專利名稱：鍍膜裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及鍍膜技術，特別涉及一種鍍膜裝置。
背景技術：
目前，鍍膜裝置一般包括一個鍍膜腔體、一個抽氣系統及一個靶材。鍍膜腔體包括 一個豎直方向的中軸。靶材一般沿中軸方向放置在鍍膜腔體的中央，而多個待鍍膜的基板 沿中軸方向放置，環布在靶材的周圍(鍍膜腔體的邊緣部分)。抽氣系統一般通過一個導管 連通到鍍膜腔體沿中軸方向的中部。鍍膜開始時，抽氣系統將鍍膜腔體抽成真空，然后再往 鍍膜腔體中通入反應氣體以進行鍍膜。在鍍膜過程中，抽氣系統用于持續抽走鍍膜腔體中 的反應氣體以將鍍膜腔體維持在一定的氣壓，進而保持鍍膜的均勻性。然而，抽氣過程中， 鍍膜腔體內靠近導管的部位(中部)抽氣速率比遠離導管部位(鍍膜腔體高度方向的上部 及下部)的抽氣速率高，造成了鍍膜腔體中部的氣體濃度比上下部的氣體濃度小，進而造 成了膜層的不均勻。
發明內容
有鑒于此，有必要提供一種提高鍍膜均勻性的鍍膜裝置。一種鍍膜裝置，其用于對多個基板進行鍍膜，該鍍膜裝置包括一個鍍膜腔體及一 個抽氣系統。該鍍膜腔體具有一個豎直方向的中軸。該抽氣系統連通至該鍍膜腔體頂部的 中央，并位于該中軸上。該多個基板沿平行該中軸的方向放置，且環布在該中軸的周圍。如此，所述多個基板所處位置的抽氣速率大致相同，處于一個氣體濃度相對均勻 的環境中，鍍膜的均勻性好。
圖1為本發明較佳實施方式的鍍膜裝置的截面示意圖。圖2為圖1的鍍膜裝置沿線II-II的截面示意圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種鍍膜裝置，用于對多個基板進行鍍膜，該鍍膜裝置包括一個鍍膜腔體及一個抽 氣系統，該鍍膜腔體具有一個豎直方向的中軸，其特征在于該抽氣系統連通至該鍍膜腔體 頂部的中央，并位于該中軸上，該多個基板沿平行該中軸的方向放置，且環布在該中軸的周 圍。
2.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，該鍍膜腔體包括一個頂面、一個底面及 一個連接該頂面與該底面的且平行于該中軸的側面。
3.如權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，該抽氣系統包括一個抽氣機及一個導 管；該頂面的中央開設有一個沿該中軸對稱的開口，該導管連通該抽氣機及該開口。
4.如權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，該側面沿該中軸方向開設有三個氣孔， 每個進氣口連接至一個供氣裝置。
5.如權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，該鍍膜裝置還包括一個圓筒狀靶材及 一個冷卻單元；該圓筒狀靶材沿該中軸方向設置于該鍍膜腔體的中央；該冷卻單元包括一 個管體及在該管體內循環的冷卻液；該管體設置在該靶材內且與該靶材的內壁接觸。
全文摘要
本發明提供一種鍍膜裝置，其用于對多個基板進行鍍膜，該鍍膜裝置包括一個鍍膜腔體及一個抽氣系統。該鍍膜腔體具有一個豎直方向的中軸。該抽氣系統連通至該鍍膜腔體頂部的中央，并位于該中軸上。該多個基板沿平行該中軸的方向放置，且環布在該中軸的周圍。如此，所述多個基板所處位置的抽氣速率大致相同，處于一個氣體濃度相對均勻的環境中，鍍膜的均勻性好。
文檔編號C23C14/34GK102108488SQ20091031245
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月29日 優先權日2009年12月29日
發明者凌維成, 吳佳穎, 廖名揚, 張慶州, 洪新欽, 王仲培, 簡士哲, 魏朝滄, 黃建豪 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司