一種鍍膜裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種鍍膜裝置，其包括蒸鍍源材料、蒸鍍鍋體，所述鍍鍋與所述蒸鍍源材料相向放置，其特征在于：所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體，所述晶片載體經一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調節所述連接支撐體的高度進而調節晶片載體與蒸鍍鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向垂直。
【專利說明】一種鍍膜裝置
【技術領域】
[0001] 本實用新型涉及半導體【技術領域】，尤其涉及一種鍍膜裝置。
【背景技術】
[0002] 半導體芯片制備過程中，很多結構層需要經過鍍膜工藝制成，因此鍍膜步驟在半 導體芯片制備中具有相當重要的作用，特別是目前使用成熟的真空鍍膜工藝更是被廣泛使 用。所謂真空鍍膜即將待鍍晶片（即為待鍍物）置于真空室內，通過加熱或電子束轟擊鍍源 材料使鍍源原子沉積到晶片表面的過程。以蒸鍍為例，目前所使用的鍍膜裝置中，用于固定 晶片載體220的蒸鍍鍋200懸置于蒸鍍機臺內腔100,與蒸鍍源300相向而置，其晶片表面 與鍍源原子入射方向310存在非直角的Θ角度(參看附圖1)，其造成鍍源的原子入射路徑 增長，易造成鍍源材料浪費；且晶片表面鍍層分布不均，局部區域鍍層較厚，在后續制程中 易出現鍍層剝離后存在多金的異常現象。
【發明內容】
[0003] 針對上述問題，本實用新型提出了一種鍍膜裝置，其藉由調節蒸鍍鍋結構，使其在 制程中晶片與鍍源材料原子的入射方向垂直，進而改變原子入射路徑，改善金屬耗用量及 多金異常現象。
[0004] 本實用新型解決技術的技術方案為：鍍膜裝置包括：蒸鍍源材料、蒸鍍鍋，鍍鍋與 所述蒸鍍源材料相向放置；而所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體， 所述晶片載體經一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調節所述連接支撐體的高度而調節晶 片載體與蒸鍍鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向角度呈垂直關系。
[0005] 優選的，所述連接支撐體的高度沿從中心至邊緣方向依次增加。
[0006] 優選的，所述連接支撐體的高度范圍為：內圈〇· 8?1. 3cm，次內圈1. 3?1. 8cm， 次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
[0007] 優選的，所述連接支撐體的高度范圍為：內圈0. 8?1. 8cm，外圈1. 8?2. 8cm。
[0008] 在一些實施例中，所述連接支撐體為條形支撐桿，相互隔開置于晶片載體的邊緣 底部，固定晶片載體于鍍鍋上，且支撐晶片載體與鍍鍋距離一定高度，且使晶片載體與鍍源 入射方向角度垂直。
[0009] 在另一些實施例中，所述支撐連接體為所述晶片載體的組成部分，直接用于固定 晶片，其晶片載體為一環狀結構，支撐連接體為環狀的側壁。
[0010] 本實用新型至少具有以下有益效果：通過調節晶片載體的結構，使其在制程中晶 片與鍍源材料原子的入射方向角度垂直，進而減小鍍膜時原子入射路徑，從而改善金屬耗 用量及多金異常現象。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011] 附圖用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本實用新型 的實施例一起用于解釋本發明，并不構成對本實用新型的限制。此外，附圖數據是描述概 要，不是按比例繪制。
[0012] 圖1為現有一種鍍膜裝置結構截面圖。
[0013] 圖2~圖3為本實用新型之實施例1之一種鍍膜裝置結構截面圖。
[0014] 圖4為圖3中I部放大立體示意圖。
[0015] 圖5~圖6為本實用新型之實施例2之一種鍍膜裝置結構截面圖。
[0016] 圖7為圖6中I部放大立體示意圖。
【具體實施方式】
[0017] 下面結合附圖和實施例對本實用新型的【具體實施方式】進行詳細說明。
[0018] 實施例1
[0019] 請參看附圖2和3,鍍膜裝置包括：蒸鍍機臺內腔100、蒸鍍源材料300和蒸鍍鍋 200,其中蒸鍍鍋200懸置于蒸鍍機臺內腔100,與所述蒸鍍源材料300相向放置；而所述蒸 鍍鍋200包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體220,所述晶片載體220經一連接支撐 體210固定于蒸鍍鍋200,通過調節所述連接支撐體210的高度而調節晶片載體220與蒸鍍 鍋200的間距，從而使得所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向310垂直（Θ =90° )。
[0020] 具體的，連接支撐體為條形支撐桿，相互隔開置于晶片載體邊緣底部(請參看附圖 4)，固定晶片載體220置于鍍鍋200上，并支撐晶片載體220與鍍鍋200距離一定高度，且 該高度沿中心至邊緣方向依次增加，當該鍍鍋200包含大于2圈的晶片載體220時，其高度 范圍依次為：內圈a為0· 8?1. 3cm，次內圈b為1. 3?1. 8cm，次外圈c為1. 8?2. 3cm， 外圈d為2. 3?2. 8cm ;當該鍍鍋200包含小于等于2圈晶片載體220時，其高度范圍依次 為：內圈a為0· 8?1. 8cm，外圈d為1. 8?2. 8cm，通過調節該高度范圍進而使得晶片載體 220與鍍源300入射方向310垂直，及保證待鍍晶片與該入射方向垂直，從而減小鍍源原子 入射距離，并改善晶片表面的鍍層均勻性，改善局部區域多金異常。
[0021] 實施例2
[0022] 請參看附圖5和6,連接支撐體210為晶片載體220的組成部分，直接用于固定晶 片；其晶片載體220為一環狀結構，待鍍晶片固定于環狀結構內，支撐連接體210為環狀的 側壁(請參看附圖7)，調節側壁的高度，即調節晶片載體與鍍鍋200的距離，保證待鍍晶片 表面與鍍源原子入射方向垂直，其側壁高度范圍及晶片載體圈數可以同實施例1。
[0023] 應當理解的是，上述具體實施方案為本發明的優選實施例，本發明的范圍不限于 該實施例，凡依本發明所做的任何變更，皆屬本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1. 一種鍍膜裝置，包括：蒸鍍源材料、蒸鍍鍋體，所述鍍鍋與所述蒸鍍源材料相向放 置，其特征在于：所述蒸鍍鍋體包括圍繞所述鍋體中心排列的多個晶片載體，所述晶片載體 經一連接支撐體固定于蒸鍍鍋體，通過調節所述連接支撐體的高度而調節晶片載體與蒸鍍 鍋體的距離，使所述晶片載體與蒸鍍源材料原子入射方向垂直。
2. 根據權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度沿從中心至 邊緣方向依次增加。
3. 根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度范圍為：內圈 0· 8?1. 3cm，次內圈1. 3?1. 8cm，次外圈1. 8?2. 3cm，外圈2. 3?2. 8cm。
4. 根據權利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體的高度范圍為：內圈 0· 8 ?1. 8cm，外圈 1. 8 ?2. 8cm。
5. 根據權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體為置于所述晶片載 體底部的條形支撐桿。
6. 根據權利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于：所述連接支撐體為所述晶片載體的 組成部分，直接用于固定晶片。
【文檔編號】C23C14/50GK203878203SQ201420295907
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年6月5日 優先權日:2014年6月5日
【發明者】黃照明, 張家豪, 郭明興, 季韜, 程葉, 劉峰 申請人:安徽三安光電有限公司