本發明涉及一種用于粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的裝置。本發明還涉及一種用于制造相應裝置的方法。本發明還涉及一種用于測量粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的這種性質的方法，特別是用于半導體技術的設備的單元中。本發明還涉及具有根據本發明的裝置的用于半導體技術的設備的單元。本發明還涉及一種用于半導體技術的設備，特別是用于euv半導體光刻的投射曝光設備、用于duv半導體光刻的投射曝光設備、掩模檢查設備、或晶片檢查設備，其中使用了用于對粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質進行基于傳感器的測量的裝置和方法。
背景技術：
1、在半導體技術中，尤其使用不同的微光刻方法來產生作為集成電路的微結構元件和納米結構元件，其中結構化特性通過用光照射襯底來限定。舉例來說，尤其包含輻射源、照明系統、光掩模(稱為掩模母版)和投射系統的投射曝光設備用作用于半導體技術的設備。用于半導體技術的設備(特別是投射曝光設備)的這種部分系統分別由單獨的光學單元構成，所述光學單元從輻射源開始首先經由照明系統將用于光刻的光傳輸到光掩模，并且從那里借助于投射系統在襯底的光敏層上產生光掩模的相應圖像。光敏層可以是光致抗蝕劑，并且襯底可以是硅晶片。
2、為了能夠通過微光刻在投射曝光設備中的襯底上產生最小可能結構，具有短波長光的輻射源已經使用了相當長的時間，所述短波長光來自所謂的深紫外(duv)波長范圍，波長為400nm至100nm，特別是具有365nm、248nm和193nm的光。透鏡和反射鏡都用作這種投射曝光設備的各個單元中的光學部件，以便將來自輻射源的光成像在襯底上。此外，為了制造甚至更小的結構，幾年來已經使用了這樣的裝置，其使用來自被稱為極紫外(euv)波長范圍的波長在0.1nm和30nm之間的特別短波長的光，但是其特別地使用13.5nm的光。對于這樣的輻射，由于固體在該波長范圍內的固有吸收，不可能在由多個單元構成的投射曝光設備的光束路徑中使用透射式光學單元。因此，在euv光的情況下專門使用反射光學單元。類似的光學單元也用在用于半導體技術的其他設備中，例如用在用于euv光刻術的掩模檢查設備中或用在用于euv光刻術的晶片檢查設備中。
3、用于半導體技術的設備的這種單元可以包括多個單獨的部件，特別是包括作為單獨部件的光學部件，例如如開頭所述的反射鏡和透鏡，用于成像或照射掩模，并且還包括光學部件的機械或機電安裝件。例如在用于半導體技術的設備的單元中使用的這樣的光學部件通過整體連接用安裝件形式的機械或機電元件保持，和/或其他類型的元件連接到光學元件。在整體連接的情況下，連接配對件通過物理和/或化學力保持在一起，例如通過形成化學鍵。整體連接是不能容易地釋放的連接，并且基本上只能通過連接構件和/或連接配對件的至少部分破壞而分離。粘合劑接合是用于形成整體連接的一種選擇。除了將光學元件連接到用于半導體技術的設備中的相應安裝件之外，這種設備中的其他部件也通過整體連接的方式互連。
4、由粘合劑周圍的介質的化學和/或物理性質的變化引起的粘合劑的化學和/或物理性質的變化可能導致相應粘合劑層老化的跡象，例如通過粘合劑中包含的化學成分的氧化、還原或水合或粘合劑層中的機械損壞，例如裂縫。這樣的效應可能導致粘合劑的粘合效果受損。在最壞的情況下，這可能導致粘合元件例如從光學元件或從保持光學元件的安裝件至少部分地脫離，并且因此導致單元的性能降低，或甚至導致整個單元的功能失效。
5、另外，用于半導體技術的設備中的所述單元處的粘合劑層的化學和/或物理性質的變化可能導致在光學部件上施加力，因此在襯底上和光學部件的反射表面上可能存在破壞性變形，或者光學部件在用于半導體技術的設備的光束路徑中的絕對位置和/或取向的變化。
6、關于用于將光學部件固定在用于半導體技術的設備中的安裝件中的粘合劑，經常使用環氧樹脂，所述環氧樹脂例如通過從周圍吸收或發射水并進入周圍而膨脹或收縮，導致在粘合劑層上產生機械應力，所述機械應力可能轉移到由粘合劑層保持的光學元件，或者導致粘合劑層的粘合效果受損。例如由于用于半導體技術的設備的操作，由于單元的事故、維護、清潔或翻新過程，粘合劑的周圍溫度的變化也可能導致粘合劑層的化學或物理誘導的變化，并且可能損害其化學和/或物理性質。同樣地，通過粘合劑的施加和隨后的固化，可能在粘合劑層內產生機械應力。
7、為了確保用于半導體技術的設備的可靠性和性能，有必要在可能的最全面的時間段內獲得關于粘合劑和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的信息，以及關于用于半導體技術的設備內(特別是在用于euv半導體光刻的投射曝光設備的單元內)的伴隨條件的信息，以便從中得出關于單元和/或設備的性能的結論。
8、不同類型的傳感器通常用于通過測量來檢測在用于半導體技術的裝置的單元中普遍存在的狀況，并且由此得出關于元件或單獨部件的化學和/或物理性質的結論。
9、現有技術已經公開了例如投射曝光設備內的光學元件的局部變化的基于傳感器的監測的實踐[de?10?2018?219?782?a1和de?10?2018?208?653?a1]。以這種方式，可以可靠地監測環境介質的常見影響參數，例如溫度及其時間波動。此類方法經常不允許確定投射曝光設備的點處的變化，所述點在物理上難以接近或在基于傳感器的測量方法的適用性方面受到限制。此外，將此類方法應用于投射曝光設備之外的單元變得更加困難，其結果是例如無法直接監測翻新過程、維護或組裝過程。
10、現有技術還公開了在光學元件上使用傳感器，例如用于監測機械應力[de102020201724a1]。舉例來說，在光學元件中，這允許有針對性地監測由壓電變形引入的機械應力。然而，純粹監測隔離襯底的局部參數和/或性質不允許得出任何直接結論，例如關于在相應環境條件變化的情況下元件上的粘合劑層的行為、穩定性或使用壽命。此外，在變化的化學和物理環境條件下精確監測粘合劑層的行為需要同時直接和整體監測粘合劑層本身和周圍環境。
11、因此，從現有技術中已知的解決方案不能充分滿足越來越嚴格的要求，特別是與監測用于半導體技術的設備中的粘合劑層的穩定性有關的要求。
技術實現思路
1、發明目的
2、本發明的目的是提供一種消除現有技術的上述缺點的裝置。特別地，本發明的目的是提供一種用于半導體技術的設備的單元中的粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的裝置。本發明的另一個目的是指定一種用于制造這種裝置的方法。另外，本發明的另一個目的是指定一種用于操作所提出的裝置的方法。本發明的目的還在于指定一種用于半導體技術的設備的單元，其中使用了根據本發明的用于測量粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的裝置。本發明的目的還在于指定一種用于半導體技術的設備，其包含至少一個用于粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的裝置。用于半導體技術的設備可以是用于euv半導體光刻的投射曝光設備、用于duv半導體光刻的投射曝光設備、掩模檢查設備或晶片檢查設備。
3、發明的主題
4、本發明所基于的目的通過分別具有獨立權利要求的特征的裝置和用于提供該裝置的方法、以及用于將該裝置用于測量目的的方法、以及具有根據本發明的裝置的用于半導體技術的設備的單元、以及最后具有根據本發明的裝置的用于半導體技術的設備來實現。本發明的其他有利配置是從屬權利要求的主題以及下文描述的本發明的示例性實施例的主題。
5、在下文的解釋(包括附圖的描述和權利要求)中，諸如“一個”的數字不一定指代對精確的一個元件、一個部件、一個方法等的限制。相反，還可以提供多個元件、部件、過程或方法，例如兩個、三個或更多個。這里使用的任何其他數字也不應被解釋為對確切所述數量的元件存在限制的效果。相反，除非另有說明，否則向上和向下的數值偏差是可能的。
6、本發明的其他可能的實施方式還包括上文或下文關于示例性實施例描述的特征或實施例的未明確提及的組合。在這種情況下，本領域技術人員還將添加單獨的方面作為對本發明的相應基本形式的改進或補充。
7、根據本發明的用于粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器測量的裝置，其在用于半導體技術的設備的單元中，區別在于，所述裝置包括一個待粘接的第一元件、一個待粘接的第二元件、通過相應的邊界表面整體地連接待粘接的第一元件和待粘接的第二元件的粘合劑層、以及一個第一傳感器單元。根據本發明的這種裝置的特征在于，一個第一傳感器單元至少部分地布置在粘合劑層中或粘合劑層上，結果是用于測量粘合劑層的化學和/或物理性質的一個傳感器單元的所有區域具有至少一個邊界表面，該邊界表面以相互粘合連接的方式(reciprocal?adhesively?connectingfashion)形成到粘合劑層。這是有利的，因為可以在改變的性質的作用點處直接測量粘合劑層的化學和/或物理性質的變化。在這種情況下，作用點可以涉及具有任何期望配置的實施例，包括在用于半導體技術的設備的單元內物理上難以接近的位置，其中所使用的元件的幾何形狀和所使用的材料都不構成對裝置的使用的限制。通過將至少兩個這樣的第一傳感器單元和/或第二傳感器單元組合在不同位置處，例如在粘合劑層中，可以獲得關于粘合劑層的性質變化的空間分辨的結論。
8、在根據本發明的裝置的另一實施例中，待粘接的第一元件和待粘接的第二元件各自彼此獨立地為光學元件、機械元件、機電元件、電氣元件或電子元件。特別地，待粘接的元件中的至少一個元件由金屬材料制成或由陶瓷材料制成。作為根據本發明對具有不同功能的用于半導體技術的設備的單元內的不同位置處的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的結果，獲得關于變化的空間分辨信息，其中基于粘接元件的局部功能獲得關于局部負載和穩定性的相應結論。
9、在根據本發明的裝置的另一實施例中，一個待粘接的第一元件和/或一個待粘接的第二元件被實施為反射鏡、透鏡或機電反射鏡陣列。此外，一個待粘接的第一元件和/或一個待粘接的第二元件實施為用于反射鏡、用于透鏡或用于機電反射鏡陣列的安裝件。在這種情況下，反射鏡具有光學有效表面，特別是反射鏡表面，以及背離光學有效表面的背面，以及至少一個側面，一個第一傳感器單元和/或一個第二傳感器單元和/或粘合劑層附接到該至少一個側面。在透射光學部件的情況下，粘合劑層和一個第一傳感器單元和/或一個第二傳感器單元優選地位于光學透射材料的邊緣區域中，直接鄰近用于透射光學部件的安裝件。以這種方式，可以直接描述用于半導體技術的設備的操作的影響。
10、在存在整體地連接一個待粘接的第一元件和一個待粘接的第二元件的至少兩個粘合劑層的情況下，根據本發明的另一實施例，粘合劑層通過空腔分開。因此，以這種方式分段的粘合劑層不是連續延伸的，并且各個粘合劑層以相同或不同的方式彼此間隔開。特別地，不同形狀的粘合劑層的表面陣列形成在待粘接的第一元件和待粘接的第二元件之間，表面陣列以準二維、網格形或圖案形的方式設計有不同的形式和結構。在本文中，各個粘合劑層具有相同或不同的形狀和厚度。通過將結構化粘合劑層與粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于局部傳感器的測量相結合，存在傳感器信號的直接局部去耦的優點。
11、此外，一個粘合劑層可以是具有兩種組分的多組分環氧樹脂層的形式。呈多組分環氧樹脂層形式的粘合劑層同樣可以含有呈陶瓷增強組分形式的附加組分。在這種情況下，另外的陶瓷增強組分的各個部分可以以多分面的和不同的形式和性質分布存在，例如陶瓷顆粒的尺寸分布。不同陶瓷化合物的混合物也可以用作陶瓷增強組分。
12、此外，一個第一傳感器單元和/或一個第二傳感器單元可以各自包括至少一個傳感器，該傳感器包含測量所尋求的化學和/或物理性質所需的所有區域以及滿足傳感器的測量原理所需的所有區域。特別地，傳感器可以包括以下傳感器類型中的一種：
13、-力傳感器，其用于確定力的作用，
14、-溫度傳感器，
15、-ph傳感器，
16、-電導率傳感器，
17、-電容傳感器，
18、-濕度傳感器，
19、-光傳感器，
20、-以及用于上述信號類型中的至少兩種的組合的傳感器類型。
21、然而，通常，這可以涉及用于確定粘合劑層和/或氣體、液體或固體介質的化學和/或物理性質的任何期望類型的傳感器。所有可用的傳感器被實施為使得它們在用于半導體技術的設備中相對于與傳感器接觸的粘合劑層和/或與傳感器接觸的介質的常規普遍條件的適用性如所給出的那樣被采用，特別是相對于溫度、環境壓力和常規惰性氣體或吹掃氣體的使用。
22、在另一實施例中，根據本發明的裝置包含一個第二傳感器單元，其中用于測量與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的一個第二傳感器單元的所有區域具有到與粘合劑層接觸的介質的邊界表面。在這種情況下，圍繞一個第二傳感器單元的介質可以具有液體和/或氣體實施例。這也可以是氣溶膠。根據本發明，通過使用彼此直接相鄰安裝的一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元來測量圍繞一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元的粘合劑層和/或其他介質的化學和/或物理性質，允許得出關于接觸的相應介質的狀態以及關于粘合劑層和/或介質對彼此的影響以及其隨時間的發展的結論。
23、根據本發明的另一實施例，所述一個第一傳感器單元與一個第一傳輸單元連接和/或所述一個第二傳感器單元與一個第二傳輸單元連接。
24、根據本發明的另一實施例，所述一個第一傳輸單元和/或所述一個第二傳輸單元分別包含用于傳輸電信號和/或電磁信號和/或光信號的信號傳輸元件。例如，這是電纜或光波導。
25、根據本發明的另一實施例，所述一個第一傳輸單元和/或所述一個第二傳輸單元各自包含用于放大電信號和/或電磁信號和/或光信號的放大元件。以這種方式，例如，即使非常弱的信號也被可靠地測量、傳送和評估。
26、根據另一實施例，該一個第一傳輸單元和/或該一個第二傳輸單元分別包括功率傳輸元件，該功率傳輸元件用于運行該一個第一傳感器單元和/或該一個第二傳感器單元以及該一個第一傳輸單元和/或該一個第二傳輸單元的所有元件所需的功率的功率傳輸。例如，功率傳輸元件是適合于借助于直流電和/或交流電進行功率傳輸的電纜。
27、在本發明的另一實施例中，所述一個第一傳輸單元連接到一個第一傳輸接口單元和/或所述一個第二傳輸單元連接到一個第二傳輸接口單元，所述一個第一傳輸接口單元和/或一個第二傳輸接口單元各自包含用于信號傳輸和/或功率傳輸的傳送接口，用于經由一個第一傳輸單元和/或一個第二傳輸單元從一個第一傳感器單元和/或一個第二傳感器單元傳輸測量信號和/或功率或將測量信號和/或功率傳輸到一個第一傳感器單元和/或一個第二傳感器單元。用于從所述一個第一傳輸接口單元和從所述一個第二傳輸接口單元傳輸信號的傳送接口有利地實施為物理接口，例如通過插頭、插座、夾具、光耦合元件或用于分別使用的信號的連接鏈路的任何其他常規實施例。傳送接口還可以通過用于無線信號傳輸的發射器/接收器單元實現為虛擬接口。特別地，這可以涉及借助于電磁輻射的信號傳輸，進一步特別地涉及射頻傳輸。
28、在本發明的擴展中，一個第一傳輸接口單元和/或一個第二傳輸接口單元分別包括功率存儲和/或功率供應元件。例如，這涉及諸如電池、可再充電電池或類似元件的功率存儲器。作為功率存儲和功率供應元件，一個第一傳輸接口單元和/或一個第二傳輸接口單元還可以包括用于從鄰近于一個第一傳輸接口單元和/或一個第二傳輸接口單元的環境區域收集傳感器單元和傳輸單元的操作所需的功率的元件。特別地，這可以是來自能量收集領域的裝置，以便確保裝置的自主功能。在外部功率供應中斷的情況下，功率存儲和功率供應元件也可以集成為保護單元的附加元件。
29、用于制造根據本發明的裝置的方法基本上包括以下步驟：1)提供根據本發明的所有元件，2)將粘合劑層施加到所提供的元件中的一個上，3)將一個第一傳感器單元嵌入粘合劑層中，4)以根據本發明的方式整體地連接所提供的元件。
30、此外，用于制造根據本發明的裝置的方法包括5)在與粘合劑層接觸的介質中提供和組裝一個第二傳感器單元。
31、此外，該方法包括：6)以信號和功率傳輸方式將所提供的傳感器單元連接到所提供的傳輸單元，以及7)以信號和功率傳輸方式將所提供的傳輸單元連接到所提供的一個第一傳輸接口單元和一個第二傳輸接口單元。
32、在根據本發明的方法的優選變型中，為了制造如上所述的裝置的目的，首先提供一個待粘接的第一元件、一個待粘接的第二元件、一個具有適于測量化學和/或物理性質的傳感器的區域的第一傳感器單元以及用于制造粘合劑層的合適的粘合劑材料。此外，將粘合劑層施加到一個待粘接的第一元件和/或一個待粘接的第二元件。并且，所述一個第一傳感器單元嵌入所述一個粘合劑層。嵌入或者在要與粘合劑層粘接的一個第一元件的邊界表面處實現，或者在要與粘合劑層粘接的一個第二元件的邊界表面處實現，使得一個粘合劑層固定一個第一傳感器單元，并且一個第一傳感器單元的傳感器與粘合劑層接觸，使得滿足傳感器的測量原理所需的傳感器的至少所有區域形成邊界表面，該邊界表面以相互整體連接的方式形成到粘合劑層。在這種情況下，一個第一傳感器單元從粘合劑層突出，使得一個第一傳感器單元可以以信號和功率傳輸方式連接到一個第一傳輸單元。隨后，施加到一個待粘接的第一元件上或施加到至少一個待粘接的第二元件上并固定一個第一傳感器單元的粘合劑層通過待粘接的第二元件與粘合劑層的邊界表面整體連接到一個待粘接的第二元件上，或者通過待粘接的第一元件與粘合劑層的邊界表面整體連接到一個待粘接的第一元件上。隨后固化粘合劑層。
33、在該方法的變型中，除了上述方法之外或單獨地，粘合劑層可以施加到一個第一傳感器單元，仍然作為替代上述方法的替代方案，以便改善粘合劑層中的一個第一傳感器單元的粘合和/或將其嵌入粘合劑層中。
34、例如，手動方法和任何期望的自動或半自動印刷技術用作施加粘合劑層的合適方法，特別是絲網印刷、噴墨印刷、液體的微量計量或其他常規替代方案。
35、此外，可以應用用于在一個待粘接的第一元件和一個待粘接的第二元件之間形成整體連接的其他方法，例如焊接、陶瓷連接或非多組分粘合劑可以用于連接用于半導體技術的設備的單元的各個元件。同樣地，可以在不同位置處使用不同類型的粘合劑層和用于產生整體連接的方法，以使兩個元件彼此粘合地結合。
36、在根據本發明的方法的另一實施例中，一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元被組裝在用于半導體技術的設備的單元內。在這種方法的第一變型中，一個第一傳感器單元以根據前述段落的方法的方式集成在單元內的粘合劑層中。此外，提供至少一個第二傳感器單元并將其組裝在同一單元內，使得該一個第二傳感器單元安裝成使得該一個第二傳感器單元的用于測量化學和/或物理性質并且完全滿足測量原理的所有區域形成與粘合劑層接觸的介質的邊界表面，其中粘合劑層固定該一個第一傳感器單元。在這種情況下，至少一個第二傳感器單元的組裝可以在用于半導體技術的設備的單元的適于該目的并且可自由選擇的位置和元件處實現，使得單元的功能不受損。如上文已經提到的，要由一個第二傳感器單元測量的介質可以指代不同類型的環境介質。
37、在根據本發明的方法的另一有利配置中，各自根據上述方法單獨實現的一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元以信號和功率傳輸方式分別連接到一個第一傳輸單元和一個第二傳輸單元。此外，根據上述方法生產的第一傳輸單元和一個第二傳輸單元以信號和功率傳輸方式分別連接到至少一個第一傳輸接口單元和一個第二傳輸接口單元，以便確保到外部數據評估單元的信號傳輸，數據評估單元不是本發明的一部分。
38、提供和組裝一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元的順序不一定與根據本發明的方法的實現相關，并且可以根據需要選擇。
39、如上所述，將一個第一傳輸接口單元連接到一個第一傳輸單元以及將一個第一傳輸單元連接到一個第一傳感器單元可以在將一個第一傳感器單元組裝在用于半導體技術的設備的單元中之前、期間或之后以任何順序實現，以便增加組裝的靈活性和傳感器系統在組裝期間的適用性。這同樣適用于所述一個第二傳遞接口單元、所述一個第二傳遞單元和所述一個第二傳感器單元的組裝。
40、在該方法的另一變型中，傳感器單元和傳輸單元之間的信號和/或功率傳輸連接主要是為了將傳感器單元應用或嵌入在一個第一或第二元件上/中而建立的。這允許在組裝元件和傳感器時增加靈活性，并且仍然在組裝方法步驟期間應用傳感器。
41、借助于根據本發明的上述裝置來測量粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的第一方法的區別在于，在用于半導體技術的設備的單元內，借助于由一個第一傳感器單元生成的測量信號在邊界表面處測量關于粘合劑層的化學和/或物理性質的信息，其中所述一個邊界表面形成在滿足傳感器單元的傳感器的測量原理所需的所有區域與對應的粘合劑層之間，以及在于，借助于由一個第二傳感器單元生成的測量信號在邊界表面處測量關于介質的化學和/或物理性質的信息，其中所述一個邊界表面形成在滿足所述一個第二傳感器單元的傳感器的測量原理所需的所有區域與接觸粘合劑層的介質之間，其中所述粘合劑層固定所述一個第一傳感器單元。
42、根據本發明的用于半導體技術的設備的單元中的粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的另一方法的區別在于，至少一個第一傳感器單元和至少一個第二傳感器單元產生測量信號，該測量信號可用于形成來自一個第一傳感器單元和/或來自一個第二傳感器單元的測量信號的任何期望的算術組合。在這種情況下，也可以在個體的基礎上評估至少一個第一傳感器單元和至少一個第二傳感器單元的信號。規定，來自嵌入粘合劑層中的任何第一傳感器單元的測量信號能夠在算術上組合。進一步規定，來自位于粘合劑層外部的第二傳感器單元的測量信號能夠在算術上組合。同樣地，來自粘合劑層內的傳感器單元的測量信號可以與來自粘合劑層外部的傳感器單元的測量信號算術地組合。
43、在用于半導體技術的設備的單元中的至少一個粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量的方法的根據本發明的另一實施例中，由一個第一傳感器單元和一個第二傳感器單元生成不同形式的測量信號，例如靜態測量信號、動態測量信號和/或靜態和動態測量信號的任何組合。此外，可以以觸發的形式檢測測量信號，從用于半導體技術的設備的單元的外部和內部觸發。
44、在用于半導體技術的設備的單元中的粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的化學和/或物理性質的基于傳感器的測量方法的根據本發明的另一實施例中，在位于用于半導體技術的設備外部的單元中始終測量測量信號。結果，可以確定在單元內的粘合劑層和/或與粘合劑層接觸的介質的特性的變化，所述變化例如由在單元的所有光學和機械部件上的清潔工作、維護工作、組裝工作、或在單元的至少一個部件的粘合劑層上的組裝工作在所有另外的上述方法步驟期間引起。上面規定的工作步驟的命名在這種情況下僅應理解為示例性的。原則上，根據本發明的裝置可以在用于半導體技術的設備的單元中或單元上的所有已知工作期間使用。
45、本發明的另一方面涉及一種用于半導體技術的設備的單元，其特征在于該單元包括根據本發明的裝置。根據本發明的單元可以由多個元件構成，其中元件能夠是光學元件的單元，例如反射鏡、透鏡、反射鏡陣列或衍射光學元件。該單元的另一元件可以是機械元件，例如安裝件或框架。該單元的另一元件可以是機電元件和/或電子元件。此外，單元可以由光學元件、機械元件和機電和/或電子元件的任何組合構成。
46、本發明的另一方面涉及一種用于半導體技術的設備，其特征在于，用于半導體技術的設備包括根據本發明的裝置。
47、根據第一實施例，這種用于半導體技術的設備是用于半導體光刻、特別是用于euv半導體光刻、進一步特別是用于duv半導體光刻的投射曝光設備。
48、根據另一實施例，所述部件是用于半導體光刻的晶片檢查設備的一部分。
49、根據另一實施例，所述部件是用于半導體光刻的掩模檢查設備的一部分。