基板處理裝置的制作方法

本發明涉及對基板的兩面進行處理的基板處理裝置。

背景技術：

近年來，為了實現電子設備的輕量化、薄型化等，在安裝有電子部件的安裝基板等中逐漸采用例如薄膜狀的基板。

諸如薄膜狀的基板這樣的薄型基板與以前普遍采用的玻璃基板等相比，耐熱性低。例如，在通過濺射法對薄型基板進行成膜的情況下，通過高能量的濺射粒子到達基板的表面，而使基板表面的溫度上升。當基板表面的溫度超過基板材料的容許溫度時，有可能導致基板的變形等，因此在對薄型基板進行成膜的情況下，需要在不超過基板材料的容許溫度的溫度范圍進行成膜。

另一方面，為了實現電路圖案的高密度化等，有時進行兩面成膜，即、在基板的兩面進行成膜。此時，當同時在基板的兩面進行成膜時，與單面成膜相比，基板溫度容易上升，所以需要分成2次一面一面地進行成膜。

作為在基板的兩面上一面一面地進行成膜的裝置的一個例子，存在通過搬送機器人來改變基板的朝向的裝置。例如，當搬送機器人完成對基板的一個成膜面的成膜時，使基板旋轉，并搬入到對該基板的另一個成膜面進行成膜的成膜裝置。具備搬送機器人的基板處理裝置例如記載于專利文獻1中。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-58565號公報

技術實現要素：

發明所要解決的課題

在基板處理裝置上設置搬送機器人等使基板旋轉的旋轉機構的情況下，旋轉機構進行基板的旋轉以及向多個基板處理室的搬送。由此，旋轉機構的動作時間成為限制生產量的瓶頸。因此，在對基板的兩面一面一面地形成薄膜的基板處理裝置中，要求能進一步提高生產效率。另外，這樣的課題不僅限于將薄型基板作為基板處理對象的裝置，而且在需要冷卻基板的基板處理裝置中也是大致共通的。

本發明的目的在于提供一種能提高兩面成膜的生產效率的基板處理裝置。

用于解決課題的手段

本發明的一個方式為基板處理裝置。基板處理裝置具備：濺射腔室；兩個靶材，其設于所述濺射腔室內，用于通過濺射在基板的兩個成膜面形成薄膜；以及搬送機構，其沿設于所述濺射腔室內的搬送路搬送基板，在所述兩個靶材中的一個在所述基板的搬送方向的前級以與所述基板的兩個成膜面中的一個相對的方式配置在所述搬送路的一側，所述兩個靶材中的另一個在所述基板的搬送方向的后級以與所述基板的兩個成膜面中的另一個相對的方式配置在所述搬送路的另一側。

根據上述構成，在濺射腔室中，首先通過配置于基板搬送方向的前級的一個靶材，在與該靶材相對的基板的一個成膜面形成薄膜。并且，通過配置于基板搬送方向的后級的另一個靶材，在與該靶材相對的基板的另一個成膜面形成薄膜。因此，由于不必使基板旋轉也能一面一面地進行成膜，能提高兩面成膜的生產效率。

優選地，在上述基板處理裝置中，所述濺射腔室是在所述搬送方向的前級以及后級排列設置的第1濺射腔室以及第2濺射腔室中的一個，設于所述第1濺射腔室內的所述兩個靶材以及設于所述第2濺射腔室內的所述兩個靶材在所述搬送方向上配置在相互不同的位置，并且在所述搬送路的一側以及另一側交替地配置。

根據上述構成，由前級的第1濺射腔室的兩個靶材以及后級的第2濺射腔室的兩個靶材構成的4個靶材在搬送路的一側以及另一側交替地配置。因此，在對基板的兩面進行2次成膜時，不必使基板旋轉也能一面一面地進行成膜，因此能提高兩面成膜的生產效率。

優選地，上述基板處理裝置優選具備：逆濺射腔室，其用于通過在向所述濺射腔室搬送之前搬送所述基板，從而對所述基板的兩個成膜面進行清潔化；兩個偏壓電極，其設于所述逆濺射腔室內，并施加偏壓電壓，所述兩個偏壓電極在所述搬送方向上的前級以及后級分開地配置，并且在所述搬送路的一側以及另一側分開地配置。

根據上述構成，在逆濺射腔室中，通過配置于搬送路的前級的偏壓電極，從而正離子被引導至該偏壓電極相反側的成膜面，該成膜面被逆濺射。并且，通過配置于后級的偏壓電極，偏壓電極相反側的成膜面被逆濺射。因此，不必使基板旋轉也能一面一面地進行逆濺射，因此能提高兩面成膜的生產效率。

優選地，上述基板處理裝置具備：復路結構體，其包括所述濺射腔室；基板裝配部，其配置于所述復路結構體的搬出口側，并將所述基板裝配在基板保持部；以及往路結構體，其將裝配在所述基板保持部的所述基板從所述復路結構體的搬出口側搬送至所述復路結構體的搬入口側，所述往路結構體包括加熱部，該加熱部在預先設定的上限溫度以下對所述基板進行加熱。

根據上述構成，在將裝配在基板保持部的基板從復路結構體的搬出側搬送至搬入口側的期間，能通過設于往路結構體的加熱部對基板進行加熱。另外，加熱部在預先設定的上限溫度以下對基板進行加熱，因此能根據上限溫度的設定來防止基板的變形等，并且能進行基板的脫氣處理。

優選地，在上述基板處理裝置中，所述搬送機構具備控制裝置，該控制裝置控制所述基板向所述往路結構體的搬送和所述基板從所述往路結構體向所述復路結構體的搬送，所述控制裝置與所述基板從所述復路結構體的搬出相對應地，進行成膜前的所述基板從所述往路結構體向所述復路結構體的搬入。

根據上述構成，與基板從復路結構體的搬出相對應地，進行基板向復路結構體的搬入。因此，能在進行復路結構體中的處理的定時，將由往路結構體預先加熱的基板依次送出，因此能提高兩面成膜的生產效率。

附圖說明

圖1是示出基板處理裝置的一個實施方式的概要結構的側視圖。

圖2是圖1的基板處理裝置中的安裝了薄膜基板的基板保持部的立體圖。

圖3是示出圖2的基板保持部的一部分的剖視圖。

圖4是圖1的基板處理裝置中的搬送機構的示意圖。

圖5是示出圖1的基板處理裝置的概要結構的俯視圖。

圖6是示出圖1的基板處理裝置中的逆濺射裝置的結構的示意圖。

圖7是示意性地示出設于圖6的逆濺射裝置的靜電吸盤的剖視圖。

圖8是示出圖1的基板處理裝置中的濺射裝置的結構的示意圖。

圖9是示意性地示出設于圖8的濺射裝置的靜電吸盤的剖視圖。

圖10是示出變形例的基板保持部的主視圖。

具體實施方式

以下，對將本發明具體化為基板處理裝置的一個實施方式進行說明。在本實施方式中，把基板處理裝置舉例說明為通過濺射法在安裝電子部件的基板的兩面形成成為布線的基底的緊貼層和用于通過鍍敷形成布線的晶種層的裝置。另外，成為成膜對象的基板是薄膜狀的基板(以下，薄膜基板)。

薄膜基板以樹脂為主要成分。薄膜基板的材料采用例如丙烯酸樹脂、聚酰胺樹脂、密胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、纖維素以及它們的共聚樹脂等。或者，薄膜基板的材料可以采用明膠以及酪素等有機天然化合物。

更詳細地講，薄膜基板的形成材料可以采用聚酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、三乙酸酯、聚乙烯醇、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯、聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醇縮丁醛、金屬離子交聯乙烯-甲基丙烯酸共聚物、聚氨酯、玻璃紙等。其中，薄膜基板的形成材料優選采用聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯以及三乙酸酯中任意一種。

另外，在提高本實施方式的效果方面，優選采用厚度1mm以下的薄膜基板，更優選采用厚度100μm以下的薄膜基板。另外，例如，薄膜基板具有一邊長度(俯視時的寬度以及高度)為500mm-600mm的大小。

參照圖1-圖5，對基板處理裝置10的概要構成進行說明。

基板處理裝置10具備基板裝配部11和第1基板升降部13。基板裝配部11是將成膜前的薄膜基板15裝配于基板保持部14，并且將成膜后的薄膜基板15從基板保持部14卸下的裝置。基板裝配部11以及第1基板升降部13由控制裝置12進行控制。

如圖2所示，基板保持部14具備框體16和基板固定件17，基板固定件17設于框體16的內周面。基板固定件17由磁石構成，在框體16的4邊設置多個。

如圖3所示，框體16由第1框體16a以及第2框體16b構成。在第1框體16a以及第2框體16b的內周面側形成有槽狀的被嵌合部16c、16d。第1框體16a以及第2框體16b通過未予圖示的固定件等而被相互固定。另外，在第1框體16a中的配置基板固定件17的位置、或者第1框體16a的整個區域埋設有磁石16e。基板固定件17由一對固定片17a、17b構成。另外，基板固定件17在其一端具備槽部17c。薄膜基板15的緣插入到槽部17c。另外，可以根據薄膜基板15的厚度，省略槽部17c。

在將薄膜基板15裝配到基板保持部14時，例如在第2框體16b的被嵌合部16d配置基板固定件17的固定片17b的狀態下，將薄膜基板15配置到相對于第2框體16b的規定位置。另外，將固定片17a配置到第1框體16a的被嵌合部16c。該固定片17a因為磁石16e的磁力而被朝向第1框體16a吸引。然后，將配置了固定片17a的第1框體16a重疊到在固定片17b上載置了薄膜基板15的第2框體16b上。由此，薄膜基板15通過基板固定件17而被固定到框體16。

如圖1所示，在基板裝配部11中裝配于基板保持部14的薄膜基板15通過第1基板升降部13而上升，并被搬送到設于比基板裝配部11靠鉛垂方向上方的往路結構體21內。

往路結構體21具備長條狀的框體21a和設于框體21a內的往路搬送路23。往路搬送路23將裝配于基板保持部14上的薄膜基板15從第1基板升降部13朝向設于第1基板升降部13相反側的第2基板升降部30進行搬送。

如圖4所示，往路搬送路23具備搬送軌道24和多個搬送輥25。搬送輥25以能相對于搬送軌道24旋轉的狀態設置。搬送輥25由搬送電動機26等驅動源進行驅動。搬送電動機26由控制裝置12進行控制。搬送軌道24、搬送輥25、搬送電動機26以及控制裝置12構成搬送薄膜基板15的搬送機構。

如圖1所示，在框體21a的長邊方向上的一部分設有多個加熱器31。加熱器31隔著往路搬送路23設于兩側，從兩側對沿往路搬送路23被搬送的薄膜基板15進行加熱。并且，多個加熱器31沿框體21a的長邊方向排列。薄膜基板15在材料的特性上為吸濕性，因此通過多個加熱器31連續地進行加熱而被脫氣。

該加熱器31由例如將發熱線隔著絕緣體而收納于金屬管中的鎧裝加熱器等構成，通過控制裝置12將加熱器31的溫度調整為能防止薄膜基板15變形的上限溫度Tmax以下。該上限溫度Tmax根據薄膜基板15的材料而設定。

另外，加熱器31的個數調整為往路結構體21中的加熱時間達到薄膜基板15的脫氣所需要的時間以上、或者與該時間大致相同。

已被進行了脫氣處理的薄膜基板15通過由控制裝置12控制的第2基板升降部30依次下降，從而被搬送到復路結構體22，復路結構體22設于往路結構體21的鉛垂方向下方。

復路結構體22具備逆濺射裝置50、第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90。逆濺射裝置50是進行逆濺射的裝置，對薄膜基板15的兩面進行清潔。第1濺射裝置70是在薄膜基板15形成緊貼層的裝置，第2濺射裝置90是在緊貼層上形成晶種層的裝置。

在第2基板升降部30與逆濺射裝置50之間設有搬入室35和第1預備室36，搬入室35具有搬入口35a(參照圖5)。在第2濺射裝置90與基板裝配部11之間設有第2預備室37和搬出室38，搬出室38具有搬出口38a(參照圖5)。

在搬入室35、第1預備室36、逆濺射裝置50、第1濺射裝置70、第2濺射裝置90、第2預備室37以及搬出室38中設有復路搬送路32。復路搬送路32與往路搬送路23同樣地具備搬送軌道24和搬送輥25。搬送輥25與搬送電動機26連接。復路搬送路32的搬送電動機26也由控制裝置12進行控制。薄膜基板15沿該復路搬送路32在復路結構體22內從第2基板升降部30朝向基板裝配部11直線狀地搬送。

在搬入室35的搬入口35a、搬入室35與第1預備室36之間以及第1預備室36的出口設有閘閥41-43。搬入室35以及第1預備室36通過未予圖示的排氣部被調整為規定的壓力范圍。另外，在第2濺射裝置90與第2預備室37之間、第2預備室37與搬出室38之間以及搬出室38的出口設有閘閥46-48。第2預備室37以及搬出室38通過未予圖示的排氣部調整為規定的壓力范圍。

在第1預備室36內、且在隔著復路搬送路32相對的兩側設有加熱器40(參照圖5)。加熱器40由例如鎧裝加熱器等構成，溫度通過控制裝置12調整為上述的上限溫度以下。在第1預備室36中，通過對薄膜基板15的兩面進行加熱，從而進行成膜前的最后的脫氣處理。

對第1預備室36中的加熱器40設定的加熱溫度和對往路結構體21中的加熱器31設定的加熱溫度也可以相互相同，也可以是相互不同的溫度。另外，在對第1預備室36中的加熱器40設定的加熱溫度比對往路結構體21中的加熱器31設定的加熱溫度高的情況下，由于薄膜基板15的溫度持續上升到將要成膜前的溫度，所以因為薄膜基板15的溫度下降而造成的氣體吸附也被抑制。

如圖5所示，逆濺射裝置50具備2個靜電吸盤53。靜電吸盤53具有被供給高頻電力的偏壓電極。逆濺射裝置50通過在逆濺射腔室51(參照圖6)的內部空間生成包含電子以及濺射氣體的正離子的等離子，并且對靜電吸盤53施加偏壓電壓，從而將等離子中的正離子引導到薄膜基板15的表面，由此去除薄膜基板15的附著物等。

一個靜電吸盤53設于薄膜基板15的搬送方向、即基板搬送方向的前級，另一個靜電吸盤53設于基板搬送方向的后級。前級的靜電吸盤53在從逆濺射裝置50的入口側看時設于左側，后級的靜電吸盤53在從入口側看時設于右側。

第1濺射裝置70具備兩對具有靶材的第1陰極單元72和靜電吸盤73。靶材以例如鈦為主要成分。一方的一對第1陰極單元72和靜電吸盤73設于基板搬送方向的前級，另一方的一對第1陰極單元72和靜電吸盤73設于基板搬送方向的后級。兩對第1陰極單元72和靜電吸盤73在基板搬送方向上設于不重疊的位置。前級的第1陰極單元72和后級的第1陰極單元72設在相對于復路搬送路32相互不同的一側。即，兩個第1陰極單元72設于在薄膜基板15的搬送方向上不同的位置以及在與搬送方向正交的方向上不同的位置。

第2濺射裝置90在其與第1濺射裝置70之間以及其與第2預備室37之間具備閘閥45、46。另外，第2濺射裝置90具備兩對具有靶材的第2陰極單元92和靜電吸盤93。靶材以例如銅為主要成分。

一方的一對第2陰極單元92和靜電吸盤93設于基板搬送方向的前級，另一方的一對第2陰極單元92和靜電吸盤93設于基板搬送方向的后級。兩對第2陰極單元92和靜電吸盤93設于在基板搬送方向上不重疊的位置。前級的第2陰極單元92和后級的第2陰極單元92設在相對于復路搬送路32相互不同的一側。即，兩個第2陰極單元92設于在薄膜基板15的搬送方向上不同的位置以及在與搬送方向正交的方向上不同的位置。

如此，第1濺射裝置70的兩個第1陰極單元72、第2濺射裝置90的兩個第2陰極單元92在薄膜基板15的搬送方向上的一側以及另一側交替地配置。另外，逆濺射裝置50的靜電吸盤53也在搬送方向的一側交替地配置。

通過控制裝置12對搬送電動機26的控制，薄膜基板15以垂直立設于搬送軌道24上的狀態通過逆濺射裝置50、第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90。在逆濺射裝置50中，薄膜基板15在從逆濺射裝置50的入口側觀察時以作為一個成膜面的右側面15a、作為另一個成膜面的左側面15b的順序依次被逆濺射。

在第1濺射裝置70中，以右側面15a、左側面15b的順序依次形成薄膜。接著，在第2濺射裝置90中，以右側面15a、左側面15b的順序依次形成薄膜。如此，在逆濺射裝置50、第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90中被搬送的薄膜基板15以右側面15a、左側面15b的順序交替地進行基板處理。因此，在對一個成膜面進行處理后，繼續對另一個成膜面進行處理的期間，其相反側的一個成膜面被冷卻。

[逆濺射裝置的構成]

接著，參照圖6以及圖7對逆濺射裝置50的構成以及動作進行說明。

如圖6所示，復路搬送路32在逆濺射腔室51內、且在設于入口側的閘閥43與設于出口側的閘閥44之間直線狀地延伸。

另外，在逆濺射腔室51連接有排氣部56和濺射氣體供給部57，排氣部56對濺射腔室51的內部空間進行排氣，濺射氣體供給部57向內部空間供給包含氬氣的濺射氣體。作為濺射氣體，除了氬氣以外，可以采用氮氣、氧氣以及氫氣中的任意一種，還可以采用將包括氬氣在內的上述4種氣體中的至少2種混合的氣體。排氣部56以及濺射氣體供給部57由控制裝置12進行控制。

另外，逆濺射裝置50具有前級的逆濺射部50A以及后級的逆濺射部50B。由于前級的逆濺射部50A以及后級的逆濺射部50B是同樣的構成，所以僅對前級的逆濺射部50A的構成進行說明。

逆濺射部50A具有1個靜電吸盤53。另外，前級的靜電吸盤53設在復路搬送路32的兩側中的從入口側看時的左側。并且，后級的靜電吸盤53設在從復路搬送路32的入口側看時的右側。

靜電吸盤53利用在其與薄膜基板15之間產生的力來吸附薄膜基板15。另外，通過吸收因逆濺射而使溫度上升的薄膜基板15的熱，從而冷卻薄膜基板15。在靜電吸盤53連結有靜電吸盤移位部54，靜電吸盤移位部54使靜電吸盤53在復路搬送路32上的與薄膜基板15接觸的接觸位置和復路搬送路32上的不與薄膜基板15接觸的非接觸位置之間移位。

如圖7所示，靜電吸盤53具有由絕緣板60、銅板61以及偏壓電極62層積而成的層積體。設于最上層的絕緣板60具有氧化鋁等陶瓷、聚酰亞胺等樹脂等的基材，并形成為矩形且板狀。

在絕緣板60中埋設有多個正電極63和多個負電極64。正電極63以及負電極64形成為細長狀，相互隔著間隔交替地配置。在正電極63電連接有正電極電源65，在負電極64電連接有負電極電源66。正電極電源65將相對為正的電壓施加給正電極63。負電極電源66將相對為負的電壓施加給負電極64。當電壓施加到正電極63以及負電極64時，薄膜基板15被絕緣板60吸附。

在偏壓電極62連接有偏壓用高頻電源67。高頻電力由偏壓用高頻電源67供給到偏壓電極62。作為高頻電力，優選具有例如1MHz以上且6MHz以下的頻率。或者，偏壓用高頻電源67也可以是供給相對高的頻率的高頻電力和相對低的頻率的高頻電力的構成。在該情況下，優選供給13MHz以上且28MHz以下的高頻電力和100kHz以上且1MHz以下的高頻電力。

另外，在偏壓電極62形成有供冷媒通過的冷媒通道68。冷媒通道68具有例如在板狀的偏壓電極62內多次折彎的折彎形狀。在冷媒通道68連接有冷媒循環部69，冷媒循環部69使冷媒在冷媒通道68內循環。冷媒采用冷卻水、氟系溶液以及乙二醇溶液等冷卻液或者氦氣、氬氣等冷卻氣體。

當裝配于基板保持部14的薄膜基板15從閘閥43搬送到逆濺射腔室51內時，通過驅動搬送電動機26，而使薄膜基板15配置到規定位置。另外，通過驅動靜電吸盤移位部54，而使靜電吸盤53移位至接觸位置。此外，電力從正電極電源65以及負電極電源66供給到正電極63以及負電極64，薄膜基板15被絕緣板60吸附。

另外，通過驅動排氣部56而向等離子生成空間S供給濺射氣體，從而逆濺射腔室51內被調整為規定的壓力。另外，在逆濺射腔室51內被調整為規定的壓力的狀態下，當通過偏壓用高頻電源67向偏壓電極62供給高頻電力時，在等離子生成空間S形成等離子，等離子包含濺射氣體的正離子以及電子。等離子中的正離子被引導到負電位狀態的薄膜基板15的表面。由此，位于與靜電吸盤53接觸的面相反側的成膜面的附著物等被去除，從而被清潔化。

由此，當前級的逆濺射部50A對薄膜基板15的一個成膜面(右側面15a)進行的逆濺射持續規定時間時，驅動靜電吸盤移位部54，而使靜電吸盤53從接觸位置移位到非接觸位置。

此外，通過驅動搬送電動機26，使得薄膜基板15配置到后級的逆濺射部50B的規定位置。之后，后級的逆濺射部50B也與前級的逆濺射部50A同樣地，對另一個成膜面(左側面15b)進行逆濺射。在此期間，已被前級的逆濺射部50A逆濺射的一個成膜面(右側面15a)通過與靜電吸盤53接觸而被冷卻。

[濺射裝置的構成]

接著，參照圖8以及圖9對第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90的構成以及動作進行說明。由于第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90只是靶材的材料不同，其他的構成相同，所以僅對第1濺射裝置70的構成進行說明，省略第2濺射裝置90的構成的說明。

在第1濺射裝置70內設有復路搬送路32，復路搬送路32從設于入口側的閘閥44朝向設于出口側的閘閥45直線狀地延伸。該復路搬送路32與逆濺射裝置50的復路搬送路32以及第2濺射裝置90的復路搬送路32配置在同一直線上。

另外，在濺射腔室71連接有排氣部78和濺射氣體供給部79，排氣部78對濺射腔室71的內部空間進行排氣，濺射氣體供給部79向內部空間供給濺射氣體。濺射氣體能采用與逆濺射裝置50相同的氣體。

另外，第1濺射裝置70具有前級的濺射部70A以及后級的濺射部70B。前級的濺射部70A以及后級的濺射部70B相對于復路搬送路32配置在相互不同的一側。由于前級的濺射部70A以及后級的濺射部70B是同樣的構成，所以僅對前級的濺射部70A的構成進行說明。

前級的濺射部70A具備一對第1陰極單元72以及靜電吸盤73。靜電吸盤73隔著等離子生成空間S而與第1陰極單元72相對。

第1陰極單元72具備襯墊板74和靶材75，靶材75以鈦為主要成分。靶材75設在襯墊板74中的靠近靜電吸盤73的一側的面。另外，第2濺射裝置90的靶材75以銅為主要成分。

在襯墊板74電連接有靶材電源76。另外，在襯墊板74的背面側設有磁回路77，磁回路77在等離子生成空間S形成磁場。

靜電吸盤73通過在其與薄膜基板15之間產生的力來吸附薄膜基板15。另外，通過吸收因為濺射而使溫度上升的薄膜基板15的熱，從而冷卻薄膜基板15。在靜電吸盤73連結有靜電吸盤移位部80，靜電吸盤移位部80使靜電吸盤73在復路搬送路32上的與薄膜基板15接觸的接觸位置和復路搬送路32上的不與薄膜基板15接觸的非接觸位置之間移位。

如圖9所示，第1濺射裝置70的靜電吸盤73是與逆濺射裝置50的靜電吸盤53大致相同的構成，但是不具備偏壓電極62的這一點與逆濺射裝置50的靜電吸盤53不同。

也就是說，第1濺射裝置70的靜電吸盤73具備絕緣板81和冷卻板82，在絕緣板81中埋設有正電極84以及負電極85，在冷卻板82中形成有冷媒通道88。在正電極84電連接有正電極電源86，在負電極85電連接有負電極電源87。另外，在冷媒通道88連接有冷媒循環部89。

當裝配于基板保持部14的薄膜基板15從閘閥44搬送到濺射腔室71內時，通過驅動搬送電動機26，而使薄膜基板15配置到與前級的第1陰極單元72相對的位置、即相對位置。另外，通過驅動靜電吸盤移位部80，而使靜電吸盤73移位到接觸位置。此外，從正電極電源86以及負電極電源87向正電極84以及負電極85供給電力，使得薄膜基板15被絕緣板81吸附。

另外，通過驅動排氣部78向等離子生成空間S供給濺射氣體，從而濺射腔室71內被調整為規定的壓力。另外，當向靶材電源76供給高頻電力時，在等離子生成空間S形成等離子，等離子包含濺射氣體的正離子以及電子。等離子中的正離子被引導到負電位狀態的靶材75的表面。由此，靶材75的表面被正離子濺射，鈦粒子到達薄膜基板15的一個成膜面(右側面15a)而形成以鈦為主要成分的薄膜、即Ti層。

此外，通過驅動搬送電動機26，薄膜基板15配置到與后級的濺射部70B的第1陰極單元72相對的位置。之后，后級的濺射部70B也與前級的濺射部70A同樣地，對另一個成膜面(左側面15b)進行濺射。在此期間，已由前級的濺射部70A形成Ti層的一個成膜面(右側面15a)通過與靜電吸盤73接觸而被冷卻。

[基板處理裝置整體的動作]

接著，參照圖5，以復路結構體22為中心對基板處理裝置10的動作進行說明。

控制裝置12驅動第1基板升降部13以及搬送電動機26，將通過基板裝配部11而裝配到基板保持部14的薄膜基板15搬入到往路結構體21。

控制裝置12驅動往路結構體21的加熱器31并控制往路結構體21的搬送電動機26，從而一邊對裝配于基板保持部14的薄膜基板15進行加熱一邊進行搬送。因此，薄膜基板15通過在搬入復路結構體22之前在往路結構體21內的搬送中被預先加熱，而被脫氣。

在此，在往路結構體21僅搬送基板保持部14，并且在復路結構體22的入口側將薄膜基板15裝配到基板保持部14的情況下，僅通過第1預備室36的加熱器40來進行加熱處理。但是，在本實施方式中，在薄膜基板15被搬入到第1濺射裝置70之前的往路搬送期間，薄膜基板15在裝配于基板保持部14的狀態下被加熱。此時的加熱時間比第1預備室36中的加熱時間長。因此，能充分確保脫氣處理的時間。

另外，當控制裝置12驅動搬送輥25等，從而從復路結構體22搬出1個薄膜基板15時，控制裝置12驅動第2基板升降部30，將到達往路結構體21的終端位置的薄膜基板15搬送至復路結構體22。即，在復路結構體22內存在的薄膜基板15的數量被控制裝置12控制為大致恒定。

控制裝置12驅動搬送電動機26，將位于搬入室35的入口跟前的薄膜基板15經由搬入室35搬送到第1預備室36。另外，控制裝置12一邊對第1預備室36的加熱器40進行溫度調整使其達到上述上限溫度以下一邊進行驅動。由此，進行成膜前的最終的脫氣工序。

控制裝置12驅動搬送電動機26，將在第1預備室36已被加熱了規定時間的薄膜基板15搬送到逆濺射裝置50內，并將薄膜基板15搬送到基板搬送方向上的前級的規定位置。然后，控制裝置12控制逆濺射裝置50，而對薄膜基板15的右側面15a進行逆濺射。

當對右側面15a的逆濺射持續規定時間時，控制裝置12驅動搬送電動機26，將薄膜基板15搬送至后級的規定位置。然后，控制裝置12控制逆濺射裝置50，對薄膜基板15的左側面15b進行逆濺射。

當逆濺射工序結束時，控制裝置12驅動搬送電動機26，將薄膜基板15搬送至第1濺射裝置70內，并配置到與前級的第1陰極單元72相對的相對位置。然后，控制裝置12控制第1濺射裝置70，在與第1陰極單元72相對的右側面15a形成Ti層。

當對右側面15a的濺射持續規定時間時，控制裝置12驅動復路結構體22的搬送電動機26，而使薄膜基板15配置到與后級的第1陰極單元72相對的位置。然后，控制裝置12控制第1濺射裝置70，在與第1陰極單元72相對的左側面15b形成Ti層。

當對左側面15b的Ti層的成膜工序結束時，控制裝置12驅動復路結構體22的搬送電動機26，將薄膜基板15搬送至第2濺射裝置90內，并配置到與前級的第2陰極單元92的相對的相對位置。然后，與由第1濺射裝置70進行的Ti層的成膜工序同樣地，控制裝置12以右側面15a以及左側面15b的順序形成Cu層。

當Cu層的成膜結束時，控制裝置12驅動搬送電動機26，將薄膜基板15搬送至第2預備室37內。此外，控制裝置12驅動搬送電動機26，將第2預備室37中的薄膜基板15經由搬出室38而搬送到基板裝配部11內。在基板裝配部11中，從基板保持部14卸下薄膜基板15。

如此，多個薄膜基板15在往路結構體21以及復路結構體22上直線地搬送。在復路結構體22中，對多個薄膜基板15平行進行逆濺射處理、Ti層的成膜處理、Cu層的成膜處理。另外，薄膜基板15由復路結構體22的第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90一面一面交替地進行兩面成膜，因此不必使薄膜基板15旋轉而使成膜面反轉。另外，由于抑制因基板處理導致的溫度上升，所以即使不進行陰極單元等之間的搬送距離的擴大、濺射裝置的輸出降低等，也能抑制薄膜基板15的溫度上升。因此，能縮短從將薄膜基板15搬入到復路結構體22起到從復路結構體22搬出薄膜基板15的時間，并且在一面一面地進行兩面成膜的情況下能提高基板處理裝置10的生產效率。

另外，在將基板保持部14搬送到復路結構體22的入口為止的期間、在往路結構體21中薄膜基板15被加熱。雖然一邊在上限溫度以下進行加熱一邊去除薄膜基板15所吸收的水分等需要進行規定的時間以上的加熱，但是通過在往路結構體21中加熱薄膜基板15，從而與作為加熱室僅設置第1預備室36的情況相比，能縮短在第1預備室36中的加熱時間。

此外，通過在濺射裝置的靜電吸盤設置偏壓電極，從而能使逆濺射裝置50以及濺射裝置一體化。但是，在使逆濺射裝置50以及濺射裝置一體化的情況下，需要在裝置內使薄膜基板15旋轉、或者使薄膜基板15向與上述的基板搬送方向相反方向搬送。但是，通過將逆濺射裝置50、第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90形成為獨立的基板處理裝置，從而不必進行薄膜基板15的旋轉、或者向與基板搬送方向相反方向搬送。

根據上述實施方式，能獲得以下效果。

(1)在第1濺射裝置70中，通過配置于復路搬送路32的前級的第1陰極單元72，而在與該第1陰極單元72相對的薄膜基板15的一個成膜面(右側面15a)形成薄膜。此外，薄膜基板15通過配置于后級的第1陰極單元72，而在與該第1陰極單元72相對的薄膜基板15的另一個成膜面(左側面15b)形成薄膜。另外，第2濺射裝置90也與第1濺射裝置70同樣地，一面一面地形成薄膜。因此，由于不必使薄膜基板15旋轉就能對兩個成膜面一面一面地進行成膜，所以能提高兩面成膜的生產效率。

(2)由第1濺射裝置70的兩個第1陰極單元72以及第2濺射裝置90的兩個第2陰極單元92構成的4個成膜部在復路搬送路32的一側以及另一側交替地配置。因此，在對薄膜基板15的兩面2次地成膜時，不必使薄膜基板15旋轉就能一面一面地進行成膜，因此能提高兩面成膜的生產效率。

(3)在逆濺射裝置50中，通過配置于復路搬送路32的前級的偏壓電極62，將正離子引導到與該偏壓電極62相反側的成膜面，從而該成膜面被逆濺射。此外，通過后級的偏壓電極62，與該偏壓電極62相反側的成膜面被逆濺射。因此，由于不必使基板旋轉就能一面一面地進行逆濺射，所以能提高兩面成膜的生產效率。

(4)能利用加熱器31對薄膜基板15進行加熱，加熱器31設于將裝配于基板保持部14上的薄膜基板15從復路結構體22的搬出口側搬送至復路結構體22的搬入口側的往路結構體21。另外，由于加熱器31在防止薄膜基板15的變形的上限溫度以下對薄膜基板15進行加熱，所以能防止薄膜基板15的變形等，并能進行薄膜基板15的脫氣處理。

(5)通過控制裝置12，與從復路結構體22的薄膜基板15的搬出對應地，進行薄膜基板15向復路結構體22的搬入。因此，能在變成能進行復路結構體22中的處理的定時依次送出被預先加熱的薄膜基板15，所以能提高兩面成膜的生產效率。

另外，上述實施方式也可以變更為如下方式。

·基板保持部也可以是上述實施方式以外的構成。

例如如圖10所示，基板保持部14也可以具備框體16和四邊框狀的基板固定件95，基板固定件95沿框體16的內周面設置。由于基板固定件95對薄膜基板15的整個緣進行固定，所以能牢固地固定薄膜基板15。

·將成膜對象的基板形成為由樹脂構成的薄膜基板15，但是也可以由樹脂以外的材料形成。另外，成膜對象的基板也可以是構成印制電路板的基板、例如、紙苯酚基板、玻璃環氧樹脂基板、特氟綸基板(特氟綸為注冊商標)、礬土等陶瓷基板、低溫共燒陶瓷(LTCC)基板等剛性基板。或者，也可以是在這些基板形成了由金屬構成的布線層的印制電路板。另外，成膜對象的基板形成為用于安裝電子部件的基板，但也可以是構成薄膜二次電池的單電池的基板等、上述以外的基板。

·在上述實施方式中，將第1濺射裝置70的靶材75形成為以鈦為主要成分，將第2濺射裝置90的靶材75形成為以銅為主要成分，但也可以是上述以外的靶材。例如，也可以將第1濺射裝置70的靶材75以及第2濺射裝置90的靶材75中的某一個形成為以鉻為主要成分，也可以形成為以鈦、銅以及鉻中的至少2個為主要成分的靶材。

·在上述實施方式中，往路結構體21的加熱部由沿基板搬送方向排列多個加熱器31構成，但是也可以由沿往路結構體21的長邊方向延伸的加熱器構成。

·在薄膜基板15由吸濕性低的材料構成的情況下等，也可以省略往路結構體21中的加熱器31。

·第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90也可以具有上述構成以外的構成。例如，第1濺射裝置70的靜電吸盤73以及第2濺射裝置90的靜電吸盤93也可以是具備偏壓電極的構成。并且，第1濺射裝置70以及第2濺射裝置90也可以是省略了磁回路77的構成。

·基板保持部14形成為具備框體16和基板固定件17的構成，但是只要采用能對雙方的成膜面進行成膜的構成即可。例如，基板保持部也可以是一對框體夾著薄膜基板15的緣部的構成、具有將成膜面露出的開口的托盤。

·在上述實施方式中，基板處理裝置10采用了具備逆濺射裝置50的構成，但是在進行用于對薄膜基板15的成膜面進行清潔化的預處理的情況下，也可以省略逆濺射裝置50。

·在上述實施方式中，連結了2個濺射裝置，但是濺射裝置的數量能根據進行成膜的薄膜的結構適當地變更。例如，濺射裝置也可以是1個。另外，也可以連結3個以上的濺射裝置。

·基板處理裝置10也可以是對薄膜基板15等薄型基板以外的基板進行處理的裝置。成為處理對象的基板只要是優選在比較低的溫度下進行成膜的基板的話，就能得到與本實施方式同樣的效果。

附圖標記說明

10…基板處理裝置、11…基板裝配部、12…控制裝置、13…第1基板升降部、14…基板保持部、15…薄膜基板、16…框體、17…基板固定件、21…往路結構體、22…復路結構體、23…往路搬送路、24…作為搬送機構的一部分的搬送軌道、25…作為搬送機構的一部分的搬送輥、26…作為搬送機構的一部分的搬送電動機、30…第2基板升降部、31…加熱器、32…復路搬送路、35…搬入室、35a…搬入口、36…第1預備室、37…第2預備室、38…搬出室、38a…搬出口、40…加熱器、50…逆濺射裝置、53…靜電吸盤、62…偏壓電極、67…偏壓用高頻電源、68…冷媒通道、69…冷媒循環部、70…第1濺射裝置、72…第1陰極單元、73…靜電吸盤、74…襯墊板、75…靶材、76…靶材電源、88…冷媒通道、89…冷媒循環部、90…第2濺射裝置、92…第2陰極單元、93…靜電吸盤、S…等離子生成空間。