一種液晶面板的靜電防護結構的制作方法

本發明涉及液晶面板領域，尤其涉及一種液晶面板的靜電防護結構。

背景技術：

低溫多晶硅具有高遷移率的優點，因此在進行像素設計時，薄膜晶體管TFT開關的W/L可以設計的很小，從而像素對應的開口率相對就比較高，因此低溫多晶硅液晶面板具有極大的市場競爭優勢。

TFT-LCD可分為多晶硅(Poly-Si TFT)與非晶硅(a-Si TFT)，兩者的差異在于電晶體特性不同。多晶硅的分子結構在一顆晶粒(Grain)中的排列狀態是整齊而有方向性的，因此電子移動率比排列雜亂的非晶硅快了200-300倍；一般所稱的TFT-LCD是指非晶硅，技術成熟，為LCD的主流產品。而多晶硅品則主要包含高溫多晶硅(HTPS)與低溫多晶硅(LTPS)二種產品。

低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon；簡稱LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器是在封裝過程中，利用準分子鐳射作為熱源，鐳射光經過投射系統后，會產生能量均勻分布的鐳射光束，投射于非晶硅結構的玻璃基板上，當非晶硅結構玻璃基板吸收準分子鐳射的能量后，會轉變成為多晶硅結構，因整個處理過程都是在600℃以下完成，故一般玻璃基板皆可適用。

LTPS-TFT LCD具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，加上由于LTPS-TFT LCD的硅結晶排列較a-Si有次序，使得電子移動率相對高100倍以上，可以將外圍驅動電路同時制作在玻璃基板上，達到系統整合的目標、節省空間及驅動IC的成本。

LTPS-TFT LCD液晶面板在設計過程中，陣列基板的四周會設置一圈GND金屬走線11，如圖1，GND金屬走線11，GOA驅動區12，面板顯示區13，GND金屬走線11設置在面板的四周邊緣，設置GND金屬走線11的目的在于當有靜電電壓產生時，可以通過GND金屬走線快速將靜電釋放掉，防止靜電累計而對面板內部造成擊傷，影響顯示。但這種GND金屬走線釋放靜電的功能是有限的，當靜電電壓過高時，會造成GND金屬走線的炸傷，甚至影響內部線路，造成顯示不良。

技術實現要素：

為了一定程度上增強靜電的釋放能力，本發明提出一種液晶面板的靜電防護結構。

本發明提出的液晶面板的靜電防護結構，包括GND金屬走線、第二金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線，其中

所述GND金屬走線為閉合線路結構，沿陣列基板的外邊緣設置，

所述第二金屬走線設置在所述GND金屬走線的外部，所述第二金屬走線與所述GND金屬走線的外邊緣之間具有間隙，

所述第二金屬走線與所述GND金屬走線通過第五金屬走線和/或第六金屬走線相連。

這種靜電防護結構，間接增大了GND金屬走線的的金屬寬度，減小了GND金屬走線的電阻，增強了GND金屬走線的靜電耐壓量，降低了靜電發生擊傷的風險。

作為對本發明的進一步改進，多個所述GND金屬走線以矩形陣列的方式排布，所述矩形陣列的列沿第一方向延伸，所述矩形陣列的行沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述矩形陣列的相鄰兩列間設置有第一間隙，所述矩形陣列的相鄰兩行間設置有第二間隙。

進一步，相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊通過第三金屬走線相連，所述第三金屬走線沿第二方向延伸，所述第三金屬走線設置于所述第一間隙內，所述第三金屬走線的長度與所述第一間隙的寬度相等。在所述相鄰兩列的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個端部處均連接有所述第三金屬走線。

進一步，相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊通過第四金屬走線相連，所述第四金屬走線沿第一方向延伸，所述第四金屬走線設置于所述第二間隙內，所述第四金屬走線的長度與所述第二間隙的寬度相等。在所述相鄰兩行的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個端部處均連接有所述第四金屬走線。

這樣的結構使得多個GND金屬走線連接成一個巨大的金屬網，增加了靜電的釋放路徑，加速了靜電的釋放。

作為對本發明的進一步改進，所述第二金屬走線與所述多個GND金屬走線的矩形陣列的外邊緣之間設置有第三間隙和第四間隙，所述第三間隙沿所述第一方向延伸，所述第四間隙沿所述第二方向延伸，所述多個GND金屬走線的矩形陣列的四個邊角處的GND金屬走線分別通過第五金屬走線和/或第六金屬走線與第二金屬走線相連，第五金屬走線沿第一方向延伸，第六金屬走線沿第二方向延伸，所述第六金屬走線設置于所述第三間隙內，所述第六金屬走線的長度與所述第三間隙的寬度相等；所述第五金屬走線設置于第四間隙內，所述第五金屬走線的長度與所述第四間隙的寬度相等。

在呈陣列式排列的多個GND金屬走線的外部設置第二金屬走線，并使多個GND金屬走線與第二金屬走線相連，形成了一個巨大的GND金屬網，進一步加快了靜電的釋放，提高了靜電電壓的耐受量。

作為對本發明的進一步改進，所述矩形陣列的首行和尾行中非端部的GND金屬走線分別通過所述第五金屬走線與所述第二金屬走線相連。所述矩形陣列的首列和尾列中非端部的GND金屬走線分別通過所述第六金屬走線與所述第二金屬走線相連。從而，使得中間的GND金屬走線上的靜電快速的通過第二金屬走線釋放。

所述的第三金屬走線、第四金屬走線、第五金屬走線、第六金屬走線中至少一種金屬走線由低溫多晶硅制成。低溫多晶硅的分子結構在一顆晶粒中的排列狀態是整齊而有方向性的，因此其電子移動率非常快，比非晶硅快了200～300倍，所以摻雜低溫多晶硅的使用進一步增強了靜電的釋放速度，提高了靜電的釋放能力。

本發明提出的液晶面板的靜電防護結構，同樣可以應用在LCD制程過程中，預防發生靜電擊穿現象，通過在TFT外圍設置金屬布線，在TFT制程前半段就形成靜電釋放路徑，降低局部電流強度，降低靜電發生擊傷的風險。

附圖說明

在下文中將基于實施例并參考附圖來對本發明進行更詳細的描述。其中：

圖1顯示現有技術中GND金屬走線結構示意圖；

圖2顯示實施例中含有兩個GND金屬走線的靜電防護結構示意圖；

圖3顯示實施例中含有三行三列GND金屬走線的靜電防護結構示意圖；

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標記。附圖并未按照實際的比例。

具體實施方式

下面將結合附圖及實施例來詳細說明本發明的具體實施方式。

實施例中的水平方向、豎直方向、端部等用語是相對于圖片的位置的方向，不能理解為對本發明的限制。

如圖2顯示了本發明中，兩個GND金屬走線11所構成的靜電防護結構示意圖。兩個相鄰的GND金屬走線11排列為一行兩列，沿所述行的方向為第二方向，第一方向與所述第二方向垂直，相鄰兩列的GND金屬走線之間具有第一間隙27，相鄰兩列的GND金屬走線11的相鄰兩邊的兩個端部均通過第三金屬走線23相連接，從而將兩個GND金屬走線11連接為一體，同時，第三金屬走線23位于第一間隙27內，第三金屬走線23的長度與第一間隙27的寬度相等，保證了靜電在兩個GND金屬走線11間傳輸時路徑最短，縮短了靜電釋放的時間。

在兩個GND金屬走線11的外部設置有第二金屬走線22，第二金屬走線22與所述兩個GND金屬走線11的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30，優選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等，當寬度相等時，更有利于布線和實施。第二金屬走線22的四個邊角處分別通過第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接，第六金屬走線26位于第三間隙29內且沿第二方向延伸，第六金屬走線26的長度與第三間隙29的寬度相等，第五金屬走線25位于第四間隙30內且沿第一方向延伸，第五金屬走線25的長度與第四間隙30的寬度相等，保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時路徑最短，縮短了靜電釋放的時間。

圖3為9個GND金屬走線11排列成三行三列的矩形陣列，所述矩形陣列的列沿第一方向延伸，所述矩形陣列的行沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相互垂直，所述矩形陣列的相鄰兩列間設置有沿第一方向延伸的第一間隙27，所述矩形陣列的相鄰兩行間設置有沿第二方向延伸的第二間隙28。

相鄰兩列間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個端部均通過第三金屬走線23相連，相鄰兩行間的GND金屬走線的相鄰兩邊的兩個端部均通過第四金屬走線24相連，從而將所有的GND金屬走線11連接為一個整體，同時，第三金屬走線23位于第一間隙27內，第三金屬走線23的長度與第一間隙27的寬度相等，第四金屬走線24位于第二間隙28內，第四金屬走線27的長度與第二間隙28的寬度相等，優選為第一間隙27與第二間隙28的寬度相等，更節省空間，同時使得間隙間的金屬走線長度與間隙寬度相等，保證了靜電在相鄰GND金屬走線11間傳輸時路徑最短，縮短了靜電釋放的時間。

在三行三列GND金屬走線11的外圍設置有第二金屬走線22，第二金屬走線22與所述GND金屬走線11陣列的外邊緣分別有沿第一方向延伸的第三間隙29、沿第二方向延伸的第四間隙30，優選為第三間隙29與第四間隙30的寬度相等，當寬度相等時，更有利于布線和實施。第二金屬走線22的四個邊角處分別通過第五金屬走線25或第六金屬走線26與GND金屬走線11相連接，第六金屬走線26位于第三間隙29內且沿所述第二方向延伸，第六金屬走線26的長度與第三間隙29的寬度相等，第五金屬走線25位于第四間隙30內且沿所述第一方向延伸，第五金屬走線25的長度與第四間隙30的寬度相等，保證了靜電在GND金屬走線11和第二金屬走線22間傳輸時路徑最短，縮短了靜電釋放的時間。

位于首行和尾行的非端部的GND金屬走線11同樣通過第五金屬走線25與第二金屬走線22相連，位于首列和尾列的非端部的GND金屬走線11同樣通過第六金屬走線26與第二金屬走線22相連，這樣就將GND金屬走線所形成的陣列與外圍的第二金屬走線22連接成一個大的GND金屬網，一定程度上增加了靜電的耐受電壓，更加有利于靜電的釋放。

優選為第三金屬走線23、第四金屬走線24、第五金屬走線25、第六金屬走線26中至少一種由低溫多晶硅制成，由于低溫多晶硅的分子結構在一顆晶粒中的排列狀態是整齊而有方向性的，因此其電子移動率非常快，比非晶硅快了200～300倍，所以摻雜低溫多晶硅的使用進一步增強了靜電的釋放速度，提高了靜電的釋放能力。

最后說明的是，以上實施例僅用于說明本發明的技術方案而非限制，盡管參照較佳實施例對本發明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的宗旨和范圍，其均應涵蓋在本發明的權利要求范圍當中。