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一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品及其制備方法

文檔序號:1907576閱讀:298來源:國知局
一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品及其制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品,包括玻璃基板,其主表面上支承有多層濺射層,所述濺射層自玻璃基板向外依次包括第一電介質層、第一保護層、低輻射層、第二保護層、第二電介質層;其中,第一、第二電介質層為TiAlxMgyOz,x=0.01~0.1,y=0~0.05,2.015≤z≤2.2;第一、第二保護層為Ni層或NiCr合金層;低輻射層為Ag層或Au層。電介質層由于摻有Al2O3或Al2O3和MgO,從而提高了電介質層對可見光的透過性,提高了低輻射鍍膜玻璃的透明性。本發明還公開其制備方法,該制備方法選用TiAl或TiAlMg合金為靶材濺射電介質層,靶材中所含的Al、或Al和Mg可以提高Ti靶的磁導率,從而提高電介質層濺射的均勻性,提高膜層的均勻性。
【專利說明】一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品及其制備方法

【技術領域】
[0001] 本發明涉及膜層平整度高、透光性好的低輻射鍍膜玻璃制品及其制備方法。

【背景技術】
[0002] 玻璃在當代的生產和生活中扮演著重要角色,建筑門窗、汽車車窗等各方面都用 到玻璃。玻璃家族中一個節能環保的新寵是低輻射鍍膜玻璃,俗稱為低輻射玻璃或Low-E 玻璃;其在玻璃表面濺射可以透過可見光、反射中、遠紅外線的膜層,從而減低玻璃表面的 輻射率,減少玻璃因熱輻射而造成的傳熱損耗,提高玻璃的保溫隔熱能力。
[0003] 現有的低輻射鍍膜玻璃的采用二氧化鈦作為電介質層;其缺點是膜層均勻性差, 透光性不夠高,平整度不好,因此需要在二氧化鈦表面增設一層能起到增透膜效果的氧化 鋅層,從而增加了濺射的工序和成本。


【發明內容】

[0004] 本發明的第一目的在于克服現有技術中存在的缺陷,提供一種膜層平整度高、透 光性好的低輻射鍍膜玻璃制品。
[0005] 本發明的另一目的在于提供一種上述低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法。
[0006] 為此,本發明提出的一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品,包括玻璃基板,其 主表面上支承有多層溉射層,所述溉射層自玻璃基板向外依次包括第一電介質層、第一 保護層、低輻射層、第二保護層、第二電介質層;其中,第一、第二電介質層為TiAl xMgy0z, x=0. 01?0. 1,y=0?0. 05, 2. 015彡z彡2. 2 ;第一、第二保護層為Ni層或NiCr合金層,;低輻 射層為Ag層或Au層。
[0007] 與現有技術相比,上述低輻射鍍膜玻璃制品選用了特殊的電介質層,通過在電介 質層中摻入A1 203,或A1203和MgO,摻入的A120 3或A1203和MgO提高了 Ti02中氧原子的空 間,增加了電介質層中氧的含量,提高了電介質層對可見光的透過性。與此同時,選用該電 介質材料,可以從靶材上提高Ti靶的磁導率,從而提高電介質層濺射的均勻性,進而提高 膜層的均勻性。
[0008] 進一步優選地,上述電介質層中,χ=0· 01 ?0· 05,y=0. 01 ?0· 05,2· 025 < z < 2. 125。
[0009] 上述高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,采用磁控濺射法制備,包括以 下步驟: 51、 清洗:對待鍍膜的玻璃基板進行清洗干燥; 52、 預真空過渡; 53、 鍍制各膜層,其中第一、第二電介質層米用Ti-Al或Ti-Al-Mg合金為祀材,在氧氣 或氧氬混合氣氛或氧氮氬混合氣氛中濺射,濺射氣壓為〇. 1~2. OPa ;第一、第二保護層以Ni 或NiCr合金為靶材,在氬氣氛圍中進行濺射,濺射氣壓為0.03~2 Pa;低輻射層以Ag或Au 為靶材,在氬氣氛圍中進行濺射,濺射氣壓范圍為〇. 〇3~2 Pa。
[0010] 上述制備方法選用Ti-Al或Ti-Al-Mg合金為靶材,從靶材上提高Ti靶的磁導率, 從而提高電介質層濺射的均勻性,進而提高膜層的均勻性。與此同時,電介質中摻入A1203 或A1203和MgO可提高Ti02中氧原子的空間,增加電介質層中氧的含量,提高電介質層對可 見光的透過性。
[0011] 第一、第二電介質層在氧氦混合氣氛中溉射時,優選地,所述氧氦混合氣氛的混合 比為1. 5?5 :1。
[0012] 第一、第二電介質層在氧氮氬混合氣氛中濺射時,優選地,所述氧氮氬混合氣氛的 混合比為1. 5?5 :0· 1?0· 5 :1。
[0013] 優選地,所述TiAl合金靶材中,Ti與A1重量比為1 :0. 01~0. 1。
[0014] 優選地,所述TiAlMg合金靶材中,Ti、Al與Mg重量比為1 :0.01?0.05 :0.01?0.05。
[0015] 與現有技術相比,本發明的低輻射鍍膜玻璃制品及其制備方法的優點和有益效果 在于:本發明制備方法選用TiAl或TiAlMg合金為靶材濺射電介質層,靶材中所含的A1、或 A1和Mg可以提高Ti靶的磁導率,從而提高電介質層濺射的均勻性,提高膜層的均勻性。本 發明低福射鍍膜玻璃制品中,電介質層由于摻有A1 203或A1203和MgO,從而提高了電介質層 對可見光的透過性,提高了低輻射鍍膜玻璃的透明性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是實施例1中本發明的低輻射鍍膜玻璃的截面結構示意圖。
[0017] 圖中:11 及 12、TiAlxMgy0z 膜層;21 及 22、NiCr 膜層;31、Ag 層;4、玻璃基板。

【具體實施方式】
[0018] 下面結合附圖,對本發明的【具體實施方式】作進一步描述。以下實施例僅用于更加 清楚地說明本發明的技術方案,而不能以此來限制本發明的保護范圍。
[0019] 本發明的一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品,包括玻璃基板,其主表面上支 承有多層濺射層,所述濺射層自玻璃基板向外依次包括第一電介質層、第一保護層、低輻 射層、第二保護層、第二電介質層;其中,第一、第二電介質層為TiAl xMgy0z,x=0. 01~0. 1, y=(T〇. 05, 2. 015彡z彡2. 2 ;第一、第二保護層為Ni層或NiCr合金層;低輻射層為Ag層或 Au層。
[0020] 制備低輻射鍍膜玻璃制品時,采用磁控濺射法制備,具體包括以下步驟: 51、 清洗:對待鍍膜的玻璃基板進行清洗干燥; 52、 預真空過渡; 53、 依次溉射鍍制第一電介質層、第一保護層、低福射層、第二保護層、第二電介質層, 其中第一、第二電介質層采用TiAl或TiAlMg合金為靶材,在氧氣或氧氬混合氣氛或氧氮氬 混合氣氛中濺射,濺射氣壓為〇. f 2. OPa ;第一、第二保護層以Ni或NiCr合金為靶材,在氬 氣氛圍中進行濺射,濺射氣壓為〇. 〇3~2 Pa ;低輻射層以Ag或Au為靶材,在氬氣氛圍中進 行濺射,濺射氣壓范圍為〇.〇3~2 Pa。
[0021] 選用Ti-Al合金為電介質層濺射的靶材時,優選Ti與A1重量比為1 :0.01~0. 1。 得到的第一、第二電介質層TiAlxMgy0z中,χ=0· 01?0· 1,y=0,2. 015彡z彡2. 15。
[0022] 選用Ti-Al-Mg合金為電介質層濺射的靶材,Ti、A1與Mg重量比為1 :0.01、. 1 : 0· 01 ?0· 05,得到的第一、第二電介質層 TiAlxMgy0z 中,χ=0· 01 ?0· 1,y=0. 01 ?0· 05, 2. 025彡z彡2. 2。優選Ti、Al與Mg重量比為1 :0. 01?0. 05 :0. 01?0. 05,得到的第一、第二 電介質層 TiAlxMgyOz 中,χ=0· 01 ?0· 05, y=0. 01 ?0· 05,2· 025 彡 z 彡 2. 125。
[0023] 第一、第二電介質層在氧氦混合氣氛中溉射時,優選氧氦混合氣氛的混合比為 1. 5~5 :1 ;在氧氮氦混合氣氛中溉射時,優選氧氮氦混合氣氛的混合比為1. 5~5 :0. 1~0. 5 : 1〇
[0024] 圖1表示了低輻射鍍膜玻璃制品的截面結構示意圖。其中,玻璃基板4為濺射的 基板,TiAl xMgy0z膜層11、12分別組成第一、第二電介質層;附&膜層21、22分別組成第一、 第二保護層;Ag層31為低輻射層。
[0025] 以上所述僅是本發明的優選實施方式,應當指出,對于本【技術領域】的普通技術人 員來說,在不脫離本發明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾 也應視為本發明的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品,其特征在于,包括玻璃基板,其主表面上支 承有多層濺射層,所述濺射層自玻璃基板向外依次包括第一電介質層、第一保護層、低輻 射層、第二保護層、第二電介質層;其中,第一、第二電介質層為TiAl xMgyOz,x=0. 01~0. 1, y=(T〇. 05, 2. 015彡z彡2. 2 ;第一、第二保護層為Ni層或NiCr合金層;低輻射層為Ag層或 Au層。
2. 如權利要求1所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品,其特征在于,x=0. 01~0. 05, y=0. 〇Γ〇. 05,2. 025 ^ ζ ^ 2. 125〇
3. 權利要求1所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,其特征在于,采用 磁控濺射法制備,包括以下步驟: 51、 清洗:對待鍍膜的玻璃基板進行清洗干燥; 52、 預真空過渡; 53、 鍍制各膜層,其中第一、第二電介質層米用TiAl或TiAlMg合金為祀材,在氧氣或 氧氬混合氣氛或氧氮氬混合氣氛中濺射,濺射氣壓為〇. 1~2. OPa ;第一、第二保護層以Ni或 NiCr合金為靶材,在氬氣氛圍中進行濺射,濺射氣壓為0. 03~2 Pa ;低輻射層以Ag或Au為 靶材,在氬氣氛圍中進行濺射,濺射氣壓范圍為〇. 〇3~2 Pa。
4. 如權利要求3所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,其特征在于,所 述氧氬混合氣氛的混合比為1. 5~5 :1。
5. 如權利要求3所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,其特征在于,所 述氧氮氬混合氣氛的混合比為1. 5、:0. f〇. 5 :1。
6. 權利要求3所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,其特征在于,所述 TiAl合金靶材中,Ti與A1重量比為1 :0. 01?0. 1。
7. 權利要求3所述的高平整度的低輻射鍍膜玻璃制品的制備方法,其特征在于,所述 TiAlMg合金靶材中,Ti、Al與Mg重量比為1 :0.01?0.05 :0.01?0.05。
【文檔編號】C03C17/36GK104098276SQ201410335440
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月15日 優先權日:2014年7月15日
【發明者】郭博, 高暢, 吳曉杰 申請人:江陰沐祥節能裝飾工程有限公司
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