專利名稱：一種抑制大晶粒形成的鋁合金的制作方法
一種抑制大晶粒形成的鋁合金技術領域
本發明屬于金屬材料領域，特別是指一種抑制大晶粒形成的鋁合金材料。
背景技術：
現階段，鋁合金型材以其重量輕、高延展性，甚至同時具有高強度的性能，得到廣泛的應用。但是，在這類型材的應用中，特別是在鑄造或擠壓加工過程中，鋁合金內部組織會因為壓應力變化大，溫升大等一系列原因會導致在成型后的淬火過程中發生晶粒再結晶現象。組織體內的晶粒過度生長，形成粗晶粒。這類晶粒對鋁合金材料的力學性能、抗疲勞性能、抗腐蝕性能及后期的加工都有很大的影響。
因此，在型材加工領域，如何抑制鋁合金組織體內的大晶粒或淬火過程中的晶粒生長，一直是本領域技術人員面臨的問題之一。發明內容
本發明的目的是提供一種鋁合金材料，通過材料的組成來有效抑制鋁合金組織體內的晶粒生長，提聞廣品的性能。
一種抑制大晶粒形成的鋁合金，其組成按質量百分比包括有，O. 72%的鎂，I. 2% 的硅，O. 25 %的錳，O. 05%的鉻，O. 35 %的銅，O. 21%的鐵，O. 005 %的鈦，余量為鋁及不可避免的雜質。
將上述組成成份熔煉后澆鑄成鋁合金錠，對鋁合金錠進行壓鑄淬火得到規定的鋁合金型材。
所述壓鑄淬火工藝為，將鋁合金錠加熱到500-530°C后進行恒溫壓鑄，其中壓鑄速度為2-2. 5米/分鐘；淬火分為兩個階段，第一個階段為恒溫水冷淬火，降溫速度不能低于I.50C /秒，待溫度下降到260-300°C時轉為自然風冷至常溫。
本發明同現有技術相比的有益效果是
因為在本申請中加入的鈦元素，能夠抑制結晶的粒徑生長，并通過加工工藝，實現了抑制晶粒生長的現象發生。
具體實施方式
以下通過具體實施例來說明本發明的技術方案，以下實施例只是為了說明本發明而不是限定本發明的范圍。
按以下組成準備原料，其組成按質量百分比包括有，O. 72 %的鎂，I. 2 %的硅， O. 25 %的錳，O. 05 %的鉻，O. 35 %的銅，O. 21 %的鐵，O. 005 %的鈦，余量為鋁及不可避免的雜質。將上述組成進行熔煉，熔煉的方式為現有技術。
將上述組成成份熔煉后澆鑄成鋁合金錠，對鋁合金錠進行壓鑄淬火得到規定的鋁合金型材。
所述壓鑄淬火工藝為，將鋁合金錠加熱到500-530°C后進行恒溫壓鑄，其中壓鑄速3度為2-2. 5米/分鐘；在使用時，壓鑄的速度大于或小于本申請的壓鑄速度也能夠實現本申請目的，淬火分為兩個階段，第一個階段為恒溫水冷淬火，冷卻液溫度保持在200± 10°C，降溫速度不能低于I. 5°C /秒，待溫度下降到260-300°C時轉為自然風冷至常溫。
以上的實施例說明了本發明的技術方案，本領域技術人員應當理解，可以由上述的技術方案進行變形或等同替換，均能夠得到本發明的其它實施例。
權利要求
1.一種抑制大晶粒形成的鋁合金，其特征在于其組成按質量百分比包括有，O. 72%的鎂，I. 2%的 硅，O. 25%的錳，O. 05 %的鉻，O. 35 %的銅，O. 21 %的鐵，O. 005 %的鈦，余量為鋁及不可避免的雜質。
全文摘要
本發明涉及一種抑制大晶粒形成的鋁合金，其組成按質量百分比包括有，0.72％的鎂，1.2％的硅，0.25％的錳，0.05％的鉻，0.35％的銅，0.21％的鐵，0.005％的鈦，余量為鋁及不可避免的雜質。能夠抑制結晶的粒徑生長，并通過特定的加工工藝，實現了抑制晶粒生長的現象發生。
文檔編號C22C21/02GK102925761SQ20121044815
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月5日 優先權日2012年11月5日
發明者虞海香 申請人:虞海香