1.一種光源器件，其特征在于，包括：相對而置的第一基板和第二基板；設置于所述第一基板與所述第二基板之間的波導層，以及設置于所述波導層側面的側入式準直光源；其中，
所述波導層的折射率分別大于所述第一基板的折射率和所述第二基板的折射率；
所述側入式準直光源的光以預設角度從所述波導層的側面入射，且入射光僅在所述第一基板與所述波導層的界面處發生全反射。
2.如權利要求1所述的光源器件，其特征在于，所述第二基板的折射率大于所述第一基板的折射率。
3.如權利要求1所述的光源器件，其特征在于，所述第一基板的折射率與所述第二基板的折射率相等，所述光源器件還包括：設置于所述波導層與所述第一基板之間的光柵耦合結構；其中
所述光柵耦合結構包括多個間隔設置的光柵條，以及存在于相鄰兩個所述光柵條之間的光柵間隙，所述光柵條的折射率大于所述第一基板的折射率；
且所述第一基板覆蓋所述光柵間隙。
4.如權利要求3所述的光源器件，其特征在于，所述光柵耦合結構的材料與所述波導層的材料相同。
5.如權利要求4所述的光源器件，其特征在于，所述光柵耦合結構與所述波導層為一體結構。
6.如權利要求3-5任一項所述的光源器件，其特征在于，所述光柵耦合結構的光柵周期大于1000nm，占空比為0.1～0.9。
7.如權利要求3-5任一項所述的光源器件，其特征在于，所述光柵耦合結構的厚度為100nm～1.5μm。
8.如權利要求1-5任一項所述的光源器件，其特征在于，所述波導層的材料包括樹脂、玻璃、ITO或者Si3N4中的至少一個。
9.如權利要求1-5任一項所述的光源器件，其特征在于，所述波導層的厚度為100nm～100μm。
10.如權利要求1-5任一項所述的光源器件，其特征在于，所述側入式準直光源為至少三種單色激光器芯片發出的單色光的混光；或，所述側入式準直光源為至少三種單色發光二極管芯片發出的單色光經過準直結構后的混光；或，所述側入式準直光源為白光發光二極管芯片經過準直結構后的白光；或，條狀的冷陰極熒光燈管發出的光經過準直結構后的準直光。
11.一種顯示裝置，包括顯示面板以及位于所述顯示面板出光側的前置光源，其特征在于，所述前置光源為如權利要求1-10任一項所述的光源器件；其中，
所述光源器件的第二基板位于靠近所述顯示面板的一側。
12.一種顯示裝置，包括液晶顯示面板以及為所述液晶顯示面板提供光源的背光源，其特征在于，所述背光源為如權利要求1-10任一項所述的光源器件；其中，
所述光源器件的第二基板位于靠近所述液晶顯示面板的一側。