通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片的制作方法
【專利摘要】本發明所設計的一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片50%Cut?on＝7.6±0.05um，50%Cut?off＝9.3±0.05um；1500～7100nm、9800～14000nm?T≤3%；8000～9000nm?T≥88%、7700～9200nm?Tavg≥90%。
【專利說明】通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片
【技術領域】
[0001]本發明涉及紅外濾光片領域，尤其是一種通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片。
【背景技術】
[0002]紅外測溫儀由光學系統、探測器、信號放大器及信號處理、顯示輸出等部分組成。光學系統匯聚其視場內的目標紅外能量(熱量)，視場的大小由測溫儀的光學零件及其位置確定。紅外能量聚焦在探測器上并轉變為相應的電信號。該信號經過放大器和信號處理電路，并按照儀器內的算法和目標發射率校正后轉變為被測目標的溫度值。
[0003]紅外測溫儀的探測器是實現紅外能量(熱能)轉換電信號的關鍵，由于各種生物所發出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量，保證紅外測溫儀的測溫結果，用于測溫和成像。
[0004]但是，目前的通過帶為7600_9300nm的紅外測溫濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發展的需要。
【發明內容】
[0005]本發明的目的是為了解決上述技術的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片。
[0006]為了達到上述目的，本發明所設計的通過帶為7600_9300nm的紅外測溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
[0007]上述各材料對應的厚度，其允許在公差范圍內變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關系。通常厚度的公差在10nm左右。
[0008]本發明所得到的通過帶為7600_9300nm的紅外測溫濾光片，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片50%Cut on = 7.6±0.05um, 50%Cutoff = 9.3±0.05um ；1500 ~7100nm、9800 ~14000nm T ( 3% ；8000 ~9000nm T ≥ 88%、7700 ~9200nm Tavg ^ 90%。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結構示意圖；
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0011]下面通過實施例結合附圖對本發明作進一步的描述。
[0012]實施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實施例描述的通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層1和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層1和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層3由內向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
【權利要求】
1.一種通過帶為7600-9300nm的紅外測溫濾光片，包括以Ge為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有:192nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、144nm厚度的Ge層、270nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、202nm厚度的ZnS層、lOlnm厚度的Ge層、241nm厚度的ZnS層、137nm厚度的Ge層、294nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、450nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、323nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、318nm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、420nm厚度的ZnS層、229nm厚度的Ge層、452nm厚度的ZnS層、336nm厚度的Ge層、309nm厚度的ZnS層、249nm厚度的Ge層、365nm厚度的ZnS層、322nm厚度的Ge層、353nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、354nm厚度的ZnS層、162nm厚度的Ge層、690nm厚度的ZnS層、239nm厚度的Ge層、627nm厚度的ZnS層、346nm厚度的Ge層、679nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、631nm厚度的ZnS層、359nm厚度的Ge層、549nm厚度的ZnS層、415nm厚度的Ge層、877nm厚度的ZnS層、165nm厚度的Ge層、740nm厚度的ZnS層、461nm厚度的Ge層和1132nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內向外依次排列包含有:699nm厚度的Ge層、440nm厚度的ZnS層、125nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、495nm厚度的Ge層、777nm厚度的ZnS層、235nm厚度的Ge層、573nm厚度的ZnS層、370nm厚度的Ge層、842nm厚度的ZnS層、499nm厚度的Ge層、1798nm厚度的ZnS層、675nm厚度的Ge層、1104nm厚度的ZnS層、605nm厚度的Ge層、1653nm厚度的ZnS層、624nm厚度的Ge層、1140nm厚度的ZnS層、653nm厚度的Ge層、1663nm厚度的ZnS層、582nm厚度的Ge層、1079nm厚度的ZnS層、839nm厚度的Ge層和530nm厚度的ZnS層。
【文檔編號】G02B5/20GK103713345SQ201310631464
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年11月29日 優先權日:2013年11月29日
【發明者】呂晶, 王繼平, 胡偉琴 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司