一種抑制voc產生的人造革的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種抑制VOC產生的人造革。
【背景技術】
[0002]VOC是揮發性有機化合物(volatile organic compounds)的簡稱。
[0003]人造革采用的材料為高分子有機物，其中還有很多揮發性有機化合物，目前，對人造革中的揮發性有機化合物處理并沒有很好的技術手段，中國專利201410484432.4提供去除人造革織物中含有的揮發性有機化合物(VOC)和由揮發性有機化合物引起的氣味的方法，其通過對人造革織物涂覆與含有揮發性有機化合物(VOC)的有毒物質發生反應的吸附劑；和浸漬；洗滌；以及干燥反應后的人造革織物。該方法包括涂覆吸附劑并通過反應使揮發性有機化合物固定化，以防止有機化合物的揮發或減少其量。此外，在人造革織物與吸附劑發生反應后，洗滌人造革織物，以從人造革中去除固定化在織物表面上的揮發性有機化合物。這種方法并不能從根本上解決人造革VOC超標的問題。
【發明內容】
[0004]針對現有技術中的問題，本發明目的是提供一種抑制VOC產生的人造革。
[0005]為了達到上述目的，本發明的技術方案是:一種抑制VOC產生的人造革，包括基布、設置在基布一面上的高分子層，所述高分子層內填充有抑制VOC納米顆粒。
[0006]進一步，所述VOC納米顆粒由偏鈦酸懸浮液和二氧化硅懸浮液混合均勻后，過濾后進行煅燒，然后粉碎得到。
[0007]進一步，偏鈦酸和二氧化娃質量比為5:1?5:3。
[0008]進一步，所述煅燒溫度為900?1200°C。
[0009]進一步，所述抑制VOC納米顆粒粒徑為20?80納米。
[0010]進一步，所述抑制VOC納米顆粒均勻分布在高分子層內，添加量為高分子層重量的5?10%。
[0011]與現有技術相比，本發明通過對人造革中添加抑制VOC納米顆粒，從而解決人造革VOC超標的問題。
【具體實施方式】
[0012]下面結合實施例對本發明進行進一步說明。
[0013]實施例1
[0014]制取偏鈦酸懸浮液和二氧化娃懸浮液，并將兩者混合均勻、過濾，偏鈦酸和二氧化硅質量比為5:1 ；
[0015]對偏鈦酸和二氧化硅的混合物進行煅燒，煅燒溫度為900°C，粉碎至20納米，得到抑制VOC納米顆粒；
[0016]向高分子顆粒中添加抑制VOC納米顆粒，抑制VOC納米顆粒添加量為高分子顆粒的5%，然后通過擠出機擠出，并壓延在基布上形成高分子層即可。
[0017]實施例2
[0018]制取偏鈦酸懸浮液和二氧化娃懸浮液，并將兩者混合均勻、過濾，偏鈦酸和二氧化硅質量比為5:3 ；
[0019]對偏鈦酸和二氧化硅的混合物進行煅燒，煅燒溫度為1200°C，粉碎至80納米，得到抑制VOC納米顆粒；
[0020]向高分子顆粒中添加抑制VOC納米顆粒，抑制VOC納米顆粒添加量為高分子顆粒的10%，然后通過擠出機擠出，并壓延在基布上形成高分子層即可。
[0021]實施例3
[0022]制取偏鈦酸懸浮液和二氧化娃懸浮液，并將兩者混合均勻、過濾，偏鈦酸和二氧化硅質量比為5:2 ；
[0023]對偏鈦酸和二氧化硅的混合物進行煅燒，煅燒溫度為1100°C，粉碎至50納米，得到抑制VOC納米顆粒；
[0024]向高分子顆粒中添加抑制VOC納米顆粒，抑制VOC納米顆粒添加量為高分子顆粒的7%，然后通過擠出機擠出，并壓延在基布上形成高分子層即可。
[0025]凡在不脫離本發明核心的情況下做出的簡單的變形或修改均落入本發明的保護范圍。
【主權項】
1.一種抑制voc產生的人造革，包括基布、設置在基布一面上的高分子層，其特征在于，所述高分子層內填充有抑制VOC納米顆粒。2.根據權利要求1所述的一種抑制VOC產生的人造革，其特征在于，所述VOC納米顆粒由偏鈦酸懸浮液和二氧化硅懸浮液混合均勻后，過濾后進行煅燒，然后粉碎得到。3.根據權利要求2所述的一種抑制VOC產生的人造革，其特征在于，偏鈦酸和二氧化硅質量比為5:1?5:3。4.根據權利要求2所述的一種抑制VOC產生的人造革，其特征在于，所述煅燒溫度為900 ?1200。。。5.根據權利要求2所述的一種抑制V0C產生的人造革，其特征在于，所述抑制V0C納米顆粒粒徑為20?80納米。6.根據權利要求1所述的一種抑制V0C產生的人造革，其特征在于，所述抑制V0C納米顆粒均勻分布在高分子層內，添加量為高分子層重量的5?10%。
【專利摘要】本發明公開了一種抑制VOC產生的人造革，包括基布、設置在基布一面上的高分子層，所述高分子層內填充有抑制VOC納米顆粒。與現有技術相比，本發明通過對人造革中添加抑制VOC納米顆粒，從而解決人造革VOC超標的問題。
【IPC分類】D06N3/00
【公開號】CN105297462
【申請號】CN201510874301
【發明人】趙建明, 陳清, 成峰, 陸勤中, 徐青
【申請人】昆山阿基里斯人造皮有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年12月2日