個二極管。
[0149]優選地，去污部件22包括能夠發射UVC類型的紫外線輻射的第一組發光二極管、和能夠發射UVA類型的紫外線輻射的第二組發光二極管。
[0150]在圖1上，標記為22C的二極管對應發射UVC類型的輻射的第一組，標記為22A的二極管對應發射UVA類型的輻射的第二組，LED類型的發光二極管22C和22A中的每個在部分26中以不同的花紋進行示意，以區分開它們。
[0151]根據未顯示的一變型，去污部件22包括發射紅外線輻射的場致發光二級管，其與發射UVC類型和/或UVA類型的紫外線輻射的其它二極管相結合。 [0152]作為變型，形成去污裝置10的去污部件22的至少一部分器件由激光二極管構成。
[0153]激光二極管實際上具有單色或偽單色類型的發射，其允許獲得具有給定波長的主發射譜線的輻射。
[0154]有利地，去污裝置10包括冷卻部件30，冷卻部件能夠冷卻形成去污部件22的半導體器件。
[0155]實際上，如二極管的半導體類型器件在運行中產生熱，器件因此有利地被冷卻，特別是以便保證其最優運行。
[0156]冷卻部件30例如由支承機構20構成，支承機構能夠通過傳導排出在運行時由安裝在機構20上的器件所產生的熱量。
[0157]為了有利于通過支承機構20導熱，對所述支承機構20的構成材料的選擇涉及具有良好的導熱性能的金屬材料。
[0158]支承機構20可以配有對由器件通過傳導所傳遞的熱量進行散逸的散熱部件，例如布置在支承機構20的未被引入預型件12內部的段部上的散熱器，所述散熱器可與通風機相關聯，以強制在散熱器和空氣之間進行熱交換。
[0159]優選地，冷卻部件30是允許調節溫度以保持器件處于最優的運行條件中的部件。
[0160]有利地，支承機構20集成有冷卻回路，所述冷卻回路能夠在器件的支承機構20內部選擇性地建立載熱流體的循環。
[0161]冷卻回路包括至少兩個導管，分別為至少一個輸入導管32和至少一個排放導管34。
[0162]導管32、34分別被布置在支承機構20中，優選地形成器件冷卻流體的一種液體用于在冷卻回路的所述導管32、34中流通。
[0163]如在圖3上所示，冷卻回路包括流體的排放導管34，所述排放導管被布置在中心位置并連接到輸入載熱流體的多個輸入導管32。輸入導管32圍繞所述排放導管34，鄰近支承機構20的安裝有器件的表面。
[0164]有利地，所有導管32和34直接地以支承機構20的構成材料制成，通過傳導保證由器件所產生的熱量從支承機構20的表面傳遞直到輸入導管34從而保證冷卻，所吸收的熱量繼而經由排放導管34通過冷卻流體被排出。
[0165]根據未顯示的一實施變型，冷卻回路的載熱流體由在支承機構20的至少一個內導道中循環的空氣構成。[0166]有利地，去污裝置10包括控制單元36，所述控制單元能夠選擇性地控制每個器件或每個器件組，以控制所述至少一種紫外線輻射的發射或不發射。
[0167]有利地，去污裝置10的控制單元36能夠選擇性地控制致動部件38，用以引起支承機構20和預型件12之間的相對移動，以執行去污循環。
[0168]優選地，如在前文所述，支承機構20能夠沿豎直方向進行滑動，致動部件38因此與支承機構20相關聯。
[0169]致動部件38例如由至少一個致動器如電馬達或作動筒構成。
[0170]去污循環相繼地包括至少這樣的引入階段:通過所述開口 18引入去污部件22到封閉的內部容積16中，以對預型件12的內部進行滅菌；及包括這樣的取出階段:通過開口18將去污部件22取出到預型件12的所述封閉的內部容積16外。
[0171]現在將參照圖4、繼而參照圖5詳細地描述預型件12的一示例，根據本發明的組件I包括這類預型件12和根據剛剛描述的實施方式的去污裝置10。
[0172]在圖4上所示的預型件12僅僅構成熱塑性材料預型件的一示例，該預型件因此是作為非限定性示例給出的，預型件的幾何特征特別是取決于所期望的最終容器如細頸瓶、燒瓶、罐等和其容量。
[0173]預型件12包括主體40，主體的壁14界定封閉的內部容積16，壁14的一部分形成底部42，頸部44沿坐標系(L，V，T)的豎直方向與所述底部相對，界定通達內部容積16的所述開口 18。
[0174]預型件12具有主軸線0，所述主軸線O沿豎直方向延伸。
[0175]已知地，預型件的頸部44處于其最終形狀，這里通過徑向地向外延伸的環箍46，連接到主體40。
[0176]預型件的頸部44優選地配有螺紋48，螺紋48用于允許通過對最終容器的封口進行后面的封閉。
[0177]在轉變被去污的預型件12之后獲得最終的無菌容器。
[0178]提請注意的是，預型件12的轉變利用至少一種加壓流體獲得，所述至少一種加壓流體通過開口 18被引入預型件12內部，預型件被布置在具有對應容器的模具的模制單元中。一般性地，流體是加壓空氣，通過對預型件的吹制或拉伸-吹制獲得容器。
[0179]為此，熱塑性材料預型件在爐中預先進行熱處理，以軟化其構成材料，這對應預型件并不是在注射制成后就立即進行轉變的假設。
[0180]容器如瓶子被用于農業食品加工業中，用以包裝多種液體如水、果汁或汽水、牛奶
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[0181]為了實施對這類液體產品的消毒或無菌包裝，去污裝置被使用來對預型件12的至少內部進行去污。
[0182]前述的文獻W0-2006/136499描述了一種用于對要被轉變成無菌容器的熱塑性材料預型件進行去污的滅菌方法。
[0183]在該文獻中，通過在預型件的內表面上冷凝沉積消毒劑如過氧化氫(H2O2)汽膜，將預型件的至少內部化學去污。
[0184]對于許多應用，這類方法是令人滿意的，特別是就在對所處理預型件的去污后所獲得的消毒度或滅菌度而言。[0185]如在緒言所指出的，但是尋求對化學去污的其它替換方法，以特別是擺脫與經常用來實施這類微生物去污的消毒劑如過氧化氫(H2O2)的使用相關的某些限制。
[0186]在如圖4上所示的和如在緒言提請注意的熱塑性材料預型件的情形中，幾何特征與所期望的容器類型直接相關，幾何特征從由頸部44界定的開口 18的小尺寸到從所述頸部44延伸直到底部42的主體40的長度和狹窄性，經常成為進行去污的障礙。
[0187]預型件12的頸部44的內徑確定開口 18，即便值根據容器而變化，但可以理解的是，去污裝置10應有利地具有較小的體積尺寸。
[0188]但是，頸部44并不必然地是預型件12的具有最小尺寸的部分。
[0189]實際上，在圖4上示出的預型件12例如具有主體40，所述主體通過截錐形段部連接到頸部44，主體40的內徑小于頸部44的內徑。
[0190]在底部42附近的內部空間有時也比在頸部44處的內部空間小，這是因為形成底部42的壁的厚度更大。
[0191]構成預型件的熱塑性材料，例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)，也是在選擇方法時要考慮的特征，以使得處理不會引起容器的任何外觀缺陷，特別是美觀性方面的缺陷，或者甚至不會存在被用于滅菌的殘余消毒劑。
[0192]不過，熱塑性材料如PET形成對紫外線輻射的屏障，紫外線輻射因此不能穿過預型件12的壁14。
[0193]因此，對預型件12內部的輻照去污處理不能從預型件12外部穿過壁14來執行。
[0194]然而，可實施從預型件12外部進行紫外線輻射的輻照，以特別是對構成敏感區域的頸部44的外部進行去污。
[0195]因此，使用至少一種紫外線輻射以通過輻照對預型件12內部進行滅菌需要紫外線輻射被引入預型件12的內部。
[0196]利用根據圖1到圖3的去污裝置10，由半導體器件構成的發射源本身有利地被直接引入預型件12的內部。
[0197]現在將更為特別地參照圖5描述根據利用所述輻照去污裝置10實現的去污循環對這類預型件12進行的處理。
[0198]首先，預型件12和/或支承機構20被移動以相對于彼此相對地定位在確定的處理位置中，支承機構20的主軸線X和預型件的軸線O基本上是共軸的。
[0199]如在圖5上以(a)示出的，支承機構20處在預型件12正上方的處理位置。
[0200]支承機構20因此占據第一位置，在第一位置中，支承機構20位于預型件12外，該第一位置對應去污循環開始的等待位置。
[0201]優選地，去污部件22在待命狀態不工作。
[0202]根據圖1到圖3的實施方式，二極管22C和22A因此分別地被熄滅，以使得二極管不發射任何紫外線輻射。
[0203]然后，去污裝置10的控制單元36則控制與支承機構20相關聯的致動部件38，以將支承機構20從第一位置向至少第二位置豎直地移動。
[0204]第二位置對應工作位置,在該位置,支承機構20的至少一部分延伸到待去污的預型件12的內部。
[0205]在圖5上以(b)示出輻射源的引入階段，致動部件38在這里引起支承機構20朝預型件12的頸部44的開口 18的方向下降，在這里預型件“頸部在上地”定位。
[0206]顯然，預型件12和支承機構20的布置可在結構上反過來。
[0207]作為變型，預型件12頸部在下地進行定位，支承機構20于是進行朝預型件12的開口 18的方向的上升運動，以引入到預型件12的由底部42封閉的內部容積16內。
[0208]優選地，支承機構20相對于預型件12能沿軸線X活動地安裝。
[0209]支承機構20通過相關聯的致動部件38被移動，所述致動部件被選擇性地控制，以將支承機構送入預型件12內部，然后將支承機構從預型件取出。
[0210]作為變型，支承機構20是固定的，預型件12能夠例如通過活動安裝的夾持部件被移動。
[0211]支承機構20的自由端部經過由頸部44圓周向地界定的開口 18逐漸地進入預型件12的內部。
[0212]有利地，控制單元36對去污部件22進行控制，隨著二極管的支承機構20的自由端部引入預型件12內、到通過壁14所界定的封閉的內部容積16中，漸次地點亮二極管22C和 22A。 [0213]因此，二極管22C和22A自通過預型件12的頸部44的開口 18起，就將分別發射其紫外線輻射，以使得:平行于支承機構20的移動，器件將對相面對的壁14的表面輻照所發射出的所述輻射。
[0214]因此，沿著支承機構20的下降行程，直到達到在圖5上以(C)示出的機構20的第二位置，內壁14從上到下被輻照。
[0215]有利地，自機構通過開口 18起開始輻照而無需等待達到第二位置的事實，允許延長去污循環時的輻照時間。
[0216]有利地，到達第二位置的支承機構20標記著在執行反向行程即向第一位置重新回升之前的停止。
[0217]由支承機構20進行的延時用于在取決于應用的足夠的確定時間中對預型件12的底部42進行輻照。
[0218]如在圖5上所示，二極管示出處在預型件12的內部，在部分26上沒有任何用于區分它們的花紋，這用以通過比較示出二極管已被點亮的事實，至于所發射的輻射則未表示出。
[0219]因此，在(c)，被點亮的所有二極管22C和22A以有利地組合UVC和UVA的紫外線輻射來輻照預型件12的內部。
[0220]有利地，在支承機構20上安裝有二極管的高度“h”基本上對應預型件12的至少深度。
[0221]有利地，借助于被控制單元36選擇性控制的器件的點亮，可使用同一支承機構20來對不同尺寸的預型件12、特別是不同尺寸的主體40進行處理，可通過選擇性地控制器件中的僅一部分器件點亮來改變高度“h”。
[0222]如在圖5上以(d)示出的，去污裝置10的控制單元36繼而控制與支承機構20相關聯的致動部件38，以將支承機構20從其第二位置向其第一位置豎直地移動，這對應取出階段。
[0223]支承機構20為了回到預型件12外，沿軸線X豎直地回升，二極管22C和22A由控制單元36控制以在二極管重新通過頸部44的開口 18時是熄滅的。
[0224]如在圖5上以(e)示出，完成支承機構20的回升，支承機構重新占據其第一位置，所有二極管22A和22C是熄滅的，于是有利地可以開始對另一預型件12的新一去污循環。
[0225]對預型件12的內部的去污包括至少以下步驟，這些步驟在于:
[0226]-引入由半導體器件形成的輻照去污部件22到預型件12的內部；
[0227]-對半導體器件進行控制，用以引起至少一種紫外線輻射的發射，以對預型件12的內部進行輻照去污；
[0228]-將去污部件22取出到預型件12內部之外。
[0229]優選地，如參照圖5所描述的，控制與半導體器件的支承機構20相關聯的致動部件38以將所述支承機構20從第一等待位置向第二作業位置移動，以便將發射源引入預型件12的封閉的內部容積16內部，來獲得引入輻照源到預型件12中的第一引入步驟。
[0230]在為進行去污的第二輻照步驟時，形成去污部件22的器件如二極管22C和22A選擇性地被點亮，最遲在支承機構20達到所述第二位置時。
[0231]第三步驟在于控制與半導體器件的支承機構20相關聯的致動部件38，以朝相反方向、即從第二作業位置向最初所占據的第一等待位置移動所述支承機構20。
[0232]有利地，剛剛進行描述的去污裝置10構成獨立處理裝置，所述獨立處理裝置可被集成在容器如瓶子的制造設備100中，以利用被去污的預型件制造無菌容器。
[0233]圖6示出無菌容器的制造設備100的一示例，所述設備100包括進口 E和出口 S，在進口和出口之間布置有傳送部件102，所述傳送部件能夠保證預型件12經過容器制造設備120從上游向下游的流通。
[0234]傳送部件102包括例如輪，這些輪配有預型件12的運送部件，如凹口或夾具。
[0235]設備100至少包括用以對預型件12進行熱處理的熱處理爐104、模制機106 (通常被稱為“吹制機”)，預型件在模制機被轉變成容器。
[0236]優選地，設備100在模制機106的下游，包括從模制單元106出來的、通過布置在出口 S的部件102進行傳送的無菌容器120的填充和封口機(未顯示)。
[0237]有利地，這類設備100包括至少一個輻照去污裝置10，用以對預型件12的至少內
部進行去污。
[0238]優選地，如在圖6上所示，去污裝置10布置在預型件的熱處理爐104的上游。
[0239]但是，去污裝置10在熱處理爐104上游的布置僅僅構成去污裝置10在設備100中安置的一非限定性示例。
[0240]實際上，去污裝置10能以不同的方式集成在無菌容器的制造設備100中，以對用于在制造設備中進行轉變的預型件12流進行去污。
[0241]作為變型，去污裝置10集成于熱處理爐104的運送裝置108或布置在熱處理爐104的下游，特別是在熱處理爐104和吹制機106之間，甚至集成在吹制機106中。
[0242]根據第一示例，器件的支承機構20通過布置在熱處理爐104上游的預型件12內部的清潔系統(未顯示)的桿體構成。
[0243]對于有關有時又被稱為除塵系統的這類清潔系統的更為充分的細節，將例如參照文獻 TO-99/03513。
[0244]有利地，桿體因此具有雙重功能:一方面是清潔功能，另一方面是去污功能。[0245]此外，清潔系統的桿體通常是中空的，以允許用于實施除塵的空氣的循環，在其中循環的空氣則可以有利地形成器件冷卻流體。
[0246]根據該第一示例，去污裝置10因此保證對用于借助設備100轉變成無菌容器120的預型件12進行除塵和去污的功能。
[0247]根據未顯示的第二示例，去污部件22的支承機構20與給熱處理爐104配備的預型件運送裝置108所包括的預型件12夾持部件相聯動。
[0248]又被稱為“卡盤”或“轉盤”的預型件夾持部件的許多示例從現有技術中是已知的，例如將參照文獻W0-00/48819。
[0249]預型件12的夾持部件與和熱處理爐104相關聯的運送裝置108聯動，以便以閉環執行加熱過程，在加熱過程中，預型件12由形成紅外線輻射源的加熱部件110如燈進行熱處理。
[0250]優選地，器件支承機構20安裝成能活動，以能夠在預型件12供給到夾持部件上和從夾持部件脫出的操作時暫時性地被收起，這旨在不發生干擾。
[0251 ] 一旦夾持部件被供給預型件12，有利地就控制支承機構20滑動通過夾持部件，以將半導體器件引入預型件12的內部容積16的內部。
[0252]有利地，預型件12的壁的內表面的輻照去污處理則與熱處理同時地進行實施，借助于此，以后臺方式操作所述去污。
[0253]因此，相對于常規方法，在熱處理爐104中所操作的對預型件12內部進行的這類去污完全沒有改變基于預型件制造容器的制造時間，此外還允許更長的輻照時間，而完全不影響制造速率。
[0254]根據第三示例，去污裝置10集成于預型件的傳送部件102，如例如布置在熱處理爐104的出口和吹制機106之間的傳送部件。
[0255]有利地，去污則仍以后臺方式實施，前述的優點仍保持。
[0256]在圖6上示意性地示出去污裝置10的一實施例。
[0257]去污裝置10被布置在熱處理爐104的上游，不過其能夠布置在設備100中的其它部位，如剛剛所描述的。
[0258]熱處理爐104因此被供給來自所述去污裝置10的被凈化過的預型件12流。
[0259]優選地，去污裝置10僅具有對預型件12的內部進行去污的功能。
[0260]優選地，去污裝置10是轉動類型的，至少預型件12被帶動圍繞裝置10的中心軸線轉動。
[0261]有利地，裝置10包括多個去污工位，所述多個去污工位沿圓周彼此相鄰地布置，每個去污工位包括一個支承機構20，所述支承機構配有輻照去污部件22。
[0262]支承機構20例如是活動桿體,所述活動桿體具有承載去污部件22的功能。
[0263]裝置10被連續地供給預型件12流，每個預型件12通過所述裝置10的部件沿路線被載送，所述部件例如與已知的部件如具有凹口的輪或夾具相似。
[0264]有利地，支 承機構20則也安裝成圍繞裝置10的中心軸線能轉動活動，且同步，以沿確定路線跟隨預型件12，在確定路線中進行輻照去污循環。
[0265]在轉動類型的裝置10的情形中，所經過的路線例如是在進口和出口之間延伸的一部分圓，預型件12在進口進入裝置10中，預型件12在出口離開裝置10，以繼續其朝熱處理爐104的方向的路徑。
[0266]作為變型，去污裝置10的去污工位直線形地相繼地排列。
[0267]優選地，用裝置10進行的去污循環在運動中的預型件12上實施，以使得去污不影響由預型件12制造容器的制造速率。
[0268]作為變型，去污裝置10包括固定的去污工位，在輻照去污循環的時間期間，每個預型件12保持是暫時性地固定不動的。
[0269]有利地，這類裝置10被布置在熱處理爐104的上游，去污對供給熱處理爐的預型件12流實施。
[0270]優選地，于是建 立至少一個緩沖區域，以能夠對包括確定數目的預型件12的一批預型件進行去污，而不會就此中斷供給熱處理爐104的預型件12流。
[0271]有利地，從預型件流取出一批預型件12，以在裝置10中對其進行去污，然后重新返回到預型件流中。預型件12因此相繼地進入，根據前文所述的去污循環進行處理及向下游進行排送，以允許使新的一批預型件進入。
[0272]優選地，裝置10的去污部件22包括半導體類型器件，如二極管22C和22A，其能夠分別發射UVC和UVA類型的紫外線輻射并形成第一器件組和第二器件組。
[0273]優選地，給熱處理爐104配備的紅外加熱部件110則構成第三組(作為變型，第二組)器件，其發射與UVC和/或UVA紫外線輻射相結合的紅外線輻射。
[0274]實際上，與紫外線輻射相反地，紅外線輻射能夠穿過熱塑性材料如PET材質的預型件12的壁14。
[0275]紅外線輻射因此能夠從預型件12外來施加，以對預型件內部進行去污。
[0276]作為變型，發射紅外線輻射的第三組(作為變型，第二組)器件通過支承機構20進行承載，因此也被引入預型件12的內部。
[0277]根據在圖7上所示的第四示例，器件的支承機構20通過桿體構成，所述桿體與設備100的模制機106的模制單元112相關聯。
[0278]優選地，這類桿體固定地安裝在模制單元112上，特別是用以避免由操作者進行的各種安裝/拆卸操作。
[0279]有利地，模制單元112包括相關聯的致動部件，所述致動部件能夠被選擇性地控制，以將支承機構20從使用位置向待命位置收起，反之亦然。
[0280]有利地，器件的支承機構20通過模制單元112的拉伸桿構成。
[0281 ] 如在圖7上所示，模制單元112包括至少兩個半模50，所述至少兩個半模在單元的至少打開位置和閉合位置之間相對于彼此能活動地安裝。
[0282]模制單元112這里是“文件夾”類型的，即至少一個所述半模50安裝成能圍繞豎直朝向的軸線A轉動活動。
[0283]在閉合位置，模制單元112的半模沿豎直朝向的接合面并合。
[0284]每個半模50配有一個模制型腔，在模制單元112的閉合位置模制型腔的并合確定模腔。
[0285]作為未顯示的變型，模制單元112包括分開的模底，模底與半模50互補。
[0286]這類模制單元112用于制造容器。最終容器基于預型件12獲得，所述預型件在熱處理爐104中預先進行熱處理，在模制單元112中例如通過吹制或通過拉伸-吹制進行轉變。
[0287]模制單元112通常構成容器制造設備100的吹制機器106或“吹制機”的工位之一。“轉動式”設計的吹制機器106包括沿圓周分布的多個模制單元112。
[0288]在制造容器時，預型件12穿過模制單元112的開口 114延伸，主體40在模腔內部，而具有其最終形狀的頸部44則保持在外。
[0289]包括模制型腔的單元112的壁用于與源自被去污的預型件12轉變的無菌容器120的主體的外表面相接觸。
[0290]在前文所描述的不同示例中，裝置10的去污部件22的支承機構20優選地是桿體，所述桿體能活動地安裝，以暫時性地被引入預型件12內部，然后被取出，桿體具有固定的長度(或高度)和恒定的直徑。
[0291]作為變型，支承機構20的外徑沿軸線X朝其自由端部的方向遞減。
[0292]支承機構20的直徑的這種變化有利地允許將支承機構引入直到預型件12的底部42，即便空間窄小。
[0293]作為未顯示的變型，支承機構20的長度是可變化的。有利地，支承機構20是由可以相互貫穿而收起的一組活動段部形成的伸縮桿體。
[0294]有利地，這種伸縮類型的支承機構20的外徑則沿軸線X朝其自由端部的方向遞減。
[0295]本發明還提出由熱塑性材料預型件12制造無菌容器120的一種容器制造方法，所述方法至少包括初始步驟和最終步驟，所述初始步驟在于制造熱塑性材料預型件12，所述最終步驟在于將所述預型件12轉變成容器120，其特征在于，在所述初始步驟和最終步驟之間，所述方法包括對預型件12的至少內部進行去污的至少一個中間去污步驟，中間去污步驟至少在于:
[0296]-引入通過半導體類型器件形成的輻照去污部件22到預型件12的內部，半導體類型器件能夠選擇性地發射至少一種紫外線輻射；
[0297]-對半導體類型器件進行控制，用以引起至少一種紫外線輻射的發射，以對預型件12內部進行輻照；
[0298]-將所述去污部件22取出到經過去污的預型件12外。
[0299]用去污裝置10進行的對預型件12內部的去污在制造容器前進行實施，以直接地獲得無菌容器120。
[0300]有利地，利用經過去污的預型件獲得的無菌容器120實際上能夠在設備100中直接地進行填注和封閉，例如通過封口進行封閉。
【權利要求】
1.組件(I)，所述組件包括用以制造容器的至少一個熱塑性材料預型件(12)和對預型件(12)內部進行去污的去污裝置(10)，其中，所述預型件(12)包括頸部(44)，所述頸部通過由底部(42)封閉的主體(40)軸向地延伸，所述頸部界定進出所述預型件(12)內部的開口 (18)， 其特征在于，所述去污裝置(10)包括至少一個支承機構(20)，所述支承機構承載輻照去污部件(22)，所述輻照去污部件由半導體類型的器件構成，所述器件用于通過開口(18)被引入到所述預型件(12)內部，以在待去污的預型件(12)的內部選擇性地發射至少一種紫外線輻射。
2.根據權利要求1所述的組件，其特征在于，形成所述輻照去污部件(22)的所述器件中的至少一個器件發射“C”類型的紫外線輻射，所述“C”類型的紫外線輻射具有波長在IOOnm到280nm之間的至少一個主發射譜線。
3.根據權利要求1或2所述的組件，其特征在于，形成所述輻照去污部件(22)的所述器件中的至少一個器件發射“A”類型的紫外線輻射，所述“A”類型的紫外線輻射具有波長在315nm到400nm之間的至少一個主發射譜線。
4.根據權利要求1到3中任一項所述的組件，其特征在于，所述輻照去污部件(22)由形成至少第一器件組和第二器件組的器件構成；并且，至少所述第一器件組由至少一個器件構成，所述第一器件組的所述至少一個器件發射的紫外線輻射具有波長在IOOnm到400nm之間的至少一個主發射譜線。
5.根據權利要 求4所述的組件，其特征在于，所述第二器件組由至少一個器件構成，所述第二器件組的所述至少一個器件發射紅外線輻射，所述紅外線輻射具有波長在780nm到Imm之間的至少一個主發射譜線。
6.根據權利要求1到5中任一項所述的組件，其特征在于，所述去污裝置(10)包括致動部件(38)，所述致動部件被選擇性地控制，以引起所述支承機構(20)和所述預型件(12)之間相對移動，以便暫時性地將所述輻照去污部件(22)引入所述預型件(12)內部。
7.根據權利要求1到6中任一項所述的組件，其特征在于，所述輻照去污部件(22)由這樣的器件構成:器件被布置在所述支承機構(20)的用于被接納在所述預型件(12)內部的段部的整個高度(h)或一部分高度上。
8.根據權利要求1到7中任一項所述的組件，其特征在于，所述輻照去污部件(22)由這樣的器件構成:器件被布置在所述支承機構(20)的整個周廓上，以便朝所有方向、以基本360°發射輻射，以對所述預型件(12)內部進行去污。
9.根據權利要求1到8中任一項所述的組件，其特征在于，用于支承器件的所述支承機構(20)被選擇性地帶動轉動，以用至少一種紫外線輻射掃掠所述預型件(12)內部。
10.根據權利要求1到9中任一項所述的組件，其特征在于，所述去污裝置(10)包括控制單元(36)，所述控制單元選擇性地控制器件，以控制所述至少一種紫外線輻射的發射或不發射。
11.根據權利要求1到10中任一項所述的組件，其特征在于，用于支承器件的所述支承機構(20)由用于制造容器的預型件(12)模制單元的拉伸桿構成。
12.根據權利要求1到11中任一項所述的組件，其特征在于，所述去污裝置(10)包括用于冷卻器件的冷卻部件(30)，所述冷卻部件(30)至少由所述支承機構(20)構成，至少通過傳導排出器件在運行時所產生的熱量。
13.根據權利要求12所述的組件，其特征在于，所述支承機構(20)包括冷卻回路，用以在所述支承機構(20)的內部選擇性地建立載熱流體的循環。
14.根據前述權利要求中任一項所述的組件，其特征在于，形成所述輻照去污部件(22)的所述器件中的至少一部分器件是發光二極管。
15.根據前述權利要求中任一項所述的組件，其特征在于，形成所述輻照去污部件(22)的所述器件中的至少一部分器件是激光二極管。
16.利用熱塑性材料的預型件(12)制造無菌容器(120)的容器制造設備(100)，所述預型件包括頸部(44)，所述頸部通過由底部(42)封閉的主體(40)軸向地延伸，所述頸部界定出入所述預型件(12)內部的開口(18)，所述容器制造設備(100)至少包括: -熱處理爐(104)，用于對預型件(12)進行熱處理； -吹制機(106)，用于至少通過注射加壓流體將預型件(12)轉變為容器； 其特征在于，所述容器制造設備(100)包括對預型件(12)進行去污的至少一個去污裝置(10)，所述去污裝置包括至少一個支承機構(20)，所述支承機構承載輻照去污部件(22)，所述輻照去污部件由半導體類型的器件構成，所述器件用于通過所述開口(18)被引入到預型件(12)的內部，以在待去污的預型件(12)的內部選擇性地發射至少一種紫外線輻射。
17.根據權利要求16所述的容器制造設備(100)，其特征在于，所述去污裝置布置在所述熱處理爐(104)的上游，布置在所述熱處理爐中或者布置在所述熱處理爐的下游。
18.利用熱塑性材料的預型件(12)制造無菌容器(120)的容器制造方法，所述容器制造方法至少包括: -初始步驟，所述初始步驟在于制造熱塑性材料的預型件(12)， -最終步驟，所述最終步驟在于將預型件(12)轉變成容器， 其特征在于，在所述初始步驟和最終步驟之間，所述容器制造方法包括對預型件(12)的至少內部進行去污的至少一個中間去污步驟，所述中間去污步驟至少在于: -引入輻照去污部件(22)到所述預型件(12)的內部，所述輻照去污部件由能夠選擇性地發射至少一種紫外線輻射的半導體類型器件形成； -控制所述半導體類型器件，以引起至少一種紫外線輻射的發射，以便對所述預型件(12)的內部進行輻照； -將所述輻照去污部件取出到已去污的預型件(12)外。
19.根據權利要求18所述的容器制造方法，其特征在于，所述容器制造方法在將預型件(12)轉變成容器(120)的所述最終步驟之前包括預型件(12)的熱處理步驟。
20.根據權利要求19所述的容器制造方法，其特征在于，所述最終步驟至少在于注射加壓流體到已預先經過熱處理并被布置在容器(120)模制單元(112)中的預型件(12)的內部。
【文檔編號】A61L2/10GK104010667SQ201280063183
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2012年12月20日 優先權日:2011年12月21日
【發明者】C·貝勒克, G·弗約萊 申請人:西德爾合作公司