1.一種基底處理系統，所述基底處理系統包括：
工藝室，在工藝室中執行對基底的工藝；
支撐單元，位于工藝室中并且被構造為支撐基底；
氣體供應單元，包括具有氣體供應孔的氣體供應部，氣體供應孔被構造為將工藝氣體供應到基底上；以及
排放單元，被構造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，氣體供應部包括設置有所述氣體供應孔的氣體供應區域和位于氣體供應區域與排放單元之間的氣體擴散區域，
氣體擴散區域沒有氣體供應孔。
2.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應部與由支撐單元支撐的基底疊置并且使氣體供應區域與基底的一部分疊置且使氣體擴散區域與基底的另一部分疊置。
3.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，氣體擴散區域具有面對基底的平坦表面。
4.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，氣體擴散區域是第一氣體擴散區域，其中，氣體供應區域包括多個氣體供應區域，并且氣體擴散區域還包括位于所述多個氣體供應區域之間的第二氣體擴散區域。
5.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，排放單元包括設置在氣體供應單元的外側的第一排放部和設置在氣體供應單元中的第二排放部，其中，所述第二排放部包括形成在氣體供應單元的表面上的凹進區域。
6.根據權利要求5所述的基底處理系統，其中，氣體供應單元包括：
第一氣體供應部，被構造為供應第一氣體；以及
第二氣體供應部，被構造為供應第二氣體，
其中，所述凹進區域位于第一氣體供應部與第二氣體供應部之間。
7.根據權利要求5所述的基底處理系統，其中，所述凹進區域被構造為當氣體供應單元將工藝氣體供應到基底上時具有比在氣體供應區域和氣體擴散區域處的壓力低的壓力。
8.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，氣體供應部具有弧形形狀并且從氣體供應單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應單元的外部部分，
氣體供應區域的徑向長度大于或等于氣體擴散區域的徑向長度。
9.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應部具有弧形形狀并且從氣體供應單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應單元的外部部分，
氣體供應區域的徑向長度小于氣體擴散區域的徑向長度。
10.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，氣體供應部具有弧形形狀并且從氣體供應單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應單元的外部部分，
氣體供應區域的弧長大于或等于氣體擴散區域的弧長。
11.根據權利要求1所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應部具有弧形形狀并且從氣體供應單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應單元的外部部分，
氣體供應區域的弧長小于氣體擴散區域的弧長。
12.一種基底處理系統，所述基底處理系統包括：
工藝室，限定內部空間；
支撐單元，位于工藝室的內部空間中并且支撐基底；
氣體供應單元，處于工藝室的頂部，包括氣體供應部，所述氣體供應部包括被構造為將工藝氣體供應到基底上的氣體供應孔；以及
排放單元，被構造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，所述氣體供應部包括氣體供應區域和氣體擴散區域，其中，氣體供應區域包括所述氣體供應孔延伸穿過的底表面，氣體擴散區域包括平坦的、實心的底表面，
其中，支撐單元被構造為使得基底能夠定位在氣體供應部下方并且使氣體供應區域在基底的第一部分之上且使氣體擴散區域在基底的不同的第二部分之上。
13.根據權利要求12所述的基底處理系統，其中，
排放單元包括氣體供應單元的在氣體供應單元的外部部分周圍延伸的凹進區域，
氣體供應部從氣體供應單元的中心部分放射狀地向外延伸到氣體供應單元的外部部分，
氣體供應區域與氣體供應單元的中心部分相鄰，
氣體擴散區域位于氣體供應區域與在氣體供應單元的外部部分周圍延伸的凹進區域之間。
14.根據權利要求13所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應部是第一氣體供應部，所述氣體供應單元還包括與所述第一氣體供應部隔開的第二氣體供應部、與所述第二氣體供應部隔開的第三氣體供應部以及與所述第三氣體供應部隔開的第四氣體供應部，其中，凹進區域在第一氣體供應部至第四氣體供應部中的交替的氣體供應部之間延伸。
15.根據權利要求13所述的基底處理系統，其中，氣體供應區域是第一氣體供應區域，氣體擴散區域是第一氣體擴散區域，氣體供應部還包括與所述第一氣體供應區域隔開的第二氣體供應區域以及在第一氣體供應區域與第二氣體供應區域之間延伸的第二氣體擴散區域。
16.根據權利要求12所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應單元被構造為使得從氣體供應孔供應的工藝氣體擴散到氣體擴散區域與基底之間的空間。
17.一種基底處理系統，所述基底處理系統包括：
工藝室，在工藝室中執行對基底的工藝；
支撐單元，位于工藝室的內部空間中并且被構造為支撐基底；
氣體供應單元，包括被構造為將工藝氣體供應到基底上的氣體供應部；以及
排放單元，被構造為將工藝氣體從工藝室排出，
其中，氣體供應部包括：氣體供應區域，包括分隔開的第一氣體供應區域和第二氣體供應區域，所述氣體供應區域被構造為將工藝氣體供應到基底上；氣體擴散區域，提供使工藝氣體在基底上擴散的空間，
其中，所述氣體擴散區域包括：第一氣體擴散區域，設置在氣體供應區域與排放單元之間；第二氣體擴散區域，設置在第一氣體供應區域與第二氣體供應區域之間。
18.根據權利要求17所述的基底處理系統，其中，氣體供應區域包括用于供應工藝氣體的氣體供應孔，其中，氣體擴散區域具有沒有面對基底的氣體供應孔的平坦表面。
19.根據權利要求18所述的基底處理系統，其中，所述氣體供應部被定位成與由支撐單元支撐的基底疊置并且使氣體供應區域與基底的一部分疊置且使氣體擴散區域與基底的另一部分疊置。
20.根據權利要求19所述的基底處理系統，其中，排放單元包括設置在氣體供應單元外側的第一排放部和設置在氣體供應單元中的第二排放部，其中，第二排放部被設置為第二排放區域，其中，氣體供應單元還包括用作第二排放區域的凹進區域，其中，氣體供應單元在氣體供應區域和氣體擴散區域處比在凹進區域處厚。
21.根據權利要求20所述的基底處理系統，其中，氣體供應單元包括：
第一氣體供應部，被構造為供應第一氣體；以及
第二氣體供應部，被構造為供應第二氣體，
其中，所述凹進區域設置在第一氣體供應部與第二氣體供應部之間。
22.根據權利要求18所述的基底處理系統，其中，氣體供應區域具有大于或等于氣體擴散區域的長度的長度。
23.一種氣體供應單元，所述氣體供應單元包括：氣體供應部，被構造為將氣體供應到目標物體，
其中，氣體供應部包括：
第一區域，被構造為使氣體具有第一壓力；
第二區域，被構造為使氣體具有比第一壓力低的第二壓力；以及
第三區域，位于第一區域與第二區域之間，
其中，第一區域具有用于將氣體供應到目標物體的氣體供應孔，
第三區域具有面對目標物體的平坦表面。
24.根據權利要求23所述的氣體供應單元，其中，第二區域是具有比第一區域的表面低的表面的凹進區域。
25.根據權利要求23所述的氣體供應單元，其中，所述氣體供應部包括多個所述第一區域，
第三區域包括置于所述多個所述第一區域之間的部分。