專利名稱：低頻石英晶片滾筒設計工藝的制作方法
技術領域：
本發明涉及滾筒設計工藝，具體為低頻石英晶片滾筒設計工藝。
背景技術：
生產石英晶片時，需要用到滾筒，而滾筒的性能好壞，直接決定了晶片的質量，目前的滾筒由于設計精度不高，生產出的晶片性能差，達不到應該的要求，所以開發一種新型的滾筒非常有必要。發明內容
本發明所解決的技術問題在于提供低頻石英晶片滾筒設計工藝，以解決上述背景技術中的缺點。
本發明所解決的技術問題采用以下技術方案來實現:
低頻石英晶片滾筒設計工藝，滾筒包括外筒和內筒，所述內筒位于外筒內部，所述內筒中最小直徑為78mm,最大直徑為90mm,所述外筒的直徑為160mm。
本發明中，加料方式為砂:晶片=10: 3000，加水時必須將滾筒中加滿水。
本發明中，滾筒的轉速控制在:120-180轉/秒。
本發明中，裝料量為2500_3500pcs/筒，加工量控制在400_500KHz。
有益效果
本發明性能優異，效果優良。
圖1為本發明中，滾筒的結構示意圖。
具體實施方式
為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本發明。
參見圖1，低頻石英晶片滾筒設計工藝，滾筒包括外筒I和內筒2，所述內筒2位于外筒I內部，所述內筒2中最小直徑為78mm,最大直徑為90mm,所述外筒I的直徑為160mm。
本發明中，加料方式為砂:晶片=10: 3000，加水時必須將滾筒中加滿水。
本發明中，滾筒的轉速控制在:120-180轉/秒。
本發明中，裝料量為2500_3500pcs/筒，加工量控制在400_500KHz。
本發明生產的產品產品收能不大于12M，電阻不大于30歐姆。
以上顯示和描述了本發明的基本原理和主要特征及本發明的優點，本行業的技術人員應該了解，本發明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發明的原理，在不脫離本發明精神和范圍的前提下，本發明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本發明范圍內，本發明要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效 物界定。
權利要求
1.低頻石英晶片滾筒設計工藝，其特征在于，滾筒包括外筒和內筒，所述內筒位于外筒內部，所述內筒中最小直徑為78mm,最大直徑為90mm,所述外筒的直徑為160mm,加料方式為砂:晶片=10: 3000，加水時必須將滾筒中加滿水，滾筒的轉速控制在:120-180轉/秒，裝料量為2500-3500pcs/筒，加工量控制在 400_500KHz。
全文摘要
低頻石英晶片滾筒設計工藝，滾筒包括外筒和內筒，所述內筒位于外筒內部，所述內筒中最小直徑為78mm，最大直徑為90mm，所述外筒的直徑為160mm，加料方式為砂∶晶片＝10∶3000，加水時必須將滾筒中加滿水，滾筒的轉速控制在120-180轉/秒，裝料量為2500-3500pcs/筒，加工量控制在400-500KHz。本發明性能優異，效果優良。
文檔編號C03B20/00GK103204620SQ20121000656
公開日2013年7月17日 申請日期2012年1月11日 優先權日2012年1月11日
發明者費衛民, 黃衛龍, 周步前, 夏偉, 劉樂 申請人:湖南英思特晶體電波有限公司