光刻設備和器件制造方法

專利名稱：光刻設備和器件制造方法
技術領域：
本發明涉及一種光刻設備以及一種制造器件的方法。
背景技術：
光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上、通常是襯底的目標部分上的機器。例 如，可以將光刻設備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案 轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行 的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包 括所謂的步進機，在步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個 目標部分；和所謂的掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描 所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步地掃描所述襯底來輻射每一個目標 部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底上的方式從圖案形成裝置將圖案轉移 到襯底上。已經提出將光刻投影設備中的襯底浸入到具有相對高折射率的液體(例如水) 中，以便充滿投影系統的最終元件和襯底之間的空間。在一實施例中，液體是蒸餾水，但是 可以使用其他液體。本發明的一實施例將參考液體進行描述。然而，其它流體也可能是適 合的，尤其是潤濕性流體、不能壓縮的流體和/或具有比空氣折射率高的折射率的流體，期 望是具有比水的折射率高的折射率。除氣體以外的流體是尤其希望的。這樣能夠實現更小 特征的成像，因為在液體中曝光輻射將會具有更短的波長。(液體的影響也可以被看成提高 系統的有效數值孔徑(NA)，并且也增加焦深)。還提出了其他浸沒液體，包括其中懸浮有固 體顆粒(例如石英)的水，或具有納米懸浮顆粒(例如具有最大尺寸達IOnm的顆粒)的液 體。這種懸浮的顆粒可以具有或不具有與它們懸浮所在的液體相似或相同的折射率。其他 可能合適的液體包括烴，例如芳香烴、氟化烴和/或水溶液。將襯底或襯底與襯底臺浸入液體浴器(參見，例如美國專利No. US4, 509，852)是 浸沒系統布置的一種形式。這種布置需要在掃描曝光過程中加速很大體積的液體。這需要 額外的或更大功率的電動機，而液體中的湍流可能會導致不希望的或不能預期的效果。另一種提出的布置是液體供給系統，用以通過使用液體限制系統將液體僅提供 到襯底的局部區域并且在投影系統的最終元件和襯底之間(通常襯底具有比投影系統 的最終元件更大的表面積)。提出來的一種用于設置上述解決方案的方法在公開號為 W099/49504的PCT專利申請出版物中公開了。這種類型的布置可以稱為局部浸沒系統布 置。另一種布置是全浸濕布置，其中浸沒液體是不受限制的，正如在PCT專利申請公 開出版物WO 2005/064405中公開的。在這種系統中，浸沒液體是非限制的。襯底的整個頂 部表面覆蓋在液體中。這可以是有利的，因為襯底的整個頂部表面在基本上相同的條件下進行曝光。這對于襯底的溫度控制和處理是有利的。在WO 2005/064405中，液體供給系統 提供液體到投影系統的最終元件和襯底之間的間隙。該液體被允許泄露到襯底的其他部 分。襯底臺的邊緣處的阻擋件防止液體溢出，使得液體可以從襯底臺的頂部表面上以受控 制的方式去除。雖然這樣的系統改善了襯底的溫度控制和處理，但仍然 可能發生浸沒液體 的蒸發。幫助緩解這個問題的一種方法在美國專利申請公開出版物No. US 2006/0119809 中有記載。設置一種構件覆蓋襯底W的所有位置，并且配置成使浸沒液體在所述構件和襯 底和/或保持襯底的襯底臺的頂部表面之間延伸。在歐洲專利申請公開出版物EP1420300和美國專利申請公開出版物 US2004-0136494中，公開了一種成對的或雙臺浸沒式光刻設備的方案，這里以參考的方式 全文并入本文。這種設備設置有兩個臺用以支撐襯底。調平(levelling)測量在沒有浸沒 液體的工作臺的第一位置處進行，曝光在存在浸沒液體的工作臺的第二位置處進行。可選 的是，設備僅具有一個臺。在浸沒式光刻設備中襯底曝光之后，襯底臺移動離開其曝光位置到可以移除和更 換不同襯底的位置。這是熟知的襯底交換。在兩個臺的光刻設備中，臺的交換可以例如在 投影系統下面發生。在浸沒設備中，浸沒流體由流體處理系統或設備來處理。流體處理系統可以供給 浸沒流體，因而是流體供給系統。流體處理系統可以至少部分地限制浸沒流體，因而是流體 限制系統。流體處理系統可以提供阻擋件給流體，因而是阻擋構件。這種阻擋構件可以是流 體限制結構。流體處理系統可以產生或使用流體(例如氣體)流，例如以便在控制浸沒流 體的流量和/或浸沒流體的位置方面幫助處理液體。氣流可以形成密封以限制浸沒流體， 因而流體處理結構可以稱為密封構件；這種密封構件可以是流體限制結構。浸沒液體被用 作浸沒流體。在這種情況下，流體處理系統可以是液體處理系統。流體處理系統可以位于 投影系統和襯底臺之間。參照前面提到的內容，在本段落中提到的有關流體的限定特征可 以被理解成包括有關液體的限定特征。

發明內容
在浸沒式光刻設備中，相對于一流體精確地控制另一流體的溫度是必要的。例如， 相對于用于熱調節投影系統的液體的溫度來控制提供到投影系統的最終元件和襯底之間 的空間的浸沒流體的溫度是必要的，反之亦然。由此，必須對比第一流體和第二流體的溫 度。如果溫度傳感器用于這個用途，必須相對于彼此校準這些溫度傳感器，通常使其精確度 小于ImK。 期望地，例如提供一種流體溫度控制單元，用以基于第二流體的溫度調節第一流 體的溫度，和/或提供一種溫度傳感器校準單元，其可以校準第一溫度傳感器，所述第一溫 度傳感器配置成相對于第二溫度傳感器測量在第一流體路徑內的第一流體的溫度。
根據本發明的一方面，提供一種流體溫度控制單元，包括加熱器，配置用以加熱 在第一流體路徑內的第一流體；第一溫度傳感器，配置用以測量在所述第一流體路徑內的 所述第一流體的溫度；第二溫度傳感器，配置用以測量在第二流體路徑內的第二流體的溫 度；和控制器，配置成基于由所述第一傳感器感測的溫度和由所述第二傳感器感測的溫度 控制所述加熱器。
根據本發明的一方面，提供一種溫度傳感器校準單元，包括第一溫度傳感器，配 置用以測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度；位于管道部內的第二溫度傳感器；閥， 配置用以選擇性地切換第一流體從所述第一流體路徑到所述管道部的流動或第二流體從 第二流體路徑到所述管道部的流動；和計算單元，配置成當閥已經將第一流體從所述第一 流體路徑切換到所述管道部時，相對于所述第二溫度傳感器計算所述第一溫度傳感器中的 校準溫度誤差，或反之亦然。
根據本發明的一方面，提供一種流體溫度測量單元，包括第一溫度傳感器，配置 成測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度；第二溫度傳感器，配置成測量在所述第一流 體路徑的旁通回路中的所述第一流體的溫度；和熱交換器，位于所述第二溫度傳感器上游 的所述旁通回路中，用以在所述旁通回路中的第一流體和第二流體之間交換熱。根據本發明的一方面，提供一種控制在第一流體路徑的流體出口處的流體的溫度 的方法，所述方法包括測量在所述第一流體路徑中的加熱器的下游的第一流體路徑內的 第一流體的溫度；測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；和基于所述第一流體和所述 第二流體的溫度控制所述加熱器，使得所述加熱器加熱所述第一流體以使其溫度更接近所 述第二流體的溫度。根據本發明的一方面，提供一種傳感器校準的方法，所述方法包括使用第一溫度 傳感器測量在第一流體路徑內的第一流體的溫度；使用第二溫度傳感器測量在管道部內的 流體的溫度；將第一流體的流動從所述第一流體路徑切換到所述管道部；和基于來自所述 第一和第二溫度傳感器的信號，相對于所述第一溫度傳感器計算在所述第二溫度傳感器中 的校準溫度誤差，反之亦然。根據本發明的一方面，提供一種測量在第二流體中的溫度的方法，所述方法包括 在第一流體路徑的旁通回路中設置溫度傳感器；和在所述溫度傳感器的上游的所述旁通回 路中設置熱交換器，用于在所述旁通回路內的第一流體和所述第二流體之間交換熱。


現在參照隨附的示意性附圖，僅以舉例的方式，描述本發明的實施例，其中，在附 圖中相應的附圖標記表示相應的部件，且其中圖1示出了根據本發明實施例的光刻設備；圖2和3示出用于光刻投影設備中的液體供給系統；圖4示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖5示出用于光刻投影設備中的另一液體供給系統；圖6示意地示出根據一實施例的流體溫度控制單元；圖7示意地示出根據另一實施例的流體溫度控制單元；圖8示出圖7中的流體溫度控制單元的兩個溫度傳感器的示例溫度圖；和圖9是圖8中的圖的局部。
具體實施例方式圖1示意地示出了根據本發明的一個實施例的光刻設備。所述設備包括-照射系統(照射器)IL，其配置用于調節輻射束B(例如，紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；-支撐結構(例如掩模臺)MT，其構造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA，并與 用于根據確定的參數精確地定位圖案形成裝置MA的第一定位裝置PM相連；_襯底臺(例如晶片臺)WT，其構造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W， 并與配置用于根據確定的參數精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和-投影系統(例如折射式投影透鏡系統)PS，其配置用于將由圖案形成裝置MA賦 予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系統IL可以包括各種類型的光學部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁 型、靜電型或其它類型的光學部件、或其任意組合，以引導、成形、或控制輻射。所述支撐結構MT保持圖案形成裝置MA。支撐結構MT以依賴于圖案形成裝置MA 的方向、光刻設備的設計以及諸如圖案形成裝置MA是否保持在真空環境中等其他條件的 方式保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以采用機械的、真空的、靜電的或其它夾持 技術保持圖案形成裝置MA。所述支撐結構MT可以是框架或臺，例如，其可以根據需要成為 固定的或可移動的。所述支撐結構MT可以確保圖案形成裝置MA位于所需的位置上(例如 相對于投影系統)。在這里任何使用的術語“掩模版”或“掩模”都可以認為與更上位的術 語“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術語“圖案形成裝置”應該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標部分上形成圖案的任何裝置。應當注意， 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖 案包括相移特征或所謂的輔助特征)。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標部分上形成的 器件中的特定的功能層相對應，例如集成電路。圖案形成裝置MA可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可 編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術中是公知的，并且包括諸 如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的 掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨立 地傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射 鏡矩陣反射的輻射束。這里使用的術語“投影系統”應該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統，投影系 統的類型可以包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學系統、或其任 意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或對于諸如使用浸沒液或使用真空之類的其 他因素所適合的。這里使用的術語“投影透鏡”可以認為是與更上位的術語“投影系統”同 義。如這里所示的，所述設備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述設備 可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。光刻設備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的圖案形成 裝置臺)的類型。在這種“多臺”機器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多 個臺上執行預備步驟的同時，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，所述照射器IL接收從輻射源SO發出的輻射束。該源SO和所述光刻設 備可以是分立的實體(例如當該源為準分子激光器時)。在這種情況下，不會將該源SO看成形成光刻設備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器的束傳遞系 統BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所述源SO可 以是所述光刻設備的組成部分(例如當所述源SO是汞燈時)。可以將所述源SO和所述照 射器IL、以及如果需要時設置的所述束傳遞系統BD —起稱作輻射系統。所述照射器IL可以包括用于調整所述輻射束的角強度分布的調整器AD。通常，可 以對所述照射器IL的光瞳平面中的強度分布的至少所述外部和/或內部徑向范圍(一般 分別稱為σ-外部和ο-內部)進行調整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調節所述輻射束，以在其橫截面中 具有所需的均勻性和強度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結構MT(例如，掩模臺)上的所述圖案形成裝置 MA(例如，掩模)上，并且通過所述圖案形成裝置MA形成圖案。已經穿過圖案形成裝置MA 之后，所述輻射束B通過投影系統PS，所述投影系統將輻射束聚焦到所述襯底W的目標部分 C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感 器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標部分C定位于所述輻射 束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一 定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)用于相對于所述輻射束B的路徑 精確地定位圖案形成裝置MA。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程 模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實現支撐結構MT的移動。類似地，可以 采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實現所述襯底臺WT 的移動。在步進機的情況下(與掃描器相反)，支撐結構MT可以僅與短行程致動器相連，或 可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準圖案 形成裝置MA和襯底W。盡管所示的襯底對準標記占據了專用目標部分，但是它們可以位于 目標部分C之間的空間(這些公知為劃線對齊標記)中。類似地，在將多于一個的管芯設 置在圖案形成裝置MA上的情況下，所述圖案形成裝置對準標記可以位于所述管芯之間。可以將所示的設備用于以下模式中的至少一種中1.在步進模式中，在將支撐結構MT和襯底臺WT保持為基本靜止的同時，將賦予所 述輻射束的整個圖案一次投影到目標部分C上(即，單一的靜態曝光)。然后將所述襯底 臺WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標部分C曝光。在步進模式中，曝光場的 最大尺寸限制了在單一的靜態曝光中成像的所述目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，在對支撐結構MT和襯底臺WT同步地進行掃描的同時，將賦予所 述輻射束B的圖案投影到目標部分C上(即，單一的動態曝光)。襯底臺WT相對于支撐結 構MT的速度和方向可以通過所述投影系統PS的(縮小)放大率和圖像反轉特征來確定。 在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單一動態曝光中所述目標部分C的寬度(沿非掃 描方向)，而所述掃描運動的長度確定了所述目標部分C的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的支撐結構MT保持為基本 靜止，并且在對所述襯底臺WT進行移動或掃描的同時，將賦予所述輻射束的圖案投影到目 標部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺WT的每一次移動之 后、或在掃描期間的連續輻射脈沖之間，根據需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作 模式可易于應用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)
8的無掩模光刻術中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用 模式。用于在投影系統PS的最終元件和襯底之間提供液體的布置可以分成至少三種一 般類型。它們是浴器類型布置、所謂的局部浸沒系統和全浸濕浸沒系統。在浴器類型布置 中，基本上整個襯底W和可選地襯底臺WT的一部分浸入到液體浴器中。局部浸沒系統使用液體供給系統，其中將液體僅提供到襯底的局部區域。由液體 填滿的空間在平面中小于襯底的頂部表面，充滿液體的區域相對于投影系統PS保持靜止， 同時襯底W在所述區域下面移動。圖2-5中示出了可以用于這種系統中的不同類型的供給 裝置。密封特征用于將液體密封到局部區域。在PCT專利申請出版物第WO 99/49504號中 公開了用于這種用途的布置。在全浸濕布置中，液體是非限制的。襯底的整個頂部表面和襯底臺的全部或一部 分被浸沒液體覆蓋。至少覆蓋襯底的液體的深度小。液體可以是膜，例如襯底上的液體膜， 例如液體薄膜。浸沒液體可以被應用到投影系統和面對投影系統的面對表面(這種面對表 面可以是襯底和/或襯底臺的表面)的區域或其內。圖2-5中的液體供給裝置的任一個可 以用于這種系統。然而，密封特征不存在、沒有起作用、不如正常狀態有效，或者以其它方式 不能有效地僅將液體密封在局部區域。正如圖2和3所示，液體通過至少一個入口，優選沿著襯底相對于最終元件移動的 方向，供給到襯底上。在已經通過投影系統PS下面之后液體通過至少一個出口去除。也就 是說，當襯底在元件下面沿-X方向掃描時，在元件的+X側供給液體并且在-X側去除液體。 圖2示意地示出了這種布置，其中經由入口供給液體而在元件的另一側通過連接到低壓源 的出口去除。在圖2示出的示例中，沿襯底W相對于最終元件的移動方向供給液體，但是這 并不是必須的。可以在最終元件周圍設置各種方向和數目的入口和出口，圖3示出了一個 實施例，其中在最終元件的周圍在每側上以規則的圖案設置了四組入口和出口。要說明的 是，液體流動的方向在圖2和3中用箭頭示出。在圖4中示出了另一個采用液體局部供給系統的浸沒光刻方案。液體由位于投影 系統PS每一側上的兩個槽狀入口供給，由設置在入口沿徑向向外的位置上的多個離散的 出口去除。所述入口可以設置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通過該孔投影。液體由 位于投影系統PS的一側上的一個槽狀入口提供，由位于投影系統PS的另一側上的多個離 散的出口去除，這引起投影系統PS和襯底W之間的液體薄膜的流動。選擇使用哪組入口和 出口組合可能依賴于襯底W的移動方向(另外的入口和出口組合是不被激活的)。要說明 的是，流體的流動方向和襯底W的方向在圖4中用箭頭示出。已經提出的另一種布置是提供液體供給系統，其具有沿投影系統的最終元件和襯 底臺之間的空間的邊界的至少一部分延伸的液體限制結構。這種布置如圖5所示。圖5示意地示出具有液體限制結構12的局部液體供給系統或流體處理結構，液體 限制結構沿投影系統PS的最終元件和面對表面(例如襯底臺WT或襯底W)之間的空間11 的邊界的至少一部分延伸。(請注意，在下文中如果沒有明確指出，提到的襯底W的表面也 附加地或替換地指的是襯底臺WT的表面)盡管在Z方向上可能存在一些相對移動(在光 軸的方向上)，所述液體限制結構12相對于投影系統在XY平面內基本上是靜止的。在一個實施例中，在液體限制結構12和襯底W的表面之間形成密封并且可以是非接觸密封，例如 氣體密封(這種具有氣體密封的系統在美國專利申請出版物第US2004-0207824中公開) 或流體密封。液體限制結構12至少部分地將液體限制在投影系統PS的最終元件和襯底W之間 的空間11內。到襯底W的非接觸密封，例如氣體密封16，可以形成在投影系統PS的像場 周圍，使得液體被限制在襯底W表面和投影系統PS的最終元件之間的空間11內。該空間 11至少部分地由位于投影系統PS的最終元件的下面和周圍的液體限制結構12形成。液 體通過液體入口 13被引入到投影系統PS下面和液體限制結構12內的所述空間11中。液 體可以通過液體出口 13被去除。所述液體限制結構12在投影系統PS的最終元件上面一 點延伸。液面高于最終元件，使得能提供液體的緩沖器。在一個實施例中，所述液體限制結 構12的內周的上端處的形狀與投影系統PS的形狀或投影系統的最終元件的形狀一致，例 如可以是圓形。在底部，內周與像場的形狀大致一致，例如矩形，雖然并不是必須的。液體通過在使用時液體限制結構12的底部和襯底W的表面之間形成的氣體密封 16被限制在空間11中。氣體密封16由氣體形成，例如空氣或合成空氣，但是在一個實施例 中為氮氣N2或其他惰性氣體。該氣體密封16中的氣體在壓力下通過入口 15提供到液體 限制結構12和襯底W之間的間隙。該氣體通過出口 14抽取。氣體入口 15處的過壓、出口 14處的真空水平和間隙的幾何形狀布置成使得形成向內的限制液體的高速氣流16。氣體 作用在液體限制結構12和襯底W之間的液體上的力將液體限制在空間11內。入口 /出口 可以是圍繞空間11的環形槽。環形槽可以是連續的或非連續的。氣流有效地將液體限制 在空間11中。這種系統在美國專利申請出版物第US2004-0207824號中公開，其全文通過 參考并入。在另一實施例中，液體限制結構12沒有氣體密封。可以應用本發明實施例的液體限制結構的其他類型包括所謂的氣體拖曳液體限 制結構，例如在2009年5月25日遞交的美國專利申請第US61/181158號中描述的，這里通 過參考并入。美國專利申請第US2008/0212046號提供更多細節并且其內容也通過參考全 文并入。圖5中的示例是所謂的局部區域布置，其中液體每一次僅被提供到襯底W的頂部 表面的局部區域。其他布置是可以的。例如，可以使用在液體限制結構12的下表面40上 采用單相抽取器的布置。包括具有多孔構件的單相抽取器的抽取器組件在美國專利申請出 版物第US2006/0038968號中公開的，這里通過參考并入。其中與凹陷和氣刀結合使用這樣 的抽取器組件的布置在美國專利申請出版物第US 2006/0158627號中公開，這里通過參考 并入。本發明的實施例可以應用到用于全浸濕浸沒設備中的流體處理結構。在全浸濕實 施例中，例如通過允許液體泄漏出將液體限制到投影系統的最終元件和襯底之間的限制結 構，允許流體覆蓋襯底的整個頂部表面和襯底臺的全部或部分。用于全浸濕實施例中的流 體處理結構的一個示例可以在2008年9月2日遞交的美國專利申請第US61/136380號中 找到。在上面所有的液體限制結構中，液體被提供到投影系統PS和襯底W和/或襯底臺 WT之間的空間11。在圖5的示例中，通過出口 13提供。浸沒液體(例如超純水)的折射率對溫度高度敏感。因此，期望精確地控制提供 到空間11的流體(例如液體)的溫度(這里稱為第一流體)。
在一個實施例中，第一流體的溫度布置成與提供給投影系統PS的熱調節液體(下 文稱為第二流體)的溫度基本上相同。這可以是有利的，因為在空間11內的流體和投影系 統PS之間可能沒有熱傳遞。圖6和7示意地示出用以實現第一和第二流體的溫度匹配的流體溫度控制單元的 兩個實施例。圖6和7的兩個實施例依賴于比較來自兩個溫度傳感器的信號。為了系統工 作，應該將兩個溫度信號相對于彼此校準到小于ImK之內。于2008年8月22日遞交的美 國專利申請第US61/136，273號公開了一種補償控制單元和使用點之間的熱擾動的流體的 溫度的控制方法。US 61/163，273公開了一種校準放置在相同的流體路徑中的兩個傳感器 的方法。不論在哪在最后的控制步驟和使用點之間存在大的距離都可以應用該方法。本發 明的一個實施例用于參考不同的流體對流體的溫度進行最后的調節。本方法可以與在US 61/136，273中公開的方法結合使用。校準兩個傳感器的一種方法是從設備去除它們并且將它們放入到相同的環境中。 然而，這導致設備停工，由此損失產量，因而不是期望的。圖6和7中的實施例允許在不將 溫度傳感器從設備中移除并因此不損失設備的正常運行時間的情況下而進行校準。在一些 環境中，甚至可以在設備的運行期間相對于彼此校準兩個溫度傳感器。圖6示意地示出根據一個實施例的流體溫度控制單元。流體溫度控制單元包括第 一流體路徑110，其用于第一流體流過其中。第一流體路徑可以從流體源111開始。第一流 體可以被提供至第一流體路徑110的出口 112。從出口 112，第一流體可以被提供至浸沒設 備的部件。浸沒設備的部件可以是液體限制結構12。然后第一流體可以被提供到例如空間 11中。第一溫度傳感器120設置在第一流體路徑110中，用以測量第一流體的溫度。第 一溫度傳感器120設置在第一流體路徑110鄰近出口 112的下游端。設置第二溫度傳感器130用以測量第二流體的溫度。第二流體在第二流體路徑 140內流動。第二流體路徑從入口 141到出口 142，并且包括單向閥145。第二溫度傳感器130位于第一流體路徑110的第一旁通回路160。也就是說，在 第一流體路徑110中的第一流體的流體流的一部分被驅使進入第一旁通回路160以旁通第 一流體路徑110的一部分。限流器165設置在第一旁通回路160中，以限制流過旁通回路 160的第一流體的量。熱交換器170設置在第一旁通回路160中。熱交換器170在第二溫 度傳感器130的上游。第二流體路徑140引導第二流體到熱交換器170。在熱交換器170中，流過其中的 第一流體和第二流體的流量的相對量使得第一流體的溫度改變成第二流體的溫度。為了獲 得第一流體的溫度到第二流體的溫度的改變，第二流體的流量應該至少是第一流體流量的 三倍，期望至少是第一流體流量的六倍。因此，通過測量流出熱交換器170的第一流體的溫 度，第二溫度傳感器130有效地測量了第二流體的溫度。設置控制器150以控制流體溫度控制單元的閥以及控制流體溫度控制單元的用 以調節第一流體的溫度的部件。控制器150接收來自第一和第二溫度傳感器120、130的 信號，對比溫度的差異并調節流體溫度控制單元的參數，使得由第一溫度傳感器測量的第 一流體的溫度基本上等于(例如在5mK、2mK或ImK或小于ImK之內)由第二溫度傳感器 130 (雖然是間接地)測量的第二流體的溫度。
為了調節第一流體的溫度，在第一流體路徑110的上游端設置粗溫度控制器90。 流量控制器95設置在粗溫度控制器的下游。最后，加熱器100設置在第一旁通回路160的 下游和第一溫度傳感器120的上游。在控制器150的控制下，粗溫度控制器90被調節成使得第一流體的溫度稍微低于 由第二溫度傳感器130測量的第二流體的溫度。粗溫度控制器90需要提供穩定的流體溫 度，用于使校準有效。溫度穩定性應該優選低于lmk/30s。隨后，加熱器100的功率輸出被 調節成將第一流體加熱到由第二溫度傳感器130測量的第二流體的溫度。加熱器100是基 于由第一和第二溫度傳感器120、130測量的溫度的差進行控制的。這可以看成為前饋控 制。上述的流體溫度控制方法依賴于第一和第二溫度傳感器120、130獲得對于流體 的給定溫度的基本上相同的讀數或相對于彼此被校準(例如通過計算第二溫度傳感器相 對于第一溫度傳感器的校準溫度誤差，反之亦然)。溫度傳感器120、130的絕對精確度并不重要。圖6中的流體溫度控制單元適于允許可以是或可以不是控制器150的一部分的計 算單元150c計算第二溫度傳感器130相對于第一溫度傳感器120的校準溫度誤差，反之亦 然。這可以通過在校準時間在控制器150的控制下防止第二流體流過熱交換器170來實 現。這可以通過在第二流體路徑140中設置旁通熱交換器170和單向閥145(在熱交換器 170的下游或上游)的第二旁通回路190來實現。閥180可以切換來自入口 141的第二流體流動通過熱交換器170或通過第二旁通 回路190。單相閥145防止第二流體從第二旁通回路190的末端流到熱交換器170。因此， 第二流體從第二旁通回路190流向出口 142。第二旁通回路190設置有限流器195。限流器195設計成使得第二旁通回路190 的流阻基本上等于通過熱交換器170和單向閥145的路徑的流阻。在這種方式中，閥180 是引導流動通過熱交換器170還通過第二旁通回路190將對第二流體溫度或其壓降影響不 大，使得投影系統冷卻系統的操作不受影響。當控制器150已經阻止第二流體流過熱交換器170，校準時間可以開始。在一定量 的時間(例如基于實驗確定的預定時間量)之后，流出熱交換器170的第一流體的溫度將 基本上等于進入熱交換器的第一流體的溫度。因此，第一流體在第二溫度傳感器130處的 溫度將基本上等于第一流體通過第一流體路徑110與第一旁通回路160接合點處的溫度。 如果加熱器100關閉，在第一溫度傳感器120處的第一流體的溫度將基本上等于在第二溫 度傳感器130處的第一流體的溫度。因此，校準單元150c可以對比來自第一溫度傳感器和 第二溫度傳感器120、130的信號，并設定它們測量溫度基本上相同的流體。基于這兩個信 號以及信號之間的差異，可以計算校準溫度誤差。在正常運行過程中，控制器150可以使用由計算單元150c計算的校準溫度誤差。 這有助于確保兼顧考慮由第一和第二溫度傳感器120、130測量的溫度之間的任何偏移。以 這種方式，無論第一和第二溫度傳感器120、130之間的任何漂移，離開出口 112的第一流體 的實際溫度基本上等于第二流體的溫度。在一實施例中，期望地，溫度傳感器是負溫度系數(NTC)傳感器。期望地，這種傳 感器具有至少+/-ImK的精確度。更期望地，傳感器具有至少+/-0. ImK的精確度。
期望地，在粗溫度控制器90的出口側處第一流體的溫度在加熱器100的工作范圍 內，例如低于第二流體的溫度10mK。這是因為加熱器100的功率消耗期望地盡可能小，使得 單元的熱穩定性不被干擾。為了使得校準盡可能精確，第一和第二溫度傳感器120、130之間的距離期望是盡 可能小。而且，期望使第一流體路徑110和第一旁通回路160的管道熱絕緣。此外，環境的 溫度(例如矩形198包圍的環境)應該保持盡可能穩定。其原因在于，流過第一旁通回路 160和第一流體路徑110的第一流體所遵循的路徑是不同的，因此它們從環境中拾取不同 的熱量。這會轉化成在校準之后的額外的偏移。例如，有必要將從與第一旁通回路160的 接合點的下游的第一流體路徑到第一溫度傳感器120和第一旁通回路160的所有的生熱電 部件(例如液體流量控制器95、加熱器100以及甚至閥180)熱絕緣。所述系統的優點在于，不再需要將傳感器從設備物理地移除并排出人為誤差。此 外，不需要用于校準的停機時間。避免了浸沒液體供給系統的污染風險，因為不需要打開供 給系統以便實施校準。此外，如果一個溫度傳感器需要更換，僅該溫度傳感器需要更換并實 施校準工藝。從成本考慮以及停工時間考慮，這是有利的。在校準過程中，第一液體的壓力不會改變。因此，在校準過程中不需要浪費液體。 實際上，依賴于用于冷卻投影系統的第二流體流動的穩定性，可以在曝光期間實施這個過 程。通過將第一流體或第二流體引導到排液裝置，它們都不會浪費。圖7示出另一實施例。圖7中的另一實施例與圖6中的實施例相同，除了下面所 述的。在圖7的實施例中，操作的原理是采用加熱器100、第一傳感器120以及第二傳感 器130 (其直接地測量第二流體的溫度)調節第一流體的溫度，使得第一流體的溫度被調節 成與第二流體的溫度基本上相等。可以提供粗溫度控制器90和液體流量控制器95，如圖6中的實施例那樣。在加熱器100和第一傳感器120的下游，支線220分流第一流動路徑110。支線 220通至具有用于控制流過第一子支線240的流量的閥227的第一子支線240。第一子支 線240包括用以限制流量的限流器225。在正常運行期間，第一流體流被引導通過第一流動 路徑110和第一子支線240。第二子支線250經由閥230從支線220導向其中設置第二溫 度傳感器130的管道部260。在管道部260之后，第二子支線250引導流體流到排液裝置 248。設置閥227、230、233，并通過控制器150進行控制，以切換第一流體流流過第一子 支線240 (在正常運行期間)或流過第二子支線250 (在校準時間期間)。限流器225將流 過第一子支線240的流量限制成等于在第二子支線250中的流量限制的流量大小。因此， 當切換到校準模式時，在第一流動路徑110中的壓力沒有改變。附加地，存在連續流流過支 線220，由此減小細菌在支線220、240、250中滋生并進入到第一流動路徑110中的風險。因 此，第一流體可以流過管道部260并使得在校準時間期間其通過第二溫度傳感器130感測 其溫度。以這種方式，如圖6中的實施例那樣，如果加熱器100是不起作用的，由第一和第 二溫度傳感器120、130測量的第一流體的溫度是基本上相同的。因此，校準單元150c可以 相對于彼此校準兩個傳感器，如圖6中的實施例一樣。在圖7的實施例中，在正常運行期間，第二流體路徑140中的在控制器150的控制下的閥270、272被設定用于第二流體到管道部260的流動。在校準時間期間，在控制器150 的控制下的閥270、272被關閉，使得第二流體沒有流入管道部260。在校準時間期間，第二 流體將連續地在第二流體路徑140內流動，通過包括限流器290的部分280。在正常運行期 間，流體流也將流過部分280。圖8和9示出圖7中的實施例的隨時間變化的由第一傳感器120測量的溫度示例 (由線340表示)和由第二傳感器130測量的溫度示例(由線330表示)。從時間0到大 約2. 25，為正常運行。與第二傳感器130對比，將60mK的溫度校準偏移應用到第一傳感器 120的測量值，因為這是前面測量的偏移。因而，第一和第二液體的溫度基本上相等。在大約時間2. 25，位置300處，閥被調節為使得第一流體被引導流過第二溫度傳 感器130。正如看到的，由第二溫度傳感器130測量的溫度花費一定時間達到平衡。這可能 是例如因為液體已經位于第一流動路徑110和第二溫度傳感器130之間的管道內并且已經 升溫。因此，不實施校準一定時間。在圖8示出的實施例中，特定時間是2. 3分鐘，并且正 如圖9中看到的，在這個時間之后第二溫度傳感器130的溫度讀數，如線330所示，基本上 達到穩定狀態。此時(位置310)，可以計算新的溫度校準偏移誤差。這是舊的溫度校準偏 移(60mK)加上第一溫度傳感器120測量的如線340所示的溫度和第二溫度傳感器130測 量的如線330所示的第一流體的溫度之間的溫度差。在圖8的示例中，這是大約30mK。因 此，計算出新的校準溫度誤差90mK。在閥轉到其正常使用位置之后并且第二流體而不是第一流體流過第二溫度傳感 器130(在點320)，新的校準溫度偏移被應用到第一溫度傳感器120。可以看到，第一流體 的溫度可以與第二流體的溫度一致，因為知道在第一和第二溫度傳感器120、130的讀數之 間有90mK的偏移。正如圖9中時間310處看到的，在已經應用校準溫度誤差之后和將閥切換回正常 模式之前，由第一溫度傳感器120測量的溫度與由第二溫度傳感器130測量的相同的第一 流體的溫度差異僅為0. 5mK。這說明采用本發明的實施例可以獲得0. 5mK的精確度。正如認識到的，上述特征中的任一項可以與任何其他特征一起使用，并且不只是 這些明確地描述的組合覆蓋在本申請的范圍內。一方面，提供一種流體溫度控制單元，包括加熱器，配置成加熱在第一流體路徑 內的第一流體；第一溫度傳感器，配置成測量在所述第一流體路徑內的第一流體的溫度； 第二溫度傳感器，配置成測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；和控制器，配置成基于 由第一傳感器感測的溫度和由第二傳感器感測的溫度控制加熱器。期望地，控制器配置成 基于由第一傳感器感測的溫度和由第二傳感器感測的溫度之間的差異控制所述加熱器。期 望地，第一溫度傳感器在加熱器的下游。期望地，第二溫度傳感器在第一流體路徑的第一旁 通回路中。期望地，熱交換器設置在第一旁通回路中的第二溫度傳感器的上游，其中熱交換 器配置成在第二流體路徑內的第二流體和第一旁通回路內的第一流體之間交換熱，使得第 一旁通回路內的第一流體達到第二流體路徑內的第二流體的溫度，使得通過測量熱交換器 下游的第一流體的溫度，第二溫度傳感器測量在第二流體路徑中的第二流體的溫度。期望 地，限流器設置在第一旁通回路中以限制在第一旁通回路中的流量。期望地，控制器配置成 在校準時間期間，阻止第二流體流到熱交換器。期望地，設置計算單元，所述計算單元配置 成在校準時間期間相對于第一溫度傳感器計算在第二溫度傳感器中的校準溫度誤差，反之亦然。期望地，設置閥用以選擇性地切換到熱交換器的流動或到旁通熱交換器的第二流體 路徑的第二旁通回路的流動。期望地，閥是低速閥。期望地，第二旁通回路包括限流器，所 述限流器配置成將流量限制成與通過熱交換器的路徑的流量基本上相等。期望地，第一旁 通回路在加熱器的上游。期望地，設置從第一溫度傳感器上游的第一流體路徑分支的支路。 期望地，支路包括用以在第一子支路和第二子支路之間切換的閥，期望地，其中所述第一子 支路和第二子支路具有基本上相等的流量限制。期望地，第二子支路包括管道部，所述管道 部包括第二溫度傳感器。期望地，在第二流體路徑中的閥是可切換的，使得第二流體在管道 部內流動。期望地，控制器配置成控制流體溫度控制單元的閥，使得在正常使用期間僅第二 流體在管道部流動，并且在校準時間期間僅第一流體在管道部內流動。期望地，提供計算單 元，其配置成相對于第一溫度傳感器計算在第二溫度傳感器中的校準溫度誤差，反之亦然。在還一方面中，提供一種浸沒式光刻設備，包括投影系統和如上述方面的流體溫 度控制單元。期望地，第一流體路徑是用于將浸沒液體提供到投影系統和襯底之間的空間 的流體路徑。期望地，第二流體路徑是用于用以熱調節投影系統的液體的流體路徑。在本發明的還一方面中，提供一種溫度傳感器校準單元，包括第一溫度傳感器， 配置用以測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度；位于管道部內的第二溫度傳感器； 閥，配置用以選擇性地切換第一流體從所述第一流體路徑到所述管道部的流動或第二流體 從第二流體路徑到所述管道部的流動；和計算單元，配置成當閥已經將第一流體從所述第 一流體路徑切換到所述管道部時，相對于所述第一溫度傳感器計算所述第二溫度傳感器中 的校準溫度誤差，或反之亦然。期望地，提供控制器，其配置用以控制所述閥，以在校準時間 將第一流體的流動從所述第一流體路徑切換到所述管道部。在本發明的又一方面中，提供一種流體溫度測量單元，包括第一溫度傳感器，配 置成測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度；第二溫度傳感器，配置成測量在所述第一 流體路徑的旁通回路中的所述第一流體的溫度；和熱交換器，位于所述第二溫度傳感器的 上游在所述旁通回路中，用以在所述旁通回路中的第一流體和第二流體之間交換熱。期望 地，提供控制器，其配置用以在校準時間阻止第二流體流到所述熱交換器中和/或用以控 制流體流，使得在工作時間期間將所述第一流體的溫度控制到所述第二流體的溫度。期望 地，提供計算單元，其配置在校準時間期間，相對于所述第一溫度傳感器計算所述第二溫度 傳感器中的校準溫度誤差，或反之亦然。期望地，提供加熱器，其配置成加熱第一流體路徑 中第一溫度傳感器上游的第一流體。期望地，所述控制器或控制器配置成基于由所述第一 和第二溫度傳感器測量的溫度控制所述加熱器，使得在所述加熱器的下游所述第一流體的 溫度基本上等于所述第二流體的溫度。在本發明的再一方面中，提供一種控制在第一流體路徑的流體出口處的流體的溫 度的方法，所述方法包括測量在所述第一流體路徑中的加熱器的下游的第一流體路徑內 的第一流體的溫度；測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；基于所述第一流體和所述 第二流體的溫度控制所述加熱器，使得所述加熱器加熱所述第一流體以使其溫度更接近所 述第二流體的溫度。在本發明的再一方面中，提供一種傳感器校準的方法，所述方法包括使用第一溫 度傳感器測量在第一流體路徑內的第一流體的溫度；使用第二溫度傳感器測量在管道部內 的流體的溫度；將第一流體的流動從所述第一流體路徑切換到所述管道部；以及基于來自所述第一和第二溫度傳感器的信號，相對于所述第一溫度傳感器計算在所述第二溫度傳感 器中的校準溫度誤差，反之亦然。在本發明的還一方面中，提供一種測量第二流體的溫度的方法，所述方法包括在 第一流體路徑的旁通回路中設置溫度傳感器；和在所述旁通回路中所述溫度傳感器的上游 設置熱交換器，用于在所述旁通回路內的第一流體和所述第二流體之間交換熱。在本發明的再一方面中，提供一種器件制造方法，包括將圖案化輻射束通過液體 投影到襯底上，并且還包括根據上述方面中任一個所述的方法，其中所述液體是第一流體。雖然本發明詳述了光刻設備在制造ICs中的應用，應該理解到，這里描述的光刻 設備可以有制造具有微米尺度、甚至納米尺度的特征的部件的其他應用，例如制造集成光 學系統、磁疇存儲器的引導和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領 域技術人員應該看到，在這種替代應用的情況中，可以將其中使用的任意術語“晶片”或“管 芯”分別認為是與更上位的術語“襯底”或“目標部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光 之前或之后進行處理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對已曝光的 抗蝕劑進行顯影的工具)、測量工具和/或檢驗工具中。在可應用的情況下，可以將這里公 開內容應用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產生 多層IC，使得這里使用的所述術語“襯底”也可以表示已經包含多個已處理層的襯底。這里使用的術語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV) (例如具有或約為365、248、193、157或126nm的波長)。在允許的情況下術語“透鏡”可以 表示不同類型的光學構件中的任何一種或其組合，包括折射式的和反射式的光學構件。盡管以上已經描述了本發明的具體實施例，但應該認識到，本發明可以以與上述 不同的方式來實現。例如，本發明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或 更多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或具有存儲其中的所述計算機程序的數據 存儲介質(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。此外，機器可讀的指令可以嵌入到兩 個或更多個計算機程序中。所述兩個或更多個計算機程序可以存儲在至少一個不同的存儲 器和/或數據存儲媒介中。當一個或更多個計算機程序由位于光刻設備的至少一個部件內的一個或更多個 計算機處理器讀取時，這里所述的控制器可以每一個或以組合的形式運行。控制器可以每 一個或以組合的形式具有任何合適的用于接收、處理以及發送信號的結構。一個或更多個 處理器配置成與至少一個控制器通信。例如，每個控制器可以包括一個或更多個用于執行 計算機程序的處理器，計算機程序包括用于上述的方法的機器可讀指令。控制器可以包括 用于存儲這種計算機程序的數據存儲介質，和/或用以接收這種介質的硬件。因而，控制器 可以根據一個或更多個計算機程序的機器可讀指令運行。本發明的一個或更多個實施例可以應用于任何浸沒式光刻設備，具體地但不排他 地，應用于上述的那些類型、浸沒液體是否以浴器的形式提供的類型、僅襯底的局部表面區 域上提供浸沒液體的類型或浸沒液體是非限制的類型。在非限制布置中，浸沒液體可以流 過襯底和/或襯底臺的表面，使得基本上襯底和/或襯底臺的整個未覆蓋表面被浸濕。在 這種非限制的浸沒系統中，液體供給系統可以不限制浸沒流體或其可以提供一定比例的浸 沒液體限制，但是基本上不是完全的浸沒液體限制。這里所述的液體供給系統應該廣義地解釋。在特定的實施例中，其可以是提供液
16體到投影系統和襯底和/或襯底臺之間的空間的機構或結構組合。其可以包括一個或更多 個結構的組合、一個或更多個包括一個或更多個液體開口的流體開口、一個或更多個氣體 開口或一個或更多個用于兩相流的開口。開口可以每一個是進入浸沒空間的入口(或流體 處理結構的出口)或浸沒空間的出口(或進入流體處理結構的入口)。在一個實施例中，所 述空間的表面是襯底和/或襯底臺的一部分，或者所述空間的表面完全覆蓋襯底和/或襯 底臺的表面，或者所述空間可以包圍襯底和/或襯底臺。液體供給系統可以任意地進一步 包括一個或更多個元件用以控制液體的位置、數量、質量、形狀、流量或其他任何特征。
上面描述的內容是例證性的，而不是限定的。因而，應該認識到，本領域的技術人 員在不脫離以下所述權利要求的范圍的情況下，可以對上述本發明進行更改。
權利要求
一種流體溫度控制單元，包括加熱器，配置用以加熱在第一流體路徑內的第一流體；第一溫度傳感器，配置用以測量在所述第一流體路徑內的所述第一流體的溫度；第二溫度傳感器，配置用以測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；和控制器，配置成基于由所述第一傳感器感測的溫度和由所述第二傳感器感測的溫度控制所述加熱器。
2.根據權利要求1所述的流體溫度控制單元，其中所述控制器配置成基于由所述第一 傳感器感測的溫度和由所述第二傳感器感測的溫度之間的差控制所述加熱器。
3.根據權利要求1所述的流體溫度控制單元，還包括在所述第一旁通回路中第二溫度 傳感器上游的熱交換器，其中所述熱交換器配置成在第二流體路徑中的第二流體和所述第 一旁通回路中的第一流體之間交換熱，使得在第一旁通回路中的第一流體達到與在第二流 體路徑中的第二流體的溫度基本上相等的溫度，使得通過測量所述熱交換器下游的第一流 體的溫度，所述第二溫度傳感器測量在第二流體路徑中的第二流體的溫度。
4.一種浸沒式光刻設備，包括投影系統和根據權利要求1-3中任一項所述的流體溫度 控制單元。
5.一種溫度傳感器校準單元，包括第一溫度傳感器，配置用以測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度； 位于管道部內的第二溫度傳感器；閥，配置用以選擇性地切換第一流體從所述第一流體路徑到所述管道部的流動或第二 流體從第二流體路徑到所述管道部的流動；和計算單元，配置成當閥已經將第一流體從所述第一流體路徑切換到所述管道部時，相 對于所述第一溫度傳感器計算所述第二溫度傳感器中的校準溫度誤差，或反之亦然。
6.一種流體溫度測量單元，包括第一溫度傳感器，配置成測量在第一流體路徑中的第一流體的溫度； 第二溫度傳感器，配置成測量在所述第一流體路徑的旁通回路中的所述第一流體的溫 度；和熱交換器，位于第二溫度傳感器上游所述旁通回路中，用以在所述旁通回路中的第一 流體和第二流體之間交換熱。
7.—種控制在第一流體路徑的流體出口處的流體的溫度的方法，所述方法包括步驟 測量在所述第一流體路徑中的加熱器下游的第一流體路徑內的第一流體的溫度； 測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；和基于所述第一流體和所述第二流體的溫度控制所述加熱器，使得所述加熱器加熱所述 第一流體以使其溫度更接近所述第二流體的溫度。
8.—種傳感器校準的方法，所述方法包括步驟使用第一溫度傳感器測量在第一流體路徑內的第一流體的溫度； 使用第二溫度傳感器測量在管道部內的流體的溫度； 將第一流體的流動從所述第一流體路徑切換到所述管道部；和 基于來自所述第一和第二溫度傳感器的信號，相對于所述第一溫度傳感器計算在所述 第二溫度傳感器中的校準溫度誤差，反之亦然。
9.一種測量在第二流體中的溫度的方法，所述方法包括步驟 在第一流體路徑的旁通回路中設置溫度傳感器；和在溫度傳感器的上游所述旁通回路中設置熱交換器，用于在所述旁通回路內的第一流 體和所述第二流體之間交換熱。
10.一種器件制造方法，包括將圖案化輻射束通過液體投影到襯底上，并且還包括根據 權利要求7-9中任一項所述的方法，其中所述液體是第一流體。
全文摘要
本發明公開了一種光刻設備和一種器件制造方法。并且，公開了一種流體溫度控制和傳感器校準。在一實施例中，流體溫度控制單元包括加熱器，所述加熱器配置用以加熱在第一流體路徑內的第一流體；第一溫度傳感器，配置用以測量在所述第一流體路徑內的所述第一流體的溫度；第二溫度傳感器，配置用以測量在第二流體路徑內的第二流體的溫度；和控制器，配置成基于由所述第一傳感器感測的溫度和由所述第二傳感器感測的溫度控制所述加熱器。
文檔編號G03F7/20GK101968608SQ201010239620
公開日2011年2月9日 申請日期2010年7月27日 優先權日2009年7月27日
發明者A·H·J·A·馬登斯, P·J·克拉莫爾 申請人:Asml荷蘭有限公司