專利名稱：基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種光子晶體濾波器，特別是涉及一種可調諧的光子晶體濾波器。
背景技術：
隨著光通信技術的不斷發展，需要傳輸信息量的不斷增加，人們對通信網的要求不斷提高。未來的光通信網絡將朝著智能、靈活和可配置方面發展，而具備大調諧范圍、超窄帶、覆蓋全可見光范圍、可調諧的濾波器是實現這一趨勢的重要器件。現在已得到應用的可調諧濾波器主要包括法布里-珀羅可調諧濾波器、光纖布喇格光柵可調諧濾波器和陣列波導式可調諧濾波器等，但這些可調濾波器的協調范圍較窄且帶寬較寬，能耗較大。光子晶體是由介電常數不同的介質按照周期性排列形成的人工晶體。光子晶體主 要分為一維光子晶體、二維光子晶體和三維光子晶體，相對于二維和三維光子晶體而言，一維光子晶體具有結構簡單，工藝制備上更容易實現等優點。光子晶體理論的提出，為設計光學元器件提供了一種全新的方法。現在光子晶體可調諧濾波器主要利用熱光效應、光致折射率變化和光電效應使材料的光學參量發生改變，實現可調諧濾波。利用熱光效應和光致折射率變化的光子晶體濾波器調諧范圍通常較小；使用光電效應的濾波器可得到相對較大的調諧量，但仍不到IOOnm,且驅動時間較長。茅惠兵等(光子晶體可調諧濾波特性的理論研究，物理學報，2004年第53卷)提出(H1L1)15LcH2(L2H2)n的結構模型，耦合層Lc為空氣層，通過表面微機械技術調節耦合層的厚度實現調諧的目的。該光子晶體結構復雜，禁帶不在可見光范圍，導帶的寬度達到十幾個納米，不能實現超窄帶濾波。Y. Bouazzi 等(Optical Fabry - Perot filter based on photonic band gapquasi-periodic one-dimensional multilayer according to the definite Rudin -Shapiro distribution, Optics Communications. 2012，Vol: 285, 2774-2779)研究了將魯丁 .夏皮羅序列的準周期結構與H(LHP周期性結構并置時的禁帶特性，發現在400nm到700nm的禁帶范圍出現多條導帶。該結構模型雖然可實現在可見光范圍內的多色濾波器構想，但未能完全覆蓋可見光范圍，且不能實現調諧的功能。韓培德等(Optimizationof dichromatic filters based on photonicheterostructures of Si/MgF2, Optics Communications. 2012, Vol:285，2656-2659)提出了采用Si和MgF2兩種介電材料按照結構[(AB)m(CD) Jq(AB)m(其中A、C代表Si，B、D代表MgF2)排列形成一維光子晶體,通過改變m、S、q的值來實現可見光范圍內的反射器和濾波器，但該理論模型有禁帶未能覆蓋全可見光范圍且導帶不能調諧的局限性。
發明內容
本發明的目的是提供一種簡單可行的基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器。本發明的基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器是由平行設置的兩個結構組成為[A/B]3的相同一維光子晶體Dp D2,以及位于所述兩個一維光子晶體之間的厚度可以調節的空氣缺陷層C構成的，其中至少一個一維光子晶體可以移動，以調節空氣缺陷層C的厚度 /3。本發明可調諧濾波器的整體結構為[A/B]3C[A/B]3。本發明基于的原理是在光子晶體中，如果對其結構參數進行優化，可以發現在某些頻率范圍內會出現較大的完全光子禁帶，而當在光子晶體中引入特定的缺陷層時，完全光子禁帶中就會出現較高品質因子的缺陷態而形成缺陷模，光子晶體的完全光子禁帶和完全禁帶中的缺陷模能實現禁止和允許一定頻率的光子通過的效果。通過改變缺陷層的各項參數，可以控制導帶的位置，從而實現可調諧濾波的目的。本發明是以超聲波馬達驅動一維光子晶體D1或D2移動，來調節空氣缺陷層C的厚度4的。一種典型的結構為將光子晶體D1固定在一個固定裝置上，D2固定在一個與超聲波馬達相連的可移動裝置上，通過超聲波馬達驅動D2沿軌道移動，以調節空氣缺陷層C的厚度4，則濾波器的濾波通道位置會隨之發生改變，形成可調諧濾波器。其中，所述空氣缺陷層C的厚度4在O. 3a I. 5a之間變化，其中a為一維光子 晶體D1或D2的晶格常數。所述構成本發明可調諧濾波器的光子晶體[A/B]3由高、低介電常數的兩種介電材料組成，A為低介電常數材料如氟化鋰或氟化鎂，厚度為Cll ；B為高介電常數材料如銻化鎵或鍺，厚度為式。對晶格常數<3=4+4=126. Onm的一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器進行數值模擬計算，結果表明隨著兩個一維光子晶體之間的距離即空氣缺陷層的厚度4在
O.3a I. 5a之間變化時，光子禁帶的寬度并未發生明顯變化，始終能覆蓋全可見光范圍；且在光子禁帶范圍內始終出現一條超窄濾波通道，該通道波長隨著缺陷層厚度的增加，在可見光波段連續移動，寬度在I. 2nm 3. 4nm之間變化，透射率最高可達到99. 9%，濾波效果優良。本發明中的一維光子晶體[A/B]3是采用磁控濺射或低壓氣相化學淀積方式加工得到的。進而，本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的具體制備方法是首先采用磁控濺射、低壓氣相化學沉積等方法，在光學基片上依次生長設計厚度的介電材料B和A，按照同樣的方法共生長3個周期，得到光子晶體D1 ;重復上述操作制備出相同的光子晶體D2。將光子晶體D1固定在固定裝置F上，D2固定在與超聲波馬達(USM)相連的可移動裝置M上。當通過USM驅動M沿軌道移動，以調節空氣缺陷層C的厚度J3時，濾波器的濾波通道位置會隨之發生改變，形成可調諧濾波器。本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器相對于現有技術的優勢在于
1、結構簡單，該可調諧濾波器實質上僅是由兩個完全相同的只有三個周期的一維光子晶體構成，工藝制備上成本低、更容易實現；
2、容易獲得，可以將多種介電材料按照不同的厚度比組合后應用于本發明，靈活易行，且大大降低了實驗難度；
3、可以調諧，通過超聲波馬達調節兩個一維光子晶體之間的距離，就可以得到所需波長的通道；
4、濾波性能良好，調諧過程中禁帶一直能夠覆蓋全可見光范圍，在其禁帶范圍內始終只有一條極窄的、波長連續變化的濾波通道，這使得本發明的可調諧濾波器在光通訊領域具有很好的應用前景。
圖I是構成本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的光子晶體DpD2的結構示意圖。圖中A、B為兩種不同的介電材料，[A/B]3表示A、B兩種不同的介電材料依次排列3個周期，其中Cll為介電材料A的厚度，d2為介電材料B的厚度，α= ,+ 2為光子晶體的晶格常數，ζ方向為光子晶體的周期排列方向。圖2是構成本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的結構示意圖。圖中A為低介電常數材料，B為高介電常數材料，C為空氣缺陷層，Cll為介電材料 A的厚度，J2為介電材料B的厚度，為光子晶體的晶格常數，4為空氣缺陷層C的厚度，在O. 3a I. 5a之間變化方向為光子晶體的周期排列方向。圖3是本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的裝置結構圖。圖中Dp D2為構成本發明一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的兩個完全相同的一維光子晶體；F為固定裝置，D1固定在F上；M為與超聲波馬達相連的可移動裝置，D2固定在M上；USM為超聲波馬達，USM驅動M沿軌道移動。圖4為結構組成為[LiF/GaSb] 3 [空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在 /3=0· 3α時的透射率特性圖。圖中縱坐標為透射率，橫坐標為波長，單位nm。禁帶波長范圍379. Inm 833. 3nm,導帶波長范圍417. 2nm 419. 4nm,寬度2. 2nm,在418. 3nm位置透射率98. 8%。圖5為結構組成為[LiF/GaSb] 3[空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在 /3=0· 5σ時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍376. 3nm 846. 8m，導帶波長范圍448. 7nm 450. Onm,寬度
I.3nm,在 449. 4nm 位置透射率 72. 3%。圖6為結構組成為[LiF/GaSb] 3[空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在 /3=0· α時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍376.3nm 856.011111，導帶波長范圍480.211111 481.711111，寬度
I.5nm,在 480. 9nm 位置透射率 74. 4%。圖7為結構組成為[LiF/GaSb] 3[空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在 /3=0· 9ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍377. 2 nm 865. 4nm，導帶波長范圍512. 2nm 510. 5nm，寬度I. 7nm，在511. 4nm位置透射率97. 5%。圖8為結構組成為[LiF/GaSb] 3[空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在i/3=l. k 時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍387.6nm 870.2nm，導帶波長范圍540.3nm 542.2nm，寬度
I.9nm,在 541. 2nm 位置透射率 68. 6%。圖9為結構組成為[LiF/GaSb] 3[空氣][LiF/GaSb] 3的可調諧濾波器在 /3=1· 3σ時的透射率特性圖。
圖中禁帶波長范圍382.7nm 875.011111，導帶波長范圍570.711111 572.711111，寬度2. Onm,在 571. 7nm 位置透射率 23. 3%。圖10為結構組成為[LiF/GaSb]3[空氣][LiF/GaSb]3的可調諧濾波器在 /3=1· 5α時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍389. 9nm 877. 4nm，導帶波長范圍600. Onm 602. 3nm，寬度
2.3nm,在 601. Inm 位置透射率 98. 9%。圖11為結構組成為[LiF/Ge]3[空氣][LiF/Ge]3的可調諧濾波器在 /3=0. 3σ時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍391.3nm 787.5nm，導帶波長范圍418.3nm 420.6nm，寬度
2.3nm,在 419. 4nm 位置透射率 99. 4%。圖12為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=0. 5ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍385. 6nm 803. 6nm，導帶波長范圍446. 8nm 448. lnm，寬度I. 3nm,在 447. 4nm 位置透射率 91. 5%。圖13為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=0. α時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍385. Inm 813. 9nm，導帶波長范圍475. Inm 476. 6nm，寬度I. 5nm,在 475. 8nm 位置透射率 73. 7%。圖14為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=0. 9ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍386. Onm 822. 5nm，導帶波長范圍504. Onm 505. 6nm，寬度I. 6nm,在 504. 8nm 位置透射率 63. 3%。圖15為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=1· Ia時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍385. 6nm 822. 5nm，導帶波長范圍532. Inm 533. 9nm，寬度
1.8nm,在 533. Onm 位置透射率 93. 4%。圖16為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=1. 3σ時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍389. 9nm 828. 9nm，導帶波長范圍560. 5nm 562. 5nm，寬度
2.Onm,在 561. 5nm 位置透射率 94. 3%。圖17為結構組成為[LiF/Ge] 3 [空氣][LiF/Ge] 3的可調諧濾波器在 /3=1. 5ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍398. 2nm 833. 3nm，導帶波長范圍588. 8nm 591. Onm，寬度
2.2nm,在 589. 9nm 位置透射率 82. 0%。圖18為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在 /3=0· 3ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍373. 2nm 764. 6nm，導帶波長范圍407. Onm 409. lnm，寬度
2.Inm,在 408. Onm 位置透射率 99. 9%。圖19為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在 /3=0· 5ο時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍368.9nm 777.8nm，導帶波長范圍436.9nm 438. lnm，寬度I. 2nm,在 437. 5nm 位置透射率 79. 8%。圖20為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在J3=O. Ia時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍368. 9nm 787. 5nm，導帶波長范圍446. 7nm 468. lnm，寬度I. 4nm,在 467. 4nm 位置透射率 57. 3%。
圖21為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在J3=O. 9a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍370. 2nm 795. 5nm，導帶波長范圍496. Inm 497. 6nm，寬度I. 5nm,在 496. 9nm 位置透射率 71. 1%。圖22為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在c/3=l. Ia時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍371. 5nm 797. 5nm，導帶波長范圍525. Onm 526. 8nm，寬度
1.8nm,在 525. 9nm 位置透射率 89. Tl。圖23為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在c/3=l. 3a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍376. 3nm 803. 6nm，導帶波長范圍553. 6nm 555. 6nm，寬度
2.Onm,在 554. 6nm 位置透射率 81. 6%。圖24為結構組成為[MgF2/Ge]3[空氣][MgF2/Ge]3的可調諧濾波器在c/3=l. ha時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍384. Inm 803. 6nm，導帶波長范圍582. 3nm 584. 4nm，寬度
2.Inm,在 583. 3nm 位置透射率 97. 2%。圖25為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在t/3=0. 3a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍362. 5nm 803. 6nm，導帶波長范圍407. 5nm 409. lnm，寬度I. 6nm,在 408. 6nm 位置透射率 67. 6%。圖26為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在t/3=0. 5a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍360. 8nm 816. lnm，導帶波長范圍440. 6m 441. 8nm，寬度
I.2nm,在 441. 2nm 位置透射率 95. 9%。圖27為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在t/3=0. Ia時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍361.2nm 826.8nm，導帶波長范圍472.3nm 473.7nm，寬度
I.4nm,在 473. Onm 位置透射率 29. 6%。圖28為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在4=0. 9o時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍362. 5nm 833. 3nm，導帶波長范圍503. 2nm 504. 8nm，寬度
I.6nm,在 504. Onm 位置透射率 45. 4%。
圖29為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在J3=I. Ia時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍364. 2nm 837. 8nm，導帶波長范圍533. Onm 535. 7nm，寬度
2.7nm,在 534. 8nm 位置透射率 16. 9%。圖30為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在t/3=l. 3a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍368. 9nm 842. 2nm，導帶波長范圍563. 5nm 565. 5nm，寬度
2.Onm,在 564. 5nm 位置透射率 33. 9%。 圖31為結構組成為[MgF2/GaSb] 3 [空氣][MgF2/GaSb] 3的可調諧濾波器在t/3=l. 5a時的透射率特性圖。圖中禁帶波長范圍377. 7nm 846. 8nm，導帶波長范圍592. Inm 595. 5nm，寬度
3.4nm,在 594. 3nm 位置透射率 25. 9%。
具體實施例方式實施例I
本實施例選用的兩種介電材料分別為氟化鋰(介電常數1.96)和銻化鎵(介電常數20. 25)，按照[LiF/GaSb]3的結構排列形成一維光子晶體。其中氟化鋰厚度Cll=Q. 78a=98. 3nm，銻化鎵厚度 t/2=0. 22a=27. 7nm,晶格常數 ￠7=126. Onm。采用型號為MSP-3200C的全自動磁控濺射鍍膜機在光學基片上用鍍膜方法交替生長氟化鋰、銻化鎵，共6層。首先在光學基片上鍍膜生長第6層銻化鎵，其厚度為27. 7nm,然后在第6層銻化鎵上鍍膜生長厚度為98. 3nm的第5層氟化鋰，得到光子晶體的一個周期，然后采用同樣的方法再生長2個周期后，獲得三個周期的[LiF/Ge]3層，即構成可調諧濾波器的一維光子晶體Dp繼續采用相同的制備方法制備出完全相同的光子晶體D2。將光子晶體D1固定在固定裝置F上，D2固定在與超聲波馬達(USM)相連的可移動裝置M上，通過USM驅動M沿軌道移動，從而調節兩個光子晶體之間的距離，便制備出圖2所示的一種基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器。當空氣層C的厚度4=0. 3^7時，如圖4，禁帶波長范圍379. Inm 833. 3nm,導帶波長范圍417. 2nm 419. 4nm,寬度2. 2nm,在418. 3nm位置透射率98. 8% ;t/3=0. 5a時，如圖5，禁帶波長范圍376. 3nm 846. 8m，導帶波長范圍448. 7nm 450. Onm，寬度1.3nm，在449. 4nm位置透射率72. 3% ；d3=0. 時，如圖6，禁帶波長范圍376. 3nm 856. Onm,導帶波長范圍480. 2nm 481. 7nm,寬度I. 5nm，在480. 9nm位置透射率74. 4% ；d,=0. 9a時，如圖7，禁帶波長范圍377. 2 nm 865. 4nm,導帶波長范圍512. 2nm 510. 5nm,寬度I. 7nm,在511. 4nm位置透射率97. 5% ；d3=l. Ia時，如圖8，禁帶波長范圍387. 6nm 870. 2nm,導帶波長范圍540. 3nm 542. 2nm，寬度I. 9nm，在541. 2nm位置透射率68. 6% ；d,=l. 3a時，如圖9，禁帶波長范圍382. 7 nm 875. Onm,導帶波長范圍570. 7nm 572. 7nm,寬度2. Onm,在571. 7位置透射率23. 3% ；d3=l. 5^7時，如圖10，禁帶波長范圍389. 9nm 877. 4nm,導帶波長范圍 600. Onm 602. 3nm,寬度 2. 3nm,在 601. Inm 位置透射率 98. 9%。從上述數據可以看出隨著4的增加，禁帶寬度變大，始終能覆蓋全可見光范圍，通道的位置在417. 2nm 602. 3nm間連續移動，寬度在I. 3nm 2. 3nm之間變化。
實施例2
本實施例選用的兩種介電材料分別為氟化鋰(介電常數I. 96)和鍺(介電常數16. 00)，按照[LiF/Ge] 3的結構排列形成一維光子晶體。其中氟化鋰厚度Or1=O. 74(7=93. 2nm,鍺厚度Cl2=Q. 26o=32. 8m,晶格常數 ￠7=126. Onm。一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的制備方法同實施例I。當空氣層C的厚度4在0. 3a I. 5a范圍內變化時，可調諧濾波器的透射率特性圖如圖11 圖17所示，禁帶寬度會隨著4的增加而變寬，始終覆蓋全可見光范圍，通道的位置在418. 3nm 591. Onm間連續移動，寬度在I. 3nm 2. 2nm之間變化。實施例3
本實施例選用的兩種介電材料分別為氟化鎂(介電常數I. 38)和鍺(介電常數16. 00)，按照[MgF2/Ge]3的結構排列形成一維光子晶體。其中氟化鋰厚度Or1=O. 76(7=95. 8nm,鍺厚度Or2=O. 24(7=30. 2nm,晶格常數 ￠7=126. Onm。一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的制備方法同實施例I。當空氣層C的厚度4在0. 3a I. 5a范圍內變化時，可調諧濾波器的透射率特性圖如圖18 圖24所示，禁帶寬度會隨著4的增大而變寬，始終覆蓋全可見光范圍，通道的位置在407. Onm 584. 4nm間連續移動，寬度在I. 2nm 2. Inm之間變化。實施例4
本實施例選用的兩種介電材料分別為氟化鎂(介電常數1.38)和銻化鎵(介電常數20. 25)，按照[MgF2/GaSb] 3的結構排列形成一維光子晶體。其中氟化鋰厚度Cf1=O. 80o=100. 8nm，銻化鎵厚度 t/2=0. 20o=25. 2nm,晶格常數 ￠7=126. Onm。一維光子晶體可見光波段單通道可調諧濾波器的制備方法同實施例I。當空氣層C的厚度4在0. 3a I. 5a范圍內變化時，可調諧濾波器的透射率特性圖如圖25 圖31所示，禁帶寬度會隨著4的增大而變寬，始終覆蓋全可見光范圍，通道的位置在407. 5nm 595. 5nm間連續移動，寬度在I. 2nm 3. 4nm之間變化。
權利要求
1.一種基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器，其特征是由平行設置的兩個結構組成為[A/B]3的相同一維光子晶體Dp D2,以及位于所述兩個一維光子晶體之間的厚度可調節的空氣缺陷層C構成，其中至少一個一維光子晶體可以移動，以調節空氣缺陷層C的厚度4。
2.根據權利要求I所述的單通道可調諧濾波器，其特征是以超聲波馬達驅動一維光子晶體D1或D2移動，調節空氣缺陷層C的厚度
3.根據權利要求I所述的單通道可調諧濾波器，其特征是所述空氣缺陷層C的厚度4在0. 3a I. 5a之間變化，其中a為一維光子晶體D1或D2的晶格常數。
4.根據權利要求I所述的單通道可調諧濾波器，其特征是所述的一維光子晶體[A/B]3中，A為低介電常數材料氟化鋰或氟化鎂，B為高介電常數材料銻化鎵或鍺。
5.根據權利要求I所述的單通道可調諧濾波器，其特征是所述的一維光子晶體[A/B]3 采用磁控濺射或低壓氣相化學淀積方式加工得到。
全文摘要
本發明公開了一種基于一維光子晶體的可見光波段單通道可調諧濾波器，由平行設置的兩個結構組成為[A/B]3的相同一維光子晶體D1、D2，以及位于所述兩個一維光子晶體之間的厚度可以調節的空氣缺陷層C構成的，其中至少一個一維光子晶體可以移動，以調節空氣缺陷層C的厚度d3，則濾波器的濾波通道位置會隨之發生改變，形成可調諧濾波器。本發明的濾波器結構簡單，可以將多種介電材料按照不同的厚度比組合后應用于本發明，靈活易行，并具有優良的濾波特性，在光通訊領域將有很好的應用前景。
文檔編號G02B6/122GK102778725SQ20121028379
公開日2012年11月14日 申請日期2012年8月10日 優先權日2012年8月10日
發明者李祥霞, 李秀杰, 李維強, 楊毅彪, 田東康, 韓昌盛 申請人:太原理工大學