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一體式高回損光組件適配器的制造方法

文檔序號:9523106閱讀:345來源:國知局
一體式高回損光組件適配器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種光纖適配器,尤其是一種一體式高回損光組件適配器。
【背景技術】
[0002]當前,組件適配器是一種由陶瓷插芯、導向套筒和外部金屬管體經精密裝配而成的無源器件,其中陶瓷插芯具有柱狀結構,陶瓷插芯上開設有沿中軸線布置的內孔,并在內孔中預埋光纖,通過對陶瓷插芯端面進行研磨拋光,達到低插入損耗、高回波損耗等性能。組件適配器廣泛應用與光收發模塊的光信號的耦合輸入與輸出、光學探測器的光信號的耦合輸入與輸出。
[0003]近幾年隨著光通信飛速發展,光通信網絡向著大容量、長距離的方向發展,因此,光通信模塊的信號耦合輸入與輸出的要求也越來越高,相比較而言,當前的組件適配器在此要求下具有局限性,主要體現為:(1)由于組件適配器與光纖連接器是以PC(普通球面)相連接,而陶瓷插芯的端面沒有經過特殊處理,因端面連接引起的回波光功率的增加,直接影響到傳輸信號的質量,進而降低了通信信噪比;(2)當前的組件適配器由于沒有集成標準的連接器端口,當其裝配到模塊上之后不能直接與光纖連接器對接,必須再裝配相應的插拔式適配器散件形成通用接口,再與光纖連接器對接,從而不僅安裝工序繁瑣,費時費力,而且增加了相應的加工成本。

【發明內容】

[0004]本發明的目的就是要解決當前的組件適配器所存在的上述缺點,為此提供一種具有結構緊湊、接口通用的一體式高回損光組件適配器。
[0005]本發明的具體方案是:一體式高回損光組件適配器,其特征是:包括有插拔式適配器散件、陶瓷插芯、定位金屬環和陶瓷套筒,插拔式適配器散件包括有前、后座與卡座,前座具有底板A和設置在底板A端面上凸起結構以及貫穿底板A與凸起結構的臺階狀通孔,且位于凸起結構上的通孔的孔徑大于位于底板A上通孔的孔徑,后座具有底板B,在底板B端面上的設有筒狀殼體,其中底板A與底板B相匹配,并通過螺栓緊固連接;卡座具有底板C,底板C被后座壓合在前座的底板A上,并在背對底板A —側的端面上設有限位套筒和對稱布置在限位套筒兩側的彈性卡板,限位套筒的內徑分別與底板A上通孔的孔徑和陶瓷套筒的外徑相同,在限位套筒的端口部位設有用于限位的沿邊;所述定位金屬環套裝在凸起結構上的通孔中,陶瓷套筒的一端插裝在底板A上的通孔中并與定位金屬環相接觸或相配合,陶瓷套筒的另一端套裝在限位套筒中,陶瓷插芯與定位金屬環過盈配合,且陶瓷插芯的一端插裝在陶瓷套筒中。
[0006]本發明中所述陶瓷插芯和陶瓷套筒均采用二氧化鋯陶瓷粉體經高溫燒結成型。
[0007]本發明中所述陶瓷套筒的側壁上開設有沿軸線貫穿的開口。
[0008]本發明中所述陶瓷插芯的兩端均呈斜球面結構。
[0009]本發明中所述定位金屬環采用304不銹鋼材料加工而成,在定位金屬環的外側壁上銑削加工有寬度為2-3mm的定位面,定位金屬環的內壁呈臺階狀結構。
[0010]本發明中所述殼體的橫截面呈矩形結構,在殼體的兩個縱向側壁的內側分別開設有與彈性卡板相對應的讓位槽,在殼體其中一個橫向側壁上開設有腰圓形導向口。
[0011]本發明具有以下優點:
(1)本發明實現了陶瓷插芯、陶瓷套筒與插拔式適配器散件一體化同軸裝配,結構緊湊、接口通用,便于客戶安裝使用;
(2)本發明在加工過程中,對陶瓷插芯的兩端面進行APC(斜球面)加工,使之能夠與標準SC/APC光纖連接器進行精密對接,以達到提高光回波損耗的目的,提高了產品光學性能,廣泛應用于光通信模塊、光電探測器等領域。
【附圖說明】
[0012]圖1是本發明的爆炸結構示意圖;
圖2是本發明的剖面結構示意圖;
圖3是本發明中定位金屬環的結構示意圖。
[0013]圖中:1 一陶瓷插芯,2—定位金屬環,3—陶瓷套筒,4 一前座,5—后座,6—卡座,7一底板A,8 —凸起結構,9一臺階狀通孔,10一底板B,11 一殼體,12一底板C,13一限位套筒,14一彈性卡板,15—沿邊,16—開口,17—定位面,18—讓位槽,19一導向口,20—斜球面結構。
【具體實施方式】
[0014]參見圖1-3,本發明包括有插拔式適配器散件、陶瓷插芯1、定位金屬環2和陶瓷套筒3,插拔式適配器散件包括有前、后座4、5與卡座6,前座4具有底板A7和設置在底板A7端面上凸起結構8以及貫穿底板A7與凸起結構8的臺階狀通孔9,且位于凸起結構8上的通孔的孔徑大于位于底板A7上通孔的孔徑,后座5具有底板B10,在底板B10端面上的設有筒狀殼體11,其中底板A7與底板B10相匹配,并通過螺栓緊固連接;卡座6具有底板C12,底板C12被后座5壓合在底板A7上(在與底板A7相貼合的底板B10的端面開設有凹槽,凹槽與底板C12相匹配),并在背對底板A7 —側的端面上設有限位套筒13和對稱布置在限位套筒13兩側的彈性卡板14,限位套筒13的內徑分別與底板A7上通孔的孔徑和陶瓷套筒3的外徑相同,在限位套筒3的端口部位設有用于限位的沿邊15 ;所述定位金屬環2套裝在凸起結構8上的通孔中,陶瓷套筒3的一端插裝在底板A7上的通孔中并與定位金屬環2相接觸或相配合,陶瓷套筒3的另一端套裝在限位套筒13中,陶瓷插芯1與定位金屬環2過盈配合,且陶瓷插芯1的一端插裝在陶瓷套筒3中。
[0015]本實施例中所述陶瓷插芯1和陶瓷套筒3均采用二氧化鋯陶瓷粉體經高溫燒結成型;所述陶瓷插芯1的外徑尺寸為Φ2.499±0.0005mm,外徑的圓度< 0.5 μ m,其內孔的內徑尺寸為125-126 μm,同心度〈1.0 μm,陶瓷插芯1的長度尺寸為9.2±0.05mm ;陶瓷套筒3的外徑尺寸為Φ 3.2±0.02mm,內徑尺寸為2.49 μ m,內徑圓度< 0.5 μ m,同心度〈1.0 μ m,陶瓷套筒3的長度尺寸為10.2±0.05mm。
[0016]本實施例中所述陶瓷套筒3的側壁上開設有沿軸線貫穿的開口 16。
[0017]本實施例中所述陶瓷插芯1的兩端面采用APC加工呈斜球面結構20,其中APC加工是指在陶瓷插芯在內孔預埋光纖的情況下,通過定制的研磨夾具對其兩端面進行研磨拋光,使之滿足行業標準YD/T 1272.3-2005要求的低插入損耗(插入損耗〈0.2dB)和高回波損耗(回波損耗>50dB)的要求。
[0018]本實施例中所述定位金屬環2采用304不銹鋼材料加工而成,在定位金屬環2的外側壁上銑削加工有寬度為2-3mm的定位面17,定位面17用于對陶瓷插芯1進行定位,定位金屬環2的內壁呈臺階狀結構,其中陶瓷套筒3與定位金屬環2上具有較大內徑的內壁相配合,陶瓷插芯1的一端穿過定位金屬環2上具有較小內徑的內壁并伸入至陶瓷套筒3中。
[0019]本實施例中所述殼體11的橫截面呈矩形結構,在殼體11的兩個縱向側壁的內側分別開設有與彈性卡板14相對應的讓位槽18,在殼體11的其中一個橫向側壁上開設有腰圓形導向口 19,導向口 19用于對待安裝的光纖連接器進行導向定位。
【主權項】
1.一體式高回損光組件適配器,其特征是:包括有插拔式適配器散件、陶瓷插芯、定位金屬環和陶瓷套筒,插拔式適配器散件包括有前、后座與卡座,前座具有底板A和設置在底板A端面上凸起結構以及貫穿底板A與凸起結構的臺階狀通孔,且位于凸起結構上的通孔的孔徑大于位于底板A上通孔的孔徑,后座具有底板B,在底板B端面上的設有筒狀殼體,其中底板A與底板B相匹配,并通過螺栓緊固連接;卡座具有底板C,底板C被后座壓合在前座的底板A上,并在背對底板A —側的端面上設有限位套筒和對稱布置在限位套筒兩側的彈性卡板,限位套筒的內徑分別與底板A上通孔的孔徑和陶瓷套筒的外徑相同,在限位套筒的端口部位設有用于限位的沿邊;所述定位金屬環套裝在凸起結構上的通孔中,陶瓷套筒的一端插裝在底板A上的通孔中并與定位金屬環相接觸或相配合,陶瓷套筒的另一端套裝在限位套筒中,陶瓷插芯與定位金屬環過盈配合,且陶瓷插芯的一端插裝在陶瓷套筒中。2.根據權利要求1所述的一體式高回損光組件適配器,其特征是:所述陶瓷插芯和陶瓷套筒均采用二氧化鋯陶瓷粉體經高溫燒結成型。3.根據權利要求1或2所述的一體式高回損光組件適配器,其特征是:所述陶瓷套筒的側壁上開設有沿軸線貫穿的開口。4.根據權利要求1或2所述的一體式高回損光組件適配器,其特征是:所述陶瓷插芯的兩端均呈斜球面結構。5.根據權利要求1所述的一體式高回損光組件適配器,其特征是:所述定位金屬環采用304不銹鋼材料加工而成,在定位金屬環的外側壁上銑削加工有寬度為2-3mm的定位面,定位金屬環的內壁呈臺階狀結構。6.根據權利要求1所述的一體式高回損光組件適配器,其特征是:所述殼體的橫截面呈矩形結構,在殼體的兩個縱向側壁的內側分別開設有與彈性卡板相對應的讓位槽,在殼體其中一個橫向側壁上開設有腰圓形導向口。
【專利摘要】一體式高回損光組件適配器,包括有插拔式適配器散件、陶瓷插芯、定位金屬環和陶瓷套筒,插拔式適配器散件包括有前、后座與卡座,前座具有底板A、凸起結構及貫穿底板A與凸起結構的臺階狀通孔,后座具有底板B和筒狀殼體,底板A與底板B相匹配連接;卡座具有底板C、限位套筒和彈性卡板,底板C被后座壓合在底板A上;定位金屬環套裝在凸起結構上的通孔中,陶瓷套筒的兩端分別插裝在底板A上的通孔和限位套筒中,陶瓷插芯與定位金屬環過盈配合,且陶瓷插芯的一端插裝在陶瓷套筒中;本發明實現了陶瓷插芯、陶瓷套筒與插拔式適配器散件一體化同軸裝配,結構緊湊、接口通用,安裝使用方便,光學性能好,廣泛適用于光通信模塊、光電探測器領域。
【IPC分類】G02B6/38
【公開號】CN105278052
【申請號】CN201510871184
【發明人】葉蒼竹, 吳遠策, 官守軍, 戴正華, 萬晶
【申請人】黃石晨信光電股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年12月2日
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