專利名稱：一種ltcc片式元件倒角方法及磨料配方的制作方法
技術領域：
本發明屬于LTCC (低溫共燒陶瓷)片式元件加工技術領域,涉及ー種LTCC片式元件倒角方法及磨料配方。
背景技術：
傳統的片式元件多以MLCC (片式多層陶瓷電容器)技術制造，針對MLCC陶瓷材料的特性有其特定的倒角磨料，而LTCC片式器件因與傳統片式元件存在材料特性的差異，因此使用傳統MLCC片式元件的倒角磨料進行倒角加工不能到達預期的效果，且加工時間需要24小時以上，效率非常低。
發明內容
本發明g在解決使用傳統片式元件倒角方法及磨料對LTCC片式元件進行倒角效率低的缺陷。實現本發明的技術解決方案為使用球磨機或倒角機添加適用于LTCC片式元件倒角的磨料，對LTCC片式元件進行以水為媒質的濕法倒角。所述的濕法倒角是在球磨機或倒角機內投入磨料與LTCC片式元件后，再向球磨機或倒角機中注入水，以水為媒質進行球磨倒角。LTCC片式元件倒角方法，包含以下步驟
a.配制磨料
b.裝填磨料將配制好的磨料裝入球磨機或倒角機中；
c.裝填元件將待倒角加工的元件裝入球磨機或倒角機中；
d.注水將水注入球磨機或倒角機中；
e.球磨倒角開啟球磨機或倒角機進行元件倒角；
f.篩分元件將元件從磨料中篩分出來；
h.沖洗元件將完成倒角加工的元件在水中沖洗，去除表面磨料粉塵；
i.干燥將清洗后的元件在烘箱中干燥，去除表面水分。所述磨料是使用碳化硅磨料與氧化鋯球磨料配制的。所述碳化硅磨料與氧化鋯球磨料按質量比I :10 I :2配制。所述f篩分元件的步驟中還包含以下步驟
篩分碳化硅磨料使用篩孔小于片式元件尺寸且大于碳化硅顆粒尺寸的篩子在水中篩洗磨料、元件混合物，將碳化硅磨料分離出來；
篩分元件使用篩孔小于氧化鋯球球徑尺寸的篩子在水中篩洗氧化鋯球、元件混合物，將元件與氧化鋯球分離。一種用于LTCC片式元件倒角的磨料配方，其特征是使用碳化硅磨料與氧化鋯球形磨料按質量比I :10 I :2配制成磨料。所述碳化硅為100目以下的碳化硅。
所述氧化錯球磨料的球徑為3mm 10mm。本發明與現有技術相比，其顯著優點是
a.能夠形成清潔、光滑的倒角加工表面以水為媒質的濕法倒角加工的LTCC片式元件，倒角加工面清潔、光滑，完成加工后不需要特殊清洗處理即可進行后續的加工。b.能夠提高LTCC片式元件的倒角加工效率依據LTCC片式元件材料特性配制的倒角磨料可以將使用傳統片式元件倒角磨料進行倒角加工的時間由24小時以上縮短至10小時以內，大大提高了加工效率。
具體實施例方式下面對本發明作進ー步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此來限制本發明的保護范圍。 本發明的加工エ藝流程主要包括以下幾部分
配制磨料一裝填磨料一裝填元件一注水一球磨倒角一篩分碳化娃磨料一篩分元件一沖洗元件一干燥。具體エ藝如下
a.配制磨料使用碳化硅磨料與氧化鋯球磨料按質量比I:5配制為倒角磨料；
b.裝填磨料將配制好的倒角磨料裝入球磨機中；
c.裝填元件將待倒角加工的元件裝入球磨機中；
d.注水將水注入球磨機中；
e.球磨倒角開啟球磨機進行元件倒角；
f.篩分碳化硅磨料使用篩孔小于片式元件尺寸且大于碳化硅顆粒尺寸的篩子在水中篩洗磨料、元件混合物，將碳化硅磨料分離出來；
g.篩分元件使用篩孔小于氧化鋯球球徑尺寸的篩子在水中篩洗氧化鋯球、元件混合物，將元件與氧化鋯球分離；
h.沖洗元件將完成倒角加工的元件在水中沖洗，去除表面磨料粉塵；
i.干燥將清洗后的元件在烘箱中干燥，去除表面水分。倒角磨料的配方為
倒角磨料由碳化硅磨料與氧化鋯球磨料按質量比配制，質量比為1 :10 I :2。以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應視為本發明的保護范圍。
權利要求
1.ー種LTCC片式元件倒角方法，其特征是在球磨機或倒角機中添加倒角用的磨料，對LTCC片式元件進行以水為媒質的濕法倒角。
2.根據權利要求I所述的LTCC片式元件倒角方法，其特征是所述的濕法倒角是在球磨機或倒角機內投入磨料與LTCC片式元件后，再向球磨機或倒角機中注入水，以水為媒質進行球磨倒角。
3.根據權利要求I所述的LTCC片式元件倒角方法，其特征是包含以下步驟 a.配制磨料 b.裝填磨料將配制好的磨料裝入球磨機或倒角機中； c.裝填元件將待倒角加工的元件裝入球磨機或倒角機中； d.注水將水注入球磨機或倒角機中； e.球磨倒角開啟球磨機或倒角機進行元件倒角； f.篩分元件將元件從磨料中篩分出來； h.沖洗元件將完成倒角加工的元件在水中沖洗，去除表面磨料粉塵； i.干燥將清洗后的元件在烘箱中干燥，去除表面水分。
4.根據權利要求3所述的LTCC片式元件倒角方法，其特征是所述磨料是使用碳化硅磨料與氧化鋯球磨料配制的。
5.根據權利要求4所述的LTCC片式元件倒角方法，其特征是所述碳化硅磨料與氧化錯球磨料按質量比I :10 I :2配制。
6.根據權利要求4所述的LTCC片式元件倒角方法，其特征是所述f篩分元件的步驟中還包含以下步驟 篩分碳化硅磨料使用篩孔小于片式元件尺寸且大于碳化硅顆粒尺寸的篩子在水中篩洗磨料、元件混合物，將碳化硅磨料分離出來； 篩分元件使用篩孔小于氧化鋯球球徑尺寸的篩子在水中篩洗氧化鋯球、元件混合物，將元件與氧化鋯球分離。
7.一種用于LTCC片式元件倒角的磨料配方，其特征是使用碳化硅磨料與氧化鋯球形磨料按質量比I :10 I :2配制成磨料。
8.根據權利要求7所述的用于LTCC片式元件倒角的磨料配方，其特征是所述碳化硅為100目以下的碳化硅。
9.根據權利要求7所述的用于LTCC片式元件倒角的磨料配方，其特征是所述氧化鋯球磨料的球徑為3mm 10mm。
全文摘要
本發明涉及的是一種LTCC片式元件倒角方法及磨料配方，針對LTCC片式元件材料特性設計了倒角磨料配方，使用碳化硅磨料與氧化鋯球形磨料按質量比110～12配制成磨料，在球磨機(或倒角機)中添加磨料，對LTCC片式元件進行以水為媒質的濕法倒角。倒角加工面清潔、光滑，完成加工后不需要特殊清洗處理即可進行后續的加工；提高了LTCC片式元件的倒角加工效率，使用球磨機(或倒角機)進行濕法倒角可將使用傳統片式元件倒角磨料的加工效率提高1倍以上。
文檔編號B24B9/06GK102848285SQ20121033245
公開日2013年1月2日 申請日期2012年9月11日 優先權日2012年9月11日
發明者馬濤, 王嘯, 高鵬, 薛峻, 劉昕 申請人:中國兵器工業集團第二一四研究所蘇州研發中心