陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法

陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】，能夠在保證高分辨率的前提下，提高顯示裝置對液晶的驅動能力。一種陣列基板，包括襯底基板，還包括：位于所述襯底基板上方的第一公共電極、第二公共電極和像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極、所述第二公共電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
【專利說明】陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等優點，在平板顯示領域中占據了主導地位。
[0003]IXD根據電場形式的不同可分為多種類型，其中，高級超維場轉換(AdvancedSuper Dimension Switch,簡稱ADS)模式的TFT-1XD具有寬視角、高開ロ率、高透過率等優點而被廣泛的應用。ADS模式是平面電場寬視角核心技術，其核心技術特性描述為:通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉。ADS模式的開關技術可以提高TFT-1XD產品的畫面品質，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開ロ率、低色差、無擠壓水波紋等優點。
[0004]發明人在實現本發明的過程中發現，隨著人們對TFT-LCD的分辨率的要求越來越高，ADS型TFT-1XD內的像素電極的尺寸往往越來越小，導致ADS型TFT-1XD對液晶的驅動能力也變弱，同時增加了 ADS型TFT-LCD出現閃爍現象的可能性，降低了用戶的使用體驗度。

【發明內容】

[0005]本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠在保證高分辨率的前提下，提高顯示裝置對液晶的驅動能力。
[0006]為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案:
[0007]一種陣列基板，包括襯底基板，還包括:
[0008]位于所述襯底基板上方的第一公共電極、第二公共電極和像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極、所述第二公共電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
[0009]所述像素電極位于所述第一公共電極和所述第二公共電極之間，所述第一公共電極和所述像素電極之間形成有第一絕緣層，所述像素電極和所述第二公共電極之間形成有
第二絕緣層。
[0010]所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上形成有過孔，所述第一過孔位于所述陣列基板的數據線的上方，所述第二公共電極通過所述過孔與所述第一公共電極電連接。
[0011]所述第一公共電極為狹縫電極或平板電極，所述第二公共電極為狹縫電扱。
[0012]所述陣列基板自下而上位于所述襯底基板和所述第一公共電極之間的柵極絕緣
層、數據線、第三絕緣層。
[0013]在本實施例的技術方案中，提供了 一種陣列基板，其中，位于所述襯底基板上的像素電極、第一公共電極和第二公共電極，所述像素電極與所述第一公共電極、所述第二公共電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等，分別與像素電極存儲電容，増大了陣列基板提供穩定有效的電場的能力，保證在縮小像素電極尺寸以提高分辨率的同時，減小了閃爍現象出現的可能性，提高了用戶的使用體驗。
[0014]本發明的第二方面提供了一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0015]本發明的第三方面提供了一種陣列基板的制備方法，包括:
[0016]在襯底基板上形成第一公共電極、第二公共電極和像素電極，其中，所述第一公共電極和所述第二公共電極與所述像素電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
[0017]所述在襯底基板上形成第一公共電極、第二公共電極和像素電極包括:
[0018]在所述襯底基板上形成包括所述第一公共電極的圖形；
[0019]在所述第一公共電極的圖形上形成包括第一絕緣層的圖形；
[0020]在所述第一絕緣層的圖形上形成包括所述像素電極的圖形；
[0021]在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形；
[0022]在所述第二絕緣層的圖形上形成包括所述第二公共電極的圖形。
[0023]所述在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形包括:
[0024]在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上形成有過孔，以使得所述第二公共電極通過所述過孔與所述第一公共電極電連接。
[0025]所述第一公共電極為狹縫電極或板狀電極，所述第二公共電極為狹縫電極。
[0026]在所述在襯底基板上形成像素電極、以及與所述像素電極絕緣的第一公共電極和第二公共電極之前，還包括:
[0027]在所述襯底基板上形成包括柵極絕緣層的圖形；
[0028]在所述柵極絕緣層的圖形上形成包括數據線的圖形；
[0029]在所述數據線的圖形上形成第三絕緣層。
[0030]在所述數據線的圖形上形成第三絕緣層包括:
[0031]在所述數據線的圖形上形成樹脂層；
[0032]在所述樹脂層上形成第三絕緣層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的ー些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1為本發明實施例中的陣列基板的制備方法的流程圖ー；
[0035]圖2為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖ー；
[0036]圖3為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖ニ ；
[0037]圖4為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖三；
[0038]圖5為本發明實施例中的陣列基板的結構示意圖四；
[0039]圖6為本發明實施例中的圖5的沿A-A的截面圖一；[0040]圖7為本發明實施例中的陣列基板的制備方法的流程圖ニ ；
[0041]圖8為本發明實施例中的圖5的沿A-A的截面圖ニ ；
[0042]圖9為本發明實施例中的其他實施方式的截面圖一；
[0043]圖10為本發明實施例中的其他實施方式的截面圖ニ ；
[0044]圖11為本發明實施例中的其他實施方式的截面圖三；
[0045]圖12為本發明實施例中的其他實施方式的截面圖四。
[0046]附圖標記說明:
[0047]1 ー襯底基板；2—像素電極； 3—第一公共電極；
[0048]4 一第二公共電極；5—第一絕緣層；6—第二絕緣層；
[0049]7—柵極絕緣層； 8—數據線；9一第三絕緣層；
[0050]10一樹脂層；11 一柵線；12—柵極；
[0051]13一源極；14一漏極；15—有源層；
[0052]16—第一過孔； 17—第二過孔。
【具體實施方式】
[0053]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0054]實施例一
[0055]本發明實施例提供一種陣列基板，陣列基板上設置有縱橫交錯的柵線和數據線(未示出)，相鄰的柵線、相鄰的數據線劃分出各個陣列式排布的像素単元，一個像素単元包括薄膜晶體管和像素電極。具體的，以ー個像素單元為例:
[0056]如圖6所示，陣列基板包括襯底基板1，還包括:
[0057]位于所述襯底基板上方的第一公共電極3、第二公共電極4和像素電極2，所述像素電極2與所述第一公共電極3、所述第二公共電極4絕緣，所述第一公共電極3和所述第ニ公共電極4的電位相等。
[0058]現有技術中的陣列基板，通常一個像素單元僅具有ー個公共電極(即本發明中的第一公共電極3)和像素電極2，當陣列基板工作時，該公共電極和像素電極2及之間的絕緣層等結構相當于形成了電容，可稱之為存儲電容，在一幅顯示畫面的顯示時間內，為顯示裝置的液晶分子提供穩定的、適合的電場，以保證用戶可以看到清晰的顯示畫面。
[0059]但是，現在用戶對顯示裝置的分辨率的要求越來越高，分辨率升高使得像素単元
的尺寸降低，進而減小了像素電極的尺寸，由電容公式C=ξS/4πkd(其中，ε為絕緣層的介電


常數；s為像素電極和公共電極的相對面積，此處為像素電極的尺寸；k為常數；d為像素電極和公共電極之間的距離，此處為像素電極2和公共電極之間的距離)可知，在像素電極2的尺寸減小而其他數值不變的情況下，顯示裝置中的像素電極2和公共電極組成的存儲電容的電容量下降，降低了顯示裝置的陣列基板在一幅顯示畫面的顯示時間內向液晶分子提供穩定不變的電場的能力，使得顯示裝置的顯示效果出現閃爍，降低用戶的使用體驗度。[0060]相比于現有技術中的陣列基板，本發明實施例中提供的陣列基板具有第一公共電極3和第二公共電極4，第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等。類似的，例如以ー個像素單元為例，第一公共電極3和該像素単元的像素電極2形成存儲電容，第二公共電極4和該像素電極2也形成存儲電容，増大了該像素電極2所對應的存儲電容的電容量，保證在陣列基板可以給液晶分子提供穩定有效的電場，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0061]同時，由于陣列基板具有第一公共電極3和第二公共電極4，減小像素電極2的尺寸以提高分辨率之后，第一公共電極3和第二公共電極4的共同作用仍可以保證該陣列基板具有足夠大的存儲電容，防止閃爍等不良顯示效果的出現，保證了用戶的使用體驗。
[0062]在本實施例的技術方案中，提供了 一種陣列基板，其中，位于所述襯底基板上的像素電極、第一公共電極和第二公共電極，所述像素電極與所述第一公共電極、所述第二公共電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等，分別與像素電極存儲電容，増大了陣列基板提供穩定有效的電場的能力，保證在縮小像素電極以提高分辨率的同吋，減小了閃爍現象出現的可能性，提高了用戶的使用體驗。
[0063]具體的，像素電極2、第一公共電極3和第二公共電極4之間的層關系可以根據實際情況設置。例如結構一，首先形成像素電極2，之后再分別形成第一公共電極3和第二公共電極4，即如圖9所示，像素電極2位于三層電極的底層，之上依次為第一公共電極3和第二公共電極4 ;或例如結構ニ，像素電極2為狹縫電極，第二公共電極4也為狹縫電極，第ニ公共電極4和像素電極2間隔設置在同一層結構中，第一公共電極3位于同層設置的第ニ公共電極4和像素電極2的下方，如圖10所示。類似的，陣列基板也可為第二公共電極4位于同層設置的第一公共電極3和像素電極2的上方這樣的結構。
[0064]像素電極2、第一公共電極3和第二公共電極4之間的層關系也可如圖6所示的結構三，首先形成第一公共電極3，之后再分別形成像素電極2和第二公共電極4。
[0065]在本發明實施例中，優選存儲電容較大且分子驅動能力較好的結構三，即如圖6所示，所述像素電極2位于所述第一公共電極3和所述第二公共電極4之間，所述第一公共電極3和所述像素電極2之間形成有第一絕緣層5，所述像素電極2和所述第二公共電極4之間形成有第二絕緣層6。
[0066]上述三種結構，都為現有結構的陣列基板的基礎上，増加了能與像素電極2共同配合形成存儲電容的第二公共電極4，以此來增大陣列基板的存儲電容。上述三種結構的兩個像素電極之間的狹縫處都設置有公共電極，兩個公共電極與像素電極在像素單元的邊緣也能相配合起到驅動作用，提高像素単元的邊緣的液晶分子響應，提高顯示裝置的視角范圍，提聞顯不效果。
[0067]此外，如圖6所示，陣列基板上還包括自下而上位于所述襯底基板1和所述第一公共電極3之間的柵極絕緣層7、數據線8、第三絕緣層9等圖形結構，在圖6中，第一公共電極4位于第三絕緣層9之上。當然，陣列基板上還包括連接像素電極的薄膜晶體管(未示出)，具體的，薄膜晶體管的源極(或漏扱)連接像素単元的像素電極。本實施例的薄膜晶體管是底柵型結構，還可以是頂柵型，在此不做限定。
[0068]為了使得所述第一公共電極3和所述第二公共電極4的電位相等，第一公共電極3和第二公共電極4可以連接到同一個電位輸入端，也可通過其他方式保證第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等，例如，如圖6所示，所述第一絕緣層5和所述第二絕緣層6形成有第一過孔16，所述第一過孔16位于所述陣列基板的數據線8的上方，以保證陣列基板的開ロ率不受第一過孔的影響，所述第二公共電極4通過所述第一過孔16與所述第一公共電極3電連接。
[0069]同時，如圖6所示，第二公共電極4覆蓋第一過孔16的內側壁，靠近且與像素電極2絕緣，使得在像素電極2邊緣處也具有與第二公共電極4的電場，則此處的液晶也能夠進行偏轉，提高了顯示裝置的顯示效果。
[0070]進ー步的，為了保證所述第二公共電極4通過所述第一過孔16與所述第一公共電極3電連接，而不至干與像素電極2短路，因此，所述第二絕緣層6和所述第一絕緣層5在所述第一過孔16的周圍相互接觸，保證像素電極2與第二公共電極4之間絕緣。
[0071]進ー步的，圖10所示的陣列基板中，可在第一絕緣層5上設置類似圖6所示的第ー過孔16的過孔，使得第二公共電極4可通過過孔連接到第一公共電極3，從而實現第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等。
[0072]一般的，第一公共電極3為平板電極或狹縫電極，在本發明實施例中，為了提高第ニ公共電極4與像素電極2之間的配合效果，該第二公共電極4優選為狹縫電極。
[0073]另外，該第一公共電極3也可與第二公共電極4 一祥，為狹縫電極，此時，第一公共電極3和第二公共電極4在像素電極2的表面上的正投影可以相互間隔，這樣的結構可以減小第一公共電極3和第二公共電極4之間的寄生電容，并且，更利于與像素電極2產生邊緣的多維電場，提高對液晶分子的驅動能力。如圖11所示；類似的，第一公共電極3和第二公共電極4在像素電極2的表面上的正投影也可以相互重疊，如圖12所示。
[0074]如圖11和12所示，這可以簡稱為H-ADS，即通過同一平面內像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場，其中像素電極和公共電極為狹縫狀電極，使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了液晶工作效率并極大增加了透光效率。
[0075]進ー步的，如圖8所示，該陣列基板還包括位于所述第一公共電極3和所述襯底基板1之間的樹脂層10。由于陣列基板上的樹脂層10和襯底基板1之間還具有數據線8、柵極絕緣層7、第三絕緣層9、薄膜晶體管(未示出)等結構，樹脂層10可以充分覆蓋這些結構并為第一公共電極3提供平坦的形成表面，降低了第一公共電極3以及后續的結構的制作難度。
[0076]本發明實施例還提供了一種顯示裝置，其中，所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0077]實施例ニ
[0078]本發明實施例提供一種如圖6所示的陣列基板的制備方法，該制備方法包括:
[0079]在襯底基板上形成第一公共電極、第二公共電極和像素電極，其中，所述第一公共電極和所述第二公共電極與所述像素電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
[0080]陣列基板上設置有縱橫交錯的柵線6和數據線8，相鄰的柵線6、相鄰的數據線8劃分出各個陣列式排布的像素単元。一個像素単元包括像素電極2，各個像素電極2之間絕緣；同時，像素單元包括薄膜晶體管(未示出)，薄膜晶體管與像素電極2連接，具體的，薄膜晶體管的源極(或漏極)與像素電極2連接。
[0081]相比于現有技術中的陣列基板，本發明實施例中提供的陣列基板具有第一公共電極3和第二公共電極4，第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等。類似的，第一公共電極3和其中一個像素電極2形成存儲電容，第二公共電極4和該像素電極2也形成存儲電容，增大了該像素電極2所對應的存儲電容的電容量，保證在陣列基板可以給液晶分子提供穩定有效的電場，保證了顯示裝置的顯示效果。
[0082]同時，由于陣列基板具有第一公共電極3和第二公共電極4，減小像素電極2的尺寸以提高分辨率之后，第一公共電極3和第二公共電極4的共同作用仍可以保證該陣列基板具有足夠大的存儲電容，防止閃爍等不良顯示效果的出現，保證了用戶的使用體驗。
[0083]具體的，像素電極2、第一公共電極3和第二公共電極4之間的層關系可以根據實際情況設置。例如結構一，首先形成像素電極2，之后再分別形成第一公共電極3和第二公共電極4，即如圖9所示，像素電極2位于三層電極的底層，之上依次為第一公共電極3和第二公共電極4 ;或例如結構二，像素電極2為狹縫電極，第二公共電極4也為狹縫電極，第二公共電極4和像素電極2間隔設置在同一層結構中，第一公共電極3位于同層設置的第二公共電極4和像素電極2的下方，如圖10所示。類似的，陣列基板也可為第二公共電極4位于同層設置的第一公共電極3和像素電極2的上方這樣的結構。
[0084]像素電極2、第一公共電極3和第二公共電極4之間的層關系也可如如圖6所示的結構三，首先形成第一公共電極3，之后再分別形成像素電極2和第二公共電極4。
[0085]在本發明實施例中，優選存儲電容較大且分子驅動能力較好的結構三，即如圖6所示，所述像素電極2位于所述第一公共電極3和所述第二公共電極4之間，所述第一公共電極3和所述像素電極2之間形成有第一絕緣層5，所述像素電極2和所述第二公共電極4之間形成有第二絕緣層6。
[0086]上述三種結構，都為現有結構的陣列基板的基礎上，增加了能與像素電極2共同配合形成存儲電容的第二公共電極4，以此來增大陣列基板的存儲電容。上述三種結構的兩個像素電極之間的狹縫處都設置有公共電極，兩個公共電極與像素電極在像素單元的邊緣也能相配合起到驅動作用，提高像素單元的邊緣的液晶分子響應，提高顯示裝置的視角范圍，提聞顯不效果。
[0087]此外，如圖6所示，陣列基板上還包括自下而上位于所述襯底基板I和所述第一公共電極3之間的柵極絕緣層7、數據線8、第三絕緣層9等圖形結構，在圖6中，第一公共電極4位于第三絕緣層9之上。當然，陣列基板上還包括連接像素單元的像素電極的薄膜晶體管(未示出)，具體的，薄膜晶體管的源極(或漏極)連接像素單元的像素電極。
[0088]為了制得上述的陣列基板的結構，可采用如圖1所示的方法來制備，具體如下:
[0089]步驟S11、在所述襯底基板上形成包括柵極絕緣層的圖形。
[0090]步驟S12、在所述柵極絕緣層的圖形上形成包括數據線的圖形。
[0091]步驟S13、在所述數據線的圖形上形成第三絕緣層。
[0092]與現有技術中類似的，首先需要在陣列基板上依次形成包括柵極絕緣層7的圖形、包括數據線8的圖形和包括第三絕緣層9的圖形等結構。當然，還可以在步驟Sll之前形成包括柵線的圖形。[0093]經過步驟S13之后，陣列基板上形成了多個由橫縱交錯的柵線11和數據線8所構成的多個像素單元；每個像素單元中有一個薄膜晶體管，薄膜晶體管包括與柵線11 一體成型的柵極12、與數據線8 一體成型的同層設置的源極13和漏極14、位于源極13和漏極14下方，且連接源極13和漏極14的有源層15，如圖2所示。當然，本實施例的薄膜晶體管是底柵型結構，還可以是頂柵型，在此不做限定。
[0094]步驟S14、在所述襯底基板上形成包括所述第一公共電極的圖形。
[0095]例如可以采用磁控濺射或熱蒸發等方式，在包括柵線11、柵極絕緣層7、數據線8和薄膜晶體管、第三絕緣層9等結構上形成第一透明導電薄膜，該第一透明導電薄膜可采用氧化銦錫或氧化銦鋅等材質，通過構圖工藝形成包括第一公共電極3的圖形，如圖3所
/Jn ο
[0096]步驟S15、在所述第一公共電極的圖形上形成包括第一絕緣層的圖形；
[0097]可以采用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,簡稱PECVD)沉積形成一層第一絕緣薄膜，并通過構圖工藝刻蝕TFT的漏極區域上的第一絕緣薄膜以形成圖6所示的第一絕緣層5的圖形。
[0098]需要說明的是，在刻蝕形成TFT的漏極區域上的第一絕緣層5的同時，還需刻蝕漏極區域上的第一公共電極3、第三絕緣層9等結構，形成第二過孔17，該第二過孔17把漏極14的部分暴露在外，如圖3所示。
[0099]第一絕緣薄膜可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹脂等絕緣材料，在本發明實施例中，由于需要對第一絕緣薄膜進行刻蝕以形成第二過孔17等結構，優選光刻膠來形成第一絕緣薄膜，利用光刻膠的感光性質，制備第二過孔17等結構時可以省略光刻膠的使用。
[0100]步驟S16、在所述第一絕緣層的圖形上形成包括所述像素電極的圖形；
[0101]例如可以采用磁控濺射或熱蒸發等方式，在所述第一絕緣層5的圖形上形成第二透明導電薄膜，通過構圖工藝形成包括像素電極2的圖形。
[0102]其中，在形成第二透明導電薄膜的同時，第二透明導電薄膜可以通過預留的第二過孔17與漏極14電連接。則通過構圖工藝刻蝕第二透明導電薄膜后形成的像素電極2可以通過第二過孔17與漏極14電連接，如圖4所示。
[0103]步驟S17、在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形；
[0104]例如可以采用PECVD的方法沉積形成一層第二絕緣薄膜，通過構圖工藝刻蝕所述第二絕緣薄膜，形成包括圖6所示的所述第二絕緣層6的圖形。
[0105]第二絕緣層6、第三絕緣層9與第一絕緣層5的材質可以相同或不同，與第一絕緣薄膜類似的，第二絕緣薄膜、第三絕緣層9可采用氧化硅、氮化硅、氧化鉿、樹脂等絕緣材料。
[0106]步驟S18、在所述第二絕緣層的圖形上形成包括所述第二公共電極的圖形。
[0107]與步驟S14類似的，例如可以采用磁控濺射或熱蒸發等方式，在所述襯底基板上形成第一透明導電薄膜，該第一透明導電薄膜可采用氧化銦錫或氧化銦鋅等材質，通過構圖工藝形成包括第二公共電極4的圖形。
[0108]由于該陣列基板上的第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等,可將第一公共電極3和第二公共電極4連接到同一個電位輸入端，也可通過其他方式使得第一公共電極3和第二公共電極4的電位相等，示例性的，如圖5或圖6所示，可以在所述第一絕緣層5和所述第二絕緣層6上形成有第一過孔16，所述第一過孔16位于所述陣列基板的數據線的上方，以保證陣列基板的開口率不受第一過孔16的影響，所述第二公共電極4通過所述第一過孔16與所述第一公共電極3電連接。
[0109]若需形成使得第一公共電極3和第二公共電極4電連接的第一過孔16，可以在步驟S17時，在所述第一絕緣層5和所述第二絕緣層6上形成有第一過孔16，以使得經過步驟S15之后，所述第二公共電極4通過所述第一過孔16與所述第一公共電極3電連接。
[0110]進一步的，為了保證所述第二公共電極4通過所述第一過孔16與所述第一公共電極3電連接，而不至于與像素電極2短路，因此，所述第二絕緣層6和所述第一絕緣層5在所述第一過孔16的周圍相互接觸，保證像素電極2與第二公共電極4之間絕緣。
[0111]一般的，第一公共電極3為平板電極，在本發明實施例中，為了提高第二公共電極4與像素電極2之間的配合效果，該第二公共電極4優選為狹縫電極。
[0112]最終制得如圖5和圖6所示的陣列基板，其中，圖6為圖5的沿A-A的截面示意圖。
[0113]另外，該第一公共電極3也可與第二公共電極4 一樣,為狹縫電極，此時，第一公共電極3和第二公共電極4在像素電極2的表面上的正投影可以相互間隔，這樣的結構可以減小第一公共電極3和第二公共電極4之間的寄生電容，并且，更利于與像素電極2產生邊緣的多維電場，提高對液晶分子的驅動能力。類似的，如圖11所示；第一公共電極3和第二公共電極4在像素電極2的表面上的正投影可以相互間隔，如圖12所示。
[0114]進一步的,如圖7所示,步驟S13具體包括:
[0115]步驟S131、在所述數據線的圖形上形成樹脂層。
[0116]步驟S132、在所述樹脂層上形成第三絕緣層。
[0117]如8-12中的任一幅圖所示，由于陣列基板上的樹脂層10和襯底基板I之間還具有數據線8、柵線11、TFT等結構，樹脂層10可以充分覆蓋這些結構并為第一公共電極3提供平坦的制作表面，降低了第一公共電極3以及后續的結構的制作難度。
[0118]需要說明的是，也可以先制作第三絕緣層9后制作樹脂層10，本發明實施例對此不進行限制。
[0119]在顯示【技術領域】中，構圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機等形成圖形的工藝。可根據本發明中所形成的結構選擇相應的構圖工藝。
[0120]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，其特征在于，還包括: 位于所述襯底基板上方的第一公共電極、第二公共電極和像素電極，所述像素電極與所述第一公共電極、所述第二公共電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在干， 所述像素電極位于所述第一公共電極和所述第二公共電極之間，所述第一公共電極和所述像素電極之間形成有第一絕緣層，所述像素電極和所述第二公共電極之間形成有第二絕緣層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在干， 所述第一絕緣層和所述第二絕緣層形成有第一過孔，所述第一過孔位于所述陣列基板的數據線的上方，所述第二公共電極通過所述第一過孔與所述第一公共電極電連接。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極為狹縫電極或平板電極，所述第二公共電極為狹縫電扱。
5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括自下而上位于所述襯底基板和所述第一公共電極之間的柵極絕緣層、數據線、第三絕緣層。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在干， 還包括位于所述數據線和所述第三絕緣層之間的樹脂層。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成第一公共電極、第二公共電極和像素電極，其中，所述第一公共電極和所述第二公共電極與所述像素電極絕緣，所述第一公共電極和所述第二公共電極的電位相等。
9.根據權利要求8所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成第一公共電極、第二公共電極和像素電極包括: 在所述襯底基板上形成包括所述第一公共電極的圖形； 在所述第一公共電極的圖形上形成包括第一絕緣層的圖形； 在所述第一絕緣層的圖形上形成包括所述像素電極的圖形； 在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形； 在所述第二絕緣層的圖形上形成包括所述第二公共電極的圖形。
10.根據權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形包括: 在所述像素電極的圖形上形成包括所述第二絕緣層的圖形，所述第一絕緣層和所述第ニ絕緣層上形成有過孔，以使得所述第二公共電極通過所述過孔與所述第一公共電極電連接。
11.根據權利要求10所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一公共電極為狹縫電極或板狀電極，所述第二公共電極為狹縫電極。
12.根據權利要求8-11任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述在襯底基板上形成像素電極、以及與所述像素電極絕緣的第一公共電極和第二公共電極之前，還包括:在所述襯底基板上形成包括柵極絕緣層的圖形； 在所述柵極絕緣層的圖形上形成包括數據線的圖形； 在所述數據線的圖形上形成第三絕緣層。
13.根據權利要求12所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述數據線的圖形上形成第三絕緣層包括: 在所述數據線的圖形上形成樹脂層； 在所述樹脂層上 形成第三絕緣層。
【文檔編號】G02F1/1343GK103454817SQ201310376220
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年8月26日 優先權日:2013年8月26日
【發明者】嚴允晟 申請人:京東方科技集團股份有限公司