專利名稱：真空鍍膜裝置的改良結構的制作方法
技術領域：
本發明屬于鍍膜設備，特別涉及一種在真空沉積腔室內對工件鍍膜的加工裝置的改良結構。
背景技術：
真空鍍膜技術在經濟社會各個領域有著廣泛應用，特別是科技迅速發展、人們生活的不斷提高以及高科技鍍膜產品的不斷涌現，給真空鍍膜技術的發展和推廣應用帶來了新的機遇。真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。需要鍍膜的被稱為 基片，鍍的材料被稱為靶材。基片與靶材同在真空腔中。如蒸發鍍膜就是加熱靶材，使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程形成薄膜。常見的蒸發鍍膜就是放置鍍膜工件的托架置于真空沉積腔室內，該托架通過環狀滾珠軸轉動固定于環狀支撐架，而該環狀支撐架環周設有環狀齒條，并與之嚙合的驅動齒輪及驅動馬達控制轉動，實現該托架連帶工件轉動，而該托架下方放置靶材，該靶材通過加熱機構加熱揮發，從而實現工件在真空腔室內高溫鍍膜操作。然而，驅動放置工件的托架轉動機構十分繁瑣，不利于放置各種尺寸的工件。
發明內容
為了克服上述缺陷，本發明提供了一種基于真空濺射沉積技術的真空鍍膜裝置的改良結構，使得放置工件的托架驅動機構簡便實用。本發明為了解決其技術問題所采用的技術方案是一種真空鍍膜裝置的改良結構，包括真空沉積腔室以及位于該真空沉積腔室內的托架和靶材，該托架通過第一轉軸和軸承轉動固定于該真空沉積腔室頂部，而該第一轉軸由驅動馬達控制連帶該托架轉動，該革巴材位于該托架下方，通過加熱機構控制該IE材加熱蒸發。作為本發明的進一步改進，該托架呈穹頂狀結構，該托架內側向下設有多個用于固定工件的掛鉤，該托架頂部中心通過該第一轉軸和軸承轉動固定于該真空沉積腔室頂部。作為本發明的進一步改進，該托架與該真空沉積腔室頂部之間至少設有一個能對該托架上的工件加熱的預加熱機構。作為本發明的進一步改進，該預加熱機構為電熱絲加熱體或紅外加熱體。作為本發明的進一步改進，該加熱機構為安裝于該真空沉積腔室內并可放置該靶材的槽狀金屬加熱體，該槽狀金屬加熱體兩側設有一對電極，該對電極另一端引出于該真空沉積腔室后，分別與電源變壓器之次級繞組引出端連接。作為本發明的進一步改進,該祀材還通過轉動機構控制能相對該托架轉動,該轉動機構為通過軸承固定于該真空沉積腔室內側底部的第二轉軸，該第二轉軸上端與絕緣連接桿一端固定，并且該絕緣連接桿與該第二轉軸呈直角連接，該絕緣連接桿另一端固定該槽狀電熱體，該對電極另一端沿該絕緣連接桿，并通過該第二轉軸內的兩通孔引出，該第二轉軸下端伸出該真空沉積腔室外后固定滾輪，并通過傳送帶和馬達控制轉動。作為本發明的進一步改進，該真空沉積腔室側部設有可裝卸鍍膜工件的操作門。本發明的有益技術效果是所述托架頂部中心通過第一轉軸轉動固定于呈穹頂結構，該第一轉軸又可由控制馬達驅動轉動，這樣將該托架驅動轉動機構設計在該真空沉積腔室內側頂部后，將鍍膜工件放置于該托架的操作更加方便。所述祀材還通過轉動機構控制相對該托架轉動,該轉動機構為通過軸承固定于該真空沉積腔室內側底部的第二轉軸，該第二轉軸上端與絕緣連接桿一端固定，并且該絕緣連接桿與該第二轉軸呈直角連接，該絕緣連接桿另一端固定該槽狀電熱體，該對電極另一端沿該絕緣連接桿，并通過該第二轉軸內的兩通孔引出，該第二轉軸下端伸出該真空沉積腔室外后固定滾輪，并通過傳送帶和馬達控制轉動。這樣托架和靶材都可以分別控制轉動，當靶材通過加熱機構加熱揮發后，沉積于該托架上工件鍍膜層厚度一致性更加合理。·
圖I為本發明的半剖視結構示意圖。對照以上附圖，作如下補充I——真空沉積腔室 60——第二轉軸2——托架61——軸承3-靶材63-滾輪4——第一轉軸64——傳送帶5——電熱絲加熱體 66——馬達50——槽狀金屬加熱體 73——電源變壓器51——通孔100——工件52——絕緣連接桿
具體實施例方式結合圖1，作以下進一步描述一種真空鍍膜裝置的改良結構，包括真空沉積腔室I以及位于該真空沉積腔室內的托架2和靶材3，該托架2可放置工件100，該托架2呈穹頂狀結構，該托架內側向下設有多個用于固定工件的掛鉤，該托架頂部中心通過該第一轉軸4和軸承轉動固定于該真空沉積腔室I頂部，而該第一轉軸4由驅動馬達控制連帶該托架2轉動，該托架2與該真空沉積腔室I頂部之間至少設有一個能對該托架上的工件加熱的預加熱機構，該預加熱機構為電熱絲加熱體5(也可以采用紅外加熱體)，以便鍍膜工件一直處于適合鍍膜溫度，該靶材3位于該托架下方，通過加熱機構控制該靶材加熱蒸發，實現對該托架上工件鍍膜，這樣所述靶材經加熱機構加熱后，其組分蒸發到穹頂結構上的工件，達到真空鍍膜目的，該加熱機構為安裝于該真空沉積腔室內并可放置該靶材3的槽狀金屬加熱體，該槽狀金屬加熱體兩側設有一對電極，該對電極另一端引出于該真空沉積腔室I后，分別與電源變壓器73之次級繞組引出端連接，該真空沉積腔室側部設有操作門，便于裝卸該托架上鍍膜工件。
為了靶材蒸發成份更均勻鍍膜于工件各表面，該靶材3還通過轉動機構控制能相對該托架2轉動，該轉動機構為通過軸承61固定于該真空沉積腔室I內側底部的第二轉軸60，該第二轉軸60上端與絕緣連接桿52 —端固定，并且該絕緣連接桿52與該第二轉軸60呈直角連接，該絕緣連接桿52另一端固定該槽狀金屬加熱體50，該對電極另一端沿該絕緣連接桿52，并通過該第二轉軸60內的兩通孔51引出，該第二轉軸60下端伸出該真空沉積腔室I外后固定滾輪63，并通過傳送帶64和馬達66控制轉動。所述真空沉積腔室實現真空度屬于現有技術，不是本發明的技術創新點，在此不作陳述，上述電熱絲加熱方式也可以采用紅外加熱體。所謂金屬加熱體就是利用金屬體兩端接通交流電，使得金屬體發熱產生熱量，而紅外加熱和金屬體加熱不是本發明的創新點，屬于現有 技術，在此不作詳細描述。
權利要求
1.一種真空鍍膜裝置的改良結構，包括真空沉積腔室(I)以及位于該真空沉積腔室內的托架(2)和靶材(3)，其特征在于該托架(2)通過第一轉軸(4)和軸承轉動固定于該真空沉積腔室頂部，而該第一轉軸(4)由驅動馬達控制連帶該托架(2)轉動，該靶材(3)位于該托架下方，通過加熱機構控制該IE材加熱蒸發。
2.根據權利要求I所述的真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該托架(2)呈穹頂狀結構，該托架內側向下設有多個用于固定工件(100)的掛鉤，該托架頂部中心通過該第一轉軸(4)和軸承轉動固定于該真空沉積腔室(I)頂部。
3.根據權利要求I或2所述的真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該托架(2)與該真空沉積腔室(I)頂部之間至少設有一個能對該托架上的工件加熱的預加熱機構。
4.根據權利要求3所述的真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該預加熱機構為電熱絲加熱體(5)或紅外加熱體。
5.根據權利要求I或2所述的真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該加熱機構為安裝于該真空沉積腔室內并可放置該靶材(3)的槽狀金屬加熱體，該槽狀金屬加熱體兩側設有一對電極，該對電極另一端引出于該真空沉積腔室(I)后，分別與電源變壓器(73)之次級繞組引出端連接。
6.根據權利要求5所述的真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該靶材(3)還通過轉動機構控制能相對該托架(2)轉動，該轉動機構為通過軸承(61)固定于該真空沉積腔室(I)內側底部的第二轉軸(60)，該第二轉軸￠0)上端與絕緣連接桿(52) —端固定，并且該絕緣連接桿(52)與該第二轉軸￠0)呈直角連接，該絕緣連接桿(52)另一端固定該槽狀金屬加熱體(50)，該對電極另一端沿該絕緣連接桿(52)，并通過該第二轉軸￠0)內的兩通孔(51)引出，該第二轉軸(60)下端伸出該真空沉積腔室(I)外后固定滾輪(63)，并通過傳送帶(64)和馬達(66)控制轉動。
7.根據權利要求I所述真空鍍膜裝置的改良結構，其特征在于該真空沉積腔室側部設有可裝卸鍍膜工件的操作門。
全文摘要
一種真空鍍膜裝置的改良結構，包括真空沉積腔室以及位于真空沉積腔室內的托架和靶材，該托架呈穹頂狀結構，該托架內側向下設有多個用于固定工件的掛鉤，該托架頂部中心通過該轉軸轉動固定于該真空沉積腔室頂部，該轉軸可由控制馬達驅動轉動，該托架與該真空沉積腔室頂部之間至少設有一個能對該托架上的工件加熱的電阻加熱體，該靶材位于該托架下方，通過加熱機構控制該靶材加熱揮發，實現對該托架上工件鍍膜，該加熱機構為安裝于該真空沉積腔室內并可放置該靶材的槽狀電熱體，該槽狀電熱體兩側設有一對電極，該對電極另一端引出于該真空沉積腔室與電源變壓器之次級繞組引出端連接，本發明使得放置工件的托架驅動機構簡便實用。
文檔編號C23C14/34GK102899619SQ201110210048
公開日2013年1月30日 申請日期2011年7月26日 優先權日2011年7月26日
發明者黃水祥 申請人:御林汽配(昆山)有限公司