本發明涉及手機零件，尤其涉及一種用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝及手機蓋板。
背景技術：
現有技術中，手機蓋板SIO2+ITO低溫鍍膜存在以下問題點：首先，每次生產工藝調試時間長；其次，生產中電阻不易控制，會導致產品批量不良發生，生產良品后要經過真空退火才能達到要求，這樣多次操作，產品良率低，浪費人力、物力，生產成本高；此外，由于低溫度膜工藝難控制，影響產品交貨期；再次，對OGS蓋板不能滿足工藝要求；綜上所述，現有加工工藝無法同時滿足客戶交期、低成本、高透光率、滿足OGS蓋板工藝等特點。
技術實現要素：
本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足，提供一種用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝及手機蓋板，用以滿足高效率、本低成、高透光率等工藝要求。
為解決上述技術問題，本發明采用如下技術方案。
一種用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝，其包括有如下步驟：對鍍膜室抽氣、加熱，使鍍膜真空度達到高溫鍍膜要求，之后在鍍膜室內對手機蓋板鍍制ITO膜和SIO2膜，以令手機蓋板上一次成膜。
優選地，還包括清洗步驟：在鍍膜之前，線對手機蓋板進行超聲波清洗。
優選地，所述清洗步驟之后還包括：將清洗干凈的手機蓋板移至凈化間，以確認清洗效果。
優選地，鍍制ITO膜和SIO2膜時，先將手機蓋板掛片，之后鍍制膜層。
優選地，還包括有檢測步驟：對鍍膜后的手機蓋板外觀、形狀檢測，之后裝箱。
一種手機蓋板，其包括有玻璃基材，所述玻璃基材上鍍制有SIO2膜層，所述SIO2膜層上鍍制有ITO膜層。
優選地，所述玻璃基材與SIO2膜層之間夾設有油墨。
優選地，所述油墨沿玻璃基材的邊緣分布。
本發明公開的用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝中，采用一次成膜工藝，使得透過率基本達到工藝要求。從不同比例靶材對比電阻，95:5靶材鍍膜比90：10靶材鍍膜電阻均勻性好，從而確定使用高比例靶材進行該產品鍍膜。經過多次工藝測試、鍍膜室溫度檢測儀檢測，使設定溫度即能滿足ITO鍍膜物性要求，又要使蓋板油墨不能脫膜、損壞等要求，可以滿足批量生產。
附圖說明
圖1為本發明手機蓋板的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明作更加詳細的描述。
本發明公開了一種用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝，其包括有如下步驟：對鍍膜室抽氣、加熱，使鍍膜真空度達到高溫鍍膜要求，之后在鍍膜室內對手機蓋板鍍制ITO膜和SIO2膜，以令手機蓋板上一次成膜。
進一步地，本發明還包括清洗步驟：在鍍膜之前，線對手機蓋板進行超聲波清洗。
本實施例中，所述清洗步驟之后還包括：將清洗干凈的手機蓋板移至凈化間，以確認清洗效果。
在此基礎上，鍍制ITO膜和SIO2膜時，先將手機蓋板掛片，之后鍍制膜層。
為了進一步提高產品性能，還包括有檢測步驟：對鍍膜后的手機蓋板外觀、形狀檢測，之后裝箱。
上述用于加工手機蓋板鍍膜的一次成膜工藝中，采用一次成膜工藝，使得透過率基本達到工藝要求。從不同比例靶材對比電阻，95:5靶材鍍膜比90：10靶材鍍膜電阻均勻性好，從而確定使用高比例靶材進行該產品鍍膜。經過多次工藝測試、鍍膜室溫度檢測儀檢測，使設定溫度即能滿足ITO鍍膜物性要求，又要使蓋板油墨不能脫膜、損壞等要求，可以滿足批量生產。
在上述工藝的基礎上，本發明還公開了一種手機蓋板，如圖1所示，其包括有玻璃基材1，所述玻璃基材1上鍍制有SIO2膜層2，所述SIO2膜層2上鍍制有ITO膜層3。
關于蓋板的具體結構，所述玻璃基材1與SIO2膜層2之間夾設有油墨4。
進一步地，所述油墨4沿玻璃基材1的邊緣分布。
利用上述工藝生產的手機蓋板，采用一次成膜的生產工藝，可以達到量產水平。同時提高了產品合格率，由原來合格率92％提高到98％以上，大大降低了生產成本，使得生產效率最大化。
以上所述只是本發明較佳的實施例，并不用于限制本發明，凡在本發明的技術范圍內所做的修改、等同替換或者改進等，均應包含在本發明所保護的范圍內。