專利名稱：一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體晶片的清洗液，特別是一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液。
背景技術：
在集成電路加工過程中，需要使用光刻膠，加工過程完成后，再將光刻膠去除。集成電路光刻膠的去除，通常先進行等離子灰化，然后再采用濕式清洗，以便清除由于等離子灰化產生的有機物和聚合物殘留。目前濕式清洗使用的清洗液有兩種SPM和SPM。SPM清洗液是硫酸和過氧化氫的混合物；APM清洗液是氫氧化銨、過氧化氫和水的混合物。清洗設備一般采用批處理沉浸設備或批處理噴霧設備；采用上述設備清洗時，清洗液通常經過過濾后循環使用。隨著半導體技術的飛速發展，在適應器件設計的多變性、低成本和無環境污染等方面，對清洗液提出了更高的要求。以半導體器件為例，在設計65納米及其以下節點的集成電路時，需要更薄的柵介電層，目前正朝著高介電材料的方向發展，這就要求更高的清洗效果，特別是極少的的金屬離子污染物。而傳統的清洗液，無論是SPM清洗液還是APM清洗液，都含有金屬離子，它們對新式柵結構的電學性能有負面影響，清洗后金屬離子污染物的含量，遠遠達不到標準的要求；同時傳統的清洗液還會造成較多的氧化物損失和硅損失。此外，由于清洗液經過濾后循環使用，從開始使用到被替換時其組分在不斷變化，對清洗效果和器件電學性能均會產生不利影響。傳統的清洗液在去除集成電路光刻膠的清洗中，消耗水量極大，其含有的化學試劑成分會造成環境污染。
發明內容本發明的目的是針對上述傳統清洗液的缺點，提供一種具有高性能、不含金屬離子、無污染和良好清洗效果的用于去除集成電路光刻膠的清洗液本發明的技術方案一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于由復合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。
本發明所述復合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1。
本發明所述雙氧水的濃度為3～30％。
本發明的優點是1、該清洗液使用的螯合劑不含金屬離子，不會造成金屬離子污染，而對金屬離子有較強的去除功能；2、減少了氧化物損失和硅損失；3、清洗液成分穩定，確保良好的清洗效果4、降低水耗，有利于環保；5、工藝簡單，成本低。
具體實施方式
實施例1一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由乙羥基乙二胺與三乙醇胺混合而成的復合型螯合劑、濃度為10％的雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比復合型螯合劑占8％；雙氧水6％；去離子水為余量；復合型螯合劑中，乙羥基乙二胺與三乙醇胺混合比例為4∶1。使用該清洗液去除集成電路光刻膠，清洗效果良好。
實施例2一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由四羥基乙基乙二胺與二乙醇胺混合而成的復合型螯合劑，濃度為15％的雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比復合型螯合劑5％；雙氧水8％；去離子水為余量；復合型螯合劑中，四羥基乙基乙二胺與二乙醇胺混合比例為8∶1。使用該清洗液去除集成電路光刻膠，清洗效果良好。
權利要求
1.一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于由復合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。
2.根據權利要求1所述的用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于復合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1。
3.根據權利要求1所述的用于去除集成電路光刻膠的清洗液，其特征在于雙氧水的濃度為3～30％。
全文摘要
一種用于去除集成電路光刻膠的清洗液，由復合型螯合劑、雙氧水和去離子水組成；各種成分所占重量百分比為復合型螯合劑5～10％；雙氧水3～8％；去離子水為余量。復合型螯合劑為羥胺和醇胺的混合物；其混合比例為(2～10)∶1；雙氧水的濃度為3～30％。本發明的優點是1.該清洗液使用的螯合劑不含金屬離子，不會造成金屬離子污染，而對金屬離子有較強的去除功能；2.減少了氧化物損失和硅損失；3.清洗液成分穩定，確保良好的清洗效果；4.降低水耗，有利于環保；5.工藝簡單，成本低。
文檔編號G03F7/42GK101093363SQ20061001441
公開日2007年12月26日 申請日期2006年6月23日 優先權日2006年6月23日
發明者仲躋和, 李家榮, 周云昌, 李薇薇, 楊文靜 申請人:天津晶嶺電子材料科技有限公司