專利名稱：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及ー種具有較高開ロ率同時還具有易修補特點的像素結構。
背景技術：
在薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-IXD)生產領域中，面板的透光率是ー個重要的產品指標。隨著光刻和制造技術的發展，可生產出越來越精細的面板結構。現有技術中通過不斷降低數據線寬度來減小對開ロ率的損失，但是隨著數據線線寬的降低，數據線斷路現象出現的比率也會有所增長，設計和制造高開ロ率同時具有易于修補的像素結構，將會有廣闊的應用前景。
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如圖I所示，為傳統像素結構示意圖。該像素結構包括數據線I、像素単元、柵線2，該數據線I位于像素単元的ー側。現有技術中的像素結構為了避免色偏現象采用上下兩疇的設計方式，該結構不可避免會在像素中間部分出現電極形狀不規則，像素縫隙交叉區域3位置處出現液晶排列錯亂，容易產生較多區域的暗區，影響像素結構整體的透過率。
發明內容
(一)要解決的技術問題本發明的目的是提供一種陣列基板及顯示裝置，以克服現有技木像素結構的像素開ロ率低下導致影響最終產品良品率的缺陷。(ニ)技術方案為了實現上述目的，本發明一方面提供一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數據線，所述柵線和數據線限定了若干個亞像素単元，數據線位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元和第二子像素単元；所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨連接ー個薄膜晶體管進行獨立充電，而且所述薄膜晶體管整體位于所述柵線對應的區域。進ー步地，所述數據線位于亞像素単元的中間位置。進ー步地，所述陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫；在同一個子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數據線兩側的所述第一子像素単元和第二子像素単元中的狹縫方向關于數據線對稱。進ー步地，所述彩膜基板上用于遮擋數據線區域的遮光層遮蓋在第一子像素単元和第二子像素単元的像素単元交叉區域對應位置處。進ー步地，所述薄膜晶體管的漏極和像素電極通過過孔連接。進ー步地，所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔位置分別設置在第一子像素単元和第二子像素単元的空位處。
進ー步地，當所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管時，所述過孔位置設置在數據線底部并緊貼在數據線兩側位置處。進ー步地，當所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管的反方向時，所述過孔位置設置在數據線底部并遠離數據線兩側位置處。進ー步地，每個所述薄膜晶體管的源極通過兩個獨立的連接電極與其相鄰的數據線相連；所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數據線一體制作。另ー方面，本發明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。(三)有益效果 本發明實施例具有以下優點本發明實施例提供的陣列基板及顯示裝置，采用將數據線設置于像素単元的中部，同時連接兩個獨立的小薄膜晶體管開關進行同時充電；由于同一亞像素由兩個薄膜晶體管進行充電，相應地每個薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，同時由于本方案中的薄膜晶體管整體位于柵線上方，因此縮小薄膜晶體管柵極寬度，也就是縮小柵線的寬度。因此，利用本發明實施例提供的方案，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率。
圖I為現有技術中傳統的像素結構示意圖；圖2為本發明實施例像素結構示意圖；圖3為本發明實施例像素結構另一示意圖；圖4為本發明像素結構交叉排列結構示意圖；圖5為本發明實施例像素結構修補原理示意圖。其中1:數據線；2 :柵電極；3 :交叉區域；4 :公共電極線；5 :像素電極；6 :薄膜晶體管7 :第一子像素単元；8 :第二子像素単元；9 :過孔。
具體實施例方式下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式
作進ー步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。如圖2至圖4所示，本發明提供一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數據線1，所述柵線和數據線I限定了若干個亞像素単元，數據線I位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元7和第二子像素単元8 ；所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨連接ー個薄膜晶體管6 (TFT)進行獨立充電，而且薄膜晶體管6整體位于所述柵線對應的區域。由于同一亞像素由兩個薄膜晶體管進行充電，相應地每個薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，即TFT的柵極寬度可以減小；而且在本實施例中，以柵線作為TFT的柵電極使用，柵極寬度減小也就是，柵線寬度可以減小，從而提高開ロ率。較優地，該數據線I位于亞像素単元的中間位置，使得第一子像素単元7和第二子像素単元8的區域均等，保證TFT充電效果相同。 采用將數據線I設置于亞像素単元的中間部分，將ー個亞像素単元均等分成第一子像素単元7和第二子像素単元8，同時采用兩個獨立小TFT開關分別對第一子像素單元電極和第二子像素単元電極進行充電，避免了傳統的陣列基板中亞像素単元中心部分由于兩疇的交叉引起的開ロ率和透過率損失，可有效地避免色偏現象的發生，同時實施例的陣列基板中將像素縫隙交叉排列產生的影響與數據線I上遮光層對像素開ロ率的損失集合在了一起，保證了像素開ロ區域中全部呈現規則的像素縫隙結構，優化了像素結構，降低了對開ロ率的損失同時保證了像素透過率的均勻性。本實施例中的第一子像素単元7和第二子像素単元8由兩個小TFT同時分別對其進行充電，將ー個亞像素単元分割為兩個部分吋，每一部分只需要原來二分之一大小的TFT開關就可以實現正常充電，以柵線作為TFT的柵電極，使得柵線的寬度可以折半，從而提高開ロ率。具體的，以46inch像素電極所具有的TFT寬長比為例，傳統結構中TFT溝道寬長比(W/L)為58um/5. Oum,理論上若按照本發明的方式設計，每個子TFT溝道的寬長比(W/L)即可以實現29um/5. Oum, TFT溝道寬度縮小可以大大減少掃描線的線寬，從而可以大幅度提高像素的開ロ率。以46inch像素結構為例，經計算采用本像素結構設計時，開ロ率可以提升2. 6%。與現有技術相比，數據線設置像素単元中間位置后，其原來位置對應的位置不用設置黑矩陣，由于亞像素單元與亞像素單元中間的液晶受到左右兩個方向像素電極的作用，該兩個電極形成的水平電場與摩擦方向一致，因此液晶不會發生旋轉，該位置處也不會發生漏光現象，可以確保顯示品質。陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫；在同一個子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數據線兩側的所述第一子像素単元和第二子像素単元中的狹縫方向關于數據線對稱。在本實施例中，以公共電極在下、像素電極在上(即公共電極更靠近基板、像素電極更靠近液晶層)的結構為例。公共電極與公共電極線4相連，以獲取到公共電壓；像素電極5通過過孔與薄膜晶體管的漏極相連。從圖2至圖5中可以看出，本實施例中的像素電極5上形成有狹縫，且數據線兩側的像素電極5的狹縫關于該數據線對稱排布。其中，設置彩膜基板上用于遮擋數據線區域的遮光層遮蓋在第一子像素単元7和第二子像素単元8的像素単元交叉區域3 (低光效區)位置處，可優化像素結構，減少對開ロ率的損失。其中，TFT的漏極和像素電極通過過孔9連接。第一子像素単元和第二子像素單元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔9位置分別設置在第一子像素単元7和第二子像素単元8的空位處，避免占用像素電極區域，最大程度的節省空間。具體的，參考圖2，當第一子像素單7和第二子像素單元8中像素電極5的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向TFT時，所述過孔9位置設置在數據線底部并緊貼在數據線I兩側位置處。參考圖3，當第一子像素単元7和第二子像素単元8中像素電極5的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向TFT的反方向時，過孔9位置設置在數據線I底部并遠離數據線I兩側位置處.上述兩種結構設置，優化了像素結構，最大程度地節省占用像素電極的空間，實現了對開ロ率和透過率影響最小化。參考圖4，與現有的面板顯示區域的不同，本實施例的像素顯示區域中亞像素単元與亞像素單元之間并非完全規則的重復排列，而是將像素結構中像素方向由兩種不同的亞像素結構交叉分布并進行拓展，從整體上避免了色偏現象。如圖5所示，本發明實施例中TFT位置可實現易修補的效果。每個所述薄膜晶體管的源極通過兩個獨立的連接電極與其相鄰的數據線相連；所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數據線一體制作。正常情況下，柵電極2打開，數據線I輸入充電信號，該充入的信號流經兩個小TFT開關6形成分支，分別對第一子像素単元7和第二子像素単元8進行獨立充電，具體的，該第一子像素単元7通過a — b — c完成充電，同時第二子像素単元8通過a — e — f完成充電，隨后信號通過d — h (或者g — h)傳遞給下一行的像素。當“b”處存在數據線斷路(DO)時，第二子像素単元8正常充電，而第一子像素単元7通過a — e — f — g — d — c完成充電，不影響像素的充電效果；同理當第二子像素単元TFT上“e”處發生數據線斷路(DO)吋，第二子像素単元TFT通過a — b — c — d—g — f完成充電。由于數據線I與柵電極2不存在垂直交叉區域，因此交疊電容對線延遲的影響大大降低。由同一條數據線I輸入信號的左右兩個TFT，分別對第一子像素単元7和第二子像素単元8左右兩部分像素結構進行充電，當其中的ー個TFT處發生數據線斷路(DO)或數據線和柵電極短路(DGS)時，另外ー個TFT仍然可以進行正常充電，從而避免了上述不良對畫面品質的影響。本發明實施例提供的陣列基板，采用將數據線設置于像素単元的中間部分，同時連接兩個獨立薄膜晶體管開關進行同時充電，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率，同時，當其中一個像素単元區域出現問題時，并不會影響另外ー個區域正常充電，最大程度的提聞廣品畫面品質。另外，本發明還提供一種顯示裝置，包括上述實施例中的陣列基板，本發明中的顯示裝置包括但不局限于液晶電視、平板電腦、液晶顯示器或其他電子顯示產品。本發明實施例提供的顯示裝置中的陣列基板采用將數據線設置于像素単元的中部，同時連接兩個獨立的小薄膜晶體管開關進行同時充電；由于同一亞像素由兩個薄膜晶體管進行充電，相應地每個薄膜晶體管的溝道寬長比可以減小，同時由于本方案中的薄膜晶體管整體位于柵線上方，因此縮小薄膜晶體管柵極寬度，也就是縮小柵線的寬度。因此，利用本發明實施例提供的方案，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開ロ率。本發明的描述是為了示例和描述起見而給出的，而并不是無遺漏的或者將本發明限于所公開的形式。很多修改和變化對于本領域的普通技術人員而言是顯然的。選擇和描述實施例是為了更好說明本發明的原理和實際應用，并且使本領域的普通技術人員能夠理解本發明從而設計適于特定用途的帶有各種修改的各種實施例。權利要求
1.一種陣列基板，包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數據線，所述柵線和數據線限定了若干個亞像素単元，其特征在于，數據線位于亞像素単元的中部，將亞像素単元分為第一子像素単元和第二子像素単元； 所述第一子像素単元和第二子像素単元各自單獨連接ー個薄膜晶體管進行獨立充電，而且所述薄膜晶體管整體位于所述柵線對應的區域。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述數據線位于亞像素単元的中間位置。
3.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上形成有公共電極和像素電極，而且在所述公共電極和/或像素電極上形成有狹縫； 在同一個子像素単元中的狹縫方向保持一致；而且，位于同一條數據線兩側的所述第一子像素單元和第二子像素單元中的狹縫方向關于數據線對稱。
4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述彩膜基板上用于遮擋數據線區域的遮光層遮蓋在第一子像素単元和第二子像素単元的像素単元交叉區域對應位置處。
5.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的漏極和像素電極通過過孔連接。
6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一子像素単元和第二子像素單元中像素電極的縫隙方向形成夾角，所述過孔位置分別設置在第一子像素単元和第二子像素単元的空位處。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，當所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管時，所述過孔位置設置在數據線底部并緊貼在數據線兩側位置處。
8.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在干，當所述第一子像素単元和第二子像素単元中像素電極的縫隙方向形成的夾角開ロ朝向薄膜晶體管的反方向時，所述過孔位置設置在數據線底部并遠離數據線兩側位置處。
9.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，每個所述薄膜晶體管的源極通過兩個獨立的連接電極與其相鄰的數據線相連； 所述連接電極與所述薄膜晶體管的源極、所述數據線一體制作。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。該陣列基板包括基板以及形成在所述基板上的柵線和數據線，所述柵線和數據線限定了若干個亞像素單元，數據線位于亞像素單元的中部，將亞像素單元分為第一子像素單元和第二子像素單元；第一子像素單元和第二子像素單元各自單獨連接一個薄膜晶體管進行獨立充電而且薄膜晶體管整體位于所述柵線對應的區域。本發明實施例提供的陣列基板及顯示裝置，陣列基板及顯示裝置，采用將數據線設置于像素單元的中部，同時連接兩個獨立的小薄膜晶體管開關單獨進行充電，可大幅度縮小掃描線寬度，提高像素開口率。
文檔編號G02F1/1362GK102759833SQ201210266429
公開日2012年10月31日 申請日期2012年7月27日 優先權日2012年7月27日
發明者劉莎 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司