1.一種基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，包括一個正方晶格的光子晶體，該光子晶體具有自準直干涉效應；其特征是:在光子晶體的內部制作有三個沿自準直光束傳播方向排列的線缺陷作為三個分束器S1、S2和S3，分束器S1為全反射，分束器S2和分束器S3為部分反射；分束器S1和分束器S2的距離Δl1＝25a，分束器S2和分束器S3的距離Δl2＝15a，其中a為光子晶體的晶格常數；光子晶體中設置有三個入射端口和一個輸出端口，三個入射端口為兩個輸入光束端口和一個參考光端口。
2.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，所述正方晶格的光子晶體是以硅為背景材料的二維空氣孔正方晶格的光子晶體，背景材料硅的介電常數ε＝11.56。
3.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，所述光子晶體的大小為35a*35a。
4.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，所述光子晶體的柱半徑r＝0.3a。
5.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，所述入射端口的入射光束波長為3.7037a。
6.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，分束器S1的半徑為rS1＝0.421a，寬度為6排格點。
7.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，射分束器S2的半徑為rS2＝0.412a。
8.根據權利要求1所述的基于自準直干涉效應的二維光子晶體邏輯或非門，其特征是，分束器S3的半徑為rS3＝0.417a。