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同軸光發射器件的制作方法

文檔序號:12019426閱讀:443來源:國知局
同軸光發射器件的制作方法與工藝

本實用新型涉及一種同軸光發射器件。



背景技術:

目前同軸TOSA(Transmitter Optical Subassembly,光發射器件)低速率封裝為了降低成本,取消隔離器應用,取消陶瓷插芯應用。

如圖1所示為現有TOSA的結構示意圖,其包括:中空的本體10、位于本體10內的單模半導體激光器(single mode LD chip)20、以及位于本體10外的密封裝置(TOSA To CAN assembly)30。

由于圖1所示的TOSA在光學器件參數上由于沒有隔離器,會增加外部反射光進入單模半導體激光器(single mode LD chip)20內部,造成單模半導體激光器(single mode LD chip)20出光不穩定,損害單模半導體激光器(single mode LD chip)20性能。



技術實現要素:

本實用新型的目的在于提供一種具有抗反射、提升反射隔離度的同軸光發射器件。

本實用新型提供一種同軸光發射器件,其包括:中空的本體、位于本體內的楔角片和波片、位于波片下方的激光器、以及位于本體外的密封裝置,其中,所述楔角片位于波片的上方。

優選地,所述本體的內部呈上窄下寬狀。

優選地,所述波片為1/2波片。

優選地,所述楔角片為偏振膜楔角片。

優選地,所述激光器為單模半導體激光器。

本實用新型采用添加一種鍍振分光棱鏡的偏振膜楔角片方式來抗反射,提升反射隔離度,其原理為單模半導體激光器發光為偏振光,通過1/2波片后偏振態發生90度變化,仿真在本同軸光發射器件內部有反射光返回時進入單模半導體激光器,同時偏振膜楔角片作用當有外部反射光進入本同軸光發射器件時,由于楔角片產生光路折射的原理減小進入單模半導體激光器反射光,提升產品性能。

附圖說明

圖1為現有同軸光發射器件的結構示意圖;

圖2為本實用新型同軸光發射器件的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型同軸光發射器件,如圖2所示,其包括:中空的本體1、位于本體1內的偏振膜楔角片2和波片3、位于波片3下方的單模半導體激光器(single mode LD chip)4、以及位于本體10外的密封裝置(TOSA To CAN assembly)5。

其中,本體1的內部呈上窄下寬狀,偏振膜楔角片2位于波片3的上方。

波片3能使互相垂直的兩光振動間產生附加光程差(或相位差)的光學器件,在本實施例中,波片3為1/2波片,1/2波片的定義為:一定厚度的雙折射晶體,當法向入射的光透過時,尋常光(o光)和非常光(e光)之間的相位差等于π或其奇數倍,這樣的晶片稱為二分之一波片,簡稱半波片。

偏振膜楔角片2的表面鍍偏振膜,楔角片2通過改變反射回來的光路(通過折射原理)來實現減小光進入單模半導體激光器4的作用,振分光棱鏡能把入射的非偏振光分成兩束垂直的線偏光,其中P偏光完全通過,而S偏光以45度角被反射,出射方向與P光成90度角。此偏振分光棱鏡由一對高精度直角棱鏡膠合而成,其中一個棱鏡的斜邊上鍍有偏振分光介質膜。

經偏振膜楔角片2反射回來的光由于是自由偏振態光,1/2波片3可以起到一部分隔離作用、且提升反射光返回到單模半導體激光器4內部的反射隔離度(反射隔離度是單模半導體激光器4發射的光經過前面光路反射回來重新進入單模半導體激光器4的光能量與單模半導體激光器4發光能量的比值),即1/2波片通過偏振態減小一部分。

本實用新型采用添加一種鍍振分光棱鏡(PBS)的偏振膜楔角片2方式來抗反射,提升反射隔離度,本實用新型通過楔角片2進行抗反射,即在外部光進入本同軸光發射器件時,由于楔角片5的作用,光路經過楔角片5產生折射,減少反射光進入單模半導體激光器4的內部。

其原理為單模半導體激光器(single mode LD chip)4發光為偏振光,通過1/2波片3后偏振態發生90度變化,仿真在本同軸光發射器件內部有反射光返回時進入單模半導體激光器(single mode LD chip)4,同時偏振膜楔角片2作用當有外部反射光進入本同軸光發射器件(TOSA)時,由于楔角片2產生光路折射的原理減小進入單模半導體激光器(single mode LD chip)反射光,提升產品性能。

以上詳細描述了本實用新型的優選實施方式,但是本實用新型并不限于上述實施方式中的具體細節,在本實用新型的技術構思范圍內,可以對本實用新型的技術方案進行多種等同變換,這些等同變換均屬于本實用新型的保護范圍。

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