使用量子點熒光粉的顯示裝置的制作方法

專利名稱：：使用量子點熒光粉的顯示裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種顯示裝置及其制造方法，尤其涉及一種使用量子點熒光粉的顯示裝置及其制造方法。
背景技術：
：液晶顯示裝置主要由液晶面板及背光模塊兩大部分所組成。由于液晶面板本身不發光，因此需藉助背光模塊產生的光線，再以液晶面板內的液晶分子控制穿過光線以產生影像。為使產生的影像有良好的色彩表現，如何搭配背光模塊產生的光線與液晶面板前的彩色濾光片即成為此領域中的主要研究課題。目前業界廣泛使用于背光模塊內的光源主要有冷陰極燈管(coldcathodefluorescentlamp,CCFL)及發光二極管(lightemittingdiode，LED)等兩種。由于一般冷陰極燈管所使用熒光粉為BAM:Eu2+，LaP04:Ce，Tb，Y203:Eu3+，其中綠光與紅光屬于線性光譜，其光譜表現具半高寬窄、色飽和度高的優點，然而這些熒光粉并不能被藍光激發，無法使用于一般以藍光激發而成的白光發光二極管中。因此，冷陰極燈管發出的光線具有良好的色彩飽和度，在色彩方面的表現通常較一般的白光發光二極管較佳。而采用發光二極管作為光源時，由于傳統熒光粉的半高寬(fullwidthathalfmaximum,FWHM)較大，以致使用發光二極管的色彩飽和度較差，因此最終形成影像時的影像色彩往往不能令人滿忌。圖1所示為使用傳統熒光粉制成的發光二極管的發射頻譜及配合使用的彩色濾光片的穿透頻譜。發射頻譜中一般包含有藍色波峰11、綠色波峰13及紅色波峰15;而彩色濾光片的穿透頻譜則分別具有藍色色阻部分21、綠色色阻部分23及紅色色阻部分25。如圖1所示，藍色波峰11、綠色波峰13及紅色波峰15與相應的藍色色阻部分21、綠色色阻部分23及紅色色阻部分25在位置對應上有些許的錯位，因此在穿過彩色濾光片后其色彩純度不佳。此外，由于綠色波峰13及紅色波峰15在波形上并不明顯，且其波形均較寬，因此綠色波峰13及紅色波峰15的范圍均會與非對應的色阻部分重疊。因此，綠色波峰13對應的光線可能穿過藍色色阻或紅色色阻，進而造成顏色的摻雜不純。同樣地，紅色波峰15對應的光線亦可能穿過綠色色阻，對顏色的純度造成影響。
發明內容本發明的一目的在于提供一種顯示裝置，具有較佳的色彩表現。本發明的另一目的在于提供一種顯示裝置，具有較佳的亮度。本發明的顯示裝置，其主要包含有發光單元及彩色濾光片。發光單元具有發光芯片及多個量子點熒光粉，其中發光芯片發出光線激發量子點熒光粉產生色光。色光的發射頻譜中具有第一藍光波峰、第一綠光波峰以及第一紅光波峰，各波峰分別具有對應于各峰值的第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。彩色濾光片設置于該發光單元的發光路徑上，以過濾發光模塊產生的色光。彩色濾光片的穿透頻譜中具有第二藍光波峰、第二綠光波峰以及第二紅光波峰，各波峰分別具有對應于各峰值的第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長和第一紅光峰值波長，分別與第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長和第二紅光峰值波長互相匹配，以提升顯示裝置在色彩上的表現。本發明實施例提供的使用量子點熒光粉的顯示裝置，具有較佳的色彩表現和亮度。此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本發明的限定。在附圖中圖1為使用傳統熒光粉發光二極管的發射頻譜及彩色濾光片的穿透頻譜關系示意圖；圖2為本發明顯示裝置的實施例示意圖；圖3A為量子點熒光粉的實施例示意圖；圖3B為量子點熒光粉的另一實施例示意圖；圖4為本發明實施例的發光單元發射頻譜及彩色濾光片的穿透頻譜關系示意圖；圖5為本發明實施例的發光單元發射頻譜及使用傳統熒光粉發光二極管的發射頻譜關系示意圖；圖6為使用本發明實施例的發光單元發射頻譜及使用傳統熒光粉發光二極管在色域空間內的色彩表現關系示意圖；圖7及圖8分別為本發明制造方法的實施例流程圖。附圖標號100顯示裝置200發光單元201色光210發光芯片230量子點熒光粉231硒原子/鎘原子250封裝材261核心263膜層300彩色濾光片310色阻500顯示面板510入光面710發射頻譜711第一藍光波峰713第一綠光波峰715第一紅光波峰730穿透頻譜731第二藍光波峰733第二綠光波峰735第二紅光波峰具體實施例方式為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚明白，下面結合附圖對本發明實施例做進一步詳細說明。在此，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，但并不作為對本發明的限定。本發明提供一種顯示裝置及其制造方法。在較佳實施例中，本發明的顯示裝置設置于顯示裝置內，以提供顯示裝置產生影像必需的光源。顯示裝置較佳包含液晶顯示裝置，例如家用的液晶電視、個人電腦及膝上型電腦的液晶監視器、行動電話及數碼相機的液晶顯不幕等。如圖2所示，顯示裝置100包含有發光單元200及彩色濾光片300。彩色濾光片300設置于發光單元200的發光路徑上，并過濾發光單元200所發出的色光201。彩色濾光片300較佳配置于顯示面板500的入光面510上，以過濾進入顯示面板500的光線，顯示面板500可以為液晶顯示面板，或者是其它的平面顯示面板。在圖2所示的實施例中，發光單元200為發光二極管，且采直下式的光源設計；亦即將彩色濾光片300設置于發光單元200的上方，且發光單元200直接朝彩色濾光片300射出光線。然而在不同實施例中，發光單元200亦可搭配導光板或其他光學元件而采側光式設計。此外，發光單元200與彩色濾光片300之間亦可視需要而設置各式光學元件，例如增亮膜、擴散膜、擴散板等等。如圖2所示，彩色濾光片300上較佳形成有多個色阻310。色阻310中包含有藍光穿透色阻B、綠光穿透色阻G及紅光穿透色阻R。三種不同的色阻310分別允許波長在一定范圍內的藍光、綠光及紅光穿過，并阻擋其余波長的光線。換言之，當色光201穿過彩色濾光片300后，即色阻310分離為預定波長范圍內的藍光、綠光及紅光。發光單元200內具有發光芯片210及多個量子點熒光粉230。發光芯片210較佳為有機發光二極管(OLED)芯片或發光二極管芯片，且較佳為發出藍光的發光二極管芯片；然而在不同實施例中，亦可采用不同種類的芯片，或發出不同的色光。量子點熒光粉230較佳封裝于發光單元200中，且位于發光芯片210上方。如圖2所示的較佳實施例，量子點熒光粉230采用遠端分布(RemotePhosphor)的方式分布于封裝材250內，亦即與發光芯片210間具有一適當間隔，例如介于200微米(um)及300微米(um)之間。此時發光單元200產生的色光201較易具有符合需求的波形。然而在不同實施例中，量子點熒光粉230亦可采用均勻分布或敷型涂布(ConformalDistribution)等方式分布于封裝材250內。所謂的敷型涂布是指熒光粉與發光芯片采用接觸式的涂布，也就是熒光粉直接涂布在芯片表面上。而所謂的遠端分布則是指熒光粉與發光芯片采用非接觸式的涂布，亦即熒光粉分布在芯片上方與芯片隔了一段距離。發光芯片210產生的光線會激發量子點熒光粉230，使發光單元210向外輸出色光201。色光201較佳為白光的混色光，但亦可為其他顏色的色光。量子點熒光粉230的材質較佳包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、5砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。如圖3A所示，量子點熒光粉230可僅由同材質形成的單一核心261所構成。例如以硒/鎘原子231組合的硒化鎘(CdSe)作為核心261的材料，以形成量子點熒光粉230。當以硒化鎘(CdSe)作為單一核心261形成的量子點熒光粉230時，其核心261的粒徑較佳介于2.3納米(nm)及5.5納米(nm)之間，以配合發光芯片210產生具有所需發射頻譜的色光201。然而在圖3B所示的實施例中，量子點熒光粉230亦可由核心261外覆膜層263的方式形成。核心261的材質至少包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(Zn0)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)其中之一；而膜層263的材質亦包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(Zn0)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。以較佳實施例而言，當以硒化鎘(CdSe)作為量子點熒光粉230的核心261的材質時，其核心261的粒徑介于2.3納米(nm)及5.5納米(nm)之間；當選用硫化鋅(ZnS)作為該膜層263的材質時，限制其膜厚介于0.2納米(nm)及1.7納米(nm)之間，以配合發光芯片210產生具有所需發射頻譜的色光201。如圖4所示，發光單元200產生的色光201具有一發射頻譜710，而彩色濾光片300則具有穿透頻譜730。發射頻譜710表示發光單元200的色光201的特性，主要為色光201在各段波長與光強度間的關系；穿透頻譜730則表示各個波長經過彩色濾光片300的穿透率。發射頻譜710具有第一藍光波峰711、第一綠光波峰713及第一紅光波峰715。第一藍光波峰711、第一綠光波峰713及第一紅光波峰715在發射頻譜710上分別對應于第一藍光峰值波長455納米(nm)、第一綠光峰值波長530納米(nm)及第一紅光峰值波長642納米(nm)。穿透頻譜730具有第二藍光波峰731、第二綠光波峰733及第二紅光波峰735分別對應于藍光穿透色阻B、綠光穿透色阻G及紅光穿透色阻R。第二藍光波峰731、第二綠光波峰733及第二紅光波峰735在穿透頻譜730上分別對應于第二藍光峰值波長449納米(nm)、第二綠光峰值波長518納米(nm)及第二紅光峰值波長633納米(nm)。如圖4所示，第一藍光峰值波長455納米(nm)與第二藍光峰值波長449納米(nm)相互匹配。所謂匹配，是指兩者的波長值接近，使發射頻譜710的第一藍光波峰711與穿透頻譜730的第二藍光波峰731幾近于疊合。通過此一設置，色光201中的藍光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過的光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一藍光峰值波長455納米(nm)與第二藍光峰值波長449納米(nm)的比值較佳是介于O.96至1.04之間。同樣地，第一綠光峰值波長530納米(nm)與第二綠光峰值波長518納米(nm)相互匹配。通過此一設置，色光201中的綠光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過的光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一綠光峰值波長530納米(nm)與第二綠光峰值波長518納米(nm)的比值較佳是介于0.95至1.05之間。發光二極管可通過芯片與熒光粉調配峰值波長，而彩色濾光片亦可通過原料調配穿透率峰值，由于芯片、熒光粉與彩色濾光片的原料之間的特性相異，因此不同色光的匹配狀況也會不相同。第一紅光峰值波長642納米(nm)與第二紅光峰值波長633納米(nm)相互匹配。6由于發射頻譜710或穿透頻譜730中紅光部分的波形在強度到達高點后可能朝長波長方向產生延續狀況或數個連峰狀況，使得波峰形狀不明顯，因此紅光波峰715、735較佳是指發射頻譜710或穿透頻譜730在紅色色域中第一次達到局部最大值或頂點的位置。通過此一設置，色光201中的紅光部分得以以較高比例穿過彩色濾光片300，且穿過的光線顏色較不易產生偏差。在較佳實施例中，第一紅光峰值波長642納米(nm)與第二紅光峰值波長633納米(nm)的比值較佳是介于0.82至1.21之間。以較佳實施例而言，第一藍光峰值波長較佳是介于440納米(nm)至457納米(nm)之間；而第二藍光峰值波長亦介于440納米(nm)至457納米(nm)之間。第一綠光峰值波長介于510納米(nm)至535納米(nm)之間；而第二綠光峰值波長亦介于510納米(nm)至535納米(nm)之間。第一紅光峰值波長介于640納米(nm)至780納米(nm)之間；而第二紅光峰值波長亦介于640納米(nm)至780納米(nm)之間。此外，如圖4所示，在本實施中，第一綠光波峰713的半高寬Wei與第二綠光波峰733的半高寬W^比值Ww/Wm小于O.45。通過此一設置，可使色光201發射頻譜710中的綠光部分具有較窄的波形，且不易延伸進入紅色或藍色色域中。因此色光201中的綠光部份能較有效率地穿過綠光穿透色阻G以形成較純粹的綠色光，且色光201中的綠光部分亦不易跨越到藍光或紅光范圍而穿透藍光穿透色阻B及紅光穿透色阻R，因此不會影響產生的藍色光及紅色光的純度。總體而言，通過上述設置，可使整體的色彩飽和度提升。同樣地，第一紅光波峰715的半高寬WK1與第二紅光波峰735最高值的一半的WK2比值亦可設定為小于0.25。藉此可提升分離后的各色光線純度，并提升整體的色彩飽和度。此外，如圖4所示，第一藍光波峰711、第一綠光波峰713以及第一紅光波峰715的半高寬WB1、Wei、WK1較佳均小于50納米(nm)。在不同實施例中，第一綠光波峰713及第一紅光波峰715的半高寬較佳介于35納米(nm)至50納米(nm)之間。通過上述設計，可進一步提升分離后的各色光線純度，并提升整體的色彩飽和度。此外，由于第一綠光波峰713與第一紅光波峰715的波形均較為瘦高，因此兩者間的波谷亦較為深陷；換言之，介于綠光及紅光區間中間的光線能量較低。此一能量分布亦有助于提升分離后的各色光線純度，避免摻入其他色光的成份。在下表及圖5所示的實施例中，第一綠光波峰713的半高寬較佳為38納米(nm)，僅約為傳統熒光粉的發光二極管在綠光區間半高寬77納米(nm)的一半。同樣的，第一紅光波峰715的半高寬較佳為45納米(nm)，亦不到傳統熒光粉的發光二極管在紅光區間半高寬111納米(nm)的一半。此外，第一綠光波峰713與第一紅光波峰715間的波谷亦較傳統熒光粉的發光二極管的發射頻譜在相對位置的波谷為深陷；換言之，本實施例在介于綠光及紅光區間中間的光線能量較低。表1本實施例各色光的發射頻譜半高寬與傳統熒光粉的頻譜半高寬比較光線顏色本實施例發射頻譜的半高寬()傳統熒光粉的頻譜半高寬(nm)綠光38777光線顏色本實施例發射頻譜的半高寬()傳統熒光粉的頻譜半高寬(nm)紅光45111以表1及圖5所示的兩組光源分別穿過彩色濾光片300后，可得如表2及圖6所示在色域空間的色彩表現結果。圖6的色域空間由xy坐標軸所建構，可在此色域空間中以xy坐標來表示色彩的位置。由表2及圖6可知，本實施例的光源在穿過彩色濾光片300后在色域空間得到的NTSC(NationalTelevisionSystemCommittee)色飽和度可達到119.3%;而使用傳統熒光粉的發光二極管在穿過彩色濾光片300后得到的NTSC色飽和度則僅為99.1%。由此可確信當限制第一綠光波峰713及第一紅光波峰715的半高寬W^W^以及降低兩者間的波谷能量時，確實可對NTSC色飽和度的增加有所助益。此外，由于色光201可以更有效率地穿透彩色濾光片300，因此其亮度參數26.2亦大于傳統設置的亮度22.6。表2本實施例光源與傳統熒光粉光源在穿過彩色濾光片后的色彩表現比較<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>本發明進一步提供制造顯示裝置的方法。如圖7所示，步驟1010包含提供彩色濾光片，其包含有多個色阻。如前述的實施例，彩色濾光片的穿透頻譜中具有第二藍光波峰、第二綠光波峰以及第二紅光波峰。各波峰分別具有對應于各峰值的第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。步驟1030包含提供發光單元，其包含有發光芯片及多個量子點熒光粉。發光芯片發出光線激發量子點熒光粉產生色光，色光的發射頻譜中具有第一藍光波峰、第一綠光波峰以及第一紅光波峰。各波峰分別具有對應于各峰值的第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。在較佳實施例中，量子點熒光粉采用遠端分布(RemotePhosphor)的方式分布于包覆發光芯片的封裝材內，并與發光芯片間具有適當間隔。然而在不同實施例中，量子點熒光粉亦可采用均勻分布或敷型涂布(ConformalDistribution)等方式分布于封裝材內。此外，在較佳實施例中，量子點熒光粉的材質包含硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(Zn0)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)中至少其一。步驟1050包含調整彩色濾光片的穿透頻譜，使第一藍光峰值波長及第二藍光峰值波長的比值介于0.96至1.04之間，第一綠光峰值波長及第二綠光峰值波長的比值介于0.95至1.05之間，第一紅光峰值波長及第二紅光峰值波長的比值介于0.82至1.21之間。在此實施例中，先設定發光單元發出色光的發射頻譜，接著再根據發射頻譜來調整彩色濾光片的穿透頻譜。通過此一設置，可有效提升發光效率，并提高色彩的飽和度。在較佳實施例中，為了調整步驟1050中各波長之間的比值，可通過調整彩色濾光片中各色阻的厚度來改變彩色濾光片的穿透頻譜。此外，亦可通過改變色阻的材質來調整彩色濾光片的穿透頻譜。在圖8所示的另一實施例中，除相同的步驟1010及步驟1030夕卜，另包含步驟1070:調整發光單元產生色光的發射頻譜，使第一藍光峰值波長及第二藍光峰值波長的比值介于O.96至1.04之間；第一綠光峰值波長及第二綠光峰值波長的比值介于O.95至1.05之間；第一紅光峰值波長及第二紅光峰值波長的比值介于0.82至1.21之間。在此實施例中，先設定彩色濾光片的穿透頻譜，接著再根據穿透頻譜來調整發光單元發出色光的發射頻譜。通過此一設置，可有效提升發光效率，并提高色彩的飽和度。在較佳實施例中，為了調整步驟1070中各波長之間的比值，可通過調整量子點熒光粉的粒徑或材質來改變發射頻譜的特性及波形。例如當選用硒化鎘(CdSe)作為熒光粉材質時，限制其粒徑介于2.3納米(nm)及5.5納米(nm)之間。此外，亦可選擇調整量子點熒光粉的結構，例如采用單一核心或由核心外覆膜層的方式形成量子點熒光粉的結構。當采用后者時，需先選定核心的材質，再將膜層材質形成于核心上，以包覆住核心。核心及膜層的材質較佳皆選自于硫化鋅(ZnS)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)、硫化鎘(CdS)、碲化鋅(ZnTe)、硒化鎵(GaSe)、硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、銻化鎵(GaSb)、砷化銦(InAs)、碲(Te)、硫化鉛(PbS)、銻化銦(InSb)、碲化鉛(PbTe)、硒化鉛(PbSe)，但不限于此。例如在一實施例中，可選用CdSe作為核心材質，并限制其粒徑介于2.3納米(nm)及5.5納米(nm)之間；同時可選用硫化鋅(ZnS)作為膜層的材質，并限制其膜厚介于0.2納米(nm)及1.7納米(nm)之間。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何具有本發明所屬
技術領域：
的通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當視權利要求范圍所界定者為準。權利要求一種顯示裝置，其特征在于，所述的顯示裝置包含一發光單元，具有一發光芯片及多個量子點熒光粉，其中所述發光芯片發出光線激發所述量子點熒光粉產生一色光，所述色光的發射頻譜中具有一第一藍光波峰、一第一綠光波峰以及一第一紅光波峰，各波峰分別具有對應于各峰值的一第一藍光峰值波長、一第一綠光峰值波長及一第一紅光峰值波長；以及一彩色濾光片，設置于所述發光單元的發光路徑上，并過濾所述色光，其中所述彩色濾光片的穿透頻譜中具有一第二藍光波峰、一第二綠光波峰以及一第二紅光波峰，各波峰分別具有對應于各峰值的一第二藍光峰值波長、一第二綠光峰值波長及一第二紅光峰值波長；其中，所述第一藍光峰值波長及所述第二藍光峰值波長的比值介于0.96至1.04之間，所述第一綠光峰值波長及所述第二綠光峰值波長的比值介于0.95至1.05之間，所述第一紅光峰值波長及所述第二紅光峰值波長的比值介于0.82至1.21之間。2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一綠光波峰的半高寬與所述第二綠光波峰的半高寬比值小于0.45。3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一紅光波峰的半高寬與所述第二紅光峰值最高值的一半的比值小于0.25。4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一藍光波峰、所述第一綠光波峰以及所述第一紅光波峰的半高寬均小于50納米。5.如權利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一綠光波峰及所述第一紅光波峰的半高寬介于35納米至50納米之間。6.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一藍光峰值波長介于440納米至457納米之間，所述第二藍光峰值波長介于440納米至457納米之間。7.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一綠光峰值波長介于510納米至535納米之間，所述第二綠光峰值波長介于510納米至535納米之間。8.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一紅光峰值波長介于640納米至780納米之間，所述第二紅光峰值波長介于640納米至780納米之間。9.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述量子點熒光粉的材質為CdSe，其粒徑介于2.3納米及5.5納米之間。10.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述量子點熒光粉的至少其一包含一核心與一膜層包覆所述核心。11.如權利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，所述核心的材質為CdSe，其粒徑介于2.3納米及5.5納米之間，所述膜層的材質則為ZnS，其膜厚介于0.2納米及1.7納米之間。全文摘要本發明公開了一種使用量子點熒光粉的顯示裝置。顯示裝置主要包含有發光單元及彩色濾光片。發光單元具有發光芯片及多個量子點熒光粉并產生一色光，其發射頻譜中具有第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長及第一紅光峰值波長。彩色濾光片設置于該發光單元的發光路徑上，使得顯示裝置所發的色光穿透彩色濾光片，其穿透頻譜中具有第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長及第二紅光峰值波長。第一藍光峰值波長、第一綠光峰值波長和第一紅光峰值波長，分別與第二藍光峰值波長、第二綠光峰值波長和第二紅光峰值波長互相匹配，以提升顯示裝置在色彩上的表現。本發明實施例的使用量子點熒光粉的顯示裝置，具有較佳的色彩表現和亮度。文檔編號G02F1/1335GK101788737SQ201010106340公開日2010年7月28日申請日期2010年1月26日優先權日2010年1月26日發明者劉如熹,林群哲,王志麟,禹易成申請人:友達光電股份有限公司