技術總結
公開了一種氣體供應單元和基底處理系統，所述基底處理系統可以包括：工藝室，在工藝室中執行對基底的工藝；支撐單元，在工藝室中用于支撐基底；氣體供應單元，包括具有氣體供應孔的氣體供應部，并且氣體供應孔被構造為將工藝氣體供應到基底上；排放單元，被構造為將工藝氣體從工藝室排出。氣體供應部可以包括設置有氣體供應孔的氣體供應區域和在氣體供應區域與排放單元之間的氣體擴散區域。氣體擴散區域可以沒有氣體供應孔。
技術研發人員：鄭淑真;李鐘喆;鄭珉和;申宰哲;李仁善;崔釿奎;安重鎰;李承翰;許真弼
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201610884328
技術研發日：2016.10.10
技術公布日：2017.05.10